「HEUSLER ALLOY」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The spin MOS field effect transistor includes, at least one of a source and a drain, a structure including a full Heusler alloy layer 13 formed on a semiconductor substrate 10, a ferromagnetic layer 14 formed on the full Heusler alloy layer 13 and having a face-centered cubic lattice structure, a nonmagnetic layer 15 formed on the ferromagnetic layer 14, and a ferromagnetic layer 16 formed on the nonmagnetic layer 15.例文帳に追加

半導体基板１０上に形成されたフルホイスラー合金層１３と、フルホイスラー合金層１３上に形成された、面心立方格子構造を有する強磁性体層１４と、強磁性体層１４上に形成された非磁性層１５と、非磁性層１５上に形成された強磁性体層１６とを含む構造をソース及びドレインのうち少なくとも一つに備える。 - 特許庁

The tunnel magnetoresistive element comprises a first ferromagnetic body, a second ferromagnetic body, and an insulator sandwiched between these ferromagnetic bodies wherein at least one ferromagnetic body has a single crystal of full Heusler alloy grown epitaxially on the (100) face of a base material and a thin Mg layer is provided between the full Heusler alloy and the insulator.例文帳に追加

第１の強磁性体と、第２の強磁性体と、これら強磁性体間に挟まれて存在する絶縁体とを具え、強磁性体の少なくとも一方は、基材上に(100)面にエピタキシャル成長したフルホイスラー合金の単結晶を有し、フルホイスラー合金と絶縁体との間に薄いＭｇ層を具えている。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive device having an exchange-coupled structure which includes a semi-metallic ferromagnetic Heusler alloy with near 100% spin polarization.例文帳に追加

１００％近いスピン偏極を有する半金属強磁性体ホイスラー合金を含む、交換結合構造を有する磁気抵抗素子の実現が求められている。 - 特許庁

A solid phase of a half-Heusler alloy composed of an intermetallic compound NbCoSn is generated by holding a solid phase of an intermetallic compound NbCo and a liquid phase of Sn in a state where both of them are brought into contact with each other.例文帳に追加

金属間化合物ＮｂＣｏの固相と、Ｓｎの液相とを接触させた状態で保持することにより、金属間化合物ＮｂＣｏＳｎから成るハーフホイスラー合金の固相を生成させる。 - 特許庁

To provide a Co_2Fe-based Heusler alloy having a spin polarization rate of 0.65 or higher, and to provide a high characteristic spintronics element using it.例文帳に追加

本発明は高い特性を示すスピントロニクス素子を実現するために、０．６５以上のスピン偏極率を持つＣｏ_２Ｆｅ基ホイスラー合金とそれを用いた高特性スピントロニクス素子を提供することを課題とする。 - 特許庁

Furthermore, the thermoelectric conversion element has a structure capable of controlling the electric conductance and the Seebeck coefficient S to increase by applying an electric field to the Heusler alloy film or applying a voltage thereto through an insulating film.例文帳に追加

また、前記ホイスラー合金膜に電界あるいは絶縁膜を介して電圧を印加することにより、その電気伝導度とゼーベック係数Ｓを増大できるように制御可能な構造を有する。 - 特許庁

To provide a Heusler alloy composed of Co_2FeSi which can obtain a high regularity of L2_1 and has a high spin polarization ratio.例文帳に追加

Ｃｏ_２ＦｅＳｉよりなるホイスラー合金について、高いＬ２_１規則度を実現するとともに、高いスピン分極率を有するホイスラー合金を提供する。 - 特許庁

To provide a magneto-resistance effect element which includes a magnetic material, which forms antiferromagnetic combination with full Heusler alloy high in spin polarization rate, and which is high in TMR (tunnel magnetoresistance ratio).例文帳に追加

スピン分極率の高いフルホイスラー合金と反強磁性結合を形成する磁性体を含む、ＴＭＲ比が高い磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To obtain a magneto-resistance variation rate which is as high as possible and influenced as little as possible by temperature variation even when a full-Heusler alloy is used for a magnetic layer.例文帳に追加

磁性層としてフルホイスラー合金を用いても、可及的に高くかつ温度変化の影響を可及的に受けない磁気抵抗変化率を得ることを可能にする。 - 特許庁

By adding Cr as a fourth element, the Co-base Heusler alloy which exhibits a high polarization ratio even in a state where the regularity of L2_1 is relatively low can be provided.例文帳に追加

第４元素としてＣｒを添加することにより、Ｌ２_１規則度が比較的低い状態であっても高いスピン分極率を示すＣｏ基ホイスラー合金を見いだしたことによる。 - 特許庁

To provide a spin MOS field effect transistor including a magnetic body forming an antiferromagnetic coupling with a full Heusler alloy of high spin polarizability, and using a magnetoresistive effect element with a high TMR ratio.例文帳に追加

スピン分極率の高いフルホイスラー合金と反強磁性結合を形成する磁性体を含む、ＴＭＲ比が高い磁気抵抗効果素子を用いたスピンＭＯＳ電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

The exchange-coupled structure 110 includes an intermediate ferromagnetic layer 116 between an AF layer 112 and the pinned semi-metallic ferromagnetic Heusler alloy layer 118 which results in exchange biasing.例文帳に追加

交換結合構造１１０は中間強磁性体層１１６をＡＦ層１１２とピンド半金属強磁性体ホイラー合金層１１８の間に有しており、この結果交換バイアスを形成している。 - 特許庁

In fact, a CPP-GMR element employing the Co_2Fe(Ga_XGe_X-1) Heusler alloy in the electrode shows a highest MR ratio in the world, a high output in an STO element, and a high spin signal in an NLSV element.例文帳に追加

実際、Ｃｏ_２Ｆｅ（Ｇａ_ＸＧｅ_Ｘ−１）ホイスラー合金を電極としたＣＰＰ−ＧＭＲ素子は世界最高のＭＲ比を、ＳＴＯ素子では高い出力を、ＮＬＳＶ素子では高いスピン信号を示した。 - 特許庁

In a basic Fe_2VAl structure having a Heusler alloy crystal structure whose total number of valence electrons per chemical formula is 24, at least part of each of Fe and V is replaced with other elements.例文帳に追加

ホイスラー合金型の結晶構造をもち、化学式当たりの総価電子数が２４であるＦｅ_2ＶＡｌの基本構造に対し、Ｆｅ及びＶのそれぞれ少なくとも一部が他の元素で置換されている。 - 特許庁

The Co_2Fe(Ga_XGe_X-1) Heusler alloy has a high spin polarization rate of 0.65 or higher measured in a region of 0.25<X<0.60 by PCAR method.例文帳に追加

Ｃｏ_２Ｆｅ（Ｇａ_ＸＧｅ_Ｘ−１）ホイスラー合金は０．２５＜Ｘ＜０．６０の領域でＰＣＡＲ法により測定したスピン偏極率は０．６５以上の高い値を示す。 - 特許庁

At least either of the source electrode and the drain electrode includes: an MgO layer 14 formed on the bottom face in the groove formed on the substrate 11 and on a side face in the groove on the gate electrode 13 side; and a Heusler alloy layer 15 formed on the MgO layer 14 in the groove.例文帳に追加

ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方は、半導体基板１１に設けられた溝内の底面上及び溝内のゲート電極１３側の側面上に形成されたＭｇＯ層１４と、溝内のＭｇＯ層１４上に形成されたホイスラー合金層１５とを備える。 - 特許庁

The tunnel magnetoresistive element comprises a first ferromagnetic body, a second ferromagnetic body, and an insulator sandwiched between these ferromagnetic bodies wherein at least one ferromagnetic body has a single crystal of full Heusler alloy grown epitaxially on the (110) face of a base material.例文帳に追加

第１の強磁性体と、第２の強磁性体と、これら強磁性体間に挟まれて存在する絶縁体とを具え、強磁性体の少なくとも一方は、基材上に(110)面にエピタキシャル成長したフルホイスラー合金の単結晶を有する。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element has a first half metal ferromagnetic layer 13 and a second half metal ferromagnetic layer 15 composed of a Co_2Fe_xMn_1-xSi Heusler alloy (x=0.0 to 1.0) and having a thickness of 2-20 nm, and a nonmagnetic metal layer 14 composed of Ag sandwiched therebetween.例文帳に追加

Ｃｏ_２Ｆｅ_ｘＭｎ_１−ｘＳｉホイスラー合金（ｘ＝０．０〜１．０）から成り、層厚が２〜２０ｎｍである第１のハーフメタル強磁性体層１３および第２のハーフメタル強磁性体層１５と、それらの間に挟まれたＡｇから成る非磁性金属体層１４とを有している。 - 特許庁

In the Heusler-type Ni-Co-Ga or Co-Ni-Ga magnetic shape memory alloy, high crystal anisotropy is provided and high-frequency low-energy grain boundary is formed and martensitic phase transformation is induced by magnetic fields.例文帳に追加

高い結晶異方性を有し、かつ、高頻度の低エネルギー粒界が形成されていて、磁場によりマルテンサイト相変態が誘起されることを特徴とするホイスラー型Ｎｉ−Ｃｏ−Ｇａ系Ｃｏ−Ｎｉ−Ｇａ系の磁性形状記憶合金。 - 特許庁

The ferromagnetic tunnel junction element, the magneto-resistance effect element and the magnetic detection element using the Co-based Heusler alloy have unprecedented high-performance, respectively.例文帳に追加

＜式１＞ Ｃｏ_２−ｘＹ_ｘＡＢ （０＜ｘ＜０．２、 Ｙ：Ｃｅ，Ｐｒ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ又はＬｕ。 Ａ：Ｆｅ又はＭｎ。 Ｂ：Ａｌ，Ｓｉ、Ｇａ，Ｇｅ又はＳｎ） このＣｏ基ホイスラー合金を用いた強磁性トンネル接合素子、磁気抵抗効果素子及び磁気検出素子の、それぞれ従来にはない高性能なものが得られた。 - 特許庁

The film is deposited on an object to be deposited by sputtering the target of the Heusler's alloy of Co_2MnAl, Co_2MnSi, CeCrAl, NiMnSb, SrLaMnO, PtMjSb, Mn_2VAl, Fe_2VAl, Co_2FeSi, Co_2MnGe, and Co_2FexCr(1-x)Al, using xenon as a discharge gas.例文帳に追加

放電ガスとしてキセノンを用いて、Ｃｏ_2ＭｎＡｌ、Ｃｏ_2ＭｎＳｉ、ＣｏＣｒＡｌ、ＮｉＭｎＳｂ、ＳｒＬａＭｎＯ、ＰｔＭｎＳｂ、Ｍｎ_2ＶＡｌ、Ｆｅ_2ＶＡｌ、Ｃｏ_2ＦｅＳｉ、Ｃｏ_2ＭｎＧｅ、Ｃｏ_2ＦｅｘＣｒ(1-x)Ａｌなどのホイスラー合金のターゲットをスパッタリングして被成膜体に成膜する。 - 特許庁

Both the Heusler alloy layers 332, 52 are composed of a CoMnSi alloy with the content rate of Mn larger than 25 atm% and not more than 40 atm%, including a main component with a B2 structure where a Co atom is arranged at the body-centered position of a unit grid and Mn atoms or Si atoms are irregularly arranged at the vertex positions of the unit grid.例文帳に追加

ホイスラー合金層３３２，５２は、いずれも、Ｍｎの含有率が２５原子％より多く４０原子％以下であるＣｏＭｎＳｉ合金よりなり、且つ単位格子の体心位置にＣｏ原子が配置され、単位格子の頂点位置にＭｎ原子またはＳｉ原子が不規則に配置されたＢ２構造の主成分を含んでいる。 - 特許庁

A magnetoresistive device with a pinned ferromagnetic layer 118 and a free ferromagnetic layer 132 separated by a nonmagnetic spacer layer 120 has an exchange-coupled anti-ferromagnetic/ ferromagnetic structure that uses the semi-metallic ferromagnetic Heusler alloy with its near 100% spin polarization as the pinned ferromagnetic layer 118.例文帳に追加

非磁性スペーサ１２０で分離されているピンド強磁性体層１１８とフリー強磁性体層１３２を有する磁気抵抗素子であり、ピンド強磁性体層１１８として１００％近いスピン偏極の半金属強磁性体ホイスラー合金を使用する交換結合した反強磁性体層／強磁性体層構造を有している。 - 特許庁