「HEUSLER ALLOY」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Fixed magnetic layers 31, 32 have Heusler alloy layers 31d, 32a composed of Heusler alloys such as a Co_2MnGe alloy.例文帳に追加

また、固定磁性層３１、３２はＣｏ_２ＭｎＧｅ合金などのホイスラー合金からなるホイスラー合金層３１ｄ、３２ａを有している。 - 特許庁

An amorphous Heusler alloy layer 4 is arranged on an opposite surface side to the MgO layer 3 of the Heusler alloy layer 1.例文帳に追加

ホイスラー合金層１のＭｇＯ層３に対して反対の面側には、非晶質のホイスラー合金層４が配置されている。 - 特許庁

Furthermore, on the Cr layer 13, there are formed the Heusler alloy layer 14, a tunnel barrier layer 15, and the Heusler alloy layer 16 in sequence.例文帳に追加

さらに、Ｃｒ層１３上には、ホイスラー合金層１４、トンネルバリア層１５、ホイスラー合金層１６が順次形成されている。 - 特許庁

Co2Fe-BASED HEUSLER ALLOY AND SPINTRONICS ELEMENT USING IT例文帳に追加

Ｃｏ２Ｆｅ基ホイスラー合金とこれを用いたスピントロニクス素子 - 特許庁

HEUSLER ALLOY, AND TMR ELEMENT OR GMR ELEMENT USING IT例文帳に追加

ホイスラー合金とそれを用いたＴＭＲ素子又はＧＭＲ素子 - 特許庁

DEPOSITION METHOD OF HEUSLER'S ALLOY FILM, AND TUNNELLING MAGNETORESISTIVE ELEMENT例文帳に追加

ホイスラー合金膜の成膜方法及びトンネル磁気抵抗素子 - 特許庁

To form a ferromagnetic substance layer consisting of a Heusler alloy.例文帳に追加

ホイスラー合金である強磁性体層を形成すること。 - 特許庁

METHOD OF VAPOR DEPOSITION OF HEUSLER ALLOY BY CO- SPUTTERING METHOD例文帳に追加

同時スパッタリング法によるホイスラー合金の蒸着方法 - 特許庁

In particular, the full Heusler alloy is preferably composed of Co_2MnSi.例文帳に追加

特に、フルホイスラー合金は、Ｃｏ_２ＭｎＳｉからなることが好ましい。 - 特許庁

The first Ferromagnetic layer 15 and the free layer 18 have a multi-layer structure with a plurality of Heusler alloy layers which consist of a Heusler alloy such as Co_2MnSi, and an insertion layer which is provided between these Heusler alloy layers.例文帳に追加

第１強磁性層１５およびフリー層１８は、Ｃｏ_2 ＭｎＳｉなどのホイスラー合金からなる複数のホイスラー合金層と、それらのホイスラー合金層の間に設けられた挿入層との多層構造を有している。 - 特許庁

The Heusler alloy layers 33H and 25H comprise Heusler alloys where atoms of magnetic metallic elements are arranged in body center positions of unit lattices, and additional non-magnetic metal elements which do not constitute the Heusler alloy.例文帳に追加

ホイスラー合金層３３Ｈ，２５Ｈは、単位格子の体心位置に磁性金属元素の原子が配置されたホイスラー合金と、ホイスラー合金を構成しない非磁性金属元素である添加元素とを含んでいる。 - 特許庁

To provide a spin transistor using a Heusler alloy layer high in spin polarizability.例文帳に追加

スピン分極率の高いホイスラー合金層を用いたスピントランジスタを提供する。 - 特許庁

Preferably, the full Heusler alloy is an intermetallic compound represented by a composition formula X_2YZ.例文帳に追加

フルホイスラー合金は、Ｘ_２ＹＺの組成式で表わされる金属間化合物であることが好ましい。 - 特許庁

To actualize high magnetoresistance effect by accelerating regularization of a Heusler alloy inexpensively.例文帳に追加

低コストでホイスラー合金の規則化を促進させ、高い磁気抵抗効果を実現すること。 - 特許庁

Further, on the MgO layer 33, an epitaxial-grown Heusler alloy 34 is formed.例文帳に追加

さらに、ＭｇＯ層３３上には、エピタキシャル成長したホイスラー合金３４が形成されている。 - 特許庁

A layer of the pinned layer 43 adjacent to the spacer layer 44 is formed of the Heusler alloy layer.例文帳に追加

ピンド層４３の、スペーサ層４４と隣接する層はホイスラー合金層で構成される。 - 特許庁

Thereby, annealing temperature for ordering a crystal structure in the Heusler alloy is reduced.例文帳に追加

これにより、ホイスラー合金における結晶構造を秩序化するためのアニール温度が低減される。 - 特許庁

The fixed layer 23 and the free layer 25 comprise Heusler alloy layers 33H and 25H.例文帳に追加

固定層２３とフリー層２５は、それぞれホイスラー合金層３３Ｈ，２５Ｈを含んでいる。 - 特許庁

A crystalline Heusler alloy layer 1 is arranged so as to be in contact with an MgO layer 3.例文帳に追加

ＭｇＯ層３と接触するように、結晶質のホイスラー合金層１が配置されている。 - 特許庁

The chemical compound 49 contains at least one kind of elements included in the Heusler alloy layer.例文帳に追加

化合物４９は、ホイスラー合金層に含まれる元素の少なくとも１種を含んでいる。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE DEVICE WITH EXCHANGE-COUPLED STRUCTURE HAVING SEMI-METALLIC FERROMAGNETIC HEUSLER ALLOY IN PINNED LAYER THEREOF例文帳に追加

固定層に半金属強磁性体ホイスラー合金を有する交換結合構造の磁気抵抗素子 - 特許庁

To attain a high MR ratio by a Heusler alloy layer to easily take a particular crystal structure when a layer adjacent to a spacer layer is the Heusler alloy layer.例文帳に追加

スペーサ層に隣接する層がホイスラー合金層である場合に、ホイスラー合金層が特定の結晶構造をとりやすくすることによって高いＭＲ比を達成する。 - 特許庁

A full Heusler alloy layer 13 is formed on the insulating layer 12 and a ferromagnetic layer 14, having face-centered cubic lattice structure, is formed on the full Heusler alloy layer 13.例文帳に追加

絶縁体層１２上にはフルホイスラー合金層１３が形成され、フルホイスラー合金層１３上には、面心立方格子構造を有する強磁性体層１４が形成されている。 - 特許庁

To provide a deposition method of a Heusler's alloy film capable of suppressing composition deviation from a target and a tunnelling magnetoresistive element having the Heusler's alloy film.例文帳に追加

ターゲットからの組成ずれを抑えられるホイスラー合金膜の成膜方法及びこのホイスラー合金膜を有するトンネル磁気抵抗素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a laminate of which a degree of freedom in selecting a base layer with a Heusler alloy formed is high, of which a thermal treatment temperature and the number of times of thermal treatment are reduced, and which utilizes high spin polarization rate of the Heusler alloy.例文帳に追加

ホイスラー合金が形成される下地層の選択自由度が高く、熱処理温度及び熱処理回数を低減し、ホイスラー合金の高いスピン偏極率を活用できる積層体を提供する。 - 特許庁

The alloy is a Co-based Heusler alloy for spintronics devices, and a part of Co is replaced by Fe.例文帳に追加

スピントロニクスデバイスにおけるＣｏ基ホイスラー合金で、Ｃｏの一部がＦｅで置換された合金である。 - 特許庁

The Heusler alloy layer 92 contains a metal element made of any one of silver, gold, copper, paladium, or platinum, or of an alloy made of these elements.例文帳に追加

ホイスラー合金層９２は、銀、金、銅、パラジウム、または白金のいずれか、またはこれらの合金からなる金属成分を含んでいる。 - 特許庁

The Heusler alloy material is formed via a substrate layer made of magnesium oxide or chromium oxide and, thereafter, is formed through heat treatment process.例文帳に追加

酸化マグネシウムまたはクロムから成る下地層を介して形成された後、熱処理プロセスを施して形成されている。 - 特許庁

The free layer 45 comprises at least the spacer layer 44 and the Heusler alloy layer which is located at the side adjacent to the spacer layer.例文帳に追加

フリー層４５は、少なくともスペーサ層４４と隣接する側がホイスラー合金層で構成される。 - 特許庁

To provide a tunnel magnetoresistive element in which at least one ferromagnetic body comprises a full Heusler alloy having spin polarizability of 100%.例文帳に追加

少なくとも一方の強磁性体にスピン分極率がほぼ１００％のフルホイスラー合金を具えるトンネル磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

Furthermore, since the Co_2Fe(Ga_XGe_X-1) Heusler alloy has a high Curie point of 1288K, it is a practical material of promise.例文帳に追加

また１２８８Ｋと高いキュリー点をもつことから、Ｃｏ_２Ｆｅ（Ｇａ_ＸＧｅ_Ｘ−１）ホイスラー合金が実用材料として有望である。 - 特許庁

A chemical compound 49 is provided to a boundary between the Heusler alloy layer and the spacer layer 44 dottedly in a sea island shape.例文帳に追加

ホイスラー合金層とスペーサ層４４との界面には、化合物４９が海島状に分散して設けられている。 - 特許庁

To provide a spin valve structure which includes a Heusler alloy in which ordering temperature is reduced and can obtain higher signal detection sensitivity.例文帳に追加

秩序化温度が低減されたホイスラー合金を含み、より高い信号検出感度を得ることのできるスピンバルブ構造を提供する。 - 特許庁

Ni-Co-Ga OR Co-Ni-Ga HEUSLER-TYPE MAGNETIC SHAPE MEMORY ALLOY AND MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

Ｎｉ−Ｃｏ−Ｇａ系またはＣｏ−Ｎｉ−Ｇａ系ホイスラー型磁性形状記憶合金およびその製造方法 - 特許庁

A free layer is constituted of a plurality of layered layers and has a Heusler alloy layer and a Co based amorphous metal layer.例文帳に追加

本形態の自由層は積層された複数層から構成されており、ホイスラ合金層と、Ｃｏ系アモルファス金属層とを有している。 - 特許庁

LAMINATE HAVING HEUSLER ALLOY, SPIN MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR USING THE LAMINATE, AND TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT例文帳に追加

ホイスラー合金を有する積層体、この積層体を用いたスピンＭＯＳ電界効果トランジスタ及びトンネル磁気抵抗効果素子 - 特許庁

The free magnetization layer 39 is formed of an Mn-based Heusler alloy, while the diffusion prevention layer 38 is formed of CoFeAl.例文帳に追加

自由磁化層３９はＭｎ系ホイスラー合金からなり、拡散防止層３８はＣｏＦｅＡｌからなる。 - 特許庁

The Co-based Heusler alloy is expressed by compositional formula: Co_2Mn_1-XFe_XSn (wherein, 0<X<0.2).例文帳に追加

本発明のＣｏ基ホイスラー合金は、組成式 Ｃｏ_２Ｍｎ_１−ＸＦｅ_ＸＳｎ（ただし、0＜Ｘ＜0.2）であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a Co-based Heusler alloy which can obtain a TMR (Tunnel Magneto-Resistance) ratio higher than heretofore at room temperature.例文帳に追加

本発明は、従来に比べ高いＴＭＲ比が室温で得られるＣｏ基ホイスラー合金を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a Co-based Heusler alloy which has a high spin polarizability which has not been obtained.例文帳に追加

本発明は、従来には望むことの出来ない高いスピン偏極率を持つＣｏ基ホイスラー合金を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a tunnel magnetoresistance effect element that uses a Heusler alloy with a crystal structure having high-level regularity, whose Tunnel Magneto Resistive (TMR) ratio is high.例文帳に追加

規則性の高い結晶構造を持つホイスラー合金を用いたＴＭＲ比が高いトンネル磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

LAMINATE INCLUDING HEUSLER ALLOY, MAGNETIC RESISTANCE ELEMENT USING LAMINATE, SPIN TRANSISTOR, AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加

ホイスラー合金を有する積層体、この積層体を用いた磁気抵抗素子、スピントランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

To provide a laminate having a Heusler alloy epitaxial-grown on a semiconductor layer, and to provide semiconductor devices using the laminate having a Heusler alloy such as a spin MOS field-effect transistor and a tunnel magnetoresistance effect element.例文帳に追加

半導体層上にエピタキシャル成長したホイスラー合金を有する積層体、及び前記ホイスラー合金を有する積層体を用いたスピンＭＯＳ電界効果トランジスタ及びトンネル磁気抵抗効果素子などの半導体装置を提供する。 - 特許庁

The thermoelectric conversion element includes a Heusler alloy film having a B_2 or L_21 structure which can be represented by A_2BC, and a pair of electrodes which take out electromotive force according to a temperature gradient occurring in the Heusler alloy film.例文帳に追加

本発明の熱電変換素子は、Ａ_２ＢＣで表すことのできるＢ_２あるいはＬ_２１構造をもつホイスラー合金膜を備え、前記ホイスラー合金膜内に生じる温度勾配に応じて起電力を取り出すための１対の電極を備えている。 - 特許庁

To provide a Heusler alloy material which has high spin polarization and low magnetic anisotropy and, therefore, can be applied to a magnetization free layer or a magnetization fixed layer of a highly magnetic field-sensitive magnetoresistive element, and to provide a magnetoresistive element and a magnetic device using the Heusler alloy material.例文帳に追加

高スピン分極率かつ低磁気異方性を有することで、高磁界感度な磁気抵抗素子の磁化自由層または磁化固定層に適用可能なホイスラー合金材料、そのホイスラー合金材料を用いた磁気抵抗素子および磁気デバイスを提供する。 - 特許庁