MAGNETORESISTIVEを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 1424件
EXCHANGE COUPLING FILM AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF, MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT例文帳に追加
交換結合膜及びその製造方法、磁気抵抗効果素子 - 特許庁
The magnetoresistive film 41 is increased in quantity of a resistance change.例文帳に追加
磁気抵抗効果膜41の抵抗変化量は増大する。 - 特許庁
DATA STORAGE METHOD FOR USE IN MAGNETORESISTIVE SOLID- STATE STORAGE DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗固体記憶装置において用いるデータ記憶方法 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加
磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果素子の製造方法 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC MEMORY DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記憶装置及び磁気メモリ - 特許庁
MANUFACTURE OF MAGNETORESISTIVE TYPE MAGNETIC HEAD AND THIN FILM MAGNETIC HEAD例文帳に追加
磁気抵抗型磁気ヘッドの製造方法及び薄膜磁気ヘッド - 特許庁
VERTICAL CONDUCTION TYPE MAGNETORESISTIVE EFFECTIVE HEAD AND MAGNETIC DISK DEVICE例文帳に追加
垂直通電型磁気抵抗効果ヘッドおよび磁気ディスク装置 - 特許庁
MAGNETIC SENSOR, HALL ELEMENT, HALL IC, MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, METHOD OF FABRICATING HALL ELEMENT, AND METHOD OF FABRICATING MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT例文帳に追加
磁気センサ、ホール素子、ホールIC、磁気抵抗効果素子、ホール素子の作製方法、および磁気抵抗効果素子の作製方法 - 特許庁
The magnetoresistive storage device includes a magnetoresistive element, and a wiring layer connected to a first current terminal and a second current terminal.例文帳に追加
磁気抵抗記憶装置は、磁気抵抗素子と、第1電流端子及び第2電流端子に接続された配線層と、を備える。 - 特許庁
To provide a magnetoresistive element for improved in stability in magnetic characteristics by suppressing thermal damage to a free ferromagnetic layer, to provide a manufacturing method of the magnetoresistive element, and to provide a manufacturing apparatus of the magnetoresistive element.例文帳に追加
自由強磁性層の熱的損傷を抑制して磁気特性の安定性を向上させた磁気抵抗素子、磁気抵抗素子の製造方法及び磁気抵抗素子の製造装置を提供する。 - 特許庁
To provide a magnetoresistive effect element with a large variation range in resistance, a magnetic head with the magnetoresistive effect element, and a magnetic reproducer with respect to a vertical conducting type magnetoresistive element having a pin valve structure.例文帳に追加
スピンバルブ構造の垂直通電磁気抵抗素子において、抵抗変化量の大きい磁気抵抗効果素子、及びこれを用いた磁気ヘッド、磁気再生装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
Among the four giant magnetoresistive elements, two giant magnetoresistive elements 2, 3 are an X axis sensor, remainder being two giant magnetoresistive elements 4, 5 are a Y axis sensor.例文帳に追加
4個の巨大磁気抵抗素子のうち、2個の巨大磁気抵抗素子2、3は、X軸方向にその感知軸を持ち、残りの2個の巨大磁気抵抗素子4、5は、その感知軸がY軸方向に向いたものである。 - 特許庁
EXCHANGE COUPLING FILM, MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT BY USE THEREOF, AND THIN FILM MAGNETIC HEAD BY USE OF MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT例文帳に追加
交換結合膜と、この交換結合膜を用いた磁気抵抗効果素子、ならびに前記磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT FILM, MEMORY ELEMENT, AND MEMORY THEREWITH例文帳に追加
磁気抵抗効果膜、それを備えたメモリ素子及びそれを用いたメモリ - 特許庁
YOKE TYPE MAGNETORESISTIVE THIN FILM MAGNETIC HEAD AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
ヨーク型磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - 特許庁
ANTIPARALLELLY COUPLED FILM STRUCTURE, TUNNEL MAGNETORESISTIVE ELEMENT, AND MAGNETIC DEVICE例文帳に追加
反平行結合膜構造体、トンネル磁気抵抗素子および磁気デバイス - 特許庁
CURRENT SENSOR USING MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND DETECTION CIRCUIT THEREOF例文帳に追加
磁気抵抗効果素子を用いた電流センサおよびその検出回路 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE SENSOR AND MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE EQUIPPED WITH THE SAME例文帳に追加
磁気抵抗センサおよびこれを搭載した磁気記録再生装置 - 特許庁
The wiring BL is located above the magnetoresistive element MRD.例文帳に追加
配線BLは、上記磁気抵抗素子MRDの上部に位置する。 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT FILM, ITS MANUFACTURING METHOD AND STORAGE DEVICE USING THE SAME例文帳に追加
磁気抵抗効果膜、その製造方法およびそれを用いたメモリ - 特許庁
The magnetoresistive device 1 contains a magnetoresistive film 3, domain control films 5, 7, electrode films 9, 11, and protective films 13, 15.例文帳に追加
磁気抵抗効果素子1は、磁気抵抗効果膜3と、磁区制御膜5、7と、電極膜9、11と、保護膜13、15とを含む。 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE STORAGE DEVICE AND FERROELECTRIC STORAGE DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果型記憶素子及び強誘電体効果型記憶素子 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING MAGNETORESISTIVE EFFECT DEICE AND FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果素子の製造方法と強磁性トンネル接合素子 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC TAPE UNIT例文帳に追加
磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気ヘッド、磁気テープ装置 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND ITS PRODUCING SYSTEM, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加
磁気抵抗効果素子およびその製造方法並びに磁気メモリ装置 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND NONVOLATILE MAGNETIC MEMORY EQUIPPED WITH THE SAME例文帳に追加
磁気抵抗効果素子及びそれを搭載した不揮発性磁気メモリ - 特許庁
Also, the huge magnetoresistive effect element 2 is provided to compose the magnetoresistive effect head 1, thin-film magnetic memory, and thin- film magnetic sensor.例文帳に追加
また、上記巨大磁気抵抗効果素子2を備えて、磁気抵抗効果型ヘッド1、薄膜磁気メモリ、薄膜磁気センサを構成する。 - 特許庁
EXCHANGE COUPLING FILM, MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT FORMED BY USE THEREOF, AND THIN FILM MAGNETIC HEAD USING MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT例文帳に追加
交換結合膜と、この交換結合膜を用いた磁気抵抗効果素子、ならびに前記磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド - 特許庁
A magnetoresistive element and a reference element are formed on a substrate.例文帳に追加
基板上に磁気抵抗素子及び基準素子が形成されている。 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT FILM, SPIN VALVE REPRODUCING HEAD AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
磁気抵抗効果膜、スピンバルブ再生ヘッドおよびその製造方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND ITS FABRICATION PROCESS例文帳に追加
磁気抵抗効果素子を含む半導体装置及びその製造方法 - 特許庁
The MR element includes a magnetoresistive film 30 and insulating films 231 and 241.例文帳に追加
磁気抵抗効果膜30と、絶縁膜231、241とを含む。 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE SENSOR EQUIPPED WITH BIAS MAGNET HAVING STEEP END WALL SLOPE例文帳に追加
急勾配の端壁を有すバイアス磁石を備えた磁気抵抗センサ - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、及びそれらの製造方法 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC HEAD AS WELL AS ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
磁気抵抗効果素子および磁気ヘッドならびにその製造方法 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC STORAGE, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ装置 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE HEAD, MAGNETIC TAPE AND RECORDING/REPRODUCING SYSTEM UTILIZING MAGNETIC TAPE例文帳に追加
磁気抵抗型ヘッド、磁気テープおよび磁気テープ式記録再生システム - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC STORAGE DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記憶装置及び磁気メモリ装置 - 特許庁
YOKE TYPE MAGNETORESISTIVE THIN FILM MAGNETIC HEAD AND METHOD OF MANUFACTURE例文帳に追加
ヨーク型磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC STORAGE DEVICE AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ装置 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果素子およびその製造方法並びに磁気メモリ装置 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE ELEMENT, MAGNETIC MEMORY DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置とこれらの製造方法 - 特許庁
Reading sensitivity of a CPP structure magnetoresistive effect device is improved.例文帳に追加
CPP構造磁気抵抗効果素子の読み取り感度は高められる。 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT DEVICE, MAGNETIC HEAD DEVICE AND MAGNETIC REPRODUCING DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果素子装置、磁気ヘッド装置及び磁気再生装置 - 特許庁
The top-pin type magnetoresistive element 30 is provided.例文帳に追加
本発明によれば、トップピン型の磁気抵抗素子30が提供される。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR LASER AND LENSLESS OPTICAL HEAD MOUNTING MAGNETORESISTIVE ELEMENT例文帳に追加
半導体レーザおよび磁気抵抗素子を搭載したレンズレス光学ヘッド - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加
磁気抵抗効果素子及びその製造方法、並びに磁気メモリ装置 - 特許庁
SOFTWARE PROGRAMMABLE LOGIC USING SPIN TRANSFER TORQUE MAGNETORESISTIVE DEVICE例文帳に追加
スピン・トランスファ・トルク磁気抵抗デバイスを用いるソフトウェア・プログラマブル・論理 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE ELEMENT OF DOUBLE ARRANGEMENT PEROVSKITE STRUCTURE AND METHOD FOR USE IT例文帳に追加
二重整列ペロブスカイト構造磁気抵抗素子とその使用方法 - 特許庁
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