「MAGNETORESISTIVE」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

In the pointing device 11 provided with a point designation part 12 having a magnetic field generation member and a plurality of magnetic field detection parts 21 and 22 arranged with the point designation part 12 as a center, the respective magnetic field detection parts 21 and 22 comprise a pair of magnetoresistive elements in which detection directions generating from the point designation part 12 are opposite to each other.例文帳に追加

磁界発生部材を有するポイント指示部１２と、このポイント指示部１２を中心にして配置される複数の磁界検出部２１，２２とを備えたポインティングデバイス１１において、前記各磁界検出部２１，２２は、前記ポイント指示部１２から発生する磁界の検出方向が相反する一対の磁気抵抗素子によって構成した。 - 特許庁

The magnetic head includes a magnetoresistive effect element in which the antiferromagnetic layer and the fixed magnetic layer are sequentially stacked over a shield layer made of magnetic material through a foundation layer, wherein the foundation layer has a structure in which a non-magnetic layer and a magnetic layer are stacked, and the magnetization of the shield layer and the magnetization of the magnetic layer are connected in parallel.例文帳に追加

本発明に係る磁気ヘッドは、磁性材料からなるシールド層上に下地層を介して反強磁性層、固定磁性層が順次積層された磁気抵抗効果素子を備える磁気ヘッドであって、前記下地層は、非磁性層と磁性層が積層された構造であり、前記シールド層の磁化と前記磁性層の磁化が平行に結合している。 - 特許庁

The magnetoresistive element has a fixed layer arranged on a semiconductor substrate, a tunnel insulating film arranged on the fixed layer, a first free layer containing Fe arranged on the tunnel insulating film, a second free layer containing Fe and Ta arranged on the first free layer, a stopper layer containing Ru arranged on the second free layer, and a hard mask arranged on the stopper layer.例文帳に追加

磁気抵抗素子は、半導体基板上に配置される固定層と、固定層上に配置されるトンネル絶縁膜と、トンネル絶縁膜上に配置され、Ｆｅを含む第１自由層と、第１自由層上に配置され、ＦｅおよびＴａを含む第２自由層と、第２自由層上に配置され、Ｒｕを含むストッパー層とストッパー層上に配置されるハードマスクとを有している。 - 特許庁

An opening (A) having a diameter of 20 nm or smaller is provided to the insulating layer (3), and the first ferromagnetic layer (1) and the second ferromagnetic layer (2) are connected together through the intermediary of the opening (A) for the formation of the magnetoresistive effect device.例文帳に追加

第１の強磁性層（１）と、前記第１の強磁性層の上に設けられた絶縁層（３）と、前記絶縁層の上に設けられた第２の強磁性層（２）と、を備え、前記絶縁層には開口幅が２０ｎｍ以下の開口（Ａ）が設けられ、前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層とは前記開口を介して接続されてなる磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To provide new alloy nanocrystals which can be easily and efficiently produced while allowing the production cost thereof to be reduced, can be easily dispersed into a solvent stably over a long period, and can be suitably used as a high density magnetic recording medium, a magnetoresistive element, a catalyst for an electrode of a fuel cell, a heat generating element for magnetic thermotherapy or the like when being arranged on a substrate.例文帳に追加

製造コストを低減しつつ容易かつ効率よく製造することができ、溶媒中に容易かつ長期間安定して分散可能で、基板上に配列したときに、高密度磁気記録媒体、磁気抵抗効果素子、燃料電池の電極用の触媒または磁気温熱療法用の発熱体等として好適に使用し得る新規合金ナノ結晶を提供する。 - 特許庁

The magnetoresistive element contains a first ferromagnetic layer 1 and a second ferromagnetic layer 2 disposed away from each other in an in-plane direction of the layer, a conductive layer 3 for electrically connecting these ferromagnetic layers, and a magnetic transfer layer 5 which can transfer between a ferromagnetism, a paramagnetism and an antiferromagnetism, and is disposed so as to magnetically connect with the first ferromagnetic layer 1 in a ferromagnetic state.例文帳に追加

層の面内方向に互いに離間して配置された第１強磁性層１および第２強磁性層２と、これら強磁性層を電気的に接続する伝導層３と、強磁性と常磁性または反強磁性との間を転移可能であり、強磁性の状態で第１強磁性層１と磁気的に結合するように配置された磁性転移層５とを含む磁気抵抗素子とする。 - 特許庁

A magnetoresistive element 10 includes: a first electrode layer 12; a fixed layer 14 provided on the first electrode layer 12 and having a fixed magnetization direction; a tunnel barrier layer 15 provided on the fixed layer 14 and made of a metal oxide; a free layer 16 provided on the tunnel barrier layer 15 and having a variable magnetization direction; and a second electrode layer 17 provided on the free layer 16.例文帳に追加

磁気抵抗素子１０は、第１の電極層１２と、第１の電極層１２上に設けられ、かつ磁化方向が固定された固定層１４と、固定層１４上に設けられ、かつ金属酸化物からなるトンネルバリア層１５と、トンネルバリア層１５上に設けられ、かつ磁化方向が変化可能である自由層１６と、自由層１６上に設けられた第２の電極層１７とを含む。 - 特許庁

The magnetic memory includes a first magnetoresistive element which comes into a high resistance state by being supplied with a writing current in a first direction and comes into a low resistance state having the resistance value lower than that in the high resistance state by being supplied with a writing current in a second direction opposite to the first direction and is supplied with a reading current at the read-out.例文帳に追加

磁気記憶装置は、第１方向の書き込み電流を供給されることにより高抵抗状態を取り、第１方向と反対の第２方向の書き込み電流を供給されることにより高抵抗状態での抵抗値より低い抵抗値を有する低抵抗状態を取り、読み出し時に読み出し電流を供給される第１磁気抵抗素子１を含む。 - 特許庁

In the magnetoresistive effect storage element having a multilayer film structure sandwiching a nonmagnetic material layer 25 between two ferromagnetic material layers 24 and 26 and performing information recording utilizing variation of the magnetizing direction of one ferromagnetic material layer 24, at least one of the ferromagnetic material layers 24 and 26 has a single grain structure having no clear grain boundary represented by amorphous, for example.例文帳に追加

二つの強磁性体層２４，２６の間に非磁性体層２５を挟んだ多層膜構造を有し、一方の強磁性体層２４の磁化方向の変化を利用して情報記録を行う磁気抵抗効果素子において、前記強磁性体層２４，２６のうちの少なくとも一方を、例えばアモルファスに代表されるように、明瞭な結晶粒界のないシングルグレイン構造とする。 - 特許庁

The rotation sensor device includes: a device body 1 in which a permanent magnet 12 and magnetoresistive elements 10, 11 detecting the rotation speed of a rotating body connected to a crankshaft are embedded with a resin of nylon 66; and the flange board 2 fixed to a circumferential side surface of the device body 1 using a thermal welding part 15 and fastened to the engine block with a bolt.例文帳に追加

この発明に係る回転センサ装置は、クランクシャフトに接続された回転体の回転速度を検出する、磁気抵抗素子１０，１１及び永久磁石１２がナイロン６６の樹脂により埋設された装置本体１と、この装置本体１の周側面に熱溶着部１５を用いて固定されているとともに、エンジンブロックにボルトにより締結されるフランジ板２とを備えている。 - 特許庁

The method for providing the magnetoresistive sensor comprises a stage for disposing a first magnetization fixation layer 110, a stage for disposing a first spacer layer 120 on the first magnetization fixation layer, a stage for disposing a free layer 130 on the first spacer layer, a stage for disposing a second spacer layer 140 on the free layer and a stage for disposing a second magnetization fixation layer 150 on the second spacer layer.例文帳に追加

磁気抵抗センサを提供する方法は、第１磁化固定層１１０を配備する工程と、第１磁化固定層上に第１スペーサ層１２０を配備する工程と、第１スペーサ層上に自由層１３０を配備する工程と、自由層上に第２スペーサ層１４０を配備する工程と、第２スペーサ層上に第２磁化固定層１５０を配備する工程とを含む。 - 特許庁

To provide a lens device for imaging capable of being miniaturized in which clearance between a magnetoresistive element and a magnet for detecting a position is optionally adjusted, the clearance is not changed by external force, further gas due to soldering does not enter a lens barrel in assembly or adjustment components does not intrude in the lens barrel in the assembly.例文帳に追加

レンズ装置の小型化を図り、しかも磁気抵抗素子と位置検出用マグネットとの間のクリアランスが任意に調整可能であって、外部からの力によって上記のクリアランスが変化することがないようにし、さらには組立ての際に半田付けに伴うガスがレンズ鏡筒内に侵入することがなく、あるいはまた組立て時に調整部品が鏡筒内に混入することがないようにした撮像用レンズ装置を提供する。 - 特許庁

A magnetoresistive effect element which is improved in output characteristic and shows thermally stable characteristics is obtained by reducing the influence of a magnetic material constituting the foundation layer of an antiferromagnetic layer constituting the element on the directions of magnetization of the free and fixed magnetic layers by constituting the foundation layer in a three-layer structure of a first ferromagnetic foundation layer, a first nonmagnetic foundation layer, and a second ferromagnetic foundation layer.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を構成する反強磁性層の下地層に第１下地強磁性層／第１下地非磁性層／第２下地強磁性層といった構造とすることで、自由磁性層及び固定磁性層の磁化方向に対して下地層を構成する磁性体が影響を及ぼすことを低減して、出力特性の向上と熱的に安定した特性を示す磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes: an interlayer insulating film III1 so formed as to cover a switching element TR formed over a main surface of a semiconductor substrate SUB; flat plate-like lead wiring LEL; coupling wiring ICL coupling the lead wiring LEL and the switching element TR with each other; and a magnetoresistive element TMR including a magnetization free layer MFL the orientation of magnetization of which is variable and which is formed over the lead wiring LEL.例文帳に追加

半導体基板ＳＵＢの主表面上に形成されたスイッチング素子ＴＲを覆うように形成された層間絶縁膜ＩＩＩ１と、平板状の引出配線ＬＥＬと、引出配線ＬＥＬとスイッチング素子ＴＲとを接続する接続配線ＩＣＬと、磁化の向きが可変とされた磁化自由層ＭＦＬを含み、引出配線ＬＥＬ上に形成された磁気抵抗素子ＴＭＲとを備える。 - 特許庁

This manufacturing method of a magnetoresistive effect element which has palladium- or manganese-based antiferromagnetic layers 24a and 24b adjacent to a soft magnetic layer 23 comprises a process in which the antiferromagnetic layers 24a and 24b are formed and a process in which antiferromagnetism of at least 30 oersted is given to the antiferromagnetic layers 24a and 25b by heat treatment.例文帳に追加

軟磁性層２３と接してＰｄ、Ｍｎを主成分とする反強磁性層２４ａ，２４ｂが形成されている磁気抵抗効果素子の製造方法であって、反強磁性層２４ａ，２４ｂを形成する工程と、次いで、反強磁性層２４ａ，２４ｂを加熱処理することにより反強磁性層２４ａ，２４ｂに３０エルステッド以上の反強磁性を付与する工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

A magnetoresistive element 10 includes a fixed layer 15 having magnetic anisotropy perpendicular to a film surface and a fixed magnetization, a recording layer 17 having a stacked structure formed by alternately stacking magnetic layers and nonmagnetic layers, magnetic anisotropy perpendicular to a film surface, and a variable magnetization, and an intermediate layer 16 provided between the fixed layer 15 and the recording layer 17, and containing a nonmagnetic material.例文帳に追加

磁気抵抗素子１０は、膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、かつ磁化方向が固定された固定層１５と、磁性層と非磁性層とが交互に積層された積層構造からなり、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、かつ磁化方向が変化可能である記録層１７と、固定層１５と記録層１７との間に設けられ、かつ非磁性材料からなる中間層１６とを具備する。 - 特許庁

The magnetic head assembly is covered with magnetic coating material having surface resistivity ≥10^6Ω and ≤10^9Ω on a continuity pattern and a terminal of a flexible printed circuit board connected to a magnetoresistive effect element, and on a rear face of the circuit board.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を接続したフレキシブルプリント基板の導通パターン上、端子上、及びその基盤裏面を１０^６Ω以上１０^９Ωの表面抵抗率を有する磁性体塗料にて覆われていることより、静電気による静電破壊、静電気による瞬間的な大電流が隆起する電磁界による磁気抵抗効果素子の磁気的な破壊・劣化および静電気以外による外部からの電磁波による破壊を防止する。 - 特許庁

This magnetoresistive effect element is constituted of at least a first magnetic layer, nonmagnetic layer, and second magnetic layer: the first magnetic layer is a ferromagnetic material having a low coercive force and parpendicular magnetic anisotropy, and the second magnetic layer is a ferromagnetic material having a high coercive force and parpendicular magnetic anisotropy and constituted of an amorphous alloy film made of rare-earth- transition metal having small saturation magnetism.例文帳に追加

少なくとも第１の磁性層、非磁性層、第２の磁性層から構成され、第１の磁性層は低い保磁力および垂直磁気異方性を有する強磁性体であり、第２の磁性層は高い保磁力および垂直磁気異方性を有する強磁性体であって、第２の磁性層は、小さな飽和磁化を有する、希土類−遷移金属からなる非晶質合金膜から構成される。 - 特許庁

The magnetoresistive effect device comprises: a magnetization-fixed layer containing a first ferromagnetic film whose direction of magnetization is substantially fixed in a certain direction; a non-magnetic layer deposited on the magnetization-fixed layer; a magnetization free layer containing a second ferromagnetic film whose direction of magnetization varies corresponding to an external magnetic field; and an amorphous conductive layer formed on the magnetization free layer.例文帳に追加

磁化方向が実質的に一方向に固着された第１の強磁性体膜を含む磁化固着層と、前記磁化固着層の上に設けられた非磁性層と、前記非磁性層の上に設けられ、磁化方向が外部磁界に対応して変化する第２の強磁性体膜を含む磁化自由層と、前記磁化自由層の上に設けられた非結晶質の導電層と、を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁