「MAGNETORESISTIVE」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

The portion of lower magnetic layer 3/oxidation control layer 4/insulating layer 5/upper magnetic layer 6 is the tunnel junction of the tunneling magnetoresistive element.例文帳に追加

下部磁性層３／酸化抑制層４／絶縁層５／上部磁性層６の部分が、トンネル磁気抵抗効果素子におけるトンネル接合部となっている。 - 特許庁

OXIDE MATERIAL, MAGNETOOPTICAL DEVICE, FARADAY ROTATION COEFFICIENT CONTROLLING METHOD, MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY ELEMENT, RESIDUAL MAGNETIZATION CONTROLLING METHOD, AND COERCIVE FORCE CONTROLLING METHOD例文帳に追加

酸化物材料、光磁気デバイス、ファラデー回転係数制御方法、磁気抵抗効果素子、磁気メモリ素子、残留磁化制御方法及び保持力制御方法 - 特許庁

The permanent magnets 22, 23 are arranged so that their different poles are opposite to each other, and the spin valve type magnetoresistive element 30 is disposed between the permanent magnets 22, 23.例文帳に追加

永久磁石２２，２３は異極が対向する配置であり、スピンバルブ型磁気抵抗効果素子３０は永久磁石２２，２３間に配置されている。 - 特許庁

Wiring is performed so that the supply modes of electric power to the first and second magnetoresistive element pairs 11, 12 become mutually reversed.例文帳に追加

また、これら第１及び第２の磁気抵抗素子対１１、１２に対してその電力の供給態様を互いに逆向きとする配線を施すようにする。 - 特許庁

The magnetoresistive-sensing elements, the reorientation elements and the semiconductor circuit are disposed in a single package and/or monolithically formed on a single chip.例文帳に追加

磁気抵抗感知要素、向き変え要素、及び半導体回路は、単一のパッケージ内に配置されており、及び／又は単一のチップ上にモノリシックに形成されている。 - 特許庁

Differences are severally obtained between outputs of magnetoresistive elements leaving disposition intervals of 90° from each other to calculate the voltage value of the sum of the differences.例文帳に追加

そして、互いに９０度の配置間隔を成す磁気抵抗素子の出力の間で差分を各々とり、この差分の和の電圧値を算出する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive film in which magnetization direction of a pinned layer can be uniformly reset or stabilized furthermore although a synthetic pinned structure is employed.例文帳に追加

シンセティックピンド構造でありながら、画一的に、ピンド層の磁化方向をリセットもしくはより安定化できる、磁気抵抗効果膜を提供すること。 - 特許庁

To obtain a small-sized magnetic sensor capable of detecting magnetic field intensity in three axial directions by providing three or more giant magnetoresistive elements similarly on a single substrate.例文帳に追加

同様に一枚の基板に３個以上の巨大磁気抵抗素子を配置し、三軸方向の磁界の強さを検知することができる小型の磁気センサを得る。 - 特許庁

A projection 6 is formed on the substrate 1, and on the elongated direction of the both side slopes of the projection 6, each of respective giant magnetoresistive elements 7, 8 is mounted.例文帳に追加

基板１に、山部６を形成し、この山部６の長手方向の両方の斜面にそれぞれ１個の巨大磁気抵抗素子７、８を設ける。 - 特許庁

To provide a practical tunnel magnetoresistive element by exhibiting a high TMR ratio and sufficient TMR effect at the room temperature.例文帳に追加

室温で高いＴＭＲ比を示し、十分なＴＭＲ効果を呈することによって実用に供することが可能なトンネル磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

A closed circuit is not formed between the magnetoresistive element 31 (32-34) and the sections 31a (32a-34a), 31b (32b-34b) to be heat-treated.例文帳に追加

対応する磁気抵抗素子３１（３２〜３４）と被熱処理部３１ａ（３２ａ〜３４ａ），３１ｂ（３２ｂ〜３４ｂ）との間には、閉回路が形成されていない。 - 特許庁

To obtain a small magnetic sensor which can detect the strength of a magnetic field in three axial directions by arranging three or more giant magnetoresistive elements on one sheet of substrate.例文帳に追加

１枚の基板に３個以上の巨大磁気抵抗素子を配置し、三軸方向の磁界の強さを検知することができる小型の磁気センサを得る。 - 特許庁

Since heating patterns 113a-113f are added to the Z-phase magnetoresistive patterns 123a-123d for detecting the moving origin position, temperature dispersion among the Z-phase magnetoresistive patterns 123a-123d can be suppressed small, to thereby detect the moving origin position accurately.例文帳に追加

また、移動原点位置を検出するためのＺ相磁気抵抗パターン１２３ａ〜１２３ｄに対して発熱パターン１１３ａ〜１１３ｆを付加したので、Ｚ相磁気抵抗パターン１２３ａ〜１２３ｄの間での温度ばらつきを小さく抑えることができるので、移動原点位置を精度よく検出することができる。 - 特許庁

A semiconductor device comprises an in-plane magnetization type magnetoresistive element MRD using a spin-transfer torque writing method arranged on a principal surface of a semiconductor substrate, which can change a magnetization state depending on a current flow direction, and first wiring BL electrically connected with the magnetoresistive element MRD and extending in a direction along the principal surface.例文帳に追加

半導体基板の主表面上に配置された、電流の流れる向きに応じて磁化状態を変化させることが可能な、スピントルク書き込み方式の面内磁化型の磁気抵抗素子ＭＲＤと、磁気抵抗素子ＭＲＤと電気的に接続され、主表面に沿った方向に向けて延びる第１配線ＢＬとを備える。 - 特許庁

In the magnetic sensor 1, one sensor member is constituted of a magnetoresistive element 11a and paired soft magnetic substances 12a and 12b holding the element 11a in between and another sensor member is constituted of a magnetoresistive element 11b and paired soft magnetic substances 12c and 12d holding the element 11b in between.例文帳に追加

磁気センサ１においては、磁気抵抗効果素子１１ａと、この磁気抵抗効果素子１１ａを挟持する一対の軟磁性体１２ａ，１２ｂとで一つのセンサ部材を構成し、磁気抵抗効果素子１１ｂと、この磁気抵抗効果素子１１ｂを挟持する一対の軟磁性体１２ｃ，１２ｄとで一つのセンサ部材を構成している。 - 特許庁

The bias magnet 15 mainly has a magnetic field component in parallel with respective magnetic sensing planes of the vector detecting type magnetoresistive element groups 10 and 20 when there are no rotors 1 and 2, and it is arranged such that a magnetic flux is generated in perpendicular to each pin layer magnetization direction of the vector detecting type magnetoresistive element groups 10 and 20.例文帳に追加

バイアス磁石１５は、回転体１，２が存在しないときにベクトル検知型磁気抵抗効果素子群１０，２０それぞれの感磁面に平行な磁界成分を主に有し、かつ各ベクトル検知型磁気抵抗効果素子群１０，２０のピン層磁化方向に略垂直に磁束が発生するように配置されている。 - 特許庁

Magnetic bodies 111 and 112 as constitution elements of the magnetoresistive effect film have vertical magnetism and are in such shapes that when the magnetic bodies are viewed from the laminating direction of magnetoresistive effect films, the ratio of the length of the magnetic body to the width is 0.77 to 1.30 and the length and width are both <1 μm.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜の構成要素である磁性体１１１、１１２において、磁性体は垂直磁化を示し、磁気抵抗効果膜の積層方向から磁性体を見た形状が、磁性体の幅に対する長さの比が0.77以上1.30以下の範囲内で有り、かつ長さと幅がどちらも1μm未満となる構成である。 - 特許庁

To provide a current perpendicular to plane-magnetoresistive effect element in which a large amount of varying resistance is allowed by implementing a fundamental review of material attribute of a pin layer, free layer and a spacer layer of a spin valve structure, and to provide a magnetic head and a magnetic reproducing device using such a magnetoresistive effect element as above.例文帳に追加

スピンバルブ構造のピン層、フリー層およびスペーサ層の材料物性を根本的に見直すことにより、大きな抵抗変化量を可能とした垂直通電型の磁気抵抗効果素子、およびこのような磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッド、磁気再生装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

On a semi-insulating substrate 11, a magnetoresistive element MR1 including a semiconductor film 13A and a magnetoresistive element MR2 including a semiconductor film 13B are formed in a long shape, and an input voltage electrode 14, a ground connection electrode 15, and an output voltage electrode 16 are formed.例文帳に追加

半絶縁性基板１１上には、半導体膜１３Ａを有する磁気抵抗素子ＭＲ１と半導体膜１３Ｂを有する磁気抵抗素子ＭＲ２とが長尺状に形成されるとともに、入力電圧用電極１４、グランド接続用電極１５、出力電圧用電極１６が形成される。 - 特許庁

On a semi-insulating substrate 11, a magnetoresistive element MR1 including a semiconductor film 13A and a magnetoresistive element MR2 including a semiconductor film 13B are formed in a long shape, and an input voltage electrode 14, a ground connection electrode 15, and an output voltage electrode 16 are formed.例文帳に追加

半絶縁性基板１１上には、半導体膜１３Ａを有する磁気抵抗素子ＭＲ１と半導体膜１３Ｂを有する磁気抵抗素子ＭＲ２とが長尺状に形成されるとともに、入力電圧用電極１４、グランド接続用電極１５、出力電圧用電極１６が形成されている。 - 特許庁

The electronic circuit (3) for the size measuring device with a magnetoresistive electrode (100) consists of a power supply circuit for supplying at least one power supply voltage (U_p, U_n) for supplying power to a magnetoresistive electrode network (100) and a measurement circuit containing two differential inputs (C, C', S and S') connected with the network.例文帳に追加

磁気抵抗電極（１００）による寸法測定装置のための電子回路（３）であって、その回路は、磁気抵抗電極ネットワーク（１００）に給電するための、少なくとも一つの給電電圧（Ｕ_p，Ｕｎ）を供給する給電回路と、ネットワークに接続された二つの差分入力（Ｃ、Ｃ’、Ｓ、Ｓ’）含む測定用回路、とから成る。 - 特許庁

The magnetoresistive effect element has a magnetoresistive effect film including pin layers 14a, 14b and a free layer 17 sandwiched between a lower shield layer 10 and an upper shield layer 19 wherein an antiferromagnetic layer 13 composed of an Mn based antiferromagnetic material is formed at a lower layer of the pin layer 14a through an Mn layer 22 on an interface.例文帳に追加

下部シールド層１０と上部シールド層１９との間に、ピン層１４ａ、１４ｂとフリー層１７とを備える磁気抵抗効果膜が配された磁気抵抗効果素子であって、前記ピン層１４ａの下層に、界面にMn層２２を挟んで、Mｎ系反強磁性材からなる反強磁性層１３が設けられている。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive magnetic head made correspondent to narrow tracks and a method for manufacturing the magnetic head by which the level difference in the base is eliminated when the lead head track of the magnetoresistive magnetic head is formed, and degradation in the dielectric voltage due to overetching is prevented when the magnetoresistance film is patterned by etching.例文帳に追加

電極間隔を決定するためのホトレジストパターンを形成する時点で下地パターンの段差が大きいと、安定的な狭トラック形成が不可能となる事、磁気抵抗効果膜をエッチングでパターンニングする時のオーバーエッチングによって、下部絶縁膜の膜厚が薄くなり、絶縁耐圧が悪化する事。 - 特許庁

The chip of the magnetoresistive element 58 is surface-mounted on a flexible printed circuit board 59 beforehand, and the magnetoresistive element 58 is stuck and fixed to a mount plate 57 with the clearance by using ultraviolet curing resin through a hole for sticking 73 of the flexible printed circuit board 59 and a hole for sticking 74 of the mount plate 57.例文帳に追加

磁気抵抗素子５８のチップをフレキシブルプリント基板５９上に予め面実装しておき、フレキシブルプリント基板５９の接着用穴７３および取付け板５７の接着用穴７４を介して紫外線硬化樹脂によって磁気抵抗素子５８を取付け板５７にクリアランスをもって接着固定する。 - 特許庁

The resistance of the spin-dependent conduction performing part of this spin valve vertically energized magnetoresistive effect element can be raised to an appropriate value, and, in its turn, the resistance variation of the element can be increased by inserting a resistance adjusting layer composed of a material containing conduction carriers at a rate of ≤10^22 carrier/cm^3 into an magnetoresistive effect layer.例文帳に追加

伝導キャリア数が１０^２２個／ｃｍ^３以下の材料からなる抵抗調節層を磁気抵抗効果膜の中に挿入することにより、スピンバルブ構造の垂直通電磁気抵抗素子において、スピン依存伝導をする部分の抵抗値を適切な値まで上げ、ひいては抵抗変化量を大きくすることができる。 - 特許庁

To obtain an inspection method capable of surely and efficiently inspecting the normal/defective condition of a magnetoresistive effect magnetic head in the inspection method of the magnetoresistive effect magnetic head as a rotating magnetic head for the playing-back use to playback a magnetic tape, where a signal is azimuthally recorded, as to a magnetic player utilizing a helical scan method.例文帳に追加

ヘリカルスキャン方式の磁気再生装置における、信号がアジマス記録された磁気テープを再生する再生用回転磁気ヘッドとしての磁気抵抗効果型磁気ヘッドの検査方法において、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの良否を確実且つ効率的に検査することのできる検査方法を得る。 - 特許庁

A first magnetoresistive element MRa is provided above the surface of the substrate, has two stationary states having different resistance values depending on a magnetoresistive effect, and has a first length in which a shape projected on the surface of the substrate follows a first direction and a second length eqaul to or longer than the first length in which it follows a second direction.例文帳に追加

第１磁気抵抗素子ＭＲａは、基板表面の上方に設けられ、磁気抵抗効果によって抵抗値の異なる２つの定常状態を取り、基板表面に投影された形状が第１方向に沿った第１長さと第２方向に沿った前記第１長さ以上の長さの第２長さとを有する。 - 特許庁

The first series circuit 101 outputs a first magnetic detection signal Vout1, corresponding to a change of a passing magnetic flux density by the magnetoresistive element MR1, and the second series circuit 102 outputs a second magnetic detection signal Vout2, corresponding to a change of a passing magnetic flux density by the magnetoresistive element MR2.例文帳に追加

第１直列回路１０１は、磁気抵抗素子ＭＲ１による通過磁束密度の変化に応じた第１磁気検出信号Ｖｏｕｔ１を出力し、第２直列回路１０２は、磁気抵抗素子ＭＲ２による通過磁束密度の変化に応じた第２磁気検出信号Ｖｏｕｔ２を出力する。 - 特許庁

The accurate rotating speed including the rotation position can be detected by outputting a changeover signal from a first changeover means and a second changeover means when a projection part in a non-detection member is positioned upward of the substantial center of a first magnetoresistive element 22 and a second magnetoresistive element 23.例文帳に追加

非検出部材における凸部が第１の磁気抵抗素子２２と第２の磁気抵抗素子２３の略中央の上方に位置するときに第１の切替手段および第２の切替手段から切替信号を出力することにより、回転位置を含めた正確な回転数を検出できる構成とした。 - 特許庁

The magnetoresistive effect is measured for the center area C where the magnetization of a free magnetizing layer 12 is unfixed by the magnetic domain control layer 3; therefore, regardless of the size of the control power of the magnetic domain control layer 3, the magnetoresistive effect can be measured constantly from the prescribed area (center area C).例文帳に追加

磁区制御層３によって自由磁化層１２の磁化が固着されない中央領域Ｃの磁気抵抗効果を測定するようになっているので、磁区制御層３の制御力の大きさによらず、常に、所定の領域（中央領域Ｃ）から磁気抵抗効果を測定することが可能である。 - 特許庁

The pair of permanent magnet films 29a and 29b for applying the bias magnetic field to the magnetoresistive element 24 are provided at both end parts of the magnetoresistive element 24 and the intervals between the pair of permanent magnet films 29a and 29b and the pair of magnetic shielding layers 21 and 22 are specified to be nearly equal to each other.例文帳に追加

そして、磁気抵抗効果素子２４の両端部には、当該磁気抵抗効果素子２４に対してバイアス磁界を印加するための一対の永久磁石膜２９ａ，２９ｂが設けられており、この一対の永久磁石膜２９ａ，２９ｂと一対の磁気シールド層２１，２２との間隔が略等しくされている。 - 特許庁

The magnetometric sensor comprises: at least one sensing layer 11 formed in a sheetlike magnetoresistive effect membrane; conductive layers 12, 13 formed with a plurality of linear conductive membranes formed in narrow linear shape and placed with a prescribed intervals on each surface of the magnetoresistive membrane; and insulation layers 41, 42 laminated on both the sides of the sensing layer 11.例文帳に追加

面状に形成された磁気抵抗効果膜からなる少なくとも一つの感知層１１と、磁気抵抗効果膜の各面に積層され所定間隔をおいて線状に形成された複数の線状導体膜からなる導体層１２，１３とを設けるとともに、感知層１１の上下に絶縁層４１，４２を積層した。 - 特許庁

The electrooptical apparatus of an active matrix type, a manufacturing method therefor, and the electronic equipment equipped with such an electrooptical apparatus are provided, wherein the magnetoresistive element is provided as a switching element for nonlinearly driving an electrooptical material, the magnetoresistive element being positioned between a data line and a pixel electrode of the electrooptical apparatus.例文帳に追加

アクティブマトリクス方式の電気光学装置、その製造方法、およびそのような電気光学装置を備えた電子機器であって、電気光学装置のデータ線と、画素電極との間に位置して、電気光学材料を非線形的に駆動するためのスイッチング素子として、磁気抵抗効果素子を備える。 - 特許庁

To obtain satisfactory reproducing characteristics and to narrow a gap by reducing the electrical short-circuit between a magnetic shield layer and a magnetoresistive element and between a pair of electrode layers.例文帳に追加

磁気シールド層と磁気抵抗効果素子及び一対の電極層との電気的な短絡を低減することにより、良好な再生特性と狭ギャップ化とを可能にする。 - 特許庁

This magnetoresistive effect element composed of an antiferromagnetic layer, a magnetic layer, an intermediate layer, and another magnetic layer and utilizing the ferromagnetic tunnel effect is formed between electrode layers.例文帳に追加

反強磁性層／磁性層／中間層／磁性層からなる磁気抵抗効果素子を電極層間に形成した強磁性トンネル効果を利用した磁気抵抗効果素子とする。 - 特許庁

Thus, this head is remarkably helpful for stably reading out the recorded information from the magnetic recording tape independently of the fluctuation of the position of the recording track with respect to the magnetoresistive effect film 31.例文帳に追加

こうして、磁気抵抗効果膜３１に対する記録トラックの位置の変動にかかわらず、磁気記録テープから安定して記録情報を読み出すのに大いに役立つ。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive random access memory (MRAM) provided with an eddy current barrier for reducing especially eddy current faults.例文帳に追加

本発明は、渦電流障壁を備えた磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）に関し、特に渦電流障害を軽減するための渦電流障壁を備えたＭＲＡＭに関する。 - 特許庁

The magnetoresistive film 3 comprises a free layer 19, a nonmagnetic layer 17, and a pinned layer 15 having at least two ferromagnetic films 21 and 25 of different thickness.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜３は、フリー層１９と、非磁性層１７と、相互に膜厚の異なる二つの強磁性膜２１、２５を少なくとも有するピンド層１５とを備える。 - 特許庁

A magnetoresistive type operation detecting sensor 84 is fitted into the sensor attaching port part 83 to allow its detecting end to oppose adjacently to the magnetic piece 82.例文帳に追加

そして、このセンサ取付穴部８３内に、磁気抵抗タイプの作動検出センサ８４が、その検出端が磁性体片８２と近接して対向するように嵌入されている。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect element capable of realizing the narrowed track by reducing the track width and preventing the generation of Barkhousen noise, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

トラック幅を小さくして狭トラック化を実現することができ、バルクハウゼンノイズの発生を防止することのできる磁気抵抗効果型素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The second magnetoresistive field sensor 28B within the second surface-mountable package measures at least the third component of the magnetic field projected onto the third axis.例文帳に追加

第２の表面取付け可能なパッケージ内の第２の磁気抵抗磁界センサー２８Ｂは、第３の軸上に投射された磁界の少なくとも第３の成分を測定する。 - 特許庁

This hollow part 16 is so formed that its cross-sectional form is a shape capable of adjusting the deflection angle of a magnetic vector acting on the magnetoresistive elements of the sensor chip.例文帳に追加

この中空部１６は、その断面形状が上記センサチップの磁気抵抗素子に作用する磁気ベクトルの振れ角を調整可能な形状に形成されている。 - 特許庁

As a result, when securing the same surface recoding density as before on a memory medium, the magnetoresistance change ratio (MR ratio) of the magnetoresistive effect film 44 is increased than before.例文帳に追加

その結果、記憶媒体で従来と同様の面記録密度が確保される場合に、磁気抵抗効果膜４４の磁気抵抗変化率（ＭＲ比）は従来に比べて増大する。 - 特許庁

A fault tolerant magnetoresistive solid-state storage device (MRAM) in use performs error correction coding and decoding of stored information, to tolerate physical defects.例文帳に追加

使用時に記憶されている情報の誤り訂正符号化及び復号化を実行して物理的な障害を許容する耐障害性を有する磁気抵抗固体記憶装置(MRAM)。 - 特許庁

The correction electrode 16' is connected to the output voltage electrode 16 in a region different from that on a formation surface of the magnetoresistive elements MR1, MR2 of the semi-insulating substrate 11.例文帳に追加

補正用電極１６’は、半絶縁性基板１１の磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２形成面上とは異なる領域で出力電圧用電極１６に接続する。 - 特許庁