「MAGNETORESISTIVE」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

A magnetoresistive element comprises: a substrate; a ferromagnetic layer made of a magnetic alloy containing Co, Fe and B formed on the substrate; and polycrystalline MgO with the preferred orientation of a (001) crystal plane as a tunnel barrier layer on the ferromagnetic layer.例文帳に追加

磁気抵抗素子は、基板と、前記基板上に形成されたＣｏ，Ｆｅ，Ｂを含む磁性合金からなる強磁性体層と、前記強磁性体層上にトンネル障壁層として（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯとを有することに特徴がある。 - 特許庁

To provide an angle detection system which can improve the precision of detecting a rotation angle by optimizing the fixed magnetization direction of a pin layer constituting a magnetoresistive element especially in fundamental states such as a perfect stationary state and an idling state.例文帳に追加

特に、完全停止状態及びアイドリング状態等の基本状態において、磁気抵抗素子を構成するピン層の固定磁化方向を適正化することで、回転角度の検出精度を向上させることが可能な角度検出装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Magnetoresistive films including a magnetization fixing layer, a non-magnetic intermediate layer, and a magnetization free layer, at least one thin film making up the non-magnetic intermediate layer and the magnetization free layer is formed by using a sputtering apparatus while a pressure around a substrate is set at 8.0×10^-3 Pa or lower.例文帳に追加

磁化固定層、非磁性中間層、及び磁化自由層を含む磁気抵抗膜のうち、非磁性中間層及び磁化自由層を構成する少なくとも１つの薄膜を、スパッタ装置を用い基板近傍の圧力を８．０×１０^−３Ｐａ以下として形成する。 - 特許庁

This method for manufacturing a magnetoresistive effect element includes at least a film forming process for forming a first ferromagentic layer, a second ferromagentic layer, and a non-magnetic layer; a preliminary heat treatment process for 60 minutes or more at 330 to 380°C; and a heat treatment process at 400 to 450°C in this order.例文帳に追加

基板上に、少なくとも、第１強磁性層、第２強磁性層および非磁性層を形成する成膜工程と、３３０〜３８０℃、６０分以上の予備熱処理工程と、４００〜４５０℃での熱処理工程と、をこの順に含む磁気抵抗効果素子の製造方法とする。 - 特許庁

A giant magnetoresistive stack (10) for use in a magnetic read head includes an NiFeCr seed layer (12), a ferromagnetic free layer (14), a nonmagnetic space layer (16), a ferromagnetic pinned layer (18), and a PtMnX pinning layer (20), where X is either Cr or Pd.例文帳に追加

磁気読み取りヘッドに用いられる巨大磁気抵抗効果スタック（１０）は、ＮｉＦｅＣｒ種層（１２）と、強磁性体自由層（１４）と、非磁性体スペーサー層（１６）と強磁性体ピン化層（１８）と、ＸをＣｒあるいはＰｄとしたＰｔＭｎＸピンニング層（２０）とを含んでいる。 - 特許庁

The reference element has such a structure as a tunnel insulation layer is sandwiched by a free magnetization layer and a fixed magnetization layer, has a resistance between the resistance in the low resistance state and the resistance in the high resistance state of the magnetoresistive element, and has a planar shape elongated in a second direction perpendicular to the first direction.例文帳に追加

基準素子は、トンネル絶縁層を自由磁化層と固定磁化層とで挟んだ構造を有し、磁気抵抗素子の低抵抗状態の抵抗と高抵抗状態の抵抗との間の抵抗を有し、第１の方向と直交する第２の方向に長い平面形状を有する。 - 特許庁

In an associative memory cell shown in figure 2, magnetoresistive elements TR101-TR104 are a TMR film used for a MRAM, and have a resistance value on accordance with a magnetizing direction by current magnetic fields of a pair of bit line (BL, /BL), an uncoincidence detecting line ML, and a reference current output line MSL.例文帳に追加

図２に示す連想メモリセルにおいて磁気抵抗素子ＴＲ１０１〜ＴＲ１０４はＭＲＡＭに用いられるＴＭＲ膜であり、ビット線対（ＢＬ，／ＢＬ）、不一致検出線ＭＬおよび基準電流出力線ＭＳＬの電流磁界による磁化方向に応じた抵抗値を有する。 - 特許庁

This reproducing head is a magnetoresistive head having a spin valve layer.例文帳に追加

前記磁気記録媒体は、磁性層表面の原子間力顕微鏡で測定した高さ１０ｎｍ以上の突起数が５０〜２５００個／１００００μｍ^2の範囲であり、磁性層表面の潤滑剤量は、表面潤滑剤指数で表すと０．５〜５．０の範囲であり、磁性層の表面研磨剤占有率は２〜２０％の範囲である。 - 特許庁

A first magnetoresistive element 5 for detecting rotations of a first driven gear 3 outputs a first sine-wave signal Vs1 in the form of a sine wave as an output for an angular displacement and a first cosine-wave signal Vc1 in the form of a cosine wave as an output for the angular displacement, to a CPU 9.例文帳に追加

第１従動ギア３の回転を検出する第１磁気抵抗素子５は、角度変位に対して出力が正弦波をとる第１正弦波信号Ｖs1と、角度変位に対して出力が余弦波をとる第１余弦波信号Ｖc1とをＣＰＵ９に出力する。 - 特許庁

The operation position detection device specifies an incorrect signal position of combination of the binarized signals based on the combination of the binarized signals output corresponding to a direction of a magnetic field acting on detection surfaces of the plurality of magnetoresistive elements 31-38 and corrects the binarized signals of the specified signal position.例文帳に追加

操作位置検出装置は、複数の磁気抵抗素子３１〜３８の検知面に作用する磁界の方向に応じて出力される二値化信号の組み合わせに基づいて、該二値化信号の組み合わせの誤り信号位置を特定し、この特定された信号位置の二値化信号を訂正する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the magnetoresistive effect device, a coating layer removed in a subsequent process is previously formed on the protection layer 26, and an oxidized layer formed by naturally oxidizing a part of the upper side of the coating layer and the coating layer are removed before the electrode layers 6 are formed by etching.例文帳に追加

磁気抵抗効果装置の製造方法では、予め、保護層２６の上に、後の工程で除去される被覆層を形成しておき、電極層６を形成する前に、被覆層の上面側の一部が自然酸化されて形成された酸化層および被覆層をエッチングによって除去する。 - 特許庁

The second magnetoresistive elements are mutually connected in series, and fixed ferromagnetic layers or free ferromagnetic layers are electrically connected in a direction mutually opposite to the magnetization direction of the free ferromagnetic layers and in a direction mutually identical to a field direction of the fixed ferromagnetic layers.例文帳に追加

複数の第２磁気抵抗素子は、互いに直列に接続され、自由強磁性層の磁化の向きが互いに逆の向きで、固定強磁性層の磁界の向きが互いに同じ向きで、固定強磁性層同士又は自由強磁性層同士が電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide a magnetic memory device having a magnetoresistive effect element using a spin injection magnetization reversing mechanism, and a manufacturing method for the device which device and method prevent a malfunction due to a magnetic field leaking from wiring such as word lines or bit lines, that are formed near the magnetroresistive effect element.例文帳に追加

スピン注入磁化反転機構を用いた磁気抵抗効果素子を有する磁気メモリ装置において、ワード線やビット線などの磁気抵抗効果素子の近傍に設けられた配線からの漏洩磁界による誤動作を防止しうる磁気メモリ装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a current-perpendicular-to-plane structure magnetoresistive element which generates a large amount of resistance changes by essentially reviewing materials for a pin layer with a spin valve structure, a free layer and a spacer layer as well as magnetic heads and magnetic reproducing devices using this element.例文帳に追加

スピンバルブ構造のピン層、フリー層およびスペーサ層の材料物性を根本的に見直すことにより、大きな抵抗変化量を可能とした垂直通電型の磁気抵抗効果素子、およびこのような磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッド、磁気再生装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The magnetoresistive element 1 includes a structure in which an insulating layer 15 is laminated on a magnetization fixed layer 14 and a free magnetic layer 16 is laminated on the insulating layer 15, the magnetization fixed layer 14 having an oxygen-bonding layer having a thickness of two oxygen atoms or less, formed on its upper surface.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子１は、磁化固定層１４の上に絶縁層１５が積層され、絶縁層１５の上に自由磁性層１６が積層される構造を有する磁気抵抗効果素子であって、磁化固定層１４は、上面に酸素原子２原子分の厚さ以下の酸素結合層が形成される。 - 特許庁

The CPP type magnetoresistive effect element has a multilayer ferry spin valve structure including an underlying layer, a fixed ferromagnetic layer, a nonmagnetic metal intermediate layer and a free ferromagnetic layer wherein the free ferromagnetic layer is composed of CoFeAl or CoMnAl of specified composition and the underlying layer consists of an amorphous metal lower layer and a nonmagnetic metal upper layer.例文帳に追加

下地層、固定強磁性層、非磁性金属中間層、自由強磁性層を含む積層フェリスピンバルブ構造を有し、自由強磁性層を特定組成のＣｏＦｅＡｌまたはＣｏＭｎＡｌとしたＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子であって、下地層がアモルファス金属下層と非磁性金属上層とから成る。 - 特許庁

This magnetic recording and reproducing method is characterized in that the electric signals recorded on a magnetic recording medium formed by laminating a nonmagnetic layer and magnetic layer in this order on a base and containing nonmagnetic particles of ≥150 W/(m.K) in thermal conductivity in the nonmagnetic layer are reproduced by using the magnetoresistive head.例文帳に追加

支持体上に非磁性層及び磁性層がこの順序で積層されており、かつ該非磁性層中に、熱伝導率が１５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の非磁性粒子を含有する磁気記録媒体に記録された磁気信号を、磁気抵抗ヘッドを用いて再生することを特徴とする磁気記録再生方法。 - 特許庁

The rotation detecting device integrally forms with a bias magnet 10c arranged while surrounding the surroundings of the sensor chip 1 with the magnetoresistive elements MRE1-MRE4 and the case members 10a, 10b covering the bias magnet 10c with the sensor chip 1.例文帳に追加

回転検出装置は、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４を備えるセンサチップ１の周囲を囲繞する態様で配設されて磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４にバイアス磁界を付与するバイアス磁石１０ｃとセンサチップ１と共々このバイアス磁石１０ｃを覆うケース部材１０ａ、１０ｂとが一体に形成される。 - 特許庁

The method includes a step in which cells are identified (501) within a magnetoresistive solid-state storage device (100) having a failure behavior that has a tendency to stay in a particular magnetization orientation, a step in which a mapping (503) is conducted for an identified cell and a step in which failure behavior of the cell located at a place being mapped is compensated for (505).例文帳に追加

本開示の方法は、特定の磁化方向に留まる傾向を有することを特徴とする故障挙動を有する磁気抵抗固体記憶素子内のセルを識別し（５０１）、該識別されたセルの場所をマッピングし（５０３）、該マッピングされた場所におけるセルの故障挙動を補償する（５０５）、という各ステップを含む。 - 特許庁

The magnetoresistive effect element includes a first magnetic layer 14; a tunnel barrier layer 16 provided on the first magnetic layer; a second magnetic layer 18a provided on the tunnel barrier layer and containing CoFe; and a nonmagnetic layer 19, provided on the second magnetic layer and containing nitrogen and at least one element selected from the group consisting of B, Ta, Zr, Al, and Ce.例文帳に追加

第１磁性層１４と、第１磁性層上に設けられたトンネルバリア層１６と、トンネルバリア層上に設けられＣｏＦｅを含む第２磁性層１８ａと、第２磁性層上に設けられ、Ｂ、Ｔａ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｃｅのうちの少なくとも１つの元素および窒素を含む非磁性層１９と、を備えている。 - 特許庁

The magnetoresistive effect elements 201A, 201B, 201C, 201D are arranged in an area within a closed curve formed by the first current path 101 and the second current path 102 and in which a first magnetic field generated by the first divided current and a second magnetic field generated by the second divided current weaken each other.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子２０１Ａ，２０１Ｂ，２０１Ｃ，２０１Ｄは、第一の電流経路１０１と第二の電流経路１０２とが形成する閉曲線の内部であって、且つ第一の分流電流が発生する第一の磁界と、第二の分流電流が発生する第二の磁界とが相互に弱め合う領域に配置されている。 - 特許庁

The magnetometric sensor 1 provided with the head 5 and the magnetic scale 3 in which the bottom surface 55 of the sensor holder 6 on which the magnetically sensitive surface 50 is formed by the magnetoresistive element, the flat reference plane 56 is formed wherein, only the central region formed with a magnetically sensitive surface 50 is formed protruding from the peripheral region forming the flat reference plane 56.例文帳に追加

ヘッド５と磁気スケール３とを有する磁気センサ装置１において、磁気抵抗素子によって感磁面５０が形成されているセンサホルダ６の底面５５では、感磁面５０が形成されている中央領域のみがその周辺領域よりも部分的に突き出た平坦な基準面５６になっている。 - 特許庁

In the rotation detection apparatus, a sensor part comprising a magnetoresistive element for detecting changes in the angle of a magnetic vector as changes in resistance value and its processing circuit part are integrated into a circuit as one IC chip 11 and provided in such a way as to be opposed to a rotor RT comprising helical gears used for an automatic transmission.例文帳に追加

回転検出装置は、磁気ベクトルの角度変化を抵抗値の変化として検出する磁気抵抗素子からなるセンサ部およびその処理回路部が１つのＩＣチップ１１として集積回路化され、自動変速機に使用されている斜歯歯車（ギア）からなるロータＲＴに対向するように設けられている。 - 特許庁

A magnetoresistive element comprises storage layer including first and second ferromagnetic layers and a non-magnetic layer disposed between the first and second ferromagnetic layers, and a strength of exchange coupling of the first and second ferromagnetic layers is set to open an asteroid curve in the direction of hard axis.例文帳に追加

本発明の例に関わる磁気抵抗効果素子は、第１及び第２強磁性層と、第１及び第２強磁性層の間に配置される非磁性層とを有する記憶層を備え、第１及び第２強磁性層の交換結合の強度は、磁化困難軸方向のアストロイド曲線が開く形となるように設定される。 - 特許庁

The tunnel magnetoresistive element comprises a first ferromagnetic body, a second ferromagnetic body, and an insulator sandwiched between these ferromagnetic bodies wherein at least one ferromagnetic body has a single crystal of full Heusler alloy grown epitaxially on the (100) face of a base material and a thin Mg layer is provided between the full Heusler alloy and the insulator.例文帳に追加

第１の強磁性体と、第２の強磁性体と、これら強磁性体間に挟まれて存在する絶縁体とを具え、強磁性体の少なくとも一方は、基材上に(100)面にエピタキシャル成長したフルホイスラー合金の単結晶を有し、フルホイスラー合金と絶縁体との間に薄いＭｇ層を具えている。 - 特許庁

A magnetic random access memory is provided with memory cells MC11∼MCnm having a TMR (tunneling magnetoresistive) element 10 and a selection element Tr, and a read-out circuit 50 reading out storage information from the TMR element by applying read-out voltage to a selected memory cell and making to flow in the TMR element through the selection element.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、ＴＭＲ素子１０と選択素子Ｔｒとを有するメモリセルＭＣ１１〜ＭＣｎｍと、選択したメモリセルに読み出し電圧を印加し、選択素子を介してＴＭＲ素子に電流を流すことにより、ＴＭＲ素子から記憶情報を読み出す読み出し回路５０とを備えている。 - 特許庁

A magnetic field generating means 13 has two pairs of electromagnets 24, and a pair of magnetic path extension members 25 provided extending continuously from cores of the respective electromagnets 24 to be converged into one piece at each pair of electromagnets 24 at both surface sides of the wafer having a magnetoresistive element mounted to a placement table 12.例文帳に追加

磁場発生手段１３が、載置台１２に載置された磁気抵抗素子を有するウエハの両面側に、それぞれ２対の電磁石２４と、電磁石２４の各対毎に、それぞれの電磁石２４の芯から連続して伸びて１本に収束するよう設けられた１対の磁路延長部材２５とを有している。 - 特許庁

A magnetoresistive material 20a comprises a first phase 21 whose main component has insulating glass and a second phase 24 containing magnetic semiconductor fine particles 23, with the first and second phase 21 and 22 constituting a spinodal phase-split system substantially extending in one direction.例文帳に追加

本発明の磁気抵抗材料２０ａは、絶縁性ガラスを主成分とする第１の相２１と磁性半導体微粒子２３を含有する第２の相２４とを具備し、前記第１の相２１及び前記第２の相２２は実質的に一方向に延びたスピノーダル型分相組織を構成したことを特徴とする。 - 特許庁

Further, the range where a sense current flows through the upper shield 2 and the lower shield 3 can be reduced and the noise due to the magnetoresistive effects of the upper shield 2 and the lower shield 3 can be reduced by extending and forming the upper lead 4 and the lower lead 5 up to a medium-facing surface.例文帳に追加

さらに、上部リード４および下部リード５を媒体対向面にまで延伸して形成することにより、センス電流が上部シールド２および下部シールド３を流れる範囲を少なくすることができ、上部シールド２および下部シールド３の磁気抵抗効果によるノイズを低減することができる。 - 特許庁

For example, the rotation detection device is constituted of the sensor chip 11 provided with the magnetoresistive element pairs 11a, and 11b; the lead frame 12; bias magnet 14; the plastic resin cap 15; the metal terminals T1-T3 etc.; and the housing 20 formed with the plastic resin housing the structure as the sensor body.例文帳に追加

センサ装置の一例として、この回転検出装置は、磁気抵抗素子対１１ａおよび１１ｂを備えるセンサチップ１１、リードフレーム１２、バイアス磁石１４、樹脂キャップ１５、金属ターミナルＴ１〜Ｔ３等々、センサ本体としての構造体が、樹脂成形されるハウジング部２０によって一体に把持される構造をとる。 - 特許庁

A magnetoresistive element comprises a magnetic recording layer 13 that records information as a magnetization direction changes upon supplying a bidirectional current vertical to a film surface, a magnetic reference layer 11 that has a fixed magnetization direction, and a nonmagnetic layer 12 that is provided between the magnetic recording layer 13 and the magnetic reference layer 11.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子は、膜面に垂直方向である双方向の電流通電により磁化の方向が変化しかつ情報を記録する磁化記録層１３と、磁化の方向が固着された磁化参照層１１と、磁化記録層１３および磁化参照層１１間に設けられた非磁性層１２とを具備する。 - 特許庁

The magnetoresistive element 10 includes a stabilization layer 11, a nonmagnetic layer 13, a spin-polarization layer 12 provided between the stabilization layer 11 and the nonmagnetic layer 13, and having magnetic anisotropy in a direction perpendicular to a film surface, and a magnetic layer 14 provided on a side of the nonmagnetic layer 13 opposite to a side on which the spin-polarization layer 12 is provided.例文帳に追加

磁気抵抗素子１０は、安定化層１１と、非磁性層１３と、安定化層１１と非磁性層１３との間に設けられ膜面に垂直な方向の磁気異方性を有するスピン分極層１２と、非磁性層１３に対してスピン分極層１２とは反対側に設けられた磁性層１４とを含む。 - 特許庁

The elastic pieces 64A, 64B of a magnetoresistive sensor 56 are formed so that the sum of their moments working to the position of the main part 60 where a screw 62 is inserted (screw hole 6010) becomes zero in the state that they are deformed in the same amount.例文帳に追加

磁気抵抗センサ装置５６の弾性片６４Ａ、６４Ｂは、各弾性片６４Ａ、６４Ｂが同一の量で弾性変形した状態で、ねじ６２が挿通される本体６０の箇所（ねじ挿通孔６０１０）に対して作用する各弾性片６４Ａ、６４Ｂによるモーメントの和が零となるように構成されている。 - 特許庁

In a magnetic recording reproducing device 1 arranged with a reproducing head HR of the MR (magnetoresistive effect type) head, transfer is performed by a partial response class 1, an eye pattern for a reproduction wave of user data by the reproducing head HR is obtained and three values of the maximum value, a median value, the minimum value at a detecting point for this eye pattern are obtained.例文帳に追加

ＭＲ（磁気抵抗効果型）ヘッドによる再生ヘッドＨＲが設けられた磁気記録再生装置１で、伝送をパーシャル・レスポンス・クラス１で行ない、ユーザーデータの再生ヘッドＨＲによる再生波形のアイパターンを得ると共に、このアイパターンの検出点での最大値，中央値，最小値の３値を得る。 - 特許庁

The thin film magnetic head 1 provided with a reproducing head part (magnetoresistive element) 11. a recording head part (induction electromagnetic transduction element) 12, and a heater 17 heated by energizing is formed on a mount 2, the surface S facing the medium of the thin film magnetic head 1 is ground while energizing the heater 17 or the recording head part 12.例文帳に追加

再生ヘッド部（磁気抵抗効果素子）１１と、記録ヘッド部（誘導型電磁変換素子）１２と、通電することにより発熱するヒータ１７とを備える薄膜磁気ヘッド１を基台２上に形成し、ヒータ１７または記録ヘッド部１２に通電しながら、薄膜磁気ヘッド１の媒体対向面Ｓを研磨する。 - 特許庁

Formed on a substrate 10 is the magnetoresistive element (MR element) consisting of an MR film 11 which is provided with plural sections 15-17 that are mutually separated by one or more slits 13, 14 parallel to the opposite faces 12 of a recording medium along the height direction and that are each connected to a common electrode 19 at both ends.例文帳に追加

その高さ方向に沿って記録媒体対向面１２と平行な１つ又は複数のスリット１３、１４により相互に分離され、かつそれぞれの両端が共通の電極１９に接続された複数の区分１５〜１７を有する磁気抵抗膜１１からなる磁気抵抗素子（ＭＲ素子）を基板１０上に形成する。 - 特許庁

In the perfect stationary state that an engine is turned off and the idling state that the engine is turned on but the vehicle is in a stationary state (these states are called the fundamental states), the direction of an external magnetic field H crossing an axis O of a throttle valve shaft 4 and the magnetization direction of the pin layer of the magnetoresistive element 22 coincide with each other.例文帳に追加

エンジンを切った完全停止状態、及びエンジンはかけているが自動車を停止させているアイドリング状態（これらを基本状態という）では、スロットルバルブシャフト４の軸心Ｏと交差する外部磁界Ｈの方向と、磁気抵抗効果素子２２のピン層の磁化方向とを一致させている。 - 特許庁

A magnetoresistive effect element is provided with a first reference layer 2c fixing a magnetization direction; and a storage layer 2e having a body 3 in which a magnetization easy axis direction is longer as compared with a magnetization difficult axis direction, and a projection part 4 provided in the magnetization difficult axis direction of the center part of the body part, and changing a magnetization direction in response to an outside magnetic field.例文帳に追加

磁化方向が固定される第１の基準層２ｃと、磁化容易軸方向が磁化困難軸方向に比べて長い本体部３およびこの本体部の中央部の磁化困難軸方向に設けられた突出部４とを有し、外部磁界に応じて磁化方向が変化する記憶層２ｅを備えている。 - 特許庁

This magnetoresistive element has an electrical conductor (a lower element 14, a lower wiring, or the like) of an AlCu alloy having composition of Cu of 20 at.% to 90 at.% on a substrate 16, and a multilayered film in which at least a first ferromagnetic layer 11, a nonmagnetic layer 12 and a second ferromagnetic layer 13 are sequentially formed thereon.例文帳に追加

基板１６上に、Ｃｕの組成が２０ａｔ.％以上９０ａｔ.％以下のＡｌＣｕ合金の電気伝導体（下部電極１４や下部配線等）を有し、その上に少なくとも第１の強磁性層１１、非磁性層１２及び第２の強磁性層１３が順次形成された多層膜を有する磁気抵抗素子。 - 特許庁

Configuration for forming a closed magnetic circuit, in which magnetic domain control film is formed with the same track width on a magnetoresistive effect laminating film and an end part is joined together, is configured to take double closed magnetic circuit structure with a trilaminar magnetic layer of a soft magnetic antiparallel layer 132 in addition to a soft magnetic free layer 13 and a single magnetic domain ferromagnetic layer 45.例文帳に追加

磁区制御膜を磁気抵抗効果積層膜上に同一トラック幅で形成し、端部が結合して閉磁路を形成する構成を、軟磁性自由層１３、単磁区化強磁性層４５に加えて軟磁性反平行層１３２の三層の磁性層により、二重の閉磁路構造をとるように構成する。 - 特許庁

In this magnetoresistive element 10, since element substrate side dummy terminals 113c, 123c are formed on the element substrates 11, 12 and flexible substrate side dummy terminals 166c, 176c are formed on the flexible substrates 16, 17, a domain wherein the element substrates 11, 12 are not connected to the flexible substrates 16, 17 is small.例文帳に追加

磁気抵抗素子１０において、素子基板１１、１２には素子基板側ダミー端子１１３ｃ、１２３ｃが形成され、可撓性基板１６、１７には可撓性基板側ダミー端子１６６ｃ、１７６ｃが形成されているため、素子基板１１、１２と可撓性基板１６、１７の接続が行われていない領域が狭い。 - 特許庁

When depositing the insulating layer 12 as an underlayer on the substrate 11 during the manufacturing process of the magnetoresistive effect type head 10, oxygen atoms contained in the insulating layer 12 are prevented from entering the substrate 11 by arranging the reaction preventive layer 13 made of an insulating material between the substrate 11 and the insulating layer 12.例文帳に追加

基板１１と絶縁層１２との間に、絶縁性材料からなる反応防止層１３を設けることにより、磁気抵抗効果型ヘッド１０の製造工程において基板１１上に下地層としての絶縁層１２を形成する際に、絶縁層１２に含まれている酸素原子が基板１１内に侵入するのを防ぐことができる。 - 特許庁

The magnetoresistive element includes a first magnetic layer 3 which has an easy axis of magnetization in a direction vertical to a film surface and has variable magnetization direction, a second magnetic layer 2 which has an easy axis of magnetization in the direction vertical to the film surface, and a first nonmagnetic layer 4 provided between the first magnetic layer 3 and second magnetic layer 2.例文帳に追加

本発明の例に係わる磁気抵抗素子は、膜面垂直方向に磁化容易軸を有する磁化方向が可変の第１磁性層３と、膜面垂直方向に磁化容易軸を有する磁化方向が不変の第２磁性層２と、第１磁性層３と第２磁性層２との間に設けられる第１非磁性層４とを含む。 - 特許庁

A magnetoresistive device with a pinned ferromagnetic layer 118 and a free ferromagnetic layer 132 separated by a nonmagnetic spacer layer 120 has an exchange-coupled anti-ferromagnetic/ ferromagnetic structure that uses the semi-metallic ferromagnetic Heusler alloy with its near 100% spin polarization as the pinned ferromagnetic layer 118.例文帳に追加

非磁性スペーサ１２０で分離されているピンド強磁性体層１１８とフリー強磁性体層１３２を有する磁気抵抗素子であり、ピンド強磁性体層１１８として１００％近いスピン偏極の半金属強磁性体ホイスラー合金を使用する交換結合した反強磁性体層／強磁性体層構造を有している。 - 特許庁

In this magnetoresistive element, wherein a pair of ferromagnetic layers face each other with an intermediate layer in between them and a variation in magnetoresistance is achieved by carrying an electric current in the direction vertical to the layer surfaces, at least one of the two ferromagnetic layers has a crystalline ferromagnetic layer containing FeCoB or FeCoNiB.例文帳に追加

対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子であって、その強磁性層のうちの少なくとも一方が、ＦｅＣｏＢあるいはＦｅＣｏＮｉＢを含有する結晶質の強磁性層を有する構成とする。 - 特許庁