「MAGNETORESISTIVE」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor device includes a semiconductor substrate SUB having a main surface and a magnetoresistive element MRD located on the main surface of the semiconductor substrate SUB.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、主表面を有する半導体基板ＳＵＢと、半導体基板ＳＵＢの主表面上に位置する磁気抵抗素子ＭＲＤとを備えている。 - 特許庁

To provide a ferromagnetic conductor material from which a tunnel magnetoresistive element and an element of a field effect transistor can easily be manufactured by combining them with the other material, for example.例文帳に追加

他の物質と組み合わせて、例えば、トンネル磁気抵抗素子や電界効果トランジスタ等の素子を簡単に製造することができる強磁性伝導体材料を提供する。 - 特許庁

A GMR (Giant Magnetoresistive) element of the narrow track width (Twr) can be realized by forming the regions where the magnetization traverse torque is small at both ends of the magnetic layer 2.例文帳に追加

磁化回転トルクの小さい領域を自由磁性層２の両端に形成することにより、狭トラック幅（Ｔｗｒ）のＧＭＲ素子を容易に実現できる。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive element with vertical magnetic anisotropy which has superior magnetic characteristics by containing an RE-TM alloy, and can maintain the magnetic characteristics.例文帳に追加

ＲＥ−ＴＭ合金を含むことで優れた磁気特性を有する垂直磁気異方性の磁気抵抗素子において、この磁気特性が維持できる磁気抵抗素子を提供する。 - 特許庁

To minimize errors in a magnetoresistive solid-state storage device such as a magnetic random access memory (MRAM) element array or the like.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）素子アレイ等の磁気抵抗固体記憶素子（１００）における誤りを最小限にすることを可能にする例示的な実施形態を開示する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect element capable of suppressing decrease in the output voltage of an element, caused by spin transfer torque when it turns into high current density.例文帳に追加

高電流密度化した際にスピントランスファートルクに起因して素子の出力電圧が低下するのを抑制することが可能な磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

A magnetoresistive effect element where the multilayer fixed magnetic layer is coupled magnetostatically or antiferromagnetically to cause negative magnetic coupling is also provided.例文帳に追加

また、本発明は、固定磁性層が、上記多層膜であって負の磁気結合を生じさせるように静磁結合または反強磁性結合した磁気抵抗素子を提供する。 - 特許庁

The side wall material 103 adhering to the side faces of the spin tunnel magnetoresistive effect film 110 is oxidized or nitrided by performing plasma etching by using an oxygen gas or a nitrogen gas.例文帳に追加

スピントンネル磁気抵抗効果膜１１０の側面に付着した側壁物１０３を、酸素ガスまたは窒素ガスを用いたプラズマエッチングによって酸化または窒化させる。 - 特許庁

A plane of the substrate 1 is provided with a tunnel-type magnetoresistive element (TMR element) 3 that has a free layer and a pin layer and generates detection output, according to the magnetization state.例文帳に追加

基板１の平面には、フリー層とピン層を持ち、その磁化状態に応じた検知出力を発生させるトンネル型磁気抵抗素子（ＴＭＲ素子）３を設ける。 - 特許庁

To provide a common bias circuit which reduces offset fluctuations in bias voltage in the midpoint of a magnetoresistive element by an input leakage current of a differential current amplification circuit.例文帳に追加

差動電流増幅回路の入力リーク電流による磁気抵抗素子の中点におけるバイアス電圧オフセット変動を抑えたコモンバイアス回路を提供する。 - 特許庁

To increase the MR ratio in practice obtainable of the element as a whole, when compared with a conventional case in a conventional case in an magnetoresistive effect element with a CPP structure which uses spin valve film.例文帳に追加

スピンバルブ膜を用いたＣＰＰ構造を持つ磁気抵抗効果素子でありながら、従来に比べて、素子全体として得られる実際上のＭＲ比を高める。 - 特許庁

Thereafter, the external magnetic field is applied while supplying a current to the magnetoresistive effect films, and the characteristics of the thin film magnetic head 10 such as asymmetry, a reproduction output, or the like are inspected.例文帳に追加

その後、磁気抵抗効果膜に電流を供給しつつ外部磁界を印加して、アシンメトリや再生出力等の薄膜磁気ヘッド１０の特性を検査する。 - 特許庁

To provide a magnetic tape recording and reproducing device including a mechanism for protecting a recording and reproducing head including a magnetoresistive effect element from an abnormal protrusion or foreign substance on a magnetic tape.例文帳に追加

磁気テープ上の異常な突起や異物から磁気抵抗効果型素子を含む記録再生ヘッドを保護する機構を備えた磁気テープ記録再生装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a MR(magnetoresistive) element in which a sufficient vertical bias is applied to a free layer and an output reduction caused by bypassing of a sense current at a magnetism sensing part is prevented.例文帳に追加

フリー層に十分な縦バイアスを印加すると共に、センス電流の感磁部バイパスによる出力低下を防止するようにした、ＭＲ素子の製造方法。 - 特許庁

The current driving wire 72 has a first surface opposed to the magnetoresistive element 35, a second surface present on the opposite side to the first surface, and two side surfaces interposed between the first and the second surfaces.例文帳に追加

電流駆動線７２は磁気抵抗素子３５に対向する第１面と、第１面と反対側の第２面と、第１及び第２面間の２つの側面と、を具備する。 - 特許庁

To provide a cleaning tape capable of realizing a sufficient cleaning effect by preventing the electrostatic destruction of a magnetoresistive type head and changes in a reproducing output due to the excessive abrasion of the head.例文帳に追加

磁気抵抗型ヘッドの静電破壊や、ヘッドの過剰な磨耗による再生出力の変化を防止して、十分なクリーニング効果を実現できるクリーニングテープを提供する。 - 特許庁

To provide a vertical power-feeding magnetoresistive element simultaneously attaining adequate resistance value and high resistance variation rate in the magnetic resistance using nano-contact between magnetic materials.例文帳に追加

磁性同士のナノコンタクトを用いた磁気抵抗において，適正な抵抗値と高い抵抗変化率の両立を図った垂直通電型の磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a memory cell region in which a plurality of magnetoresistive elements MRD are arranged, and a peripheral circuit region arranged around the memory cell region in top view.例文帳に追加

磁気抵抗素子ＭＲＤが複数配置されたメモリセル領域と、平面視においてメモリセル領域の周囲に配置された周辺回路領域とを備える。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive element for a spin injection writing system which is stable to heat, and makes low-current magnetization inversion possible, and a magnetic memory using the element.例文帳に追加

熱的に安定であると同時に低電流の磁化反転を可能とするスピン注入書き込み方式用の磁気抵抗素子およびそれを用いた磁気メモリを提供する。 - 特許庁

The magnetic random access memory uses a magnetoresistive effect film composed of a multilayered magnetic film as a memory element or the mechanism for inverting the magnetization as an information writing means.例文帳に追加

本発明の磁気ランダムアクセスメモリは、上記多層磁性膜からなる磁気抵抗効果膜をメモリ素子とし、或いは、上記磁化反転機構を情報の書き込み手段とする。 - 特許庁

The sense amplifier circuit (26) identifies data stored in the at least one magnetoresistive element (J0, J1) in response to output signals of the amplifying members (MP1, MN1, MP7, MP7).例文帳に追加

センスアンプ回路（２６）は、前記増幅手段（ＭＰ１、ＭＮ１、ＭＰ７、ＭＰ７）の出力に応答して、磁気抵抗素子（Ｊ０、Ｊ１）に記憶された前記データを識別する。 - 特許庁

The lower part lead layer 51 and the upper part lead layer 52 make a sense current flow to the magnetoresistive effect layers 24-28 almost perpendicularly to its film plane through the magnetic shield layers 21, 31.例文帳に追加

下部リード層５１及び上部リード層５２は、磁気シールド層２１，３１を経由して、磁気抵抗効果層２４〜２８にその膜面と略垂直にセンス電流を流す。 - 特許庁

To provide a manufacturing method improving an MR ratio of a magnetoresistive element by preparing a tunnel barrier layer having an optimum composition ratio in stoichiometry and high crystallinity.例文帳に追加

化学量論における構成比が最適で、かつ結晶性の高いトンネルバリア層を作成し、磁気抵抗素子のＭＲ比を向上させる製造方法を提供する。 - 特許庁

In the analog-digital converter having at least a reference signal generation circuit 1, a comparator 2 and an encoder 3, the comparator 2 comprises a magnetoresistive element.例文帳に追加

基準信号発生回路１と、比較器２と、エンコーダ３とから少なくとも構成されるアナログデジタル変換器において、比較器２を磁気抵抗素子から構成する。 - 特許庁

This conductive layer 11 is etched with halogen gas while the ruthenium base layer 12 remains unetched to avoid damaging the underlying magnetoresistive effect element 15.例文帳に追加

タンタル導電層１１をハロゲンガスでエッチングするが、このときルテニウムの下地層１２はエッチングされることがなく、下の磁気抵抗効果素子１５がダメージを受けるのを防ぐ。 - 特許庁

Etchings to the magnetoresistive effect film and the 1st stopper layer are performed simultaneously and a pattern is formed by using at least metal of slow CMP polish rate for the first stopper layer.例文帳に追加

少なくとも第一のストッパー層をＣＭＰ研磨レートの遅い金属とすることによって、磁気抵抗効果膜と第一のストッパー層を同時にエッチングしパターンを形成する。 - 特許庁

An output of a reproducing head provided with a magnetoresistive effect element is inputted to an external magnetic field detecting means 303 through a DC amplifier 301 and a DC filter 302.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を備える再生ヘッドの出力を直流増幅器３０１、ＤＣフィルタ３０２を介して外部磁界検出手段３０３に入力する。 - 特許庁

To realize reduction in contact resistance, suppression of insulation faults, good linear response or the like by suppressing the regenerated fringe or Barkhausen noise of a magnetoresistive effect element.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の再生フリンジやバルクハウゼンノイズを抑制した上で、接触抵抗の低減、絶縁不良の抑制、良好な線形応答性等を実現する。 - 特許庁

A stacked part 2 including TMR (Tunneling Magnetoresistive) elements 6 for a plurality of magnetic heads is formed on a wafer 101 on which substrates 1 for a plurality of the magnetic heads are to be constituted (S1).例文帳に追加

磁気ヘッドの複数個分の基体１を構成するべきウエハ１０１上に、磁気ヘッドの複数個分のＴＭＲ素子６を含む積層部２を形成する（Ｓ１）。 - 特許庁

To increase the tunnel current passing cross-sectional area of a tunnel magnetoresistive effect element while the element is constituted so that an insulating layer which becomes an insulating barrier layer may be formed before magnetic layers are formed.例文帳に追加

磁性層の形成に先立って絶縁障壁層となる絶縁層を形成することができる構成としつつ、トンネル電流の通過断面積の増大を図る。 - 特許庁

To provide a CPP(Current Perpendicula-to-the Plane) magnetoresistive reproducing head capable of impressing a strong and stable bias magnetic field of the horizontal direction on the CPP magneto-resistance structure.例文帳に追加

ＣＰＰ磁気抵抗構造に対して強力かつ安定した横方向バイアス磁界を印加することができるＣＰＰ磁気抵抗効果型再生ヘッドを提供する。 - 特許庁

To provide a current-perpendicular-to-the-plane type giant magnetoresistive effect sensor having low resistance and high sensitivity, which possesses synthetic spin-valve structure.例文帳に追加

シンセティックスピンバルブ構造を有する場合において低抵抗化かつ高感度化を実現することが可能な膜面直交電流型巨大磁気抵抗効果センサを提供する。 - 特許庁

The current sensor detects the current on the detection current path IS1 by detecting the angle change of the resultant vector as the change of the resistance value of the magnetoresistive element.例文帳に追加

電流センサは、こうした合成ベクトルの角度変化を磁気抵抗素子の抵抗値の変化として感知して被検出電流路ＩＳ１の電流検出を行う。 - 特許庁

To possibly reduce a distance between a magnetoresistive element and teeth of a gear, and improve the detection accuracy of rotations of a rotating body.例文帳に追加

磁気抵抗素子とギア歯との距離を極力短くすることを可能にして、磁気抵抗素子からなる磁気センサによる回転体の回転検出精度を向上すること。 - 特許庁

In the magnetoresistive elements MRE11 to MRE14, the resistance changes with a change in a vector of a bias magnetic field which occurs caused by the rotation of a rotor.例文帳に追加

これら磁気抵抗素子ＭＲＥ１１〜ＭＲＥ１４は、ロータの回転に起因して生ずるバイアス磁界のベクトル変化に伴って抵抗値が変化するようになっている。 - 特許庁

The amplifying transistor 20 is actuated, when the resistance value of the semiconductor magnetoresistive element 18 is changed by the magnetic body, whereby the output voltage obtained from the resistor 22 is changed.例文帳に追加

磁性体によって半導体磁気抵抗素子１８の抵抗値が変わったとき、増幅用トランジスタ２０が動作し、抵抗２２から得られる出力電圧が変化する。 - 特許庁

This bleed resistor has a comparatively larger electric resistance and provides a path for discharging the accumulated charge without affecting the performance of the magnetoresistive element.例文帳に追加

このブリード抵抗は、比較的大きい電気抵抗値を有し、磁気抵抗素子の性能に影響することなく蓄積した静電気を放電するための経路を提供する。 - 特許庁

The magnetic oscillator includes: an oscillating field-generating unit 1 configured to generate an oscillating field; and a magnetoresistive element 2 including a magnetoresistive film including a first magnetic pinned layer 10 of which the magnetization direction is pinned, a first magnetic free layer 8 of which the magnetization direction oscillates with the oscillating field, and a first spacer layer 9 interposed between the first magnetic pinned layer and the first magnetic free layer.例文帳に追加

振動磁場を発生する振動磁場発生部１と、磁化の向きが固定された第１磁化ピンド層１０、振動磁場によって磁化の向きが振動する第１磁化フリー層８、および第１磁化ピンド層と第１磁化フリー層との間に設けられた第１スペーサ層９を有する磁気抵抗効果膜を含む磁気抵抗素子２と、を備えている。 - 特許庁

The magnetic memory includes a magnetization fixed layer 12A, having a fixed magnetization direction and a magnetization free layer 12C, having a variable magnetization direction and is also equipped with a plurality of magnetoresistive elements 12 for recording information by resistance values changing, depending on the magnetization direction of the magnetization free layer 12C; and word lines WL electrically connected to respective one end of the plurality of magnetoresistive elements 12.例文帳に追加

磁気メモリは、磁化の方向が固定された磁化固定層１２Ａと、磁化の向きが変化する磁化自由層１２Ｃとを含み、かつ磁化自由層１２Ｃの磁化の方向に基づいて変化する抵抗値により情報を記録する複数の磁気抵抗素子１２と、複数の磁気抵抗素子１２の一端に電気的に接続されたワード線ＷＬとを具備する。 - 特許庁

To provide the antiparallelly coupled film structure of a ferromagnetic material, a nonmagnetic material, and a ferromagnetic material which has sufficient antiparallel coupling strength after a heat treatment process of 400°C to be applicable to the magnetic free layer or magnetic pinned layer of a high magnetoresistive element; and to provide a tunnel magnetoresistive element and a magnetic device which use the antiparallelly coupled film structure.例文帳に追加

４００℃の熱処理プロセス後に、十分な反平行結合強度を有することで、高磁気抵抗素子の磁化自由層または磁化固定層に適用可能な、強磁性体／非磁性体／強磁性体の反平行結合膜構造体、その反平行結合膜構造体を用いたトンネル磁気抵抗素子および磁気デバイスを提供する。 - 特許庁

The present invention provides a tunnel-effect type magnetoresistive head which is capable of preventing degradation of a tunnel-effect type magnetoresistive effect element caused by contact with a magnetic recording medium without degrading a shielding effect, wherein an exposed surface area of a shield and electrode layer, which is viewed from an air bearing surface is decreased, and a shield layer is also provided outside the shield and electrode layer.例文帳に追加

本発明は、浮上面から見たシールド兼電極層の露出面積を小さくし、さらに、当該シールド兼電極層の外側にもシールド層を設けることで、シールド効果を低下させることなく、磁気記録媒体との接触によるトンネル効果型磁気抵抗効果素子の劣化を防ぐことが出来るトンネル効果型磁気抵抗ヘッドを提供する。 - 特許庁

This magnetic random access memory comprises a substrate (1), a magnetoresistive element (5) which includes a ferromagnetic layer (8) having reversible spontaneous magnetization and whose resistance changes according to the direction of the spontaneous magnetization and which is formed above the substrate (1), and wiring (1) through which a current for generating a magnetic field applied to the magnetoresistive element (5) flows.例文帳に追加

本発明による磁気ランダムアクセスメモリは，基板（１）と、反転可能な自発磁化を有する強磁性層（８）を含み，自発磁化の方向に応じて抵抗が変化し，且つ，前記基板（１）の上方に形成された磁気抵抗素子（５）と，磁気抵抗素子（５）に印加される磁場を発生する電流を流すための配線（１１）とを備えている。 - 特許庁

The information is written by using the intrasurface component and the perpendicular component of the magnetic field which is generated by current flowing through the intrasurface perpendicular common writing line 5 and metallic wiring 11 as the recording magnetic field respectively for the intrasurface anisotropic tunnel magnetoresistive storage element 9 and the perpendicular anisotropic tunnel magnetoresistive storage element 6 in writing information.例文帳に追加

情報を書き込む際には、面内垂直共有書き込み線５及び金属配線１１に流れる電流により生じる磁界の面内成分及び垂直成分を、それぞれ面内異方性トンネル磁気抵抗記憶素子９及び垂直異方性トンネル磁気抵抗記憶素子６に対する記録磁界として用いることで情報を書き込む。 - 特許庁

A bias magnet 40 provides magnetic vectors to a first magnetoresistive element pair 11 and a second magnetoresistive element pair 12 which form respective half bridge circuits, and is cylindrically surrounded the circumferences of the first pair 11 and the second pair 12, and is provided as permanent magnet that generates magnetic vectors perpendicular to the axial direction thereof inside itself.例文帳に追加

各々ハーフブリッジ回路を形成する第１及び第２の磁気抵抗素子対１１、１２に磁気ベクトルを付与するバイアス磁石４０は、これら第１及び第２の磁気抵抗素子対１１、１２の周囲を囲繞する筒状に設けられてなるとともに、該内部にてその軸方向に直交する磁気ベクトルを発生する永久磁石として設けられている。 - 特許庁

The magnetoresistive film 30 is a tunneling magnetoresistive film including a free layer 36, an insulating barrier layer 34, and a fixed layer 32.例文帳に追加

磁気再生ヘッド１０は、下部磁気シールド層４と、上部磁気シールド層２と、下部磁気シールド層と上部磁気シールド層の間に形成された磁気抵抗効果膜３０と、磁気抵抗効果膜の浮上面とは反対側の面に接するように配された素子高さ方向リフィル膜６と、磁気抵抗効果膜３０の側壁面に配置されたトラック幅方向のリフィル膜１とを有する。 - 特許庁