「MAGNETORESISTIVE」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

A bias magnetic field can be applied to the tunnel magnetoresistive effect element at the reduced power consumption in comparison with a case that a wiring layer for the bias current is separately provided.例文帳に追加

これによって、別途バイアス電流用の配線層を設ける場合に比べて、より少ない消費電力でバイアス磁界をトンネル磁気抵抗効果素子に印加することができる。 - 特許庁

Since irreversible magnetoresistive effects shown in Fig.7 can be obtained in this manner without using a silicon base and an oxide film, bit detection not dependent upon 0 and 1 is possible.例文帳に追加

これによってシリコン基盤と酸化膜を使用せず図７のような非可逆的な磁気抵抗特性を得ることが出来るため、０と１に依らないビットの検出が可能になる。 - 特許庁

To provide a double MTJ cell which satisfies conditions for a pinning layer and conditions for complicated materials required for manufacturing it, in a magnetoresistive storage device.例文帳に追加

磁気記憶デバイスにおいて、ピンニング層又はピン止め層のための要件、及びそれらを製造するために必要とされる複雑な材料のための要件を克服する、二重MTJセルを提供すること。 - 特許庁

This sensor device is equipped with: a first sensor chip 10 comprising magnetoresistive elements MRE1 to MRE4; a second sensor chip 20 comprising an acceleration detection element; a lead frame 60 where these first and second sensor chips 10 and 20 are mounted; and a magnet 30 for giving a bias magnetic field to the magnetoresistive elements MRE1 to MRE4 of the sensor chip 10.例文帳に追加

このセンサ装置は、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４を有する第１のセンサチップ１０と、加速度検知素子を有する第２のセンサチップ２０と、これら第１のセンサチップ１０及び第２のセンサチップ２０が実装されるリードフレーム６０と、第１のセンサチップ１０の前記磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４にバイアス磁界を付与する磁石３０とを備えている。 - 特許庁

The magnetoresistive head further includes a sense current source connected to the first and the second electrode terminals and making a sense current flow in the vertical direction to a film plane of the magnetoresistive film, and a bias current source connected to either of the first and the second electrode terminals and the third electrode terminal and making a bias current flow between either of the first and second electrode terminals and the third electrode terminal.例文帳に追加

磁気抵抗ヘッドは更に、第１及び第２電極端子に接続され、磁気抵抗膜の膜面に対して垂直方向にセンス電流を流すセンス電流源と、第１及び第２電極端子の一方と第３電極端子に接続され、第１及び第２電極端子の前記一方と第３電極端子間にバイアス電流を流すバイアス電流源を含んでいる。 - 特許庁

A magnetic random access memory comprises: a memory cell that includes a first magnetoresistive element capable of writing data in a magnetization direction of a free ferromagnetic layer which is changed by spin transfer; and a reference cell that includes multiple second magnetoresistive elements for storing data for reference in a magnetization direction of free ferromagnetic layers which are changed by spin transfer, and that is used when the memory cell conducts reading operation.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、スピン注入により変更される自由強磁性層の磁化の向きでデータを書き込み可能な第１磁気抵抗素子を含むメモリセルと、スピン注入により変更される自由強磁性層の磁化の向きでリファレンス用データを記憶する複数の第２磁気抵抗素子を含み、メモリセルの読み出し動作時に用いられるリファレンスセルとを具備する。 - 特許庁

Write bit lines (WBL0 and WBL1) are arranged in a direction orthogonal to the magnetic easy axis (EX) of a variable magnetoresistive element (VR), and currents are supplied through the write bit lines in two directions according to write data.例文帳に追加

可変磁気抵抗素子（ＶＲ）の磁化容易軸（ＥＸ）と直交する方向に書込ビット線（ＷＢＬ０，ＷＢＬ１）を配置し、書込データに応じて双方向に書込ビット線に電流を流す。 - 特許庁

With the loop coil type near-magnetic field probe comprising the loop coil part, conductive line and pad part, and signal processing part 120 provided, a part of the loop coil part is a magnetoresistive effect element of a magnetic metal member.例文帳に追加

ループコイル部、導電線路及びパッド部、信号処理部１２０を備えたループコイル型近磁界プローブを前提として、上記ループコイル部の一部を磁性金属部材による磁気抵抗効果素子としたこと。 - 特許庁

In the magnetoresistive thin film magnetic head of yoke type, at least either a free layer 4C or a pin layer 4A of a TMR element 4 is electrically and magnetically connected to the yoke 5 direct.例文帳に追加

ヨークタイプの磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、ＴＭＲ素子４のフリー層４Ｃ又はピン層４Ａの少なくともいずれか一方が、ヨーク５に電気的かつ磁気的に直接接続されている。 - 特許庁

A scanning circuit 5 and a determining circuit 6 are provided so as to scan detection signals of the magnetoresistive sensors 4, acquire determination signals, and determine the presence or absence of flaws in the circumferential surface of the material to be inspected on the basis of the determination signals.例文帳に追加

磁気抵抗センサ４の検出信号を走査して判定信号を得て、当該判定信号より被検査材周面の疵の有無を判定する走査回路５と判定回路６を設ける。 - 特許庁

A magnetoresistive effect film 41 is equipped with a stationary- side ferromagnetic layer 53, a free-side ferromagnetic layer 57, and an intermediate layer 56 sandwiched in between the layers 53 and 57.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜４１は、固定側強磁性層５３と、自由側強磁性層５７と、固定側強磁性層５３および自由側強磁性層５７の間に挟み込まれる中間層５６とを備える。 - 特許庁

Each cell of the MRAM has a magnetoreluctive element 35 for storing data, a current driving wire 72 for giving a magnetic field to the magnetoresistive element selectively, and a magnetic circuit 84 for holding the magnetic field fed from the current driving wire.例文帳に追加

ＭＲＡＭは、データを記憶する磁気抵抗素子３５と、磁気抵抗素子に選択的に磁界を与える電流駆動線７２と、電球駆動線からの磁界を保持する磁気回路８４と、を具備する。 - 特許庁

A disk drive 100 comprises a reading element comprising the magnetoresistive sensor 400 which has the optimized bias magnets 416a, 416b possessing the substantially perpendicular end walls 434, 436.例文帳に追加

ディスク・ドライブ１００には、実質的に垂直な端壁４３４，４３６を持つ最適化されたバイアス磁石４１６ａ，４１６ｂを有する磁気抵抗センサ４００を備えた読取素子が具備されている。 - 特許庁

To enable the reduction of a magnetization inversion current, in a magnetic memory device which is equipped with a magnetoresistive effect type storage element and performs the information storage by making use of the inversion of the direction of magnetization in the storage element.例文帳に追加

磁気抵抗効果型の記憶素子を備え、その記憶素子における磁化方向の反転を利用して情報記憶を行う磁気メモリ装置において、磁化反転電流の低減を可能とする。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect element, a thin film magnetic head, a magnetic head equipment and a magnetic recording and reproducing device, which surely prevent the leakage of sense current and which are capable of easily coping with the narrowing of a track.例文帳に追加

センス電流漏洩を確実に防止できるとともに、狭トラック化にも容易に対応できる磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置を提供する。 - 特許庁

A head width Wh, which is parallel to a track width Wt of the magnetic tape 5, is formed wider than the track width Wt, and a magnetism sensing part of a magnetoresistive element is disposed with a prescribed azimuth angle.例文帳に追加

磁気テープ５のトラック幅Ｗｔよりこのトラック幅Ｗｔに平行なヘッド幅Ｗｈが大に形成されるとともに、磁気抵抗効果素子の感磁部が所定のアジマス角を以て配設される。 - 特許庁

To provide a switch device which uses a magnetic sensor consisting of magnetoresistive elements for detecting a magnetic field of a permanent magnet, and can attain both cost reduction and down-sizing.例文帳に追加

永久磁石の磁界を検出する磁気抵抗素子からなる磁気センサを用いたスイッチ装置において、コストを低減することができると共に小型化を図ることができるスイッチ装置を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing a magnetoresistive read sensor allows the sensor to be constructed with clean well defined side junctions, even at very narrow track widths.例文帳に追加

磁気抵抗読み取りセンサの製造方法であり、この方法では非常に狭いトラック幅でもクリーンで適切に画定されたサイドジャンクションを有する磁気抵抗読み取りセンサを構成することができる。 - 特許庁

To provide a spin MOS field effect transistor including a magnetic body forming an antiferromagnetic coupling with a full Heusler alloy of high spin polarizability, and using a magnetoresistive effect element with a high TMR ratio.例文帳に追加

スピン分極率の高いフルホイスラー合金と反強磁性結合を形成する磁性体を含む、ＴＭＲ比が高い磁気抵抗効果素子を用いたスピンＭＯＳ電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive element which uses a magnetization recording layer and a magnetization free layer both having vertical magnetic anisotropy and has a configuration that can obtain a high MR ratio at a high yield without increasing an element area.例文帳に追加

垂直異方性を有する磁化記録層、磁化自由層を用いた磁気抵抗素子において、素子面積を大きくすることなく、高歩留りで高ＭＲ比を実現できる構成を提供する。 - 特許庁

To suppress the decrease of the MR ratio and reduce the variations of the characteristics in a magnetoresistive element wherein the spacer layer includes an insulating portion and an electrically conductive portion which are intermingled in the cross-section parallel to the surface thereof.例文帳に追加

スペーサ層が、その面に平行な断面において混在するように絶縁部と導電部とを含む磁気抵抗効果素子において、ＭＲ比の低下を抑制し、特性のばらつきを小さくする。 - 特許庁

The operating position detection apparatus includes a plurality of magnetoresistive elements 31-37 provided in such a way that a combination of binary signals outputted from them may be based on hamming codes.例文帳に追加

操作位置検出装置は、それらから出力される二値化信号の組み合わせが、ハミング符号に準拠したものとなるように設けられた複数の磁気抵抗素子３１〜３７を備えている。 - 特許庁

After an oxide film is formed on the surface thereof, three anisotropic magnetoresistive elements M11, M12, and M13 are formed on the bevels of the trench G by a semiconductor planar process, and a required wiring layer is formed.例文帳に追加

表面に酸化膜を形成した後、半導体プレーナプロセスにより、溝Ｇの斜面に、３つの異方性磁気抵抗素子Ｍ１１，Ｍ１２，Ｍ１３を形成し、必要な配線層を形成する。 - 特許庁

An electron compass 1c includes a hard bias layer making a direction along a principal surface of a basal to be the direction of bias application to magnetoresistive element and has a sensitivity shaft to a direction perpendicular to the direction of bias application.例文帳に追加

電子コンパス１ｃは、基板の主面に沿う方向を磁気抵抗効果素子に対するバイアス印加方向とするハードバイアス層を含み、このバイアス印加方向に直交する方向に感度軸を持つ。 - 特許庁

A magnetoresistive read head has read head layers that are shaped to form an air bearing surface and a sensor stripe cavity which has a side surface opened to the air bearing surface.例文帳に追加

電磁抵抗読取りヘッドは読取りヘッド層を有し、これらの読取りヘッド層は空気ベアリング面とその空気ベアリング面に開口する側面を持つセンサストライプ空洞とを形成するような形状にする。 - 特許庁

To provide a CPP (current-perpendicular-to-plane) type MR (magnetoresistive) read sensor having reduced operating temperature necessary for its proper continuous operation of the MR head sensor and proper electrical performance of a read/write head.例文帳に追加

ＭＲ読取センサーの適切な継続的動作と、読取り・書込みヘッドの適切な電気的性能にとって必要な低い動作温度に維持するのできるＣＰＰ型ＭＲ読取センサーの提供。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effective element of CPP structure enhanced in performance, and a magnetic head and a magnetic recording and reproducing device using the same.例文帳に追加

本発明は、ＣＰＰ構造の磁気抵抗効果素子、及びこれを用いた磁気ヘッド及び磁気記録再生装置に関し、高性能化を実現したＣＰＰ磁気抵抗効果素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the magnetic sensor, a full-bridge circuit is constituted by collectively forming (collectively depositing) the artificial lattice type giant magnetoresistive elements R1-R4 of a pattern width of 6 μm on a main surface 15a of a silicon substrate 15.例文帳に追加

磁気センサはパターン幅が６μｍである人工格子型巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４をシリコン基板１５の主面１５ａに一括形成（一括成膜）することによりフルブリッジ回路を構成した。 - 特許庁

A magnetoresistive effect element 4 is connected to one part of a feedback loop of a transistor 2 and a LC circuit 3 of an oscillation circuit 1 consisting of the transistor 2 and the oscillation circuit 3, while a switching means 5 is arranged.例文帳に追加

トランジスタ２及びＬＣ回路３からなる発振回路１のトランジスタ２とＬＣ回路３の帰還ループの一部に磁気抵抗効果素子４を接続するとともに、スイッチング手段５を設ける。 - 特許庁

With this constitution, the sum of the respective resistance values of the 1st and 2nd magnetoresistive elements MRE 11a and MRE 11b accompanying the variation of the magnetic vector varies only depending on the temperature.例文帳に追加

このような構成では、磁気ベクトルの変化に伴う第１および第２の磁気抵抗素子ＭＲＥ１１ａ、ＭＲＥ１１ｂの各抵抗値の加算値はほぼ温度にのみ依存して変化するようになる。 - 特許庁

The operation position detection device is provided with a plurality of magnetoresistive elements 31-38 which are arranged so that combination of binarized signals output from them are conform with an expansion Hamming code.例文帳に追加

操作位置検出装置は、それらから出力される二値化信号の組み合わせが、拡張ハミング符号に準拠したものとなるように設けられた複数の磁気抵抗素子３１〜３８を備えている。 - 特許庁

A Z-axis sensor is constituted of four giant magnetoresistive elements 4i-4l formed on the bevels of a plurality of protrusions having a linear ridgeline which are formed by etching a part of a thick film.例文帳に追加

Ｚ軸センサは、厚膜の一部をエッチングして形成した複数の略直線の稜線を有する突起部の斜面に形成した４個の巨大磁気抵抗素子素子４ｉ〜４ｌで構成する。 - 特許庁

To provide an intermetallic compound exhibiting enormous magnetoresistive effect through metastable state caused by geometric frustration, and a high sensitivity magnetic sensor utilizing that compound.例文帳に追加

幾何学的フラストレーションに起因した準安定状態により巨大磁気抵抗効果を発現する金属間化合物とこの化合物を利用することによって高感度磁気センサーを提供しようというものである。 - 特許庁

Thereby, the temperature can be detected by using the temperature characteristics of the magnetoresistive elements (nickel cobalt) by detecting the variation of the added value even under the environment where the magnetic vector is varying.例文帳に追加

このため、磁気ベクトルが変化する環境下であれ、この加算値の変化を検出するようにすることで、磁気抵抗素子（ニッケルコバルト）の温度特性を利用して温度を検出することができるようになる。 - 特許庁

Further, a magnetic domain control film is formed on the magnetoresistive effect laminated film 101 and in the neighborhood thereof, to obtain a high-output magnetic head excellent in stability, and a magnetic recording and reproducing device of a high recording density.例文帳に追加

さらに磁区制御膜を磁気抵抗効果積層膜１０１上やその近傍に形成し、高出力、安定性の良い磁気ヘッドが得られ、高記録密度の磁気記録再生装置を得る。 - 特許庁

Since a grain boundary junction can be realized by simply inserting the orientation converting layer, production is facilitated even in case of a complex high spin polarization material and an excellent magnetoresistive element can be provided stably.例文帳に追加

また方位変換層を挿入するだけで粒界接合が実現できるので、複雑な高スピン分極材料の場合にも作製が容易であり、優れた磁気抵抗素子を安定に提供できる。 - 特許庁

To provide a highly sensitive CPP magnetoresistive element which ensures a high variation rate of resistance and is suitable to high density recording, and also to provide a method of manufacturing the same element and a magnetic storage device provided with the same element.例文帳に追加

抵抗変化率が高く高感度な、高密度記録に適したＣＰＰ磁気抵抗効果素子及びその製造方法、並びにＣＰＰ磁気抵抗効果素子を備えた磁気記憶装置を提供する。 - 特許庁

The magnetic memory includes a magnetoresistive effect element 1 having a magnetic layer 11 variable in magnetization, a magnetic layer 13 fixed in magnetization, an intermediate layer 12, and a magnetic layer 15 variable in magnetization in a direction parallel with a film surface, and a magnetic layer 16 disposed on a side surface of the magnetoresistive effect element 1 via an insulating film to converge magnetic fields generated from an end part of the magnetic layer 15.例文帳に追加

本発明の例に関わる磁気メモリは、磁化が可変な磁性層１１と、磁化が固定された磁性層１３と、中間層１２と、膜面に対して平行方向の磁化が可変な磁性層１５とを有する磁気抵抗効果素子１と、絶縁膜を介して磁気抵抗効果素子１の側面上に設けられ、磁性層１５の端部から発生する磁場を収束する磁性層１６と、を有する。 - 特許庁

A rotation detecting device houses in a case a permanent magnet, a semiconductor magnetoresistive element provided to the permanent magnet through an epoxy bond, a flexible board 19 which comprises at one end a second connection land 19b for electrically disposing the semiconductor magnetoresistive element, and a hard circuit board for fixing the first connection land 19a provided to the other end of the flexible board 19.例文帳に追加

永久磁石と、永久磁石にエポキシ系接着剤を介して配設される半導体磁気抵抗素子と、一端に半導体磁気抵抗素子を電気的に配設するための第２の接続ランド部１９ｂを有するフレキシブル基板１９と、フレキシブル基板１９の他端に備えられる第１の接続ランド部１９ａを固定する硬質回路基板とを、ケース体内に収納してなる回転検出装置に関する。 - 特許庁

The rotation detection device for detecting the aspect of rotation of magnetic rotor RT on the basis of the variation of magnetic vector caused by the magnetoresistive elements MRE1-MRE4 is constituted such that the vias magnet 3 for imparting vias magnetic field to the magnetoresistive elements MRE1-MRE4 is arranged with a shape in which the radial thickness of the rotor RT facing the periphery magnetic body MT is made selectively thin.例文帳に追加

磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４による磁気ベクトルの変化に基づいて磁性体ロータＲＴの回転態様を検出する回転検出装置についてその構成を、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４にバイアス磁界を付与するバイアス磁石３が、ロータＲＴ近傍に配設された周辺磁性体ＭＴ側の肉厚の選択的に薄肉化された形状をもって配設された構成とする。 - 特許庁

The magnetoresistive element 1 has a magnetization fixed layer 11, an intermediate layer 12 and a magnetization reversal layer 13 laminated, wherein at least one of the magnetization fixed layer 11 and magnetization reversal layer 13 contains the RE-TM alloy, and an insulating layer 6 for insulating a pair of electrodes 2 and 3 connected above and below is disposed in contact with the magnetoresistive element 1 and made of silicon oxide.例文帳に追加

磁化固定層１１と中間層１２と磁化反転層１３とを積層して備え、磁化固定層１１および磁化反転層１３の少なくとも一方がＲＥ−ＴＭ合金を含む磁気抵抗素子１であって、上下に接続された一対の電極２，３間を絶縁するための絶縁層６が、磁気抵抗素子１に接触して配され、シリコン窒化物からなることを特徴とする。 - 特許庁

In a combined magnetic head 20 in which a magnetoresistive reproducing head part 22 for reproducing a signal recorded on the magnetic recording medium and an inductive recording head part 23 for recording a signal onto the magnetic recording medium are combined, magnetoresistive element parts 29, 30 and 31 have step parts at their both end parts and the upper surface of an upper layer gap layer 28 formed thereon is flattened.例文帳に追加

磁気記録媒体に記録された信号を再生する磁気抵抗効果型の再生ヘッド部２２と、磁気記録媒体に対して信号を記録するインダクティブ型の記録ヘッド部２３とが組み合わされてなる複合型磁気ヘッド２０であって、磁気抵抗効果素子部２９、３０，３１は、その両端部に段差部を有し、この上に形成される上層ギャップ層２８の上面が平坦化されている。 - 特許庁

When the semiconductor magnetoresistive element comprising a pair of element electrodes (electrode part) formed by leading to one end is provided to the flexible board 19, the second connection land 19b is so formed on the flexible board 19 that the element electrode of the semiconductor magnetoresistive element faces a free end 10d side which is a non-formation side of the second connection land part 19b of the flexible board 19.例文帳に追加

一方の端部に引き出し形成された一対の素子電極（電極部）を有する半導体磁気抵抗素子をフレキシブル基板１９に配設した際に、半導体磁気抵抗素子の素子電極のフレキシブル基板１９に対する向きが、フレキシブル基板１９の第２の接続ランド部１９ｂの非形成側である自由端部１０ｄ側になるように第２の接続ランド部１９ｂフレキシブル基板１９に形成する。 - 特許庁

This sensor assembly 20 includes the first magnetoresistive field sensor 28A within the first surface-mountable package to measure the first and second components of the magnetic field projected respectively onto the first and second different axes.例文帳に追加

センサーアセンブリ２０は、第１の表面取付け可能なパッケージ内の第１の磁気抵抗磁界センサー２８Ａを含み、異なる第１および第２の軸それぞれに投射された磁界の第１および第２の成分を測定する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive element in which a ferromagnetic conductor thin film and a tunnel barrier thin film can be bonded with sufficient alignment, thereby preventing the characteristics from deteriorating due to poor bonding.例文帳に追加

強磁性導電体薄膜とトンネル障壁薄膜を整合性よく接合することができ、それにより、接合の不具合による特性の低下が生じることを防ぐことができる磁気抵抗素子を提供する。 - 特許庁