1153万例文収録!

「MAGNETORESISTIVE」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > MAGNETORESISTIVEの意味・解説 > MAGNETORESISTIVEに関連した英語例文

セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

MAGNETORESISTIVEを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 1424



例文

The magnetoresistive device includes a first magnetic layer, a second magnetic layer, and a current confined path (CCP) spacer layer positioned between the first magnetic layer and the second magnetic layer.例文帳に追加

この装置は、第1の磁性層と、第2の磁性層と、第1の磁性層と第2の磁性層との間に位置する電流狭窄(CCP)スペーサ層とを含む。 - 特許庁

The fixed layer 35 constituting the magnetoresistive element 32 is disposed on one principal surface of the lower electrode 31, and has its direction of magnetization fixed.例文帳に追加

磁気抵抗素子32を構成する固定層35は、下部電極31の一方の主表面上に配置された、磁化の方向が一定である層である。 - 特許庁

To stably form a final protective film of a giant magnetoresistive element, used for a magnetic detecting element and to improve the reliability of the magnetic detecting element.例文帳に追加

磁気検出素子に用いられる巨大磁気抵抗素子の最終保護膜を安定して形成でき、磁気検出素子の信頼性を向上できるようにする。 - 特許庁

A sensor section detecting a change in a magnetic field comprises magnetoresistive elements MRE11 to MRE14 and is electrically formed as a bridge circuit 11.例文帳に追加

磁気ベクトルの変化を検出するセンサ部は、磁気抵抗素子MRE11〜MRE14を備え、電気的にはブリッジ回路11として形成されている。 - 特許庁

例文

To provide a method for manufacturing a magnetoresistive effect type head which has little output variation, is adaptive to higher density of a magnetic disk, and has high reliability.例文帳に追加

出力変動が少ないうえ、磁気ディスクの高密度化に対応するとともに、高信頼性を備えた磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁


例文

The magnetoresistive effect element comprises antiferromagnetic layers 1a and 1b, magnetizing fixed layers 2a and 2b, a magnetizing free layer 3, a nonmagnetic layer 4, and a magnetizing fixed layer 5.例文帳に追加

反強磁性層1a、1b、磁化固定層2a、2b、磁化自由層3、非磁性層4及び磁化固定層5を具備する磁気抵抗効果素子を用いる。 - 特許庁

To obtain a magnetoresistive effect element capable of making a desired size for the area in which magnetization rotates in accordance with an external magnetic field, and to obtain a manufacturing method of the element.例文帳に追加

外部磁界に応じて磁化が回転する領域を所望の大きさとすることが可能な、磁気抵抗効果素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The magnetic sensor 1 detects a variation in magnetism from the variation of electric resistance value of each magnetoresistive element 31 to 34, according to magnetic variation.例文帳に追加

磁気センサ1は、磁気の変化に応じて磁気抵抗素子31〜34の各々の電気抵抗値が変化することに基づいて磁気の変化を検出する。 - 特許庁

To reliably detect a resistance state of a magnetoresistive memory device in a resistive cross point memory cell array, without markedly reducing the memory cell density.例文帳に追加

メモリセル密度を著しく低下させることなしに、抵抗性クロスポイントメモリセルアレイ内の磁気抵抗メモリ素子の抵抗状態を確実に検出すること。 - 特許庁

例文

To permit preparation of a miniaturized magnetic assembly having lightweight and high accuracy, by stably obtaining a magnetoresistive effect type thin film on a resin film base member.例文帳に追加

樹脂フィルム基材上に磁気抵抗効果薄膜を安定して得ることによって、小型、軽量、高精度な磁性組立体の作製を可能とする。 - 特許庁

例文

To provide a memory device that suppresses a current during spin injection and improves a breakdown voltage while securing a large magnetoresistive ratio.例文帳に追加

大きな磁気抵抗変化率を確保しつつ、スピン注入時の電流を抑制し、かつ、絶縁破壊電圧を向上させることが可能な記憶素子を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect head which can suppress deterioration of an MR ratio caused by thinning a film thickness of a magnetically pinned layer or a magnetically free layer.例文帳に追加

磁化固定層または磁化自由層の膜厚を薄くすることによるMR比の劣化を抑制することができる磁気抵抗効果ヘッドを提供する。 - 特許庁

A plurality of memory units including the magnetoresistive elements 32, wiring 43, barrier layers 41a, 410, and clad layers 41c, 41d are formed.例文帳に追加

上記磁気抵抗素子32と上記配線43と上記バリア層41a、410と上記クラッド層41c、41dとを含むメモリユニットが複数形成される。 - 特許庁

To provide a small magnetic sensor in which three or more giant magnetoresistive elements are positioned on one substrate to achieve the detection of triaxial strength in a magnetic field.例文帳に追加

1枚の基板に3個以上の巨大磁気抵抗素子を配置し、三軸方向の磁界の強さを検知することができる小型の磁気センサを得る。 - 特許庁

As the diamond film has an excellent head transmission rate, Joule heat caused in the magnetoresistive element 7 is efficiently absorbed and radiated.例文帳に追加

ダイヤモンド膜が優れた熱伝達率を有していることにより、磁気抵抗効果素子7で生じたジュール熱が効率的に吸収され、発散される。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive element showing a high magnetic resistivity in a room temperature by using only organic materials, a method for manufacturing this, and its utilization.例文帳に追加

本発明は、有機材料のみを用いて室温において高い磁気抵抗率を示す磁気抵抗素子およびその製造方法、並びにその利用を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a magnetoresistance effect head, where a high recording density magnetoresistive effect head can be stably manufactured at high yield.例文帳に追加

高記録密度の磁気抵抗効果型ヘッドを歩留まり良く安定して製造することができる磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive device having an exchange-coupled structure which includes a semi-metallic ferromagnetic Heusler alloy with near 100% spin polarization.例文帳に追加

100%近いスピン偏極を有する半金属強磁性体ホイスラー合金を含む、交換結合構造を有する磁気抵抗素子の実現が求められている。 - 特許庁

To provide a deposition method of a Heusler's alloy film capable of suppressing composition deviation from a target and a tunnelling magnetoresistive element having the Heusler's alloy film.例文帳に追加

ターゲットからの組成ずれを抑えられるホイスラー合金膜の成膜方法及びこのホイスラー合金膜を有するトンネル磁気抵抗素子を提供すること。 - 特許庁

A magnetoresistive access memory (MRAM) cell array device which can realize a resistive intersection memory (RXPtM) device comprises a chip (i.e., substrate) in which an array of the MRAM cells is formed.例文帳に追加

抵抗性交点メモリ(RXPtM)デバイスに具現化することが可能な磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)セルアレイデバイスは、MRAMセルのアレイが形成されるチップ(すなわち、基板)を含む。 - 特許庁

To effectively control the magnetization direction in the center part of a track and to realize satisfactory reproduction characteristics, in a magnetoresistive head especially having wide read out width.例文帳に追加

特に、読み出し幅の広い磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、トラック中央部での磁化方向を効果的に制御し、良好な再生特性を実現する。 - 特許庁

In, the magnetoresistive magnetic head provided with an auxiliary substrate, its main substrate and the auxiliary substrate are grounded to the same conductive member as a ground potential.例文帳に追加

補助基板を具備してなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、該主基板と該補助基板が接地電位である同一の導電性部材に接地する。 - 特許庁

To provide a manufacturing apparatus and a manufacturing method of a magnetoresistive element capable of preventing corrosion of the element due to a halogen-based component used for etching.例文帳に追加

エッチングに用いられるハロゲン系成分による素子の腐食を防止することが可能な磁気抵抗素子の製造装置及び製造方法を提供すること - 特許庁

The magnetic memory includes a switching element 6 controlled in its conductivity by a gate electrode 5 and three magnetoresistive elements 44, 48, 52 connected thereto in series.例文帳に追加

ゲート電極5によって伝導を制御されたスイッチング素子6と、それに直列接続された3つの磁気抵抗効果素子44,48,52を有する。 - 特許庁

To provide a magnetic recording and reproducing device capable of decreasing the variation range of a current value caused by the variation in the resistance value of the magnetoresistive head itself.例文帳に追加

磁気抵抗効果型ヘッド自体の抵抗値のバラツキなどに帰因する電流値の変動範囲を小さくできる構成の磁気記録再生装置の提供。 - 特許庁

To provide a small-sized, inexpensive and temperature-compensated magnetoresistive element driving circuit of constitution free from limitation in arrangement allowing low power consumption drive.例文帳に追加

配置的な制約を受けない構成で、小型・安価にして低消費電力駆動が可能な温度補償された磁気抵抗素子駆動回路を提供する。 - 特許庁

A magnetoresistive (MR) reader 192 is adjacent to at least one shield 194, 196 that extends from an air bearing surface (ABS) for a first distance.例文帳に追加

磁気抵抗(MR)リーダ192は、空気軸受面(ABS)から第1の距離を延在する少なくとも1つのシールド194,196に近接する。 - 特許庁

On that occasion, the composite signal VM is acquired as a signal which represents whether or not at least one out of the plurality of magnetoresistive elements R1, R2, R3, and R4 is disconnected.例文帳に追加

その際、複数の磁気抵抗素子R1、R2、R3、R4の少なくとも1つに断線が発生しているか否かを示す合成信号VMとする。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head capable of realizing a high rate of magnetoresistive effect variation, a head gimbals assembly, and a hard disk device, and to provide a method for manufacturing the thin film magnetic head.例文帳に追加

高い磁気抵抗変化率を実現できる薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置、及び薄膜磁気ヘッドの製造方法の提供。 - 特許庁

A material is removed from an air/tape bearing surface, for example, by lapping, and is thereby compared with similar features of the magnetoresistive device and monitoring device.例文帳に追加

材料は、たとえばラッピングによって空気/テープ軸受面から除去され、これにより、磁気抵抗素子および監視0子の同様の特徴と比較される。 - 特許庁

To provide a CPP structure magnetoresistive effect device capable of satisfactorily realizing single magnetic domain in a free magnetic layer without causing a further finer structure.例文帳に追加

一層の微細化を伴わずに十分に自由側磁性層の単磁区化を実現することができるCPP構造磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To provide a CPP (current-perpendicular-to-the plane) structure magnetoresistive element capable reading magnetic information more correctly than before, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

これまで以上に磁気情報を正確に読み出すことができるCPP構造磁気抵抗効果素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A rotation angle θO is detected with a magnet 55 arranged in a rotating shaft end portion of a motor, a magnetoresistive sensor 57 and a rotation angle operation part 61.例文帳に追加

モータの回転軸端部に設けら得たマグネット55、磁気抵抗センサ57、及び回転角度演算部61により、回転角度θ0が検出される。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect type thin-film magnetic head suitably used for a helical scan type magnetic recording/reproducing device, little in wear occurring in the magnetic head, and good in head touch.例文帳に追加

ヘリカルスキャン型磁気記録再生装置に好適な、磁気ヘッドの摩耗が少なく、ヘッドタッチの良い磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

Further, an antiferromagnetic layer that fixes the magnetization direction of the fixed magnetic layer is provided at a position deeper in a height direction than that of the giant magnetoresistive element.例文帳に追加

さらに、固定磁性層の磁化方向を固定する反強磁性層を、巨大磁気抵抗効果素子よりもハイト方向奥側の位置に備える。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect element the output signal voltage of which is high and less fluctuates and which is suitable for a large-capacity recorder and a magnetic reproducing device.例文帳に追加

出力信号電圧が大きく、そのばらつきも少ない大容量磁気記録装置、磁気再生装置向けの磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

The MR sensor further includes a thermal sink layer 102a, 102b positioned with respect to the MR stack to reduce an operating temperature of the magnetoresistive sensor.例文帳に追加

MR読取センサーは、MR積層体に配置された熱シンク層(102a)(112b)をさらに含み、MR読取センサーの動作温度を低下させる。 - 特許庁

On a surface of a silicon substrate 10 wherein an MOS transistor QN is formed, a plurality of TMR(tunneling magnetoresistive) elements VR are stacked being embedded in interlayer insulating films 40.例文帳に追加

シリコン基板10のMOSトランジスタQNが形成された面上に、層間絶縁膜40に埋設されて複数のTMR素子VRが積層される。 - 特許庁

To provide a tunnel magnetoresistive effect film having a negative MR ratio which can be used under normal temperature and can be utilized in daily necessities such as a magnetic memory.例文帳に追加

負のMR比を有し、常温での使用が可能な、磁気メモリ等の実用品への利用を可能にするトンネル磁気抵抗効果膜を提供する。 - 特許庁

The operating unit 2 can perform freely a rotation operation, pressing operation, and rocking operation, and the signal corresponding to each operation is detected by the magnetoresistive element 13.例文帳に追加

操作体2は回転操作と押圧操作と揺動操作とを任意に行うことができ、各操作に応じた信号が磁気抵抗素子13で検出される。 - 特許庁

For a ferroelectric layer of the magnetoresistive device, an exchange coupling type ferrimagnetic layer or an amorphous layer and interface magnetic layer is used to reduce a diamagnetic field.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の強磁性層に交換結合型フェリ磁性層あるいは非晶質層と界面磁性層を用いることにより、反磁界を小さくする。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium to be suitably used for a magnetic recording and reproducing system in corporated with a magnetoresistive head (MR head) excellent in output and noise.例文帳に追加

出力,ノイズ、に優れた磁気抵抗型ヘッド(MRヘッド)を組み込んだ磁気記録再生システムに好適に用いられる磁気記録媒体を提供すること。 - 特許庁

The electronic circuit is provided which includes a field-effect transistor 20 and a magnetoresistive element 10 connected to the source S of the field-effect transistor 20.例文帳に追加

本発明は、電界効果トランジスタ20と、電界効果トランジスタ20のソースSに接続された磁気抵抗素子10と、を具備する電子回路である。 - 特許庁

Such the configuration makes the magnetoresistive elements 4 and 5 high or low in resistance respectively when writing information in them, for example.例文帳に追加

この構成により、例えば、磁気抵抗素子4・5に情報の書込みを行う際に、磁気抵抗素子4・5の状態をそれぞれ高抵抗または低抵抗とする。 - 特許庁

A magnetic sensor 1 detects the variation of magnetism, based on the variation of each electric resistance value of magnetoresistive elements 31 to 34 according to a magnetism variation.例文帳に追加

磁気センサ1は、磁気の変化に応じて磁気抵抗素子31〜34の各々の電気抵抗値が変化することに基づいて磁気の変化を検出する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect device capable of restraining a variation from occurring in the switching magnetic field of a free layer, and to provide a magnetic memory using the same.例文帳に追加

フリー層のスイッチング磁界の「ばらつき」を抑えることができる磁気抵抗効果素子及びこれを用いた磁気メモリを提供することを目的とする。 - 特許庁

In the electronic circuit, a voltage applied between the gate and source of the field-effect transistor 20 can be controlled with the magnetization state of the magnetoresistive element 10.例文帳に追加

本発明によれば、磁気抵抗素子10の磁化状態により、電界効果トランジスタ20のゲート−ソース間に印加される電圧を制御できる。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive storage device having a driver arrangement where a chip area and a power consumption can be reduced in a spin impregnation type magnetic memory.例文帳に追加

スピン注入型磁気メモリにおいて、チップ面積および消費電力を低減することができるドライバ配置を有する磁気抵抗性記憶装置を提供する。 - 特許庁

Then, a plurality of magnetoresistive effect elements(MR elements) 15a, 15b are disposed on the surface different from the forming surface of the upper yoke 12, while being positioned in this gap 12a.例文帳に追加

そして、この間隙12aに位置して、上ヨーク12の形成面とは異なる面に、複数の磁気抵抗効果素子(MR素子)15a,15bを配設する。 - 特許庁

例文

To provide a magnetoresistive thin film magnetic head of yoke type, by which the reproducing output is increased and also the reproducing efficiency is improved.例文帳に追加

再生出力を向上することができ、かつ再生効率を向上することができるヨークタイプの磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁




  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2026 GRAS Group, Inc.RSS