「MAGNETORESISTIVE」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

Above the magnetoresistive element MRD, a plurality of first wiring BL extending in the direction along a main surface are provided.例文帳に追加

磁気抵抗素子ＭＲＤの上方には、主表面に沿った方向に向けて延びる複数の第１の配線ＢＬを有している。 - 特許庁

The magnetic sensor is provided, using a magnetoresistive effect element 5 containing a free layer 5d changing a magnetization direction by an external magnetic field.例文帳に追加

外部磁界によって磁化方向が変化する自由層５ｄを有する磁気抵抗効果素子５を用いた磁気センサである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a magnetoresistive effect element which causes little performance fluctuation, is highly reliable, and is excellent in productivity.例文帳に追加

素子性能のバラツキが少なく信頼性に富み、かつ生産性にも優れた磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To make clear the boundary of the magnetic shield and the magnetoresistive effect element on the surface facing the recording medium.例文帳に追加

磁気抵抗効果型磁気ヘッドの媒体対向面におけるシールド磁性体、磁気抵抗効果素子の各境界面を明瞭化する。 - 特許庁

To provide a multichannel magnetoresistive head, capable of reducing the number of terminals for an MR element by half from that of the conventional case.例文帳に追加

ＭＲ素子に対する端子数を従来より半減することのできるマルチチャンネル磁気抵抗効果型ヘッドを提供する。 - 特許庁

Further, the electronic circuit is composed of the field-effect transistor 20 and magnetoresistive element 10, so that the manufacture of the electronic circuit is facilitated.例文帳に追加

また、電界効果トランジスタ２０と磁気抵抗素子１０から電子回路を構成するため、容易に製造することができる。 - 特許庁

To provide a tunnel junction type magnetoresistive effect element with little degradation of an MR ratio in a region where area resistance RA is ≤1.0 Ωμm^2.例文帳に追加

面積抵抗ＲＡが１．０Ωμｍ^2以下の領域で、ＭＲ比の劣化の少ないトンネル型磁気抵抗効果素子を得る。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect element having a high MR ratio, and to provide a method for manufacturing the same, and a magnetic memory.例文帳に追加

高いＭＲ比を有する磁気抵抗効果素子およびその製造方法ならびに磁気メモリを提供することを可能にする。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive device having a high giant magnetoresistance (GMR) value and a moderate low resistance area product (RA).例文帳に追加

高い巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）値と中程度に低い抵抗面積積（ＲＡ）とを有する磁気抵抗装置を提供する。 - 特許庁

The magnetic sensor includes magnetoresistive element provided with a narrow strips 11a, including pinned layers and free layers.例文帳に追加

この磁気センサは、ピンド層とフリー層とを含む幅狭帯状部１１ａ…１１ａを備えた磁気抵抗効果素子を含んでいる。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) WITH ON- CHIP AUTOMATIC DETERMINATION OF OPTIMIZED WRITE CURRENT METHOD AND APPARATUS例文帳に追加

最適化された書込み電流をオンチップで自動的に判定する方法及び装置を備える磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ） - 特許庁

A nonvolatile magnetic memory is equipped with a high-output tunnel magnetoresistive effect element, and applies a writing method by spin-transfer torque.例文帳に追加

不揮発性磁気メモリに、高出力なトンネル磁気抵抗効果素子を装備し、スピントランスファートルクによる書込み方式を適用する。 - 特許庁

A magnetoresistive effect film 53 is formed and a resist 73, having an undercut part 77 longer than MR height, is arranged on it.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜５３を形成し、その上に、ＭＲハイトよりも長いアンダーカット部７７を有するレジスト７３を配置する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive head in which occurrence of Barkhausen noise is suppressed and high reproduced signal output can be obtained.例文帳に追加

バルクハウゼンノイズの発生を抑制し、高い再生信号出力を得ることが可能な磁気抵抗ヘッドを提供することである。 - 特許庁

The magnetic switch has magnetoresistive effect element 5 including a free layer 5d with orientation of magnetization changeable by an outer field.例文帳に追加

外部磁界によって磁化方向が変化する自由層５ｄを有する磁気抵抗効果素子５を用いた磁気スイッチである。 - 特許庁

The magnetoresistive element 1 is formed by laminating a plurality of magnetic films 3 and nonmagnetic films 4 alternately on a board 2.例文帳に追加

磁気抵抗素子１は、基板２上に複数の磁性膜３及び非磁性膜４を交互に積層することにより形成される。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, THIN FILM MAGNETIC HEAD, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, HEAD GIMBAL ASSEMBLY AND HARD DISK DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果装置およびその製造方法、薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法、ヘッドジンバルアセンブリならびにハードディスク装置 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect magnetic head having high resistance to external factors due to static electricity or the like, and excellent high frequency characteristics.例文帳に追加

静電気等による外来要因に強く、かつ高周波特性に優れた磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

EXCHANGE COUPLING FILM, MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT USING THE SAME, THIN-FILM MAGNETIC HEAD USING THE ELEMENT例文帳に追加

交換結合膜と、この交換結合膜を用いた磁気抵抗効果素子、ならびに前記磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド - 特許庁

The magnetic sensor 1 includes a metal film 15 which conducts heat given from outside to each of the magnetoresistive elements 31 to 34.例文帳に追加

磁気センサ１は、外部から付与される熱を磁気抵抗素子３１〜３４の各々に伝導する金属膜１５を備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of exactly evaluating a data rewriting property of a magnetoresistive element by a simple configuration.例文帳に追加

簡易な構成で磁気抵抗素子のデータ書き換え特性の評価を正確に行なうことが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

A connection part between the constant current circuit 12 and the semiconductor magnetoresistive element 18 is to be connected to the base of the amplification transistor 20.例文帳に追加

定電流回路１２と半導体磁気抵抗素子１８との接続部を、増幅用トランジスタ２０のベースに接続する。 - 特許庁

CARRIER SPIN INJECTED INVERTED MAGNETIZATION MAGNETORESISTIVE EFFECT FILM, NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT USING THE FILM, AND MEMORY DEVICE USING THE ELEMENT例文帳に追加

キャリヤスピン注入磁化反転型磁気抵抗効果膜と該膜を用いた不揮発性メモリー素子及び該素子を用いたメモリー装置 - 特許庁

The magnetoresistive effect element is equipped with a magnetic domain control layer 3, 3 in such a manner as to come into contact with the end area E, E of a spin valve film 2.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子は、スピンバルブ膜２の端部領域Ｅ・Ｅに接するように磁区制御層３・３を備えている。 - 特許庁

The magnetoresistive device comprises a ferromagnetic region 5, a non-ferromagnetic region 6, an insulating region 7 and a conductive region 8.例文帳に追加

磁気抵抗デバイスは、強磁性領域５、非強磁性領域６、絶縁領域７及び導電領域８を備えている。 - 特許庁

In another embodiment, a device includes multiple magnets 561, 562 arranged between multiple shields for a magnetoresistive element.例文帳に追加

別の実施例において、装置は、磁気抵抗素子のための複数のシールドの間に配置される複数の磁石５６１、５６２を含む。 - 特許庁

DATA STORAGE DEVICE, AMPLIFIER FOR MAGNETORESISTIVE EFFECT HEAD OF DATA STORAGE DEVICE, AND METHOD FOR REPRODUCING DATA FROM DATA STORAGE DEVICE例文帳に追加

データ記憶装置、データ記憶装置の磁気抵抗効果型ヘッド用増幅器及びデータ記憶装置からデータを再生する方法 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD, WAFER THEREOF, HEAD GIMBAL ASSEMBLY, HEAD ARM ASSEMBLY, HEAD STACK ASSEMBLY, AND HARD DISK DRIVE UNIT例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、薄膜磁気ヘッドのウエハ、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリ、ヘッドスタックアセンブリ、およびハードディスク装置 - 特許庁

The magnetoresistive sensor (400) comprises bias magnets 416a, 416b having substantially perpendicular end walls 434, 436.例文帳に追加

磁気抵抗センサ４００は実質的に垂直な端壁４３４，４３６を有するバイアス磁石４１６ａ，４１６ｂを備えている。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, THIN FILM MAGNETIC HEAD, HEAD GIMBAL ASSEMBLY, HEAD ARM ASSEMBLY, AND MAGNETIC DISK DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子およびその製造方法、ならびに薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置 - 特許庁

To provide a practical manufacturing technology for effectively reducing interlayer coupling in a magnetoresistive multilayer film structure.例文帳に追加

磁気抵抗多層膜の構造において層間結合を効果的に低減させることができる実用的な製造技術を提供する。 - 特許庁

To provide a current-perpendicular-to-the-plane (CPP) magnetoresistive (MR) sensor with an improved seed layer structure for a hard bias layer.例文帳に追加

ハードバイアス層用の改善されたシード層構造を備えた面垂直電流（ＣＰＰ）磁気抵抗（ＭＲ）センサを提供する。 - 特許庁

The memory includes first and second magnetoresistive memory arrays (11, 12) each including a plurality of MTJ memory cells (15)arranged in rows and columns and a plurality of word/digit lines connected with the rows of magnetoresistive memory cells of each of the arrays.例文帳に追加

このメモリは、互いに離間し、それぞれが行列状に配置された複数のＭＴＪメモリセル（１５）を含む第１及び第２の磁気抵抗メモリアレイ（１１，１２）と、アレイの各々における複数の行の磁気抵抗メモリセルに接続される複数のワード／デジットラインとを含む。 - 特許庁

The energization detector 1 is positioned near a fuse device 21, and the middles of a first and a second magnetoresistive element 6a and 6b are positioned over a fuse wire, when the first and second magnetoresistive elements 6a and 6b detect a magnetic field generated by a current flowing in the fuse wire.例文帳に追加

通電検出装置１をヒューズ装置21に近接させ、ヒューズ線の上方に第１および第２の磁気抵抗素子6a，6bの中間を位置させ、ヒューズ線に流れる電流により発生する磁界をそれぞれ第１および第２の磁気抵抗素子6a，6bで検出する。 - 特許庁

The magnetoresistive effective element 1 includes a magnetoresistive film 1x having a ferromagnetic free layer 14 and a ferromagnetic pinned layer 10 laminated through a nonmagnetic intermediate layer 12, and an anti-ferromagnetic pining layer 8 fixing magnetization of the ferromagnetic pinned layer 10.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子１は、非磁性中間層１２を介して積層された強磁性フリー層１４及び強磁性ピンド層１０と、強磁性ピンド層１０の磁化を固定する反強磁性ピニング層８とを備えた磁気抵抗効果膜１ｘを有している。 - 特許庁

In a shield magnetoresistive effect element employing a tunnel junction element having a basic structure of free layer/nonmagnetic layer/fixed layer as the magnetoresistive effect element, a longitudinal bias layer coming into contact with the free layer at least partially is provided.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子としてフリー層／非磁性層／固定層を基本構成とするトンネル接合素子を用いたシールド型磁気抵抗効果素子において、フリー層の少なくとも一部に接触する縦バイアス層が設けられていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 特許庁

To provide a high-power magnetoresistive effect head with a higher yield for a CPP structured magnetoresistive head by reducing or eliminating deformation adjacent to a plane facing a medium on a layer comprising a reproducing element in processing a floating plane.例文帳に追加

ＣＰＰ構造の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、浮上面加工時における再生素子部を構成する層の媒体対向面近傍における変形を低減あるいは無くし、高い出力を有する磁気抵抗効果型ヘッドを高い歩留まりで提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive device which is improved in characteristics through a method wherein the surface of a magnetoresistance effect layer is protected against oxidation by a metal layer, a superior electrical contact between an electrode and the metal layer is ensured, and the magnetoresistive layer is protected against damage caused by an ion beam.例文帳に追加

金属層を用いて磁気抵抗効果層表面の酸化を防止しつつ、電極と前記金属層との間の良好な電気的接触を確保し、しかも、磁気抵抗効果層へのイオンビームダメージを低減し、ひいては素子の特性を向上させる。 - 特許庁

To provide a magnetic sensor capable of particularly adjusting a fixed resistive element by using a small number of lamination layers than that of magnetoresistive effect elements so that an electric resistance value Rs and a resistance temperature coefficient (TCR) become almost equivalent to those of the magnetoresistive effect element.例文帳に追加

特に、固定抵抗素子を磁気抵抗効果素子よりも少ない積層数にて、電気抵抗値Ｒｓ及び抵抗温度係数（ＴＣＲ）が磁気抵抗効果素子とほぼ同等になるように調整できる磁気センサを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect element having proper magnetic characteristics and a magnetic memory device, provided with the magnetoresistive effect element and securing a while margin for a selective recording, by suppressing repeated variations of turnover magnetic field of a free of magnetizing layer.例文帳に追加

磁化自由層の反転磁界の繰り返しばらつきを抑制することにより、良好な磁気特性を有する磁気抵抗効果素子、並びにこの磁気抵抗効果素子を備えて選択記録のマージンを広く確保することができる磁気メモリ装置を提供する。 - 特許庁

Also, by using a material having a melting point lower than the temperature at the use of magnetoresistive element for the material of a lubricant layer formed on a surface of the magnetic tape, the lubricant layer is not melted even though the head temperature rises when the magnetoresistive element is used.例文帳に追加

また、磁気テープ表面に形成される潤滑剤層の材質を、磁気抵抗素子の使用時温度よりも低い融点の材質とすることで、磁気抵抗素子を使用したときに磁気ヘッドの温度が上昇しても潤滑剤層が溶融しないようにする。 - 特許庁

To provide a Heusler alloy material which has high spin polarization and low magnetic anisotropy and, therefore, can be applied to a magnetization free layer or a magnetization fixed layer of a highly magnetic field-sensitive magnetoresistive element, and to provide a magnetoresistive element and a magnetic device using the Heusler alloy material.例文帳に追加

高スピン分極率かつ低磁気異方性を有することで、高磁界感度な磁気抵抗素子の磁化自由層または磁化固定層に適用可能なホイスラー合金材料、そのホイスラー合金材料を用いた磁気抵抗素子および磁気デバイスを提供する。 - 特許庁

In a memory cell area where multiple magnetoresistive elements TMR are arranged, a first high permeability film CLAD2 arranged above the magnetoresistive elements TMR is extended from the memory cell area up to a peripheral area that is an area other than the memory cell area.例文帳に追加

磁気抵抗素子ＴＭＲが複数並んだメモリセル領域において、磁気抵抗素子ＴＭＲの上部に配置された第１の高透磁率膜ＣＬＡＤ２が、上記メモリセル領域から、メモリセル領域以外の領域である周辺領域にまで延在している。 - 特許庁

The angle sensor is provided with at least two angle-offset anisotropic magnetoresistive sensor devices with anisotropic magnetoresistive element, and with at least one device for augmenting the intensity of anisotropic magnetic fields of the sensor devices.例文帳に追加

本発明は、異方性磁気抵抗素子を有する角オフセット異方性磁気抵抗センサ装置を少なくとも２つ備えている角度センサにおいて、前記角度センサが前記センサ装置の異方性磁界強度を増強するデバイスを少なくとも１つ備える、角度センサに関する。 - 特許庁

To provide a rotation detector easily improved in sensitivity in the structure where a magnetoresistive element and a bias magnet are positioned in such a manner that a sensor chip having the magnetoresistive element is inserted into a cavity of the bias magnet.例文帳に追加

バイアス磁石の中空部に磁気抵抗素子を有するセンサチップが挿入されるかたちで磁気抵抗素子とバイアス磁石とが位置決めされる構造を採りながら、より容易にそのセンシング感度の向上を図ることのできる回転検出装置を提供する。 - 特許庁