「MAGNETORESISTIVE」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

MANUFACTURING METHOD OF MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD, AND HEAD UNIT例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の製造方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法およびヘッド装置の製造方法 - 特許庁

This magnetoresistive solid-state storage device (MRAM) performs error correction coding (ECC) of stored information.例文帳に追加

記憶されている情報の誤り訂正コード化(ECC)を実行する磁気抵抗固体記憶装置(MRAM)。 - 特許庁

To obtain the signal amplifying circuit for magnetoresistive element which can be integrated on one semiconductor chip.例文帳に追加

一つの半導体チップ上に集積できる磁気抵抗素子の信号増幅回路を得ること。 - 特許庁

The magnetoresistive element 12 is arranged on the emitter electrode 7 and below the lead wire 10.例文帳に追加

磁気抵抗素子１２は、エミッタ電極７上、かつ引き出し線１０の下方に配置されている。 - 特許庁

The magnetoresistive element MRD contains a magnetization fixed layer, a magnetization free layer, and a tunnel insulation layer.例文帳に追加

磁気抵抗素子ＭＲＤは、磁化固定層と磁化自由層とトンネル絶縁層とを含んでいる。 - 特許庁

The reference component includes desired stripe height smaller than the magnetoresistive device and the monitoring device.例文帳に追加

基準素子は磁気抵抗素子および監視素子よりも小さな所望のストライプ高さを含む。 - 特許庁

To provide a current-perpendicular-to-the-plane (CPP) magnetoresistive (MR) sensor with improved insulation structure.例文帳に追加

絶縁構造を改良した平面垂直通電型（ＣＰＰ）磁気抵抗（ＭＲ）センサを提供する。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE DEVICE WITH EXCHANGE-COUPLED STRUCTURE HAVING SEMI-METALLIC FERROMAGNETIC HEUSLER ALLOY IN PINNED LAYER THEREOF例文帳に追加

固定層に半金属強磁性体ホイスラー合金を有する交換結合構造の磁気抵抗素子 - 特許庁

MAGNETIC STORAGE REPRODUCTION SYSTEM INCLUDING LOW PERMEABILITY KEEPER AND MAGNETORESISTIVE REPRODUCTION HEAD WHICH IS SELF-BIASED例文帳に追加

低透磁率キーパと自己バイアスされた磁気抵抗再生ヘッドとを備えた磁気記憶再生システム - 特許庁

MASK PATTERN FORMING METHOD, THIN FILM PATTERN FORMING METHOD AND METHOD FOR FORMING MAGNETORESISTIVE ELEMENT例文帳に追加

マスクパターンの形成方法、薄膜パターンの形成方法および磁気抵抗効果素子の形成方法 - 特許庁

The rotation detector includes: a sensor chip 3d having at least four magnetoresistive element bridges A-D; and a bias magnet 2 for giving a bias magnetic field to the magnetoresistive element bridges A-D.例文帳に追加

少なくとも４つの磁気抵抗素子ブリッジＡ〜Ｄを備えるセンサチップ３ｄと、これら磁気抵抗素子ブリッジＡ〜Ｄにバイアス磁界を付与するバイアス磁石２とを備えて回転検出装置を構成する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect element by which a high MR rate of a change can be obtained and correspondence to high densification can be expected, and to provide a magnetic head using the magnetoresistive effect element, a magnetic recording/reproducing apparatus, and a magnetic random access memory.例文帳に追加

高ＭＲ変化率が得られ、高密度化への対応が期待できる磁気抵抗効果素子、ならびにこれを用いた磁気ヘッド、磁気記録再生装置および磁気ランダムアクセスメモリーを提供する。 - 特許庁

To provide a method of evaluating a magnetoresistive head which detects a magnetoresistive head which cannot be detected completely by a conventional evaluating method and in which magnetization state is unstable.例文帳に追加

従来の評価方法では、完全に検出することのできなかった磁化状態が不安定な磁気抵抗効果型ヘッドの検出が可能となる磁気抵抗効果型ヘッドの評価方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect type head of which the insulating layer is not stripped off from the surface of the substrate even when the sliding surface of the magnetoresistive effect type head is pressurized when reproducing a magnetic tape.例文帳に追加

磁気テープの再生時に磁気抵抗効果型ヘッドの摺動面に圧力が加わった場合でも、絶縁層が基板上から剥離することがない磁気抵抗効果型ヘッドを提供する。 - 特許庁

To provide a CPP magnetoresistive head which prevents a degradation in film quality of a magnetoresistive sensor film due to oxidation at a junction end thereof, and has a low head resistance, a high output, and a high signal-to-noise ratio.例文帳に追加

磁気抵抗効果センサ膜ジャンクション端部の酸化に起因する膜質の劣化を防止し、ヘッド抵抗が低く、高出力、高信号雑音比のCPP構造磁気抵抗効果型ヘッドを提供する。 - 特許庁

To eliminate the restriction on the sensitivity due to the limit of the sense current which can flow in a magnetic sensor using magnetoresistive effect, a driving method of the magnetic sensor using magnetoresistive effect, and a magnetic recording device.例文帳に追加

磁気抵抗効果を用いた磁気センサ、磁気抵抗効果を用いた磁気センサの駆動方法、及び、磁気記録装置に関し、流し得るセンス電流の上限による高感度化の制約を打破する。 - 特許庁

In the rotation sensor 35, a magnetoresistive element 35Cc (anisotropic magnetoresistive element) is fixed on a position where a magnetic flux of a permanent magnet 35Bd crossing a magnetic flux generated by an electromagnetic clutch is detected.例文帳に追加

また、回転センサ３５は、磁気抵抗素子３５Ｃｃ（異方性磁気抵抗素子）を電磁クラッチが生じる磁束に対して交差する永久磁石３５Ｂｄの磁束を検出する位置に固定してある。 - 特許庁

To inhibit degradation of magnetoresistive effects due to formation of an insulated part in a magnetoresistive element having a spacer layer including the insulated part and a conductive part mixed in its cross section parallel to the surface of the spacer layer.例文帳に追加

スペーサ層が、その面に平行な断面において混在するように絶縁部と導電部とを含む磁気抵抗効果素子において、絶縁部の形成に伴う磁気抵抗効果の劣化を抑制する。 - 特許庁

To fabricate a material which is available instead of conventional semiconductors and magnetic devices by utilizing irreversible magnetoresistive effects different from conventional huge magnetoresistive effects.例文帳に追加

従来の巨大磁気抵抗効果とは異なる非可逆性をもつ磁気抵抗特性を利用して従来の半導体および磁気デバイスに代わって利用可能な材料を作製することを目的とする。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect element which avoids the employment of a laminated structure of a pin layer, a spacer layer and a free layer unlike a prior art magnetoresistive effect element, and also to provide a magnetic head and a magnetic memory using the element.例文帳に追加

従来の磁気抵抗効果素子とは異なり、ピン層、スペーサ層、フリー層の積層構造を用いない磁気抵抗効果素子、及びそれを用いた磁気ヘッド及び磁気メモリを提供する。 - 特許庁

On the flat surface of an underlying film on a substrate 1, four giant magnetoresistive elements 2a-2d constituting an X-axis sensor and four giant magnetoresistive elements 3e-3h constituting a Y-axis sensor are arranged.例文帳に追加

基板１上の下地膜の平坦面に、Ｘ軸センサを構成する４個の巨大磁気抵抗素子素子２ａ〜２ｄとＹ軸センサを構成する４個の巨大磁気抵抗素子素子３ｅ〜３ｈを配置する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive sensor element in which angular errors are reduced compared with those in prior art, so that such a magnetoresistive sensor element can be used as a precise angle sensor for automobiles.例文帳に追加

従来技術よりも角度誤差が低減された磁気抵抗センサ素子を提供し、このような磁気抵抗センサ素子を、自動車の精確な角度センサとして使用することができるようにすることにある。 - 特許庁

To provide a structure and a manufacturing method of a yoke type magnetoresistive thin film magnetic head (including GMR head) especially a magnetoresistive thin film magnetic head having no reduction of a resistance change ratio.例文帳に追加

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに関し、特に抵抗変化率の低下のないヨーク型磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド（ＧＭＲヘッドを含む）の構成及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD EQUIPPED THEREWITH, HEAD GIMBALS ASSEMBLY EQUIPPED WITH THIN FILM MAGNETIC HEAD, MAGNETIC DISC DEVICE EQUIPPED WITH HEAD GIMBALS ASSEMBLY, AND METHOD OF MANUFACTURING MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、該磁気抵抗効果素子を備えた薄膜磁気ヘッド、該薄膜磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリ、該ヘッドジンバルアセンブリを備えた磁気ディスク装置、及び該磁気抵抗効果素子の製造方法 - 特許庁

CURRENT-PERPENDICULAR-TO-THE-PLANE (CPP) MAGNETORESISTIVE (MR) SENSOR WITH IMPROVED HARD MAGNET BIASING STRUCTURE例文帳に追加

改善された硬質磁性体バイアス構造を備える面垂直電流（ＣＰＰ）磁気抵抗（ＭＲ）センサ - 特許庁

To avoid damaging a magnetoresistive effect element when patterning an electrode lead layer and narrow the effective playback track width.例文帳に追加

電極リード層のパターニングの際に磁気抵抗効果素子にダメージを与えることがないようにする。 - 特許庁

METHOD OF CONTROLLING OXIDIZATION OF THIN-FILM IN MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING THIN-FILM MAGNETIC HEAD例文帳に追加

磁気抵抗効果素子における薄膜の酸化制御方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 - 特許庁

To provide a granular film having further low resistance while keeping a high magnetoresistive effect (MR effect).例文帳に追加

高い磁気抵抗効果（ＭＲ効果）を維持しつつ、より低抵抗であるグラニュラ膜を提供すること。 - 特許庁

DEVICE STRUCTURE FORMING METHOD, MANUFACTURING METHOD OF MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD OF THIN FILM MAGNETIC HEAD例文帳に追加

デバイス構造の形成方法、磁気抵抗効果素子の製造方法および薄膜磁気ヘッドの製造方法 - 特許庁

To provide a top-pin type magnetoresistive element including a magnetized free layer having superior smoothness.例文帳に追加

優れた平滑性を有する磁化自由層を備えたトップピン型の磁気抵抗素子を提供すること。 - 特許庁

LAMINATE CONTAINING OXIDE LAYER, MAGNETORESISTIVE EFFECT HEAD USING THE SAME, AND MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE例文帳に追加

酸化物層を含んだ積層体及びこれを用いた磁気抵抗効果型ヘッド、磁気記録再生装置 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND THIN FILM MAGNETIC HEAD USING IT例文帳に追加

磁気抵抗効果素子及びその製造方法、ならびに前記磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド - 特許庁

A sense current is fed in a direction substantially perpendicular to the film surface of the magnetoresistive film 2.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜２にはその膜面に対して略垂直方向にセンス電流が通電される。 - 特許庁

A metal film 15 is provided so as to overlap to all magnetoresistive elements 31 to 34.例文帳に追加

金属膜１５は、磁気抵抗素子３１〜３４の全てに対して重なり合うように設けられている。 - 特許庁

FORMING METHOD OF PATTERN OF MAGNETIC LAYER, MANUFACTURING METHOD OF MAGNETORESISTIVE ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC STORAGE MEDIUM例文帳に追加

磁性層パターンの形成方法、磁気抵抗素子の製造方法、及び磁気記憶媒体の製造方法 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE ELEMENT, MANUFACURING METHOD THEREOF, MAGNETIC REPRODUCING HEAD, AND MAGNETIC INFORMATION REPRODUCING APPARATUS例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気再生ヘッド、磁気情報再生装置、及び磁気抵抗効果素子の製造方法 - 特許庁

The magnetoresistive effect element 4 is capable of entering information via a magnetic field from the yoke 20.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子４は、ヨーク２０からの磁界によって情報の書込みが可能となっている。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE MAGNETIC HEAD, AND ELECTROMAGNETIC TRANSDUCTION CHARACTERISTIC MEASUREMENT METHOD AND DEVICE THEREFOR例文帳に追加

磁気抵抗効果型磁気ヘッドとその電磁変換特性測定方法及び電磁変換特性測定装置 - 特許庁

A magnetoresistive solid-state storage device (MRAM) employs error correction coding (ECC) to form encoded stored data.例文帳に追加

磁気抵抗固体記憶装置(MRAM)は、誤り訂正符号化(ECC)を用いてECC符号化された記憶データを作成する。 - 特許庁

To compose a magnetoresistive sensor for further reducing hysteresis and for obtaining improved linearity.例文帳に追加

ヒステリシスの更なる減少および改良された直線性が得られるように磁気抵抗センサを構成する。 - 特許庁

The invention relates to a magnetoresistive magnetic field sensor and an electronic processing circuit for measuring the intensity of magnetic field.例文帳に追加

本発明は、磁界の強度を計測するための磁気抵抗磁界センサーと電子処理回路とを有する。 - 特許庁

To decrease influences of strong magnetism even in a camera system employing a magnetoresistive random access memory (MRAM).例文帳に追加

ＭＲＡＭを用いたカメラシステムであっても、強い磁気の影響を減少させることを目的とする。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive solid-state storage device having durability to at least some obstructions.例文帳に追加

少なくとも幾つかの障害に対する耐性を有する磁気抵抗固体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

TUNNELING MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC DEVICE USING THE SAME, AND METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

トンネル型磁気抵抗素子とそれを用いた磁気式デバイス及びその製造方法並びに製造装置 - 特許庁

To provide a structure for preventing electrostatic discharge (ESD) damage to a magnetoresistive sensor during manufacture.例文帳に追加

製造中の磁気抵抗センサに対する静電気放電（ＥＳＤ）破壊を防ぐための構造を提供する。 - 特許庁