「MAGNETORESISTIVE」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

To make it possible to supply a DC sense current to a magnetoresistive effect head in a magnetic tape drive provided with the magnetoresistive effect head on a rotary cylinder as a read head.例文帳に追加

回転シリンダに読取ヘッドとして磁気抵抗効果型ヘッドを設けた磁気テープドライブ装置において、磁気抵抗効果型ヘッドに直流のセンス電流を供給できるようにする。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect element that does not increase noise easily even if allowing current to flow, and can obtain a satisfactory S/N ratio, and to provide a magnetic head using the magnetoresistive effect element.例文帳に追加

電流を流してもノイズの増加が少なく、良好なＳ／Ｎ比を得ることのできる磁気抵抗効果素子、及びこの磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

To provide a multi-chamber film-forming apparatus capable of manufacturing spin-valve giant magnetoresistive films satisfying both high magnetoresistive change ratio (MR ratio) and low interlayer coupling magnetic field (Hin).例文帳に追加

高い磁気抵抗変化率(ＭＲ比)と低い層間結合磁界(Ｈｉｎ)を両立するスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜を製造することができるマルチチャンバ成膜装置を提供する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING EXCHANGE COUPLING FILM, METHOD OF MANUFACTURING MAGNETORESISTIVE EFFECT DEVICE BY USE OF EXCHANGE COUPLING FILM, AND METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM MAGNETIC HEAD BY USE OF MAGNETORESISTIVE EFFECT DEVICE例文帳に追加

交換結合膜の製造方法、及び前記交換結合膜を用いた磁気抵抗効果素子の製造方法、ならびに前記磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法 - 特許庁

A magnetic sensor comprises a substrate, magnetoresistive elements 31 provided on the substrate, and a passivation film 60 provided on the substrate as a whole so as to cover the magnetoresistive elements 31.例文帳に追加

磁気センサは、基板と、同基板上に設けられる磁気抵抗素子３１と、磁気抵抗素子３１を覆うように同基板上全体に設けられるパッシベーション膜６０とを備える。 - 特許庁

The temperature sensor is composed of a 1st magnetoresistive element MRE 11a and a 2nd magnetoresistive element MRE 11b which are tilted by 90 degrees to each other and arranged on the flat surface on which magnetic vectors vary, wherein the magnetoresistive elements are same shape and same material (e.g. nickel cobalt etc.).例文帳に追加

温度センサは、磁気抵抗素子として、互いに同一の形状および同一の材料（例えばニッケルコバルトなど）とされるとともに、磁気ベクトルが変化する平面上に互いに９０度傾いて配置される第１および第２の磁気抵抗素子ＭＲＥ１１ａ、ＭＲＥ１１ｂを備える。 - 特許庁

The wiring (11) does not overlap with the magnetoresistive element (5, 27) as seen in the direction perpendicular to the main surface (1a) of the substrate (1) and is formed to pass through a first position (12a) nearer to the substrate (1) than to the magnetoresistive element (5) and a second position (12c) above the magnetoresistive element (5).例文帳に追加

配線（１１）は、基板（１）の主面（１ａ）に垂直な方向からみたときに磁気抵抗素子（５，２７）と重ならず，且つ，磁気抵抗素子（５）よりも基板（１）に近い第１位置（１２ａ）と、磁気抵抗素子（５）の上方にある第２位置（１２ｃ）とを通過するように形成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a magnetoresistive device which is suitable for manufacturing a high-quality magnetoresistive device by reducing damages occurring in processing a multilayer magnetic film constituting the magnetoresistive device, thereby preventing degradation of magnetic characteristics due to the damages.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を構成する多層磁性膜を加工する際に生じるダメージを少なくし、前記のダメージを受けたことにより磁気特性に劣化が生じることを防止でき、高品質な磁気抵抗効果素子を製造することに適した磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this magnetic sensor device equipped with a sensor chip wherein a magnetoresistive element is formed, and a bias magnetic field generation part for applying a bias magnetic field to the magnetoresistive element, a coil for generating the magnetic field in the energization state is arranged near the magnetoresistive element as the bias magnetic field generation part.例文帳に追加

磁気抵抗素子が形成されたセンサチップと、磁気抵抗素子に対してバイアス磁界を付与するバイアス磁界生成部と、を備える磁気センサ装置であって、バイアス磁界生成部として、通電状態で磁界を発生するコイルを磁気抵抗素子の近傍に配置した。 - 特許庁

To provide a thin film magnetoresistive element which has a high magnetic field sensitivity of high linearity, to provide a method of manufacturing the thin film magnetoresistive element easily at a low cost, and to provide a practical magnetic sensor using the above thin film magnetoresistive element.例文帳に追加

高い磁界感度を有し、かつその直線性が良好な薄膜磁気抵抗素子を提供すること、かかる薄膜磁気抵抗素子を安価且つ容易に製造する方法を提供すること、前記薄膜磁気抵抗素子を用いた実用的な磁気センサを提供すること。 - 特許庁

In the method for manufacturing the magnetoresistive effect thin film magnetic head, the magnetoresistive effect element 2, a first magnetic domain controlling layer 3A, a second magnetic domain controlling layer 3B, a first electrode 4A and a second electrode 4B are formed by self coordination using a mask 5 formed on a magnetoresistive effect film.例文帳に追加

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法において、磁気抵抗効果膜上に形成したマスク５を使用して、磁気抵抗効果素子２、第１の磁区制御層３Ａ、第２の磁区制御層３Ｂ、第１の電極４Ａ及び第２の電極４Ｂを自己整合で形成する。 - 特許庁

The thin film magnetic head has a selectively formed magnetoresistive layer 4, magnetic bias layers 5 formed via the magnetoresistive layer 4, a pair of leads 7 for detecting a magnetic resistance and, cap layers 6 as lower parts of the leads 7 formed between the leads and the magnetoresistive layer 4.例文帳に追加

選択的に形成されている磁気抵抗効果層４と、磁気抵抗効果層４を挟んで形成されている磁気バイアス層５と、磁気抵抗を検出するための一対のリード７と、リード７の下部であって磁気抵抗効果層４との間に形成されたキャップ層６を有している。 - 特許庁

To prevent a short circuit from occurring between a lower electrode layer and an upper electrode layer in the manufacturing process of a magnetoresistive effect element.例文帳に追加

製造時に下電極層および上電極層間の短絡が生じないようにする。 - 特許庁

FERROMAGNETIC CERAMIC COMPOSITION, MAGNETORESISTIVE ELEMENT COMPOSED USING THE SAME, AND MAGNETIC SENSOR例文帳に追加

強磁性セラミック組成物、ならびにそれを用いて構成される磁気抵抗素子および磁気センサ - 特許庁

To provide a design method of a magnetoresistive resolver capable of improving the degree of precision of measurement of the resolver.例文帳に追加

レゾルバの測定の精密度が向上する磁気抵抗式レゾルバの設計方法を提供する。 - 特許庁

MEMORY DEVICE HAVING MAGNETORESISTIVE EFFECT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND NONVOLATILE MAGNETIC MEMORY UNIT例文帳に追加

磁気抵抗効果を有するメモリ素子及びその製造方法、並びに、不揮発性磁気メモリ装置 - 特許庁

THIN FILM MAGNETORESISTIVE ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND MAGNETIC SENSOR USING THE SAME例文帳に追加

薄膜磁気抵抗素子及びその製造方法並びに薄膜磁気抵抗素子を用いた磁気センサ - 特許庁

MAGNETORESISTIVE MEMORY CELL USING FLOATING BODY EFFECT, MEMORY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF OPERATING THE SAME例文帳に追加

フローティングボディー効果を利用した磁気抵抗メモリセル、これを含むメモリ素子及びその動作方法 - 特許庁

A magnetoresistive element 32 includes a fixed layer 35, a tunnel insulating film 38, and a free layer 37.例文帳に追加

磁気抵抗素子３２は、固定層３５と、トンネル絶縁膜３８と、自由層３７とを含む。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE MEMORY CONTAINING MTJ LAYER COMPRISING TUNNEL FILM OF CONSTANT THICKNESS, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

均一な厚さのトンネル膜を有するＭＴＪ層を含む磁気抵抗メモリ及びその製造方法 - 特許庁

To provide a spin-transfer-torque writing type magnetoresistive element with thermal stability and low current consumption.例文帳に追加

熱安定性と低消費電流のスピン注入書き込み方式の磁気抵抗素子を提案する。 - 特許庁

Hereby, The anisotropic magnetoresistive element is not affected by a magnetic flux when the clutch 32 is excited.例文帳に追加

このため、異方性磁気抵抗素子は、クラッチ３２が励磁されたときの磁界の影響を受けない。 - 特許庁

A magnetoresistive solid-state storage device (MRAM) performs error correcting coding (ECC) of stored information.例文帳に追加

記憶されている情報の誤り訂正符号化(ECC)を実行する磁気抵抗固体記憶装置(MRAM)。 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR SIMULATING MAGNETORESISTIVE ELEMENT, AND CIRCUIT DESIGN SUPPORTING METHOD例文帳に追加

磁気抵抗素子のシミュレーション装置、磁気抵抗素子のシミュレーション方法、及び、回路設計支援方法 - 特許庁

A resistance value of the magnetoresistive element 12 linearly changes relative to a magnetic field generated by the current.例文帳に追加

磁気抵抗素子１２の抵抗値は、電流により発生した磁界に対してリニアに変化する。 - 特許庁

The normal memory cell MC has a tunnel magnetoresistive element TMR and an access transistor ATR.例文帳に追加

正規メモリセルＭＣは、トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲおよびアクセストランジスタＡＴＲとを含む。 - 特許庁

To provide a fabricating method of a magnetoresistive element having an MR ratio higher than a conventional MR ratio.例文帳に追加

従来よりも高いＭＲ比を持った磁気抵抗素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD, AND HEAD UNIT例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の製造方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法およびヘッド装置の製造方法 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT DEVICE, MAGNETIC HEAD USING THE SAME, ITS MANUFACTURING METHOD, AND HEAD SUSPENSION ASSEMBLY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、これを用いた磁気ヘッド及びその製造方法、並びにヘッドサスペンションアセンブリ - 特許庁

To provide a spin valve magnetoresistive head for obtaining a large amount of resistance change.例文帳に追加

大きな抵抗変化量を得ることのできるスピンバルブ磁気抵抗ヘッドを提供することである。 - 特許庁

To prevent formation of extra current paths which do not contribute to tunnel magnetoresistive effect.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果に寄与しない余分な電流の経路が形成されることを防止する。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETICD INFORMATION REPRODUCING APPARATUS例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果素子の製造方法及び磁気ヘッド、磁気情報再生装置 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE ELEMENT, MEMORY ELEMENT AND MEMORY CELL USING THE SAME, AND RECORDING/REPRODUCING METHOD OF MEMORY ELEMENT例文帳に追加

磁気抵抗素子、それを用いたメモリ素子及びメモリセル並びにメモリ素子の記録再生方法 - 特許庁

To provide a reliable mobile object detector which uses a semiconductor magnetoresistive element.例文帳に追加

半導体磁気抵抗素子を用いて信頼性の高い移動物体検出装置を提供する。 - 特許庁

To provide a tunnel magnetoresistive element in which an artificial characteristic manipulation of a tunnel magnetic resistance is possible.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗の人為的特性操作が可能なトンネル磁気抵抗素子を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive material which stands a severe environment together with its manufacturing method.例文帳に追加

過酷環境下での使用に耐え得る磁気抵抗材料及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect device which has a large output and the sufficient stability of the output.例文帳に追加

出力が大きく且つ出力の安定性の良い磁気抵抗効果装置を実現する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive random access memory with which read errors are reduced as far as possible and a large reproduction signal can be obtained.例文帳に追加

読み出しエラーが可及的に少なくかつ大きな再生信号を得ることを可能にする。 - 特許庁

To provide an effective testing method and device to check tunneling magnetoresistive effect elements.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子の良否を判別する効果的な試験方法及び装置を提供する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, HEAD SUSPENSION ASSEMBLY, AND MAGNETIC DISK DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の製造方法、並びに、磁気ヘッド、ヘッドサスペンションアセンブリ及び磁気ディスク装置 - 特許庁

To provide a magnetoresistive magnetic head, capable of showing an excellent reproducing waveform by applying a desired bias magnetic field to a MR element.例文帳に追加

ＭＲ素子に対して所望のバイアス磁界を印加して、優れた再生波形を示す。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect element capable of stably obtaining a high resistance change rate and reduction in the coercive force or the like.例文帳に追加

安定して高い抵抗変化率、保磁力の低減等得ることができるようにする。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THEM例文帳に追加

磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置、磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置の製造方法 - 特許庁

To suppress magnetostriction and obtain high MR (magnetoresistance) ratio in a magnetic field detecting element for CPP-GMR (current perpendicular to plane-giant magnetoresistive) head.例文帳に追加

ＣＰＰ-ＧＭＲヘッド用の磁界検出素子において、磁歪を抑え高ＭＲ比を得る。 - 特許庁

LAYERED STRUCTURE HAVING FePt-BASED MAGNETIC LAYER AND MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

ＦｅＰｔ系磁性層を備える積層体構造物およびそれを用いた磁気抵抗効果素子 - 特許庁