「MAGNETORESISTIVE」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a huge magnetoresistive effect element that inhibits variation in current density in the huge magnetoresistive effect element, can effectively utilize an element, and at the same time has reliability and a long life, and to provide a reliable magnetoresistive effect head, a thin-film magnetic memory, and a thin-film magnetic sensor that have the huge magnetoresistive effect element.例文帳に追加

巨大磁気抵抗効果素子内の電流密度のばらつきを抑制して、素子を有効に利用することができ、かつ信頼性や長寿命を有する巨大磁気抵抗効果素子、及びこの巨大磁気抵抗効果素子を備えて信頼性の高い磁気抵抗効果型ヘッド、薄膜磁気メモリ、並びに薄膜磁気センサを提供する。 - 特許庁

The magnetoresistive random access memory (MRAM) including a plurality of layers on a substrate is disclosed.例文帳に追加

基板上に複数の層を備えた磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）が開示される。 - 特許庁

A bias current Ib flows to a lower electrode 17 of a tunnel magnetoresistive effect element 10.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子１０の下部電極１７にバイアス電流Ｉｂを流す。 - 特許庁

DOT ARRAY MAGNETIC FILM, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

ドットアレー状磁性膜並びにこれを用いた磁気記録媒体及び磁気抵抗効果素子 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, MAGNETIC HEAD USING THE SAME, AND MAGNETIC REPRODUCING DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子とその製造方法、およびそれを用いた磁気ヘッドと磁気再生装置 - 特許庁

To provide a tunnel magnetoresistive element having a low magnetic relaxation constant in a minute size.例文帳に追加

微小サイズにおいて低い磁気緩和定数を持つトンネル磁気抵抗素子を提供する。 - 特許庁

The protective layer III is arranged in a manner to cover sides of the magnetoresistive element MRD.例文帳に追加

保護層ＩＩＩは、磁気抵抗素子ＭＲＤの側面を覆うように配置されている。 - 特許庁

To provide a magnetic sensor having a structure that can uniformize temperatures of a plurality of magnetoresistive elements.例文帳に追加

複数の磁気抵抗素子の温度を均一にできる構造の磁気センサを実現する。 - 特許庁

LATTICE MAGNETIC FILM, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT USING USE THE FILM例文帳に追加

格子状磁性膜並びにこれを用いた磁気記録媒体及び磁気抵抗効果素子 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, MAGNETIC MEMORY, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC RECORDER例文帳に追加

磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気メモリ、磁気ヘッド並びに磁気記録装置 - 特許庁

The resistive element may be an element coupled between the magnetoresistive bit and the read architecture.例文帳に追加

抵抗要素は、磁気抵抗ビットと読み出しアーキテクチャとの間に結合された要素とする。 - 特許庁

To reduce a writing current for a magnetoresistive effect element of a spin injection system.例文帳に追加

スピン注入方式の磁気抵抗効果素子に対する書き込み電流を低減すること。 - 特許庁

To provide a reading method for a magnetoresistive element having a magnetically soft reference layer.例文帳に追加

磁気的に軟らかい基準層を有する磁気抵抗素子のための読出し方法の提供。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD USING THE SAME, HEAD SUSPENSION ASSEMBLY, AND MAGNETIC DISK UNIT例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、これを用いた磁気ヘッド、ヘッドサスペンションアセンブリ及び磁気ディスク装置 - 特許庁

To obtain an output signal small in distorsion from a magnetoresistive element by an outside magnetic field.例文帳に追加

外部磁界により磁気抵抗効果素子から歪みの少ない出力信号を得る。 - 特許庁

The lead frame 22 for inputs/outputs is led out from the semiconductor magnetoresistive pattern 20.例文帳に追加

半導体磁気抵抗パターン２０から、入出力のためのリードフレーム２２を引き出す。 - 特許庁

The magnetic field sensor has two bridges comprising a magnetoresistive element having a fixed magnetization layer.例文帳に追加

磁界センサは、固定磁化層を有する磁気抵抗素子で構成されたブリッジを２つ有する。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE ELEMENT COMPRISING OXIDE LAYER FOR CURRENT CONSTRICTION, AND FORMATION METHOD THEREOF例文帳に追加

電流狭窄用の酸化物層を有する磁気抵抗効果素子およびその形成方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING PHOTORESIST PATTERN AND METHOD OF MANUFACTURING MAGNETORESISTIVE EFFECT THIN FILM MAGNETIC HEAD例文帳に追加

フォトレジストパターンの形成方法及び磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE ELEMENT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND SPATIAL LIGHT MODULATOR USING THE SAME例文帳に追加

磁気抵抗素子ならびにこれを用いた磁気ランダムアクセスメモリおよび空間光変調器 - 特許庁

The variable resistance memory device has a memory cell MC including a tunneling magnetoresistive element TMR and a drive circuit 5A.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲを含むメモリセルＭＣと、駆動回路５Ａを有する。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD, HEAD GIMBAL ASSEMBLY, HEAD ARM ASSEMBLY AND MAGNETIC DISK DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, MAGNETIC DETECTION ELEMENT AND MAGNETIC RECORDING/REPRODUCING ELEMENT例文帳に追加

磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気検出素子並びに磁気記録再生素子 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING MAGNETORESISTIVE EFFCT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC RECORDING/REPRODUCING APPARATUS, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気ヘッド、磁気記録再生装置、および磁気メモリ - 特許庁

THIN-FILM PATTERN FORMING METHOD, COATING MATERIAL, THIN-FILM LAMINATE AND TUNNEL MAGNETORESISTIVE ELEMENT例文帳に追加

薄膜パターン形成方法、被覆材料、薄膜積層体及びトンネル磁気抵抗素子 - 特許庁

To improve flatness of a magnetoresistive effect element in a method of manufacturing a magnetic head.例文帳に追加

磁気ヘッドの製造方法に関し、磁気抵抗効果素子の平坦性を向上する。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE ELEMENT, MEMORY ELEMENT USING THE SAME, MEMORY CELL, AND RECORDING/REPRODUCING METHOD OF MEMORY ELEMENT例文帳に追加

磁気抵抗素子、それを用いたメモリ素子、メモリセル及びメモリ素子の記録再生方法 - 特許庁

The reading sensitivity of the CPP structure magnetoresistive element is improved than before.例文帳に追加

ＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子の読み出し感度はこれまで以上に向上する。 - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, THIN MAGNETIC FILM HEAD, MEMORY ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD FOR THEM例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、メモリ素子ならびにこれらの製造方法 - 特許庁

LAMINATED FERROMAGNETIC STRUCTURE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND MAGNETORESISTIVE DEVICE例文帳に追加

積層強磁性構造体、磁気抵抗デバイス、及び積層強磁性構造体の製造方法 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE ELEMENT INCLUDING PAIR OF FERROMAGNETIC LAYERS COUPLED TO PAIR OF SHIELD LAYERS例文帳に追加

一対のシールド層に結合する一対の強磁性層を有する磁気抵抗効果素子 - 特許庁

SPECULAR GIANT MAGNETORESISTIVE HEAD HAVING ULTRA-THIN OXIDE BORDERING ON FREE LAYER例文帳に追加

自由層と境界を接する超薄酸化物を有する鏡面巨大磁気抵抗ヘッド - 特許庁

To realize a magnetoresistive effect element of high sensitivity and a magnetic recording medium of high density.例文帳に追加

高感度の磁気抵抗効果素子及び高密度の磁気記録媒体を実現する。 - 特許庁

The magnetoresistive element part 101 detects geomagnetism to output a corresponding detection signal.例文帳に追加

磁気抵抗素子部１０１は、地磁気を検出して対応する検出信号を出力する。 - 特許庁

Short bar electrodes 20 are provided in the magnetoresistive effect layer 18 at certain intervals.例文帳に追加

磁気抵抗効果層１８には、間隔を隔ててショートバー電極２０が形成される。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETORESISTIVE HEAD AND METHOD FOR MANUFACTURING HEAD GIMBAL ASSEMBLY PROVIDED WITH THE HEAD例文帳に追加

磁気抵抗効果ヘッドの製造方法及び該ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリの製造方法 - 特許庁

The magnetoresistive element (10) contains a data layer (12) and a reference layer (14) having different coercive force from each other.例文帳に追加

磁気抵抗素子(10)は、異なる保磁力を有するデータ層(12)と基準層(14)とを含む。 - 特許庁

An aspect ratio of the magnetoresistive element MRD when viewed from above has a value other than 1.例文帳に追加

上記磁気抵抗素子ＭＲＤは平面視におけるアスペクト比が１以外の値である。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE ELEMENT, MAGNETIC STORAGE CELL, MAGNETIC MEMORY DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THEM例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気記憶セルおよび磁気メモリデバイスならびにそれらの製造方法 - 特許庁

The thin film magnetic head is equipped with; a magnetoresistive element 5; first and second reproduction shield layers 3 and 9 which are arranged so as to sandwich the magnetoresistive element 5; and a bias magnetic field impression layer to impress a bias magnetic field to the magnetoresistive element 5.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッドは、磁気抵抗効果素子５と、磁気抵抗効果素子５を挟むように配置された第１および第２の再生シールド層３，９と、磁気抵抗効果素子５に対してバイアス磁界を印加するためのバイアス磁界印加層とを備えている。 - 特許庁

To provide a method for magnetoresistive effect thin film magnetic head wherein the deviation of alignment of overlap of a magnetoresistive effect element and an electrode can be eliminated, the magnetoresistive effect element is never damaged and the number of manufacturing stages can be reduced.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子と電極との重ね合わせのアライメントずれをなくすことができ、磁気抵抗効果素子にダメージを与えることがなく、そして製造工程数を減少することができる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

The magnetoresistive random access memory architecture 10 includes a plurality of data columns each including a first plurality of non-volatile magnetoresistive elements 13, and a reference column 12 arranged adjacent to the plurality of data columns and including a second plurality of nonvolatile magnetoresistive elements 12.例文帳に追加

磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ・アーキテクチャ１０は、各々第１の複数の不揮発性磁気抵抗エレメント１３を含む複数のデータ列と、複数のデータ列に隣接して配置され、第２の複数の不揮発性磁気抵抗エレメントを含む基準列１２とを含む。 - 特許庁

A sensor chip 30a is provided with a first magnetoresistive element pair 1, a second magnetoresistive element pair 2, and a central detection circuit 100 for detecting the central passing information for each tooth of the rotating rotor, on the basis of the variation in the resistance values of these magnetoresistive elements.例文帳に追加

センサチップ３０ａは、第１の磁気抵抗素子対１および第２の磁気抵抗素子対２を備え、これら磁気抵抗素子の抵抗値変化に基づいて、回転するロータの各歯の中心通過情報を検出する中心検出回路１００を備える。 - 特許庁

To provide a multi-chamber film-forming apparatus capable of manufacturing spin-valve giant magnetoresistive films satisfying both high magnetoresistive change ratio (MR ratio) and low interlayer coupling magnetic field (Hin).例文帳に追加

高い磁気抵抗変化率(ＭＲ比)と低い層間結合磁界(Ｈｉｎ)を両立するスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜を製造することができるマルチチャンバ成膜装置を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect element having a point contact to obtain a high magnetoresistive effect, and to provide its manufacturing method, a magnetic memory, a magnetic head, and a magnetic recorder.例文帳に追加

高い磁気抵抗効果が得られるポイントコンタクトを有する磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気メモリ、磁気ヘッド並びに磁気記録装置を提供することを目的とする。 - 特許庁