「MAGNETORESISTIVE」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

TUNNEL TYPE MAGNETORESISTIVE ELEMENT, AND METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING IT例文帳に追加

トンネル型磁気抵抗素子、その製造方法およびその製造装置 - 特許庁

An MRAM 100 includes: a magnetoresistive bit 102; a read architecture 104 coupled to the magnetoresistive bit that forms a read path with the magnetoresistive bit for performing a read operation on the magnetoresistive bit; and a resistive element 106 in the read path that adjusts resistive properties of the magnetoresistive bit during the read operation.例文帳に追加

ＭＲＡＭ１００は、磁気抵抗ビット１０２と、磁気抵抗ビットに結合され、磁気抵抗ビットと共に磁気抵抗ビット上で読み出しオペレーションを実施するための読出し経路を形成する読出しアーキテクチャ１０４と、読出し経路内にあり、読出しオペレーション中に磁気抵抗ビットの抵抗特性を調整する抵抗要素１０６とを含む。 - 特許庁

The method to control the domain characteristic of the magnetoresistive sensor included in the head of the HDD includes applying temperature suitable for demagnetizing the magnetoresistive sensor to the magnetoresistive sensor by driving a heater installed in the head, and cooling the magnetoresistive sensor while applying a magnetic field for magnetizing the magnetoresistive sensor.例文帳に追加

本発明によれば、ハードディスクドライブ用のヘッドに備えられた磁気抵抗センサの磁区特性を制御する方法において、ヘッド内のヒータを駆動することで、磁気抵抗センサの磁気除去に適した熱を磁気抵抗センサに印加する工程と、磁気抵抗センサを磁化する磁界を印加するとともに、磁気抵抗センサを冷却する工程と、を含む方法が提供される。 - 特許庁

TUNNELING MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND BEARING DETECTING SYSTEM USING THE SAME例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子及びこの素子を用いた方位検知システム - 特許庁

A marking for identifying the magnetization direction of a fixed layer of a magnetoresistive effect element is indicated on a chip laid out with the magnetoresistive effect element and a plurality of connection pads connected to terminals of the magnetoresistive effect element.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果素子の端子に接続する複数の接続用パッドが形成されたチップ上に、上記磁気抵抗効果素子の固定層の磁化方向を識別するマーキングを表示した。 - 特許庁

To prevent electrostatic breaking of a magnetoresistive effect element, magnetic breaking/degradation of the magnetoresistive effect element by an electromagnetic field to which a momentary large current by static electricity upheaves, and breaking of the magnetoresistive effect element by an electromagnetic wave from outside.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の静電破壊、静電気による瞬間的な大電流が隆起する電磁界による磁気抵抗効果素子の磁気的な破壊・劣化および外部からの電磁波による破壊を防止する。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE SENSOR, THIN FILM MAGNETIC HEAD EQUIPPED WITH THE SAME, METHOD OF MANUFACTURING MAGNETORESISTIVE SENSOR, AND METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM MAGNETIC HEAD例文帳に追加

磁気抵抗効果センサ、磁気抵抗効果センサを有する薄膜磁気ヘッド、磁気抵抗効果センサの製造方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT TYPE HEAD, ITS MANUFACTURE AND MAGNETIC STORAGE DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法並びに磁気記憶装置 - 特許庁

THIN-FILM PATTERN FORMING METHOD, THIN-FILM LAMINATE AND TUNNEL MAGNETORESISTIVE ELEMENT例文帳に追加

薄膜パターン形成方法、薄膜積層体及びトンネル磁気抵抗素子 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE SENSOR WITH OVERLAID COMBINED LEAD AND SHIELD例文帳に追加

オーバーレイされた組み合わせリード線およびシールドを備えた磁気抵抗センサ - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC HEAD AND MAGNETIC REPRODUCING APPARATUS USING ELEMENT例文帳に追加

磁気抵抗効果素子とそれを用いた磁気ヘッドおよび磁気再生装置 - 特許庁

In the magnetic sensor 20 using magnetoresistive element groups, detection elements 10 are connected in series to form magnetoresistive element groups 8a, 8b and 8c, and they are arranged in parallel and interlocked with the magnetoresistive element groups as a cell 9.例文帳に追加

磁気抵抗素子群を用いた磁気センサ２０は、検知素子１０を直列に接続して磁気抵抗素子群８ａ、８ｂ、８ｃとし、これらを並列に配置してセル９として磁気抵抗素子群を連動する。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND READ HEAD AND DRIVE HAVING THE SAME例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、及び、それを有する読み取りヘッド並びにドライブ - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTIVE ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD AND MANUFACTURING EQUIPMENT例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子およびその製造方法ならびに製造装置 - 特許庁

To provide an easy-to-manufacture magnetoresistive element exhibiting a large magnetoresistive variation, enabling to be formed into an element has a good controllability, and a high sensitivity magnetic detection element, as well as a recording/reproducing element employing the magnetoresistive element.例文帳に追加

大きな磁気抵抗変化を有し、素子化可能でかつ制御性が良好、さらに作製容易な磁気抵抗効果素子を提供するとともに、これを用いた高感度の磁気検出素子素子を提供することにある。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND INFORMATION STORAGE DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子とその製造方法および情報記憶装置 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a magnetoresistive head by which the magnetoresistive head whose head characteristics are stabilized can be manufactured.例文帳に追加

ヘッドの特性が安定化された磁気抵抗効果型ヘッドを製造することができる磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

A digit line 31 is formed right below the magnetoresistive element 51.例文帳に追加

磁気抵抗素子５１の直下にディジット線３１が形成されている。 - 特許庁

SYSTEM AND METHOD FOR WRITING DATA TO MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY CELL例文帳に追加

磁気抵抗ランダムアクセスメモリセルにデータを書き込むためのシステム及び方法 - 特許庁

The magnetoresistive element 1 has a pair of electrodes 3, 4 for energizing a sense current in a direction perpendicular to the film surface of the magnetoresistive film 2.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子１は磁気抵抗効果膜２の膜面垂直方向にセンス電流を通電する一対の電極３、４を具備する。 - 特許庁

UNIDIRECTIONAL CURRENT MAGNETISM INVERSION MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC RECORDING DEVICE例文帳に追加

単一方向電流磁化反転磁気抵抗効果素子と磁気記録装置 - 特許庁

HEAD AMPLIFIER CIRCUITS AND RESISTANCE VALUE MEASURING METHOD FOR MAGNETORESISTIVE HEAD例文帳に追加

ヘッドアンプ回路及び磁気抵抗効果型ヘッドの抵抗値測定方法 - 特許庁

DATA WRITING METHOD OF MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子のデータ書き込み方法及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

To provide a magnetoresistive memory (10) fabricated on a common substrate.例文帳に追加

共通基板の上に形成される磁気抵抗メモリ（１０）を提供する。 - 特許庁

To obtain a magnetoresistive effect film which is superior in detection sensitivity of a magnetic signal and linearity of a detected signal and can improve the output of a magnetic head, and a magnetoresistive effect head using the magnetoresistive effect film.例文帳に追加

磁気信号の検出感度および検出信号の直線性が良く、しかも、磁気ヘッドの出力の向上が図れる磁気抵抗効果膜およびそれを用いた磁気抵抗効果型ヘッドを提供する。 - 特許庁

The magnetoresistive elements TR103 and TR104 are fixed resistors for reference for comparison for detecting resistance variation of magnetoresistive elements.例文帳に追加

磁気抵抗素子ＴＲ１０３およびＴＲ１０４は、磁気抵抗素子の抵抗変化を検出するための比較基準用の一定抵抗である。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive element that uses TiN as a capping layer.例文帳に追加

ＴｉＮをキャッピング層として使用した磁気抵抗素子を提供する。 - 特許庁

ANISOTROPIC MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND TURNING ANGLE DETECTOR USING THE SAME例文帳に追加

異方性磁気抵抗素子及びこれを用いた回転角度検出装置 - 特許庁

The reading element of a magnetoresistive head includes a granular free layer 101.例文帳に追加

磁気抵抗ヘッドの読み取り素子は、グラニュラー状フリー層１０１を含む。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子およびその製造方法並びに磁気メモリ装置 - 特許庁

ELECTRIC FIELD EFFECT MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND ELECTRONIC ELEMENT UTILIZING IT例文帳に追加

電界効果型磁気抵抗効果素子およびこれを利用した電子素子 - 特許庁

The magnetoresistive effect head is provided with the GMR element 4 showing a magnetoresistive effect and a magnetic flux guide 5 which draws leakage magnetic fluxes from a magnetic recording medium in the element 4.例文帳に追加

磁気抵抗効果を示すＧＭＲ素子４と、磁気記録メディアからの漏れ磁束をＧＭＲ素子に引き込む磁束ガイド５とを備える。 - 特許庁

Thereby, the magnetoresistive element can be formed by even a more simple manufacturing process, and the magnetoresistive element with improved stability and reliability can be provided.例文帳に追加

これにより、さらに簡単な製造工程で形成でき、安定性及び信頼性が向上した磁気抵抗素子を提供可能である。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND STORAGE DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

磁気抵抗効果素子及び該磁気抵抗効果素子を用いた記憶装置 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の製造方法および磁気抵抗効果素子の製造装置 - 特許庁

A CPP structure magnetoresistive (MR) device is equipped with a spin bulb film 43.例文帳に追加

ＣＰＰ構造磁気抵抗効果（ＭＲ）素子はスピンバルブ膜４３を備える。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、磁気抵抗効果素子の製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING MAGNETORESISTIVE EFFECT SENSOR AND THIN FILM MAGNETIC HEAD例文帳に追加

磁気抵抗効果センサの製造方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND MAGNETIC HEAD例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果素子の製造方法および磁気ヘッド - 特許庁

EXCHANGE COUPLING FILM, MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

交換結合膜、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTIVE ELEMENT, NONVOLATILE MAGNETIC MEMORY, LIGHT-EMITTING ELEMENT AND THREE-TERMINAL ELEMENT例文帳に追加

トンネル磁気抵抗素子、不揮発性磁気メモリ、発光素子および３端子素子 - 特許庁

Magnetoresistive elements 32 are disposed on the principal surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

磁気抵抗素子３２は半導体基板の上記主表面上に位置する。 - 特許庁

SHIELDING TYPE MAGNETORESISTIVE HEAD HAVING CHARGE CLAMP AND MANUFACTURING METHOD TEHREFOR例文帳に追加

電荷クランプを有するシールド式磁気抵抗ヘッド及びそれを製造する方法 - 特許庁

The magnetoresistive effect film 300 responds to a magnetic field applied from the outside.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜３００は、外部から印加される磁界に応答する。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND MAGNETIC DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

磁気抵抗効果素子とその製造方法、およびこれを用いた磁気デバイス - 特許庁