MAGNETORESISTIVEを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 1424件
GMR ELEMENT, MAGNETORESISTIVE EFFECT HEAD USING IT, AND METHOD OF MANUFACTURING THE HEAD例文帳に追加
GMR素子それを用いた磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, AND HEAD SUSPENSION ASSEMBLY例文帳に追加
磁気抵抗効果素子並びにこれを用いた磁気ヘッド及びヘッドサスペンションアセンブリ - 特許庁
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETORESISTIVE HEAD, MAGNETIC STORAGE DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加
磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ - 特許庁
MAGNETIC LAMINATED FILM, MAGNETIC RECORDING MEDIUM, MAGNETORESISTIVE EFFECT LAMINATED FILM AND MAGNETIC HEAD例文帳に追加
磁性積層膜、磁気記録媒体、磁気抵抗効果積層膜、及び磁気ヘッド - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT CONSTITUTED BY LAMINATING OXIDE MAGNETIC LAYER AND METALLIC MAGNETIC LAYER UPON ANOTHER例文帳に追加
酸化物磁性層と金属磁性膜を積層した磁気抵抗効果素子 - 特許庁
METHOD OF FORMING THIN FILM PATTERN AND METHOD OF FORMING MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT例文帳に追加
薄膜パターンの形成方法および磁気抵抗効果素子の形成方法 - 特許庁
The magnetoresistive element is supplied as a spin valve having a synthetic free layer.例文帳に追加
合成自由層を有するスピンバルブとして磁気抵抗素子を提供する。 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD, HEAD GIMBAL ASSEMBLY, AND HARD DISK DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置 - 特許庁
The memory cell includes a magnetoresistive sensor that comprises layers that include a free layer.例文帳に追加
メモリセルは、自由層を有する層を含む磁気抵抗センサを含んでいる。 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD, MAGNETIC HEAD DEVICE AND MAGNETIC DISK DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置 - 特許庁
As a result, the output of the CPP structure magnetoresistive element improves.例文帳に追加
その結果、CPP構造磁気抵抗効果素子の出力は向上する。 - 特許庁
To provide a practical magnetoresistive element superior in energy conversion efficiency.例文帳に追加
エネルギー変換効率に優れた実用的な磁気抵抗素子を提供する。 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETORESISTIVE EFFECT DEVICE AND THIN FILM MAGNETIC HEAD例文帳に追加
磁気抵抗効果装置の製造方法および薄膜磁気ヘッドの製造方法 - 特許庁
POWER SUPPLY CIRCUIT OF MAGNETORESISTIVE SENSOR, MAGNETIC DETECTION UNIT, AND POSITION DETECTION UNIT例文帳に追加
磁気抵抗センサの電源回路、磁気検出ユニット、及び位置検出ユニット - 特許庁
Between mutually adjoining magnetoresistive elements out of these magnetoresistive elements 31, 32, 33, mutually adjoining magneto-sensitive sections are connected with pieces of wire W12a, W12b, W23a, W23b.例文帳に追加
これらの磁気抵抗素子31,32,33のうち互いに隣接する磁気抵抗素子間で互いに隣接する感磁部同士がワイヤW12a,W12b,W23a,W23bで接続されている。 - 特許庁
The magnetoresistive effect element and magnetoresistive effect head can be provided which has higher GMR effect than usual by providing the back layer 7.例文帳に追加
バックレイヤ層7を設けることにより、従来よりもGMR効果が高い磁気抵抗効果型素子および磁気抵抗効果型ヘッドを提供することができる。 - 特許庁
An upper electrode electrically connected with the magnetoresistive film is formed on the magnetoresistive film left in the area where the reproduction element is to be disposed (k).例文帳に追加
(k)再生素子を配置すべき領域に残っている磁気抵抗効果膜の上に、該磁気抵抗効果膜と電気的に接続される上部電極を形成する。 - 特許庁
A magnetoresistive magnetic head 20 wherein the magnetoresistive element 24 is disposed between the pair of magnetic shielding layers 21 and 22 through the gap layer 23.例文帳に追加
一対の磁気シールド層21,22の間にギャップ層23を介して磁気抵抗効果素子24が配されてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッド20である。 - 特許庁
Disclosed is a ferromagnetic ceramic composition expressed by Sr_2Ca_xFe_yMoO_6, and advantageously used as the magnetoresistive elemental body 2 of a magnetoresistive element 1.例文帳に追加
磁気抵抗素子1の磁気抵抗素体2として有利に用いられるものであって、Sr_2Ca_xFe_yMoO_6で示される強磁性セラミック組成物。 - 特許庁
The magnetoresistive device 1 is provided with a pair of electrodes 3 and 4 to send a sense current in a direction vertical to the film surface of the spin valve type magnetoresistive film 2.例文帳に追加
磁気抵抗効果素子1はスピンバルブ型磁気抵抗効果膜2の膜面垂直方向にセンス電流を通電する一対の電極3、4を有する。 - 特許庁
The crystalline property of a magnetoresistive effect film 31 is improved by laminating the magnetoresistive effect film 31 to the side of a lower shield layer 24 than a soft magnetic layer 33.例文帳に追加
磁気抵抗効果膜31を軟磁性層33よりも下部シールド層24側に積層することで、磁気抵抗効果膜31の結晶性は向上する。 - 特許庁
To provide large magnetoresistive change when a current is made to flow in a direction vertical to the surface of each layer constituting a magnetoresistive effect element.例文帳に追加
磁気抵抗効果素子を構成する各層の面に対して垂直な方向に電流を流したときに大きな磁気抵抗変化を得ることができるようにする。 - 特許庁
The first magnetoresistive element and the second magnetoresistive element are arranged to form right angles.例文帳に追加
第1磁気抵抗素子と第2磁気抵抗素子が直角をなすように配置し、第3磁気抵抗素子と第4磁気抵抗素子が直角をなすように配置する。 - 特許庁
The magnetoresistive element 11 and the soft magnetic substances 12 in the sensor member are juxtaposed along the direction of the easy magnetization axis of the magnetoresistive element 11.例文帳に追加
センサ部材における磁気抵抗効果素子11及び軟磁性体12は、磁気抵抗効果素子11の磁化容易軸方向に沿って並設されている。 - 特許庁
To provide a method capable of manufacturing a magnetoresistive head with high yield by preventing the dielectric breakdown of a magnetoresistive element.例文帳に追加
磁気抵抗効果素子の静電破壊を防止することにより、歩留まりよく製造することができる磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT MAGNETIC SENSOR, MAGNETORESISTIVE EFFECT MAGNETIC HEAD, MAGNETIC REPRODUCING DEVICE, AND METHODS OF MANUFACTURING THE SENSOR AND HEAD例文帳に追加
磁気抵抗効果型磁気センサ、磁気抵抗効果型磁気ヘッド、磁気再生装置と、磁気抵抗効果型磁気センサおよび磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法 - 特許庁
This magnetoresistive effect magnetic head 20 is provided with a magnetoresistive effect element 24 disposed between a pair of magnetic shield layers 21 and 22 through a gap layer 23.例文帳に追加
一対の磁気シールド層21,22の間にギャップ層23を介して磁気抵抗効果素子24が配されてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッド20である。 - 特許庁
An MIS joined layered film constituted of a magnetic semiconductor, a magnetic metal layered film and a tunnel magnetoresistive element is applied to the three-terminal magnetoresistive element.例文帳に追加
3端子型磁気抵抗効果素子に磁性半導体と金属磁性積層膜とトンネル型磁気抵抗効果素子からなるMIS接合積層膜を適用する。 - 特許庁
To realize a highly efficient easy-to-produce tunnel magnetoresistive element exhibiting a high magnetoresistive effect using a complex high spin polarization material.例文帳に追加
複雑な高スピン分極材料を用いて、磁気抵抗効果の大きく、かつ容易に製造可能な高効率のトンネル磁気抵抗素子を実現すること。 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, MAGNETORESISTIVE ELEMENT ASSEMBLY, THIN FILM MAGNETIC HEAD, HEAD GIMBAL ASSEMBLY, HEAD ARM ASSEMBLY, AND MAGNETIC DISK DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果素子およびその製造方法、ならびに磁気抵抗効果素子集合体、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置 - 特許庁
To realize a magnetoresistive effect device which is reduced in resistance without causing damage to a magnetoresistive layer by an ion beam and manufactured at a low cost by reducing the manufacturing processes in number.例文帳に追加
磁気抵抗効果層にイオンビームダメージを与えることなく低抵抗化を実現するとともに、製造工程が少なくしてコストダウンを図る。 - 特許庁
To provide a magnetoresistive element for eliminating very high precision for manufacturing processes, even when a plurality of magnetoresistive body thin films are in use so as to enhance the flexibility of the layout of the magnetoresistive body thin films.例文帳に追加
複数個の磁気抵抗体薄膜を使用する場合でも、製造工程に極端に高い精度を必要とせず、磁気抵抗体薄膜のレイアウトの自由度を向上させることのできる磁気抵抗素子を提供すること。 - 特許庁
To provide a magnetoresistive element, a magnetoresistive head, a magnetoresistive conversion system, and a magnetic recording system, wherein a sense current is prevented from flowing to a vertical bias layer, noise is little in a reproduction waveform, and an S/N ratio and a bit error rate are execellent.例文帳に追加
センス電流が縦バイアス層に流れることを防止し、再生波形のノイズが少なく、(S/N)比及びビットエラーレートが良好な磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気抵抗変換システム及び磁気記録システムを提供する。 - 特許庁
To provide a yoke type magnetoresistive effect head capable of suppressing Barkhausen noise by the shape of a magnetoresistive effect element with a high aspect ratio, capable of introducing a large amount of magnetic fluxes to the magnetoresistive effect element and having the satisfied reproduction efficiency.例文帳に追加
磁気抵抗効果素子に大きな磁束を誘導できて、良好な再生効率を有すると共に、高アスペクト比の磁気抵抗効果素子形状によりバルクハウゼンノイズを抑制するヨーク型磁気抵抗効果ヘッドを提供する。 - 特許庁
To provide: a magnetoresistive element structure that prevents characteristic deterioration of a magnetoresistive element due to heat etc., generated by heating or current injection during element manufacture; a magnetic random access memory using the magnetoresistive element structure; and a spatial light modulator using the magnetoresistive element structure.例文帳に追加
素子作製時の加熱や、電流注入によって生じる熱等による磁気抵抗効果素子の特性劣化を防止することができる磁気抵抗効果素子構造体、この磁気抵抗効果素子構造体を用いた磁気ランダムアクセスメモリ、この磁気抵抗効果素子構造体を用いた空間光変調器を提供する。 - 特許庁
Each first conductor is connected to a data layer of a column of the first magnetoresistive elements, each second conductor is connected to a data layer of a column of the second magnetoresistive elements, and each third conductor is arranged between a reference layer of a row of the first magnetoresistive elements and a reference layer of a row of the second magnetoresistive elements.例文帳に追加
各第1の導体は第1の磁気抵抗素子の列のデータ層に接続され、各第2の導体は第2の磁気抵抗素子の列のデータ層に接続され、各第3の導体は第1の磁気抵抗素子の行の基準層と第2の磁気抵抗素子の行の基準層との間に配置される。 - 特許庁
The second plurality of nonvolatile magnetoresistive elements 12 are connected in series.例文帳に追加
第2の複数の不揮発性磁気抵抗エレメントは直列に接続されている。 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT HEAD, ITS MANUFACTURING METHOD AND MAGNETIC RECORDING/REPRODUCING DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法、並びに磁気記録再生装置 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING MAGNETORESISTIVE EFFECT SENSOR AND METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM MAGNETIC HEAD例文帳に追加
磁気抵抗効果センサの製造方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 - 特許庁
MOTOR CONTROLLER USING VARIABLE MAGNETORESISTIVE POSITION DETECTOR AND TEMPERATURE SENSITIVE SWITCH例文帳に追加
可変磁気抵抗形位置検出器と感温スイッチを用いるモータ制御装置 - 特許庁
An interlayer insulating film 40 is formed covering the magnetoresistive element 51.例文帳に追加
磁気抵抗素子51を覆うように、層間絶縁膜40が形成されている。 - 特許庁
READING METHOD FOR MAGNETORESISTIVE ELEMENT HAVING MAGNETICALLY SOFT REFERENCE LAYER例文帳に追加
磁気的に軟らかい基準層を有する磁気抵抗素子のための読出し方法 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD PROVIDED WITH THIS ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
磁気抵抗効果素子、該素子を備えた薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - 特許庁
The magnetoresistive sensor is a trilayer stack positioned between two electrodes.例文帳に追加
磁気抵抗読取センサは、2つの電極の間に配置された3層スタックである。 - 特許庁
CPP STRUCTURE MAGNETORESISTIVE ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND STORAGE APPARATUS例文帳に追加
CPP構造磁気抵抗効果素子およびその製造方法並びに記憶装置 - 特許庁
SPIN VALVE(SV) MAGNETORESISTIVE SENSOR, MAGNETIC READING/ WRITING HEAD AND DISK DRIVE SYSTEM例文帳に追加
スピン・バルブ(SV)磁気抵抗センサ、磁気読取り/書込みヘッドおよびディスク・ドライブ・システム - 特許庁
METHOD FOR ETCHING PROCESSING OF MAGNETIC MATERIAL, MAGNETORESISTIVE EFFECT FILM, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
磁性体のエッチング加工方法、磁気抵抗効果膜、および磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
磁気抵抗効果素子および磁気メモリデバイスならびに磁気メモリデバイスの製造方法 - 特許庁
METHOD FOR SWITCHING MAGNETIC MOMENT IN MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS WITH LOW CURRENT例文帳に追加
低電流を有する磁気抵抗ランダムアクセスにおける磁気モーメントの切換え方法 - 特許庁
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