「MAGNETORESISTIVE」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

MAGNETORESISTIVE ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND MAGNETIC MULTILAYER FILM MANUFACTURING APPARATUS例文帳に追加

磁気抵抗素子、磁気抵抗素子の製造方法及び磁性多層膜作成装置 - 特許庁

Magnetoresistive head puts 3 gigabits on a square inch. 例文帳に追加

磁気抵抗ヘッドは１平方インチ当たり３ギガビットも置く(の記録密度を達成する). - コンピューター用語辞典

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, MAGNETIC HEAD AND MAGNETIC REPRODUCING DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気ヘッド並びに磁気再生装置 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, MAGNETIC REPRODUCING DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気再生素子並びに磁気メモリ - 特許庁

PRODUCTION OF SPIN VALVE FILM AND PRODUCTION OF MAGNETORESISTIVE MAGNETIC HEAD例文帳に追加

スピンバルブ膜の製造方法及び磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法 - 特許庁

To provide a technique which further improves thermal stability of a magnetoresistive element, by preventing interdiffusion among conductors (for example, vias and interconnects) for electrically connecting the magnetoresistive element to other element and layers constituting the magnetoresistive element.例文帳に追加

磁気抵抗素子を他の素子に電気的に接続する導体（例えば，ビア及び配線）と，磁気抵抗素子を構成する層との間の相互拡散を防止することにより，磁気抵抗素子の熱的安定性を，一層に向上する技術を提供する。 - 特許庁

In a magnetoresistive element comprising a substrate, a backing layer formed on the substrate, and a magnetoresistive structure formed on the backing layer, a diffusion prevention layer formed between the backing layer and the magnetoresistive structure is provided.例文帳に追加

基板、該基板上に形成された下地層及び該下地層上に形成された磁気抵抗構造体を備える磁気抵抗素子において、下地層及び磁気抵抗構造体間に形成された拡散防止層を備える磁気抵抗素子である。 - 特許庁

To prevent the output of a magnetoresistive element from being deteriorated when the track width is narrowed in this magnetoresistive magnetic head, where the direction of a sense current flowing in the magnetoresistive element is made nearly perpendicular, with respect to the intra-surface direction of a magnetic recording medium.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子に流れるセンス電流の方向が磁気記録媒体の面内方向に対して略垂直となる磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、トラック幅を狭くした際の磁気抵抗効果素子の出力低下を防ぐ。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect element, a magnetoresistive effect head, a magnetoresistive conversion system, and a magnetic recording system, wherein a sense current is prevented from flowing to a vertical bias layer, noise is little in a reproduction waveform, and a S/N ratio and a bit error rate are execellent.例文帳に追加

センス電流が縦バイアス層に流れることを防止し、再生波形のノイズが少なく、（Ｓ／Ｎ）比及びビットエラーレートが良好な磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気抵抗変換システム及び磁気記録システムを提供する。 - 特許庁

A thermal conductor member arranged being connected to the magnetoresistive element is formed of a material having a thermal conductivity higher than 20W/(m K), and the heat generated when the magnetoresistive element is used, is efficiently radiated to suppress the temperature around the magnetoresistive element.例文帳に追加

磁気抵抗素子に接続して配される熱伝導部材を、熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋよりも高い材質で形成して、磁気抵抗素子を使用したときに発生する熱を効率よく放熱して磁気抵抗素子周辺の温度を抑制する。 - 特許庁

CPP TYPE GIANT MAGNETORESISTIVE ELEMENT, AND MAGNETIC COMPONENT AND MAGNETIC DEVICE USING IT例文帳に追加

ＣＰＰ型巨大磁気抵抗素子及びそれを用いた磁気部品並びに磁気装置 - 特許庁

To provide a bottom spin valve magnetoresistive effect sensor element having a higher magnetoresistive effect ratio and lower resistance as compared with a conventional one, and its manufacturing method.例文帳に追加

従来のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子よりも高磁気抵抗効果比および低抵抗のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor magnetoresistive element 18 is connected, in series with the constant current circuit 12.例文帳に追加

定電流回路１２に直列に、半導体磁気抵抗素子１８を接続する。 - 特許庁

Wirings 71 and 72 which are so formed as to surround magnetoresistive effect elements 41 and 42 from three directions effectively apply vertical magnetic fields to the magnetoresistive effect elements 41 and 42.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子４１，４２を３方向から囲むように配置された配線７１，７２が、磁気抵抗効果素子４１，４２に効果的に垂直磁場を印加する。 - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTIVE ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, MAGNETIC MEMORY DEVICE, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

トンネル磁気抵抗素子とその製造方法および磁気メモリ装置とその製造方法 - 特許庁

YOKE TYPE MAGNETORESISTIVE HEAD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ヨークタイプ磁気抵抗効果型ヘッド及びヨークタイプ磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD, MAGNETIC HEAD DEVICE, AND MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置 - 特許庁

To improve the stability of the property of a magnetoresistive effect element under a high-temperature environment by reducing the variation of the resistance value of the magnetoresistive effect element before and after it is placed in the high-temperature environment.例文帳に追加

高温環境下に置かれてもその前後での磁気抵抗効果素子の抵抗値の変化を低減し、高温環境に対する特性の安定性を高める。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETORESISTIVE HEAD, MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記録再生装置および磁気メモリ - 特許庁

To provide a read head having one or more magnetoresistive (MR) sensors (or elements).例文帳に追加

１つ以上の磁気抵抗（ＭＲ）センサ（または素子）を有する読取ヘッドを設ける。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, MAGNETIC MEMORY DEVICE, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

磁気抵抗効果素子とその製造方法、および磁気メモリ装置とその製造方法 - 特許庁

Of the plurality of magnetoresistive effect elements, two magnetoresistive effect elements positioned closest to each other when viewed from above are separated from the substrate at different distances.例文帳に追加

そして、前記複数個の磁気抵抗効果素子のうち、上方から見て互いに最も近い位置にある２個の磁気抵抗効果素子は、前記基板からの距離が相互に異なる。 - 特許庁

The magnetoresistive structure including a magnetoresistive element having the first antiferromagnetic layer AFM1 is formed, then subjected to a first annealing process under a strong magnetic field at high temperature.例文帳に追加

第１の反強磁性層ＡＦＭ１を有する磁気抵抗素子を含む磁気抵抗構造を形成したのち、強磁界下で高温で第１のアニール工程を行う。 - 特許庁

A bit line BL is coupled electrically to each of the tunnel magnetoresistive elements TMR0T-MR3 and arranged at an upper side of the tunnel magnetoresistive elements TMR0T-MR3.例文帳に追加

ビット線ＢＬは、トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲ０〜ＴＭＲ３とそれぞれ電気的に結合され、トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲ０〜ＴＭＲ３の上層側に配置される。 - 特許庁

A tunnel junction magnetoresistive element having a high MR ratio can be prepared.例文帳に追加

ＭＲ比の大きいトンネル接合磁気抵抗効果素子を作成することができる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory device with a magnetoresistive element wherein inversion magnetic filed in a memory layer is small, and which consists of a magnetoresistive element of high uniaxial magnetic anisotropy.例文帳に追加

記録層における反転磁界が小さく、かつ、一軸磁気異方性が高い磁気抵抗素子からなる磁気抵抗素子を備える不揮発性記憶装置を提供する。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE ELEMENT INCLUDING A PAIR OF FREE LAYERS COUPLED TO A PAIR OF SHIELD LAYERS例文帳に追加

一対のシールド層に結合する一対の自由層を有する磁気抵抗効果素子 - 特許庁

Thus, the resistance of the entire element is reduced while good magnetoresistive effective characteristics is assured, resulting in improved regenerative characteristics of the magnetoresistive effect element.例文帳に追加

したがって、良好な磁気抵抗効果特性を確保しつつ素子全体の抵抗を減少させ、磁気抵抗効果素子の再生特性を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive element which has larger magnetic sensitivity and its ferromagnetic material as to a magnetoresistive material laminated having a nonmagnetic layer sandwiched between ferromagnetic layers.例文帳に追加

非磁性層を強磁性層が挟んで積層される磁気抵抗材料において、より大きな感磁率を有する磁気抵抗素子とその強磁性材料を提供する。 - 特許庁

To provide a suitable architecture for reliable write, read and erase of magnetoresistive memory cells in a memory cell structure (namely, magnetoresistive memory).例文帳に追加

メモリセルの構造物（すなわち、磁気抵抗メモリ）内の磁気抵抗メモリセルの信頼できる書込み、読み出し、および消去のための適切なアーキテクチャを提供することである。 - 特許庁

The magnetoresistive reproducing element is arranged between the first and the second primary shields, and the auxiliary shield is arranged between the magnetoresistive reproducing element and the first primary shield.例文帳に追加

磁気抵抗再生素子は、第１のおよび第２の主シールドの間に配置され、補助シールドは、磁気抵抗再生素子と第１の主シールドとの間に配置される。 - 特許庁

Furthermore, a connection electrode 22 is provided to each end of the magnetoresistive effect layer 18.例文帳に追加

さらに、磁気抵抗効果層１８の両端部に、接続電極２２を形成する。 - 特許庁

The four giant magnetoresistive elements 2, 3, 4 and 5 are mounted on a planar surface of the substrate 1.例文帳に追加

基板１の平坦面に、４個の巨大磁気抵抗素子２、３、４、５を設ける。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECTIVE ELEMENT, AND MAGNETIC HEAD AND MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE USING SAME例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、及びこれを用いた磁気ヘッド及び磁気記録再生装置 - 特許庁

The first upper electrode UEL1 is arranged on the magnetoresistive element MRD in the same size in a plan view substantially with the magnetoresistive element MRD.例文帳に追加

第１上部電極ＵＥＬ１は、上記磁気抵抗素子ＭＲＤ上に、平面視における大きさが磁気抵抗素子ＭＲＤと実質的に同じであるものが配置されている。 - 特許庁

SPIN VALVED MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND ITS MANUFACTURE, AND MAGNETIC HEAD USING THE ELEMENT例文帳に追加

スピンバルブ磁気抵抗効果型素子とその製造法、及びこの素子を用いた磁気ヘッド - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND ITS FABRICATING METHOD AND METHOD FOR FORMING COMPOUND MAGNETIC THIN FILM例文帳に追加

磁気抵抗素子とその製造方法、および化合物磁性薄膜の形成方法 - 特許庁

MAGNETOMETRIC SENSOR USING HUGE MAGNETORESISTIVE ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD OF MAGNETOMETRIC SENSOR例文帳に追加

巨大磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサ及び同磁気センサの製造方法 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, ITS MANUFACTURING APPARATUS AND MAGNETIC PLAYBACK APPARATUS例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、その製造方法及び製造装置並びに磁気再生装置 - 特許庁

A tunnel magnetoresistive effect element using this magnetic thin film and a giant magnetoresistive effect element can provide large TMR and GMR in a low magnetic field in the room temperature.例文帳に追加

この磁性薄膜を用いたトンネル磁気抵抗効果素子及び巨大磁気抵抗効果素子は、室温において、低磁界で大きなＴＭＲとＧＭＲが得られる。 - 特許庁

CURRENT-PERPENDICULAR-TO-THE-PLANE (CPP) MAGNETORESISTIVE (MR) SENSOR WITH IMPROVED INSULATION STRUCTURE例文帳に追加

絶縁構造を改良した平面垂直通電型（ＣＰＰ）磁気抵抗（ＭＲ）センサ - 特許庁

The lower magnetic shield film, a first insulated film and a magnetoresistive effect sensor film are formed on a substrate and the magnetoresistive effect sensor film and first insulated film exclusive of the magnetically sensitive region are partly removed.例文帳に追加

基板上に下部磁金シールド膜、第１の絶縁膜、磁気抵抗センサ膜を形成し、感磁部領域外の磁気抵抗センサ膜、第１の絶縁膜の一部を除去する。 - 特許庁

To provide a switched connection film which is thermally stable and has large MR ratio, and a manufacturing method of a magnetoresistive effect element, a magnetoresistive effect head and a switched connection film.例文帳に追加

熱的に安定で、ＭＲ比が大きい交換結合膜、磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッドおよび交換結合膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

One memory cell 1 comprises an access transistor 2 and a magnetoresistive element 3.例文帳に追加

１つのメモリセル１は、アクセストランジスタ２と磁気抵抗効果素子３とから構成される。 - 特許庁

To provide the magnetic thin film structure of a magnetoresistive effect element in which the magnetization direction of a pin layer formed at the magnetoresistive effect element can be fixed more surely.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子に設けられるピン層の磁化方向をより確実に固定することができる磁気抵抗効果素子の磁性薄膜構造を提供する。 - 特許庁