「MAGNETORESISTIVE」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE WITH SMALL-ANGLE TOGGLE WRITE LINES, ARRAY THEREOF, AND SWITCHING METHOD THEREOF例文帳に追加

微小角度トグル書き込み線を有する磁気抵抗ランダムアクセスメモリデバイス、そのアレイ及びそのスイッチング方法 - 特許庁

CURRENT-PERPENDICULAR-TO-PLANE (CPP) MAGNETORESISTIVE SENSOR WITH ANTIPARALLEL-FREE LAYER STRUCTURE AND LOW CURRENT-INDUCED NOISE例文帳に追加

反平行フリー層構造および低電流誘起ノイズの面直電流型（ＣＰＰ）磁気抵抗センサ - 特許庁

To provide a yoke type magnetoresistive head having excellent reproducing efficiency and to provide a method for manufacturing the head.例文帳に追加

良好な再生効率を有するヨーク型磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The pin layer 13 and the free layer 15 are arranged orthogonally so as to form a reference magnetoresistive state.例文帳に追加

ピン層（１３）と自由層（１５）は、基準磁気抵抗状態を形成するように直交配置される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a magnetic head which realizes a narrow core width and a narrow gap of a magnetoresistive effect element.例文帳に追加

磁気ヘッドの製造方法に関し、磁気抵抗効果素子の狭コア幅化と狭ギャップ化を実現する。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD, THIN FILM MAGNETIC HEAD, HEAD GIMBAL ASSEMBLY, AND HARD DISK DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果装置およびその製造方法、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリならびにハードディスク装置 - 特許庁

Each part of the first electrode 4A and the second electrode 4B overlaps the magnetoresistive element 2.例文帳に追加

第１の電極４Ａ、第２の電極４のそれぞれの一部は磁気抵抗効果素子２に重なり合う。 - 特許庁

FERROMAGNETIC STRUCTURE, SPIN VALVE STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

強磁性構造、スピンバルブ構造およびその製造方法、磁気抵抗効果素子およびその製造方法 - 特許庁

PSEUDO-TERNARY SYSTEM INTERMETALLIC COMPOUND EXHIBITING HUGE MAGNETORESISTIVE EFFECT AND MAGNETIC SENSOR USING THAT COMPOUND例文帳に追加

巨大磁気抵抗効果を有する擬３元系金属間化合物とこの化合物を使用した磁気センサー - 特許庁

Additionally, the tunnel barrier layer requiring crystallinity can have favorable magnetoresistive characteristics.例文帳に追加

さらに、結晶性を必要とするトンネルバリア層においても良好な磁気抵抗特性を得ることができる。 - 特許庁

FERROMAGNETIC OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, ITS PRODUCTION METHOD, AND SPIN TUNNEL MAGNETORESISTIVE ELEMENT USING THIS例文帳に追加

強磁性酸化物半導体薄膜及びその製造方法並びにこれを用いたスピントンネル磁気抵抗素子 - 特許庁

The a magnetoresistive element sensor 16 is arranged at a midpoint between the magnet 14A and the magnet 14B.例文帳に追加

磁気抵抗素子センサ１６は、マグネット１４Ａとマグネット１４Ｂとの中間位置に配置されている。 - 特許庁

In the tunnel magnetoresistive effect element, the insulating layer 12 formed on a substrate 11 is formed integrally with the insulating barrier layer 20.例文帳に追加

基板１１上に形成された絶縁層１２が絶縁障壁層２０と同一体となっている。 - 特許庁

To provide a thin-film head for a tape driver capable of protecting a GMR (Giant Magnetoresistive) element from corrosion.例文帳に追加

腐食からＧＭＲ素子を保護することのできる、テープ駆動装置用の薄膜ヘッドを提供する。 - 特許庁

To provide a fault tolerant magnetoresistive solid-state storage device having tolerance for at least some faults.例文帳に追加

少なくとも幾つかの障害に対する耐性を有する磁気抵抗固体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT SENSOR, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, MAGNETIC RESISTANCE DETECTING SYSTEM AND MAGNETIC STORAGE SYSTEM例文帳に追加

磁気抵抗効果センサ、磁気抵抗効果センサの製造方法、磁気抵抗検出システム、および磁気記憶システム - 特許庁

To provide a magnetic shield that is capable of protecting a magnetoresistive (MR) element from unwanted magnetic flux.例文帳に追加

望ましくない磁束から磁気抵抗（ＭＲ）素子を保護することができる磁気シールドを提供する。 - 特許庁

CPP MAGNETORESISTIVE ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND MAGNETIC STORAGE DEVICE PROVIDED THEREWITH例文帳に追加

ＣＰＰ磁気抵抗効果素子及びその製造方法、ＣＰＰ磁気抵抗効果素子を備えた磁気記憶装置 - 特許庁

In the magnetoresistive element produced, an absolute value of the current required for changing a magnetizing direction of at least one element among the magnetoresistive elements provided in both sides becomes larger than the absolute value of the current required for changing the magnetizing direction of the center magnetoresistive element 48.例文帳に追加

両端の磁気抵抗効果素子のうちすくなくとも一つの磁気抵抗効果素子の磁化方向を変化させるのに必要な電流の絶対値が、中央の磁気抵抗効果素子４８の磁化方向を変化させるのに必要な電流の絶対値より大きくなるような磁気抵抗効果素子を作製する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the shielding type MR element provided with a magnetoresistive film comprising a free layer/a non-magnetic layer (barrier layer)/a fixed layer, after a vertical layer is formed on a lower electrode to be patterned and the magnetoresistive film is layered thereon to be patterned, an insulating layer is formed in the periphery of the magnetoresistive film pattern.例文帳に追加

フリー層／非磁性層（バリア層）／固定層を含む磁気抵抗効果膜を備えたシールド型ＭＲ素子の製造方法において、下電極上に縦バイアス層を形成してパターン化すると共に、磁気抵抗効果膜を積層してパターン化した後、磁気抵抗効果膜パターンの周囲に絶縁層を形成する。 - 特許庁

Along with linearly arranging the plurality of magnetoresistive elements 31-33 like this, a range stretching over by a half of two magnetoresistive elements adjoining in their arrangement direction is constituted as one magnetic detection channel, and parts between magneto-sensitive sections adjoining in the magnetoresistive elements are constituted as boundaries of magnetic detection channels.例文帳に追加

このように複数の磁気抵抗素子３１〜３３が直線状に配列されるとともに、その配列方向に隣接する２つ磁気抵抗素子の１／２ずつにまたがる範囲が１つの磁気検出チャンネルとして構成され、且つ磁気抵抗素子内で隣接する感磁部間が、磁気検出チャンネルの境界として構成されている。 - 特許庁

On the flat surface of a thick film formed on a substrate 1, four giant magnetoresistive elements 2a-2d constituting an X-axis sensor and four giant magnetoresistive elements 3e-3h constituting a Y-axis sensor are arranged.例文帳に追加

基板１上に形成された厚膜の平坦面に、Ｘ軸センサを構成する４個の巨大磁気抵抗素子素子２ａ〜２ｄとＹ軸センサを構成する４個の巨大磁気抵抗素子素子３ｅ〜３ｈを配置する。 - 特許庁

A magnetic detection part 10 includes a first series circuit 101, including a magnetoresistive element MR1 and a resistive element R1, and a second series circuit 102 including a magnetoresistive element MR2 and a resistive element R2.例文帳に追加

磁気検出部１０は、磁気抵抗素子ＭＲ１と抵抗素子Ｒ１とからなる第１直列回路１０１と、磁気抵抗素子ＭＲ２と抵抗素子Ｒ２とからなる第２直列回路１０２とを備える。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive element capable of preventing surely peeling of a flexible substrate from an element substrate, and measuring accurately detection of a moving origin position of a movable detection object by a Z-phase magnetoresistive pattern.例文帳に追加

素子基板からの可撓性基板の剥がれを確実に防止でき、さらには、Ｚ相磁気抵抗パターンによる可動被検出体の移動原点位置の検出を精度よく測定可能な磁気抵抗素子を提供すること。 - 特許庁

The dummy cell 200 has the tunnel magnetoresistive element TMR and the access transistor ATR, and a similarly composed dummy access component ATRd and a dummy magnetoresistive element TMRd, and a dummy resistance adding part 205.例文帳に追加

ダミーセル２００は、トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲおよびアクセストランジスタＡＴＲとそれぞれ同様に構成されたダミーアクセス素子ＡＴＲｄおよびダミー磁気抵抗素子ＴＭＲｄと、ダミー抵抗付加部２０５とを含む。 - 特許庁

To enhance a soft magnetic characteristics of a soft magnetic layer and to enhance output of a head, in a thin film magnetic head provided with a magnetoresistive element and the soft magnetic layer for introducing signal magnetic flux to the magnetoresistive element.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子に信号磁束を導くための軟磁性層とを備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、軟磁性層の軟磁気特性を向上させて、ヘッドの出力を向上させる。 - 特許庁

In addition, the side of the resistive pattern, constituting the giant magnetoresistive element, is tapered so that it forms an angle not smaller than 40° and not larger than 65°, with respect to the surface of the substrate supporting the giant magnetoresistive element.例文帳に追加

また、巨大磁気抵抗素子となる抵抗パターンの側面がこの巨大磁気抵抗素子を保持するための基板の表面に対して４０°以上でかつ６５°以下となるテーパーを形成したことも特徴とする。 - 特許庁

To provide a temperature sensor and a magnetoresistive element capable of detecting temperature by using the temperature characteristics of magnetoresistive elements even under the environment where the magnetic vector is varying regardless of its magnitude.例文帳に追加

磁気ベクトルが変化する環境下にあっても、磁気ベクトルの大きさにかかわらず、磁気抵抗素子の温度特性を利用しての温度検出を可能とする温度センサおよび磁気抵抗素子を用いたセンサを提供する。 - 特許庁

A first magnetic circuit for effectively applying a magnetic field from the first wiring to the second magnetoresistive element is extended on the side of the first wiring, and has a notch between the first and second magnetoresistive elements.例文帳に追加

第１配線からの磁界を第１、第２磁気抵抗素子に効果的に印加するための第１磁気回路は、第１配線の側面に延在し、且つ第１、第２磁気抵抗素子の間に切り欠き部を有する。 - 特許庁

The CPP type magnetoresistive element supplies a current to a magnetoresistive film 61 arranged between a lower shielding layer 43 and an upper shielding layer 44 through the lower shielding layer 43 and the upper shielding layer 44.例文帳に追加

ＣＰＰ型磁気抵抗効果素子は、下部シールド層４３および上部シールド層４４の間に配置される磁気抵抗効果膜６１に下部シールド層４３および上部シールド層４４を通じて電流を供給する。 - 特許庁

High resolution and high manufacturing stability can be achieved without spoiling GMR effect by manufacturing the differential magnetoresistive magnetic head of one element type using this magnetoresistive laminated film 10.例文帳に追加

この磁気抵抗効果積層膜10を用いた１素子型の差動磁気抵抗効果型磁気ヘッドを作製することによって、GMR効果を損なうことなく、高い分解能と高い製造安定性を実現することが可能になる。 - 特許庁

A method of manufacturing a magnetic memory device has a process for forming the magnetoresistive element 12 used as a memory cell, and a process for forming an SiN protection insulating film 39 for covering the magnetoresistive element 12.例文帳に追加

本発明による磁気メモリ装置の製造方法は、メモリセルとして使用される磁気抵抗素子１２を形成する工程と、磁気抵抗素子１２を被覆するＳｉＮ保護絶縁膜３９を形成する工程とを具備する。 - 特許庁

Each magnetoresistive element 31 to 34 is covered with a protective film (inter-layer insulating film 40 and passivation film 60).例文帳に追加

磁気抵抗素子３１〜３４の各々は、保護膜（層間絶縁膜４０、パッシベーション膜６０）により覆われている。 - 特許庁

The exchange-coupled structure 110 may be located either below or above the nonmagnetic spacer layer 120 in the magnetoresistive device.例文帳に追加

交換結合構造１１０は磁気抵抗素子の非磁性スペーサ層１２０の上か下に設けられている。 - 特許庁

To provide a high-quality magnetoresistive thin film by using a method for controlling self bias of a high-frequency sputtering device.例文帳に追加

高周波スパッタリング装置の自己バイアスを制御する手法により高品質の磁気抵抗薄膜を提供する。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, MAGNETORESISTANCE DETECTION SYSTEM, AND MAGNETIC RECORDING SYSTEM例文帳に追加

磁気抵抗効果素子と磁気抵抗効果素子の製造方法および磁気抵抗検出システムならびに磁気記録システム - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MANUFACTURING METHOD OF THIN FILM MAGNETIC HEAD AND FORMING METHOD OF THIN FILM PATTERN例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の製造方法および薄膜磁気ヘッドの製造方法ならびに薄膜パターン形成方法 - 特許庁

To provide temperature compensation for a magnetoresistive sensor which detects change in external magnetic field using as magnetic tunnel effect element.例文帳に追加

磁気トンネル効果素子を用いて外部磁界の変化を検出する磁気抵抗センサにおいて温度補償を図る。 - 特許庁

To provide a high-output ferromagnetic tunneling magnetoresistive effect film which has a magnetoresistance ratio small in bias dependency.例文帳に追加

高出力且つ磁気抵抗比のバイアス依存性の小さい強磁性トンネル型磁気抵効果膜を提供する。 - 特許庁

To provide a device which can analyze the reproducing state of a magnetoresistive effect head for a magnetic tape.例文帳に追加

磁気抵抗効果型ヘッドによる磁気テープの再生状態を分析することができる装置を提供する。 - 特許庁

A third non-magnetic layer 6 formed by being brought in contact with a magnetoresistive element 7 is formed by a diamond film.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子７に接して形成された第３の非磁性層６をダイヤモンド膜により形成する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive sensor having a high operating temperature limit and hardly having the asymmetry of a signal response.例文帳に追加

作動温度限界が高く且つ信号応答の非対称性が殆ど無い磁気抵抗センサを提供する。 - 特許庁

On the interlayer insulating film 40, a bit line 41 is formed which is electrically connected to the magnetoresistive element.例文帳に追加

その層間絶縁膜４０に、磁気抵抗素子に電気的に接続されるビット線４１が形成されている。 - 特許庁

Tunnel magnetoresistive elements TMR0T-MR3 are arranged at an upper layer side of digit lines DL<0>-DL<3>.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲ０〜ＴＭＲ３は、デジット線ＤＬ＜０＞〜ＤＬ＜３＞の上層側に配置される。 - 特許庁

To provide a method and apparatus of manufacturing a magnetoresistive effect element having a high MR ratio even at a low RA.例文帳に追加

低ＲＡでも高ＭＲ比を有する磁気抵抗効果素子の製造方法及び製造装置を提供する。 - 特許庁