「MAGNETORESISTIVE」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a current-perpendicular-to-plane (CPP) magnetoresistive read head having a plurality of sensor elements for patterned mediums.例文帳に追加

パターンド媒体用の複数の検出素子を有する面垂直電流（ＣＰＰ）型磁気抵抗読取ヘッドを提供する。 - 特許庁

To obtain a CPP giant magnetoresistive head capable of reducing the noise and Joule heat caused by an AMR effect of a shield layer.例文帳に追加

シールド層のＡＭＲ効果によるノイズとジュール熱を低減可能なＣＰＰ型巨大磁気抵抗効果ヘッドを得る。 - 特許庁

To prevent corrosion, etc., on a medium slide contact surface of a magnetoresistive effect magnetic head sliding in contact with a magnetic tape.例文帳に追加

磁気テープと摺接される磁気抵抗効果型磁気ヘッドの媒体摺接面に腐食等が発生することを防止する。 - 特許庁

The section 31a (32a-32b) to heat-treat is provided so that the section 31a is branched from the magnetoresistive element 31 (32-34).例文帳に追加

被熱処理部３１ａ（３２ａ〜３４ａ）は、磁気抵抗素子３１（３２〜３４）から枝分かれするように設けられている。 - 特許庁

To provide a ferromagnetic ceramic composition which can obtain a high magnetoresistive change rate even under minute magnetic field application.例文帳に追加

微小な磁場の印加でも、高い磁気抵抗変化率を得ることができる、強磁性セラミック組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive element with a large thermal agitation resistance in which spin injection flux reversal writing is possible with a low current.例文帳に追加

熱擾乱耐性が大きく、低電流でスピン注入磁化反転書き込みが可能な磁気抵抗素子を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic thin film having a large ratio of spin polarization, and a magnetoresistive effect element using the same, and a magnetic device thereof.例文帳に追加

スピン分極率の大きい磁性薄膜及びそれを用いた磁気抵抗効果素子並びに磁気デバイスを提供する。 - 特許庁

A tunnel magnetoresistive device TMR constituting a MTJ memory cell is connected between a bit line BL and a strap SL.例文帳に追加

ＭＴＪメモリセルを構成するトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲは、ビット線ＢＬとストラップＳＬとの間に接続される。 - 特許庁

In addition, a high-density magnetic head and a large-capacity high-speed magnetic memory (MRAM) can be realized by using the magnetoresistive effect element.例文帳に追加

さらにこのMR素子を用いることにより高密度磁気ヘッドおよび大容量・高速磁気メモリ（MRAM）の実現が可能となる。 - 特許庁

Therefore, the antiferromagnetic layer 32 does has no resistance to the sense current, but has a high magnetoresistive effect variation rate.例文帳に追加

このため、反強磁性層３２はセンス電流の抵抗とはならず、高い磁気抵抗変化率を得ることができる。 - 特許庁

Then the spin tunnel magnetoresistive effect film 110 is subjected to plasma etching by using the mixed gas of a carbon monoxide gas and an ammonia gas.例文帳に追加

スピントンネル磁気抵抗効果膜１１０を、一酸化炭素ガスとアンモニアガスとの混合ガスを用いてプラズマエッチングする。 - 特許庁

To obtain a magnetoresistive effect memory element in which good characteristics can be attained even in a multilayer film structure.例文帳に追加

磁気抵抗効果型の記憶素子において、多層膜構造中においても良好な特性が得られるようにする。 - 特許庁

The magnetoresistive effect is negative at the temperature up to at least 298 K to an external magnetic field to one tesla.例文帳に追加

その磁気抵抗効果が、１テスラまでの外部磁場に対して、すくなくとも２９８Ｋまでの温度で負であることとした。 - 特許庁

In this magnetoresistive element, a molecule whose oxidation reduction is possible with electronic spin is arranged on a substrate.例文帳に追加

本発明にかかる磁気抵抗素子は、酸化還元が可能で電子スピンを有する分子が、基板上に配置されている。 - 特許庁

To provide a spin valve structure, a magnetoresistive effect element, and a thin-film magnetic head which improve regenerative characteristics.例文帳に追加

再生特性を向上させることが可能なスピンバルブ構造，磁気抵抗効果素子および薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

The magnetoelectric conversion elements 16, each comprising a substrate 18 and a semiconductor magnetoresistive pattern 20, are loaded on the insulating coating 14.例文帳に追加

絶縁皮膜１４上に、基板１８と半導体磁気抵抗パターン２０とからなる磁電変換素子１６を搭載する。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, THIN FILM MAGNETIC HEAD, HEAD JIMBAL ASSEMBLY, HEAD ARM ASSEMBLY AND MAGNETIC DISK DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果装置およびその製造方法、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置 - 特許庁

To provide a ferromagnetic tunnel magnetoresistive element of higher magnetoresistive effect by merely changing a film thickness to raise a spin polarization degree, with out changing the chemical composition of an existing material which is superior in magnetic characteristics.例文帳に追加

既存の磁気特性の優れた物質の化学的組成を変えることなく、その膜厚のみを変化させることにより、スピン偏極度を増大させ、より大きな磁気抵抗効果を得ることができる強磁性トンネル磁気抵抗素子を提供する。 - 特許庁

To provide a high output magnetoresistive sensor by suppressing the generation of a lift-off residue of a resist mask and a fence and facilitating the removal of a reattachment attached to the track width direction side wall face or the element height direction side wall face of a magnetoresistive effect film.例文帳に追加

レジストマスクのリフトオフ残りやフェンスの発生を抑え、磁気抵抗効果膜のトラック幅方向側壁面又は素子高さ方向側壁面に付着した再付着物の除去を容易にすることにより、高出力の磁気抵抗センサを提供する。 - 特許庁

In one embodiment, the reproducing head 11 has two junction insulation films 16 and 17 between a side edge of a magnetoresistive sensor 112 and a hard bias film 115 on both right and left sides of a track breadthwise direction of the magnetoresistive sensor 112.例文帳に追加

本発明の一実施形態において、再生ヘッド１１は、磁気抵抗センサ１１２のトラック幅方向の左右両側において、磁気抵抗センサ１１２の側端部とハードバイアス膜１１５との間に、２層のジャンクション絶縁膜１６、１７を有している。 - 特許庁

By making the pattern width of each of the artificial lattice type giant magnetoresistive elements R1-R4 of 6μm, the resistance value of each of the artificial lattice type giant magnetoresistive element R1-R4 changes according to the angle differences of impressed magnetic fields.例文帳に追加

このように、各人工格子型巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４のパターン幅を６μｍとすることにより、各人工格子型巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は、加えられる磁場（磁界）の角度の違いにより抵抗値がそれぞれ変化する。 - 特許庁

In the magnetic detecting element, the side of a resistive pattern, constituting the giant magnetoresistive element 7, is tapered so that it forms an angle of not smaller than 20° and not larger than 80°, with respect to the surface of a substrate for supporting the giant magnetoresistive element.例文帳に追加

本発明の磁気検出素子は、巨大磁気抵抗素子７となる抵抗パターンの側面がこの巨大磁気抵抗素子を保持するための基板の表面に対して２０°以上でかつ８０°以下となるテーパーを形成したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive film, which is used for a power-saving magnetic device, having magnetoresistive effect displaying MR ratio of 3% or larger at room temperature and high electrical resistivity of 10^4 μ.Ω cm or higher.例文帳に追加

本発明は，省電力磁気素子に用いられる，室温においてＭＲ比の値が３％以上の大きな磁気抵抗効果を示し，且つ１０^４μΩｃｍ以上の高い電気比抵抗を有する磁気抵抗膜を提供することを目的とする． - 特許庁

To provide a magnetoresistive element that can greatly improve a sense margin by improving an MR ratio, and becomes a motive power for embodying a large-capacity high-density recording medium as compared with conventional GMR, TMR elements in the case of a magnetoresistive head.例文帳に追加

ＭＲ比を向上させて、センスマージンを大きく向上させることができ、磁気抵抗ヘッドの場合、従来のＧＭＲ、ＴＭＲ素子に比べてさらに大容量の高密度記録媒体を具現させる原動力となる磁気抵抗素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an integrated circuit which reduces a current value of a magnetoresistive element used for read and write of information without increase in area of memory cells when viewed from above, and inhibits read/write errors and a short circuit between magnetoresistive elements.例文帳に追加

メモリセルの平面視における面積を増加せずに、磁気抵抗素子の情報の読み書きに用いる電流値を低減しながら、読み書きエラーや磁気抵抗素子間の短絡が抑制された集積回路を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The second magnetoresistive material 18 is insulated from the first magnetoresistive material 14, and arrangement density can be improved by respectively arranging a second linear part 18A to the areas at the upper part between the first linear portions 14A.例文帳に追加

第２の磁気抵抗材１８は、第１の磁気抵抗材１４に対して絶縁された状態となっており、第１直線部１４Ａ同士の間の上方に第２直線部１８Ａがそれぞれ配置されることで、配置密度を向上させる。 - 特許庁

To obtain a method capable of surely inspecting the normal/defective condition of a magnetoresistive effect magnetic head in an inspection method of the magnetoresistive effect magnetic head as a rotating magnetic head for reproduction of a non-tracking magnetic reproducing device, utilizing helical scan method.例文帳に追加

ヘリカルスキャン方式のノントラッキング磁気再生装置の再生用回転磁気ヘッドとしての磁気抵抗効果型磁気ヘッドの検査方法において、その磁気抵抗効果型磁気ヘッドの良否を確実に検査することのできる方法を得る。 - 特許庁

To solve the problem that offset variance of an ELG(resistance detection element) and a real element (magnetoresistive effect element) on a substrate caused as the magnetoresistive effect element of a CPP structure is narrowed becomes too large to ignore and becomes a bottleneck in achievement of higher accuracy of a MR element height.例文帳に追加

ＣＰＰ構造の磁気抵抗効果素子の狭小化に伴い、基板上におけるＥＬＧ（抵抗検知素子）と実素子（磁気抵抗効果素子）のオフセットばらつきが無視できなくなり、ＭＲ素子高さの高精度化の隘路となっている。 - 特許庁

A magnetoresistive element containing a laminated structure comprising a ferromagnetic fixed layer, a barrier layer, a ferromagnetic free layer and a non-magnetic layer brought into contact with another interface of the ferromagnetic free layer is used as the tunnel magnetoresistive element, and the non-magnetic layer consists of MgO.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗素子は、強磁性固定層と、バリア層と、強磁性自由層と、強磁性自由層のもう一方の界面に接する非磁性層からなる積層構造を含む磁気抵抗素子であって、非磁性層がＭｇＯである。 - 特許庁

To provide a structure for a magnetoresistive effect head for manufacturing ferromagnetic tunnel junction elements or magnetoresistive elements to be used in a CPP mode by mechanical polishing alone while assuring working quality and working accuracy and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

強磁性トンネル接合素子或いはＣＰＰモードで使用する磁気抵抗素子を加工品質及び加工精度を確保し機械研磨のみで製造するための磁気抵抗効果ヘッド構造及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide: a magnetoresistive film in which the influence of roughness of an anti-ferromagnetic layer is reduced, an interlayer coupling magnetic field Hin is small, and variations in characteristics are small; a magnetic head; a magnetic disc device; a magnetic memory device; and a method for manufacturing the magnetoresistive film.例文帳に追加

反強磁性層のラフネスの影響を低減し、層間結合磁界Ｈｉｎの小さく、特性のバラツキの少ない磁気抵抗効果膜、磁気ヘッド、磁気ディスク装置、磁気メモリ装置、及び磁気抵抗効果膜の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A mode on which the surface of arrangement of the magnetoresistive element is set at a surface which intersects with the direction of inclination of each helical gear of the rotor RT at right angles is adopted as a mode of arrangement of the magnetoresistive element of the sensor part to such a helical-gear type rotor RT.例文帳に追加

このような斜歯歯車型のロータＲＴに対し、センサ部の磁気抵抗素子の配設態様として、磁気抵抗素子の配設面が同ロータＲＴの各斜歯の傾斜方向と直交する面に設定される態様を採用することとした。 - 特許庁

Since the longitudinal direction of each of the magnetoresistive elements of the element pair is orthogonal to only one side of each opposite side pair of the planar coil, end parts on one side of the magnetoresistive element of the element pair are connected to each other.例文帳に追加

巨大磁気抵抗素子対の各巨大磁気抵抗素子はその長手方向が平面コイルの対辺対の各１辺のみと直交していて、各巨大磁気抵抗素子対の巨大磁気抵抗素子の一方の端部同士が接続されている。 - 特許庁

The wiring 71 is so formed as to meander through a plurality of magnetoresistive effect elements 411 and 41 which are arranged in line among those arranged into a matrix, simultaneously applying magnetic fields of opposite directions to the adjacent magnetoresistive effect elements 411 and 41.例文帳に追加

また、配線７１は、マトリクス状に配置されたうちの一列に並んだ複数の磁気抵抗効果素子４１１，４１を縫うように蛇行して配置されており、隣接する磁気抵抗効果素子４１１，４１に同時に逆方向の磁場を印加する。 - 特許庁

To prevent an antiferromagnetic coupling field in a multilayer ferri-structure from weakening even in case of a magnetoresistive effect element having a multilayer ferri-structure formed on an insulation film, and to provide a magnetoresistive effect element arranged such that thermal resistance is ensured.例文帳に追加

絶縁膜上に積層フェリ構造が形成された磁気抵抗効果素子であっても、積層フェリ構造内の反強磁性結合磁界が弱くなることを防止でき、また、耐熱性が確保された構成の磁気抵抗効果素子を提供する - 特許庁

To provide a MRAM or the like having high speed, high capacity, and mass productivity by dissolving problems of stabilization of reading of data from resistance elements especially magnetoresistive effect elements and dispersion of resistance values of magnetoresistive effect elements or the like caused in mass production.例文帳に追加

抵抗素子、特に磁気抵抗効果素子からのデータの読み出しの安定化と量産時に生じる磁気抵抗効果素子等の抵抗値のばらつきの問題を解消し、高速高容量で量産性のあるＭＲＡＭ等を提供する。 - 特許庁

This magnetoresistance element comprises a semiconductor magnetoresistive film 2 formed on the surface of a substrate 1, short circuit electrodes 3 and electrical signal pickup electrodes 4 formed on the magnetoresistive film 2, and a moisture resistance film 6 formed to cover the magnetoresistive film 2 and the short circuit electrodes 3, excluding the pickup electrodes 4.例文帳に追加

基板１の表面に形成した半導体磁気抵抗膜２と、この半導体磁気抵抗膜２上に形成した短絡電極３及び電気信号取り出し用の電極部４と、この前記電極部４を残して前記半導体磁気抵抗膜２及び短絡電極３を覆うように形成した耐湿膜６を備えたことを特徴とする磁気センサ素子である。 - 特許庁

The manufacturing method of the magnetic reproducing head wherein a magnetoresistive element 13 and a resistance element 23 are disposed in a parallel circuit includes a step of forming the magnetoresistive element 13 on a base body, a step of measuring a resistance value of the magnetoresistive element 13, and a step of forming the resistance element 23 after measuring the resistance value.例文帳に追加

本発明に係る磁気再生ヘッドの製造方法は、磁気抵抗効果素子１３と抵抗素子２３とが並列回路に配置される磁気再生ヘッドの製造方法において、基体上に前記磁気抵抗効果素子１３を形成する工程と、前記磁気抵抗効果素子１３の抵抗値を測定する工程と、前記抵抗値の測定後に、前記抵抗素子２３を形成する工程とを備える。 - 特許庁

The alumina cap layer 3 having width narrower than the width of a huge magnetoresistive element film 2 and self-adjusting with respect to the width of the magnetoresistive element film 2 is provided on the upper most surface of the huge magnetoresistive element film 2 and a terminal film 6 is formed so as to come into contact with the upper most surface at both end sides of the alumina cap layer 3.例文帳に追加

巨大磁気抵抗効果素子膜２の最上面に巨大磁気抵抗効果素子膜２の幅より狭い幅で、且つ、巨大磁気抵抗効果素子膜２の幅に対して自己整合的な幅を有するアルミナキャップ層３を設けるとともに、アルミナキャップ層３の両端側において巨大磁気抵抗効果素子膜２の最上面と接するように端子膜６を設ける。 - 特許庁

The magnetoresistive element 10 is manufactured by adhering a first magnetoresistive element substrate 11, comprising a first substrate 111 made of a ceramic glaze substrate formed with a phase A magnetoresistance pattern 112 and a second magnetoresistive element substrate 12, comprising a second substrate 121 made of a transparent glass substrate formed with a phase B magnetoresistance pattern 122 by using a UV-curing adhesive.例文帳に追加

セラミックグレーズ基板からなる第１の基板１１１上にＡ相磁気抵抗パターン１１２が形成された第１の磁気抵抗素子基板１１と、透明なガラス基板からなる第２の基板１２１上にＢ相磁気抵抗パターン１２２が形成された第２の磁気抵抗素子基板１２とをＵＶ硬化接着剤によって貼り合せて磁気抵抗素子１０を製造する。 - 特許庁

In each memory cell column, the strap SL is shared by a plurality of tunnel magnetoresistive devices TMR in the same row block.例文帳に追加

各メモリセル列において、ストラップＳＬは、同一行ブロック内の複数のトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲによって共有される。 - 特許庁

A granular thin film 3, where Fe-Co alloy fine particles 32 are dispersed in an SiO2 matrix 31, is used as a magnetoresistive element.例文帳に追加

ＳｉＯ_2マトリックス３１中に、Ｆｅ−Ｃｏ合金微粒子３２が分散されたグラニュラー薄膜３を磁気抵抗素子に用いる。 - 特許庁

A magnetic recording device according to an embodiment comprises a substrate, and a plurality of magnetoresistive effect elements provided on the substrate.例文帳に追加

実施形態に係る磁気記憶装置は、基板と、前記基板上に設けられた複数個の磁気抵抗効果素子と、を備える。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory capable of generating a suitable amount of boost current corresponding to temperature characteristics of a magnetoresistive element.例文帳に追加

磁気抵抗素子の温度特性に対応して適切な大きさのブースト電流を発生できる磁気ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device whose performance can be improved more by suppressing a leak of a magnetic field in a magnetoresistive element more.例文帳に追加

磁気抵抗素子における磁場の漏洩をより抑制し、性能をより向上することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁