「MAGNETORESISTIVE」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

POSITION SENSOR COMPRISING THIN LINES EXHIBITING MAGNETIC PARTICLE DISPERSED GIANT MAGNETORESISTIVE EFFECT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

磁性粒子分散型巨大磁気抵抗効果を示す細線からなる位置検出センサー及びその製造方法 - 特許庁

Therefore, it is possible to achieve the magnetoresistive element showing a high magnetic resistivity in a room temperature.例文帳に追加

したがって、上記構成により、室温において高い磁気抵抗率を示す磁気抵抗素子を実現できる。 - 特許庁

The read element 41 has a magnetoresistive effect film 44 specifying the core width in the down track direction of the recording track.例文帳に追加

読み出し素子４１は、記録トラックのダウントラック方向にコア幅を規定する磁気抵抗効果膜４４を有する。 - 特許庁

To set a resistance value of a magnetoresistance effect element to a proper value, and to increase an MR (Magnetoresistive) change ratio sufficiently.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の抵抗値を適当な大きさにし、且つＭＲ変化率を十分に大きくする。 - 特許庁

METHOD FOR FABRICATING TUNNEL MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM MAGNETIC HEAD AND METHOD FOR FABRICATING MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子の製造方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法及び磁気メモリの製造方法 - 特許庁

The magnetoresistive sensor conducts a read current representative of data stored in the memory cell during a read interval.例文帳に追加

磁気抵抗センサは、読出し間隔の間に、メモリセルに格納されたデータを表す読出し電流を導通する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive multiple layer device that is temperature-independent of and highly sensitive to an external field.例文帳に追加

外部磁界に対して温度に依存しない高い感度を有する磁気抵抗性の多層デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive head, having high yield and high reliability and coping with higher recording density.例文帳に追加

歩留まり率が向上し、信頼性が高く、高記録密度に対応した磁気抵抗効果型ヘッドを提供する。 - 特許庁

Further, the magnetic memory device, equipped with the magnetoresistive effect element 1 of this configuration, a word line and a bit line, is configured.例文帳に追加

また、この構成の磁気抵抗効果素子１と、ワード線及びビット線とを備えた磁気メモリ装置を構成する。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT DEVICE, THIN FILM MAGNETIC HEAD AND ITS MANUFACTURING METHOD, HEAD GIMBAL ASSEMBLY, AND HARD DISK DRIVE例文帳に追加

磁気抵抗効果装置、薄膜磁気ヘッドおよびそれらの製造方法、ヘッドジンバルアセンブリならびにハードディスク装置 - 特許庁

A lower electrode composed of a conductive material is formed on a substrate (a), and a magnetoresistive film is formed thereon (b).例文帳に追加

(a)基板上に、導電材料からなる下部電極を形成し、(b)その上に、磁気抵抗効果膜を形成する。 - 特許庁

To provide a magnetic encoder device with high resolution and high output and provide a magnetoresistive sensor for encoder apparatuses.例文帳に追加

分解能及び出力の高い磁気エンコーダ装置と、エンコーダ装置用磁気抵抗効果センサを提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic shield that is capable of protecting a magnetoresistive element from unwanted magnetic flux and enhancing magnetic reading.例文帳に追加

不要な磁束から磁気抵抗素子を保護し、磁気読出しを高めることが可能な磁気シールドを提供する。 - 特許庁

The CPP structure magnetoresistive element is thus allowed to read magnetic data with higher accuracy than before.例文帳に追加

こうしたＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子はこれまで以上に正確に磁気情報を読み出すことができる。 - 特許庁

A magnetic detector 1 is prepared on a substrate 11 and includes: magnetoresistive elements 100 to 107 having pattern shapes which cancel a vector sum in a direction for sensing magnetic fields; resistors R0 having resistance equal to the minimum resistance in the magnetoresistive elements 100 to 107; and a bridge circuit comprising the resistors R0 and the circuits R1 including the magnetoresistive elements 100 to 107.例文帳に追加

磁気検出装置１は、基板１１上に設けられ、感磁方向のベクトル和が相殺されるようなパターン形状を有する磁気抵抗素子１００〜１０７と、磁気抵抗素子１００〜１０７の最小抵抗値と同値の抵抗Ｒ０と、磁気抵抗素子１００〜１０７からなる回路Ｒ１と抵抗Ｒ０とから構成されるブリッジ回路とを有する。 - 特許庁

The magnetoresistive element is composed so that a permanent magnet to apply magnetic domain control to a magnetoresistive film is disposed on both sides of a magnetism sensing part formed from the magnetoresistive film having a multilayered structure, and a film having a prescribed thickness, which is made of an insulating hard magnetic material, is formed between the side of the magnetism sensing part and the permanent magnet.例文帳に追加

本発明の磁気抵抗効果素子は、多層構造を有する磁気抵抗効果膜から形成した感磁部の両側面に磁気抵抗効果膜に対して磁区制御を行う永久磁石を配置し、感磁部の側面と永久磁石との間に絶縁性の硬磁性材料から成る所定厚さの膜を形成するよう構成する。 - 特許庁

The magnetoresistive element 111 comprises three magnetoresistive elements 111a-111c which are arranged so as to sense angular change in the composite vector occurring, along with a change in the current Ib as respective sine wave signals having phases different from another.例文帳に追加

この磁気抵抗素子１１１は、合成ベクトルの上記電流Ｉｂの変化に伴う角度変化を各々位相の異なる正弦波信号として感知するように配置された３つの磁気抵抗素子１１１ａ〜１１１ｃからなる。 - 特許庁

By means of magnetically bridging the upper pole 6 and the lower pole 1 through the magnetoresistive element 3, a shunt magnetic flux route by way of the magnetoresistive element 3 is formed, then the magnetic recording information is reproduced by this shunt magnetic flux route.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子３を介して上ポール６と下ポール１とを磁気的に橋絡することで、磁気抵抗効果素子３を介する分流磁束経路を形成し、この分流磁束経路によって磁気記録情報の再生を行なう。 - 特許庁

To make it possible to appropriately apply a bias magnetic field caused by a pair of permanent magnet films to a magnetoresistive element in a structure wherein the magnetoresistive element is disposed between a pair of magnetic shielding layers through a gap layer.例文帳に追加

一対の磁気シールド層の間にギャップ層を介して磁気抵抗効果素子が配されてなる構造において、一対の永久磁石膜によるバイアス磁界が磁気抵抗効果素子に適切に印加されることを可能とする。 - 特許庁

The data assist line 7 is formed between two magnetoresistive elements 3,3a and 3,3b which are adjacent to each other in one direction in plane view so that the one data assist line is shared by the two magnetoresistive elements 3.例文帳に追加

データアシスト線７は、２つの磁気抵抗効果素子３で一本のデータアシスト線を共有する態様で、一方向に互いに隣接する２つの磁気抵抗効果素子３，３ａ，３ｂの間に平面的に位置するように形成されている。 - 特許庁

To maintain parpendicular magnetization by eliminating the influence of magnetic layer developing in a boundery between a magnetic layer and a thin nonmagnetic layer in a giant magnetoresistive effect element and a tunnel magnetoresistive effect element which use parpendicular magnetization.例文帳に追加

垂直磁化を用いた巨大磁気抵抗効果素子およびトンネル磁気抵抗効果素子においては、磁性層と薄い非磁性層との界面に生じる磁極の影響が著しいため、垂直磁化を安定に維持することが困難である。 - 特許庁

To provide a tunnel-effect type magnetoresistive head used as a recording device of a computer or the like, capable of preventing degradation of a tunnel-effect type magnetoresistive effect element caused by contact with a magnetic recording medium.例文帳に追加

本発明は、コンピュータ等の記録装置として使用される磁気記録装置の磁気抵抗効果ヘッドに関し、特に、磁気記録媒体との接触によるトンネル効果型磁気抵抗効果素子の劣化を防ぐことが出来るようにする。 - 特許庁

The rotation detecting device is formed by integrally assembling the sensor chip provided with the magnetoresistive elements, and the bias magnet 15 which is arranged, in such a way as to surround the periphery of the sensor chip and applies bias magnetic fields to the magnetoresistive elements.例文帳に追加

回転検出装置は、磁気抵抗素子を備えるセンサチップと該センサチップの周囲を囲繞する態様で配されて上記磁気抵抗素子にバイアス磁界を付与するバイアス磁石１５とが一体に組み付けられて構成されている。 - 特許庁

To provide huge magnetoresistive element, wherein when a Al2O3 film is used as the material of a cap layer, a pair of lead electrodes are formed also on a principal surface side of the huge magnetoresistive element so as to symmetrically come in contact with each other.例文帳に追加

巨大磁気抵抗効果素子及びその製造方法に関し、Ａｌ_2 Ｏ_3 膜をキャップ層に用いた場合に、一対のリード電極を巨大磁気抵抗効果素子の主表面側にも対称的に接触するように形成する。 - 特許庁

An operation coefficient given by the resistance value of the magnetoresistive group 104 is selectively decided, in accordance with set of each magnetoresistive element, and the operation function differing in accordance with a selection configuration of the coefficient concerned is made selectable.例文帳に追加

磁気抵抗群１０４の抵抗値によって与えられる演算係数が、各磁気抵抗素子の設定に応じて選択的に決定され、該係数の選択形態に応じて異なる演算機能が選択可能になっている。 - 特許庁

Magnetoresistive elements 21a-21g are arranged staggeredly on the upper surface of the detection part 20 so that the long side directions of them are set to arrangement directions, and magnetically sensitive parts 22a-22g are respectively formed on the surfaces of the respective magnetoresistive elements 21a-21g.例文帳に追加

検知部２０の上面には、長辺方向を配列方向として磁気抵抗素子２１ａ〜２１ｇが千鳥形状に配設されており、各磁気抵抗素子２１ａ〜２１ｇの表面にはそれぞれ感磁部２２ａ〜２２ｇが形成されている。 - 特許庁

To provide a tunneling magnetoresistive element which has small sheet resistance and lower roughness (interfacial roughness) on an interface of a ferromagnetic layer and then has magnetoresistive characteristics improved, a magnetic device using the element, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

シート抵抗が小さく、強磁性層との界面におけるラフネス（界面ラフネス）が低下し、したがって、磁気抵抗特性の向上を可能とするトンネル型磁気抵抗素子とそれを用いた磁気式デバイス及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic sensor, capable of measuring the magnetic field strength of three-axial directions sensing the magnetic field strength in the Z-axis direction by one or more magnetoresistive elements among three or more magnetoresistive elements mounted on one substrate.例文帳に追加

一枚の基板上に３個以上の磁気抵抗素子を搭載し、その内の１個以上の磁気抵抗素子にＺ方向の磁界の強さを感知させうるようにし、三軸方向の磁界の強さを測定することができる磁気センサを得る。 - 特許庁

The sensing device has one or a plurality of magnetoresistive-sensing elements, one or a plurality of reorientation elements for adjusting the magnetoresistive-sensing elements, and semiconductor circuit having a driver circuit for controlling the reorientation elements.例文帳に追加

感知装置は、１つ又は複数の磁気抵抗感知要素と、磁気抵抗感知要素を調整するための１つ又は複数の向き変え要素と、向き変え要素を制御するためのドライバー回路を有する半導体回路と、を有している。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect element and a magnetoresistive effect head which can sufficiently obtain spin dependent scattering without lowering an exchange coupling magnetic field between a diamagnetic layer and a fixed layer and has higher GMR effect than usual.例文帳に追加

反強磁性層と固定層の交換結合磁界が低下することなく、スピン依存散乱を十分に得ることができ、従来よりもＧＭＲ効果が高い磁気抵抗効果型素子および磁気抵抗効果型ヘッドを提供する。 - 特許庁

To provide a method and device for manufacturing a magnetoresistive effect element having a high MR ratio (Magnetoresistance ratio) even at a low RA (electrical resistance value).例文帳に追加

低ＲＡでも高ＭＲ比を有する磁気抵抗効果素子の製造方法及び製造装置を提供する。 - 特許庁

VERTICAL-TO-SURFACE CURRENT TYPE MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, REPRODUCING HEAD, INFORMATION STORAGE DEVICE MOUNTING THE SAME例文帳に追加

面垂直電流型磁気抵抗効果素子、その製造方法、再生ヘッド、及びこれを搭載した情報記憶装置 - 特許庁

The magnetoresistive effect device 5, further has two magnetic bias application layers 72L, 72R, and conductive layers 81L, 81R, 82L, 82R.例文帳に追加

磁気抵抗効果装置５は、更に、２つのバイアス磁界印加層７２Ｌ，７２Ｒと、導電層８１Ｌ，８１Ｒ，８２Ｌ，８２Ｒとを備えている。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive memory device having a three- dimensional cell laminated structure suitable for high integration and a method for manufacturing it.例文帳に追加

高集積化に適した３次元のセル積層構造を持つ磁気抵抗メモリ装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING MAGNETIC DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗素子の製造方法、磁気デバイスの製造方法、磁気抵抗素子の製造装置および磁気デバイスの製造装置 - 特許庁

To provide a magnetoresistive sensor, wherein an exchange coupling magnetic field Hin given to a free layer can be made small and restrained.例文帳に追加

フリー層に付与される交換結合磁界Ｈｉｎを小さく抑制可能な磁気抵抗センサを提供することである。 - 特許庁

To provide a novel method of manufacturing a magnetoresistive effect element having sufficiently high power.例文帳に追加

本発明は、十分な大きさの出力を有する磁気抵抗効果型素子を製造する新規な方法を提供する。 - 特許庁

The magnetic sensor detects physical changes as changes in the electrical signals converted through each of magnetoresistive elements 31.例文帳に追加

磁気センサは、物理変化を磁気抵抗素子３１の各々を通じて変換される電気信号の変化として検出する。 - 特許庁

Then, a magnetoresistive effect element(MR element) 15 is disposed at the position within the thickness of the upper yoke 12 in this gap 12a.例文帳に追加

そして、この間隙１２で上ヨーク１２の厚み内に位置して、磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）１５を配設する。 - 特許庁

To prevent a writing error by maximizing an operation window in a free magnetic structure of a magnetoresistive element which is used as a cell of a magnetic random access memory.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリのセルとして用いられる磁気抵抗素子の自由磁気構造の動作窓を最大化する。 - 特許庁

To provide a current-perpendicular-to-the-plane (CPP) magnetoresistive (MR) sensor with improved hard magnet biasing structure.例文帳に追加

改善された硬質磁性体バイアス構造を備える面垂直電流（ＣＰＰ）磁気抵抗（ＭＲ）センサを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a short-circuit defect, etc., of a magnetoresistive element is reduced, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

磁気抵抗素子の短絡不良等が軽減される半導体装置と、その製造方法とを提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive element having a high MR change rate, a magnetic head assembly, and a magnetic recording/reproducing apparatus.例文帳に追加

大きなＭＲ変化率を有する磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ、及び磁気記録再生装置を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic sensor provided with magnetoresistive element, capable of stably maintaining the magnetization direction of the magnetic domain in a free layer.例文帳に追加

フリー層の磁区の磁化の向きを安定して維持し得る磁気抵抗効果素子を備えた磁気センサを提供すること。 - 特許庁

Magnetic field components detected respectively by the first and second magnetoresistive elements 6a and 6b are input into a differential amplifier 12.例文帳に追加

第１および第２の磁気抵抗素子6a，6bで検出したそれぞれの磁界成分を差動増幅器12に入力する。 - 特許庁