「MAGNETORESISTIVE」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a differential magnetoresistive magnetic head of one element type which can materialize high resolution and high manufacturing stability.例文帳に追加

高い分解能と高い製造安定性を実現することのできる１素子型の差動磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

To provide a goniometer using isotropic giant magnetoresistive elements having a simple manufacturing process, miniaturizable, and less consuming electric power.例文帳に追加

製造プロセスが簡単で、小型化、低消費電力とすることのできる等方性巨大磁気抵抗素子を用いた方位計を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method of a magnetoresistive element 10, a first ferromagnetic layer 13 composed of a ferromagnetic material is formed on a substrate.例文帳に追加

本発明の磁気抵抗素子１０の製造方法は、基板上に強磁性材料からなる第１の強磁性層１３を形成する。 - 特許庁

Magnetoresistive elements 13 are disposed respectively between the soft magnetic substances of one sensor member and those of the other sensor member.例文帳に追加

一方のセンサ部材の軟磁性体と、他方のセンサ部材の軟磁性体との間には、それぞれ磁気抵抗効果素子１３が配置されている。 - 特許庁

To provide a head slider capable of easily coping with a higher frequency of a signal to be read by a CPP type magnetoresistive element.例文帳に追加

ＣＰＰ型磁気抵抗効果素子で読み出される信号の高周波数化に容易に対応することができるヘッドスライダを提供する。 - 特許庁

The magnetoresistive elements 21a-21g are respectively provided with connection electrodes 23a-23g to be electrically continuous to the external connection terminals 24a-24g.例文帳に追加

また磁気抵抗素子２１ａ〜２１ｇはそれぞれ接続電極２３ａ〜２３ｇを備え、外部接続端子２４ａ〜２４ｇに導通している。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive element having perpendicular magnetic anisotropy and exhibiting excellent magnetic characteristics as a magnetization fixed layer by using a TbFeCo alloy.例文帳に追加

ＴｂＦｅＣｏ合金を磁化固定層として優れた磁気特性を有する垂直磁気異方性の磁気抵抗素子を提供する。 - 特許庁

In this manner, the magnetoresistive element having low resistance for obtaining desired current value and high TMR ratio.例文帳に追加

これにより、所望の電流値を得られるような低抵抗を有し、高いＴＭＲ比を有する磁気抵抗効果型素子を得ることができる。 - 特許庁

A mesa pattern 2 is arranged at the inner part of the magnetic gap 70, and on the forward slope 2a of it, a magnetoresistive element (MR pattern) 3 is provided.例文帳に追加

磁気ギャップ７０の奥方にメサ型パタン２を設け、その前方側斜面２ａに磁気抵抗効果素子（ＭＲパタン）３を設ける。 - 特許庁

To provide a perovskite type Mn oxide and a colossal magnetoresistive element which express a large CMR effect even at a room temperature or higher.例文帳に追加

室温以上においても大きなＣＭＲ効果を発現するペロブスカイト型Ｍｎ酸化物および巨大磁気抵抗素子を提供する。 - 特許庁

An A/D converting circuit 102 converts the detection signal from the magnetoresistive element part 101 into a digital signal and stores it in a register 103.例文帳に追加

Ａ／Ｄ変換回路１０２は、磁気抵抗素子部１０１からの検出信号をデジタル信号に変換し、レジスタ１０３に記憶する。 - 特許庁

Specifically, an electromagnetic induction thin film magnetic head is first formed on a substrate, the magnetoresistive effect thin film magnetic head is formed after that.例文帳に追加

具体的には、基板上に電磁誘導型薄膜磁気ヘッドをまず形成し、その後で磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを形成する。 - 特許庁

Since the oxidation reduction of the molecule is possible, when currents are applied to the magnetoresistive element, electronic transmission occurs between the molecules.例文帳に追加

上記分子は、酸化還元が可能であるため、該磁気抵抗素子に電流が印加されると、上記分子間で電子伝達が起こる。 - 特許庁

Stored data of the memory cell is set in accordance with combination of resistors set to the magnetoresistive elements TR101 and TR102.例文帳に追加

このメモリセルの記憶データは磁気抵抗素子ＴＲ１０１およびＴＲ１０２に設定される抵抗の組み合わせに応じて設定される。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive sensor in which hard bias material forms a bonding portion with a sensor laminate more effectively because of a narrow width with the sensor laminate.例文帳に追加

センサ積層体との幅が狭く一層効果的な接合部を、ハード・バイアス材が形成する磁気スピン・バルブ・センサが必要である。 - 特許庁

To provide a magnetic switch with high-speed switching operation by instantaneously switching an output signal from a magnetoresistive effect element.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子からの出力信号を瞬時に切替えることにより、スイッチ動作を迅速に行なう磁気スイッチを得ることにある。 - 特許庁

Then, the residual magnetoresistive structure including the second antiferromagnetic layer AFM2 is formed, then subjected to a weak magnetic field (Hann) annealing process.例文帳に追加

次に、第２の反強磁性層ＡＦＭ２を含む残りの磁気抵抗構造を形成したのち、弱磁界（Ｈ_an_n ）アニール工程を行う。 - 特許庁

A MR element layer 5 having a magnetoresistive effect is provided on the lower shielding layer 3 via a non- magnetic lower gap layer 4.例文帳に追加

さらにこの下部シールド層３の上に非磁性の下部ギャップ層４を介して磁気抵抗効果を有するＭＲ素子層５が設けられる。 - 特許庁

A spin-valve magnetoresistive film 2 comprises a magnetic adhesive layer 5, a magnetic free layer 7, and an intermediate layer 6 interposed between them.例文帳に追加

スピンバルブ型の磁気抵抗効果膜２は、磁化固着層５と磁化自由層７とこれら間に介在された中間層６とを有する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive element capable of stably providing a higher resistance change rate and capable of coping with a higher recording density.例文帳に追加

より高い抵抗変化率を安定して得ることができ、さらなる高記録密度化に対応可能な磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

A switch device 1 comprises an operator 4, a permanent magnet 13, a magnetic sensor consisting of magnetoresistive elements, and a control circuit.例文帳に追加

本発明のスイッチ装置１は、操作子４と、永久磁石１３と、磁気抵抗素子からなる磁気センサと、制御回路とを備えている。 - 特許庁

The four magnetoresistive elements 31 to 34 are disposed to form a pair with a moving center of the magnet positioned in between during movement of the magnet 23.例文帳に追加

４つの磁気抵抗素子３１〜３４は、マグネット２３が移動する際のその移動中心を挟んで対をなすように配置されている。 - 特許庁

A huge magnetoresistive composite material has a polymer base material, formed of a high polymer material, and a plurality of carbon nanotubes.例文帳に追加

本発明の巨大磁気抵抗複合材料体は、高分子材料で形成したポリマー基材と、複数のカーボンナノチューブと、を備えている。 - 特許庁

In order to utilize irreversible magnetoresistive effects, a Co/Cu/NbTi/Cu magnetic multilayer film is formed and an external magnetic field is applied to this multilayer film.例文帳に追加

非可逆性をもつ磁気抵抗特性を利用するため、Ｃｏ／Ｃｕ／ＮｂＴｉ／Ｃｕ磁性多層膜を作成し、この多層膜に外部磁界を印加する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive element that has an improved MR ratio and improved BDV and reduced Hin while having an RA value suppressed low.例文帳に追加

ＲＡ値を低く抑えつつ、ＭＲ比およびＢＤＶの向上と、Ｈｉｎの低減が可能な磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

The magnetic storage includes first and second magnetoresistive elements that are provided while being alienated along a first direction from each other and record information.例文帳に追加

磁気記憶装置は、第１方向に沿って相互に離間して配設された、情報を記録する第１、第２磁気抵抗素子を含む。 - 特許庁

In the magnetoresistive thin film magnetic head provided with yokes 11 and 16 inducing an external magnetic field to a magnetoresistance element 14 and with a yoke gap 15 and having the magnetoresistance element 14 disposed in the yoke gap 15 and lead wirings 18 at both end part of the magnetoresistive element, end parts of at least the magnetoresistive element sides of the lead wirings are formed into taper shapes.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子１４に外部磁界を誘導するヨーク１１，１６及びヨークギャップ１５を備え、前記ヨークギャップ部分に配設された前記磁気抵抗効果素子１４、前記磁気抵抗効果素子の両端部にリード配線１８を有する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドであって、前記リード配線の少なくとも前記磁気抵抗効果素子側の端部をテーパを有して形成するようにした。 - 特許庁

The reference column has reference bit lines BL_ref coupled to both ends of the second plurality of nonvolatile magnetoresistive elements and reference digit lines DL_ref0 coupled to the series-connected second plurality of nonvolatile magnetoresistive elements so as to transmit an intermediate point resistance between Rmax and Rmin based on a whole resistance of the second plurality of nonvolatile magnetoresistive elements.例文帳に追加

基準列は、該直列接続された第２の複数の不揮発性磁気抵抗エレメントの両端に結合された基準ビットラインＢＬ_ｒｅｆと、第２の複数の不揮発性磁気抵抗エレメントの全抵抗に基づいてＲｍａｘおよびＲｍｉｎ間の中間点抵抗を伝達するように前記直列接続された第２の複数の不揮発性磁気抵抗エレメントに結合された基準ディジットラインＤＬ_ｒｅｆ０とを有する。 - 特許庁

In this case, since the second substrate 121 is a transparent substrate, the first magnetoresistive element substrate 11 and the second magnetoresistive element substrate 12 can be aligned, through the second substrate 121 and UV rays can be emitted to the UV curing adhesive through the second substrate 121.例文帳に追加

ここで、第２の基板１２は透明基板であるので、第２の基板１２１を通して、第１の磁気抵抗素子基板１１と第２の磁気抵抗素子基板１２の位置合わせを行うことができ、かつ、第２の基板１２１を通してＵＶ光をＵＶ硬化接着剤に照射することができる。 - 特許庁

To provide a simulation device which can easily reproduce the element attributes of a magnetoresistive element and represents the operation of a storing part that can easily reproduce the operation of the storing part composed of the magnetoresistive element, and to provide a simulation method by the device and a circuit design support method.例文帳に追加

本発明の課題は、磁気抵抗素子の素子属性を容易に再現でき、かつ、磁気抵抗素子からなる記憶部の動作を容易に再現できる記憶部の動作を表すシミュレーション装置、その装置によるミュレーション方法及び回路設計支援方法を提供することにある。 - 特許庁

This magnetoresistive element is constituted by arranging a plurality of linear sections 30 in parallel with each other on a substrate by using an Ni-Co-based alloy, etc., so that the sections 30 may be extended along a prescribed direction and electrically connecting the end sections of the sections 30 through Al conductive sections 70 having no magnetoresistive effect.例文帳に追加

磁気抵抗素子は、基板上にＮｉ−Ｃｏ系合金等にて、所定方向に添って延びるように複数の直線部３０を並設し、複数の直線部３０の端部間を、磁気抵抗効果を備えないＡｌからなる導電部７０にて電気的に接続して構成する。 - 特許庁

In a memory cell region RM, a magnetoresistive element 18 in a semiconductor magnetic storage apparatus is formed in an array shape in a mode that the magnetoresistive element is arranged at a part where a digit line 3 extending in one direction intersects a bit line 32 extending in the direction substantially orthogonal to the digit line 3.例文帳に追加

メモリセル領域ＲＭでは、半導体磁気記憶装置における磁気抵抗素子１８は、一方向に延在するディジット線３と、これと略直交する方向に延在するビット線３２とが交差する部分に配置される態様で、アレイ状に形成されている。 - 特許庁

A magnetoresistive effect element having a high magnetoresistive effect is obtained by forming a high-polarizability layer having a thickness of ≤10 nm in contact with the interface between a nonmagnetic layer and an intermediate layer as an Fe-rich Fe-O layer and heat-treating the Fe-O layer into a ferromagnetic Fe-O layer.例文帳に追加

非磁性層中間層界面に接して１０ｎｍ以下の厚さの高分極率層を、ＦｅリッチなＦｅ—Ｏ層として形成し、熱処理によって強磁性Ｆｅ−Ｏ層の積層膜とし、これによって高い磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果素子を得る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a magnetoresistive structure and a method for manufacturing a magnetoresistive head, capable of forming a second antiferromagnetic layer to be formed later without affecting a first antiferromagnetic layer (already formed) using a material as the same as or different from that of the first antiferromagnetic layer.例文帳に追加

あとから形成する第２の反強磁性層を、（既に形成されている）第１の反強磁性層に影響を及ぼすことなく、同一または異なる材料により形成することを可能とする磁気抵抗構造の製造方法および磁気抵抗型ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a current sensor that uses high-accuracy, practical magnetoresistive effect elements capable of acquiring the true value of a current on the basis of accurately determined field effect, even if the direction of the magnetic field generated by the current does not coincide with magnetic-field detection axes of the magnetoresistive effect elements, and to provide its detection circuit.例文帳に追加

電流が作る磁界の方向と磁気抵抗効果素子の磁界検知軸が一致していなくても、正確に求めた磁界の強度から真の電流値を得られ、高精度で実用的な磁気抵抗効果素子を用いた電流センサ及びその検出回路を提供する。 - 特許庁

The magnetic memory of spin injection writing type comprises a memory cell 1 having a magnetoresistive effect element 3 whose one end is connected to a first node and a selective transistor 4 of which a first diffusion region is connected to the other end of the magnetoresistive effective element and the second diffusion region is connected to the second node.例文帳に追加

スピン注入書き込み型磁気記憶装置は、一端が第１ノードに接続される磁気抵抗効果素子３と、第１拡散領域が磁気抵抗効果素子の他端に接続され、第２拡散領域が第２ノードに接続される選択トランジスタ４とを有するメモリセル１を含む。 - 特許庁

To provide a vertical-to-surface current type magnetoresistive effect element, a manufacturing method therefor, a reproducing head, and an information storage device on which it is mounted, where a spiral domain is suppressed form occurring on a free magnetic layer by a sensing current, related to a magnetoresistive effect element operating in a CPP mode.例文帳に追加

ＣＰＰモードで動作する磁気抵抗効果素子において、そのセンス電流によって自由磁性層に発生する渦巻き状磁区の発生を抑制した面垂直電流型磁気抵抗効果素子、その製造方法、再生ヘッド、及びこれを搭載した情報記憶装置を得ること。 - 特許庁

By combining a magnetic material having negative spin- dependent bulk scattering parameter β and the spacer layer in which negative spin-dependent interface scattering parameter γ is acquired, large rate of magnetoresistance variation is acquired while utilizing negative magnetoresistive effect, in the magnetoresistive effect element.例文帳に追加

、負のスピン依存バルク散乱パラメータβを有する磁性体材料と、負のスピン依存界面散乱パラメータγが得られるスペーサ層とを組み合わせすることにより、負の磁気抵抗効果を利用しつつ大きな磁気抵抗変化率を得ることができる磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

Since a good quality spinel type magnetic layer can be formed by inserting a titanium nitride layer and an excellent magnetoresistive element can be realized, production is facilitated even in case of a complex spinel type magnetic body of high spin polarization and a high performance magnetoresistive element can be provided stably.例文帳に追加

窒化チタニウム層を挿入することにより良質のスピネル型磁性層が形成でき、優れた磁気抵抗素子を実現できるので、高スピン分極の複雑なスピネル型磁性体の場合にも作製が容易であり、高性能の磁気抵抗素子を安定に提供できる。 - 特許庁

A resistance value change is detected under the condition where a magnetoresistive thin film 22 face is inclined at a prescribed angle θ with respect to a magnetic field-directional vertical face, in this magnetic measuring method for evaluating the unidirectional magnetic field Mx intensity, by detecting the resistance value change of a magnetoresistive thin film 22.例文帳に追加

磁気抵抗薄膜２２の抵抗値変化を検出することによって一方向磁界Ｍｘの強度を評価する磁気測定方法において、上記磁気抵抗薄膜２２面を磁界方向の鉛直面に対して所定角度θ傾斜させた状態で上記抵抗値変化を検出する。 - 特許庁

Each of the memory cells (10, 10A-10H) includes at least one magnetoresistive element (J0, J1) storing data, and amplifying members (MP1, MN1, MP7, MP7) used to amplify potential generated by a current through the at least one magnetoresistive element (J0, J1).例文帳に追加

メモリセル（１０、１０Ａ〜１０Ｈ）のそれぞれは、データを記憶する少なくとも一の磁気抵抗素子（Ｊ０、Ｊ１）と、磁気抵抗素子（Ｊ０、Ｊ１）に電流が流されることによって生成される電位を増幅する増幅手段（ＭＰ１、ＭＮ１、ＭＰ７、ＭＰ７）とを備えている。 - 特許庁

A combination of a magnetic material having a negative spin-dependent bulk scattering parameter β and a spacer layer having a negative spin-dependent interface scattering parameter γ provides a magnetoresistive element which has a large resistance changing rate by making use of magnetoresistive effect.例文帳に追加

負のスピン依存バルク散乱パラメータβを有する磁性体材料と、負のスピン依存界面散乱パラメータγが得られるスペーサ層とを組み合わせすることにより、負の磁気抵抗効果を利用しつつ大きな磁気抵抗変化率を得ることができる磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive head of which the reliability is improved by increasing the durability of the magnetic tape in the manner of suppressing the formation of protrusion around a magnetoresistive element to prevent defects such as spacing loss or tape damages, etc., and to provide the magnetic tape and a recording/reproducing system utilizing the magnetic tape.例文帳に追加

磁気抵抗素子近傍での突起形成を抑制して、スペーシング損失やテープダメージ等の不具合の発生を防止し、磁気テープの耐久性向上を図り信頼性を高めることが可能な磁気抵抗型ヘッド、磁気テープおよび磁気テープ式記録再生システムを提供する。 - 特許庁

The R/W control circuit 5 performs control so that voltages Vout_B0, Vout_B1 applied to the reference resistance circuit are increased when the value of resistance in the magnetoresistive element is the maximum resistance value Rmax when reading data from the memory cell array 4, and reduces voltages Vout0, Vout1 applied to the magnetoresistive element.例文帳に追加

Ｒ／Ｗ制御回路５は、メモリセルアレイ４からデータを読み出すとき、磁気抵抗素子の抵抗値が最大抵抗値Ｒｍａｘであるとき、基準抵抗回路に印加される電圧Ｖｏｕｔ＿Ｂ０，Ｖｏｕｔ＿Ｂ１を高くするように制御することにより、磁気抵抗素子に印加される電圧Ｖｏｕｔ０，Ｖｏｕｔ１を低下させる。 - 特許庁

To solve the problem that in a magnetoresistive effect thin film magnetic head having a magnetoresistive effect film which is used by making a sensing current flow through the multilayered structure in a perpendicular direction, the head is easy to be affected by ion milling and also when a shield film is static charged by the trouble of a machine etc. its characteristics are easy deteriorate.例文帳に追加

多層構造に垂直方向に検出電流を流して使用する磁気抵抗効果膜を有する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドでは、イオンミリングによる影響を受けやすく、装置トラブル等によりシールド膜が帯電した際に、特性が劣化しやすい。 - 特許庁