「MAGNETORESISTIVE」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

To arrange an appropriate material in at least one layer of a pinned layer and a free layer to increase a resistance change in a vertical excitation magnetoresistive effect device of a spin-valve structure.例文帳に追加

スピンバルブ構造の垂直通電磁気抵抗効果素子において、適当な材料をピン層およびフリー層のうち少なくとも１層に配置することにより、抵抗変化量を大きくする。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect type head of which the particles of a material composing a substrate are not desorpted from the surface of the substrate even when the sliding surface of the substrate is pressurized.例文帳に追加

基板の摺動面に圧力が加わった場合でも、基板の表面から基板を構成している材料の粒子が脱離することのない磁気抵抗効果型ヘッドを提供する。 - 特許庁

The rotation detector is structured so as to surround the sensor chip including the magnetoresistive element, and includes the bias magnet 60 applying a biased magnetic field to the element.例文帳に追加

回転検出装置は、磁気抵抗素子を備えるセンサチップを囲繞する態様で配されて上記磁気抵抗素子にバイアス磁界を付与するバイアス磁石６０を備えて構成されている。 - 特許庁

A magnetoresistive effect element 8 has an elongated shape where the length L of element is longer than the width W of element which is set in the range of 1-5 μm.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子８は素子長さＬが素子幅Ｗよりも長く形成された細長形状であり、前記素子幅Ｗは１μｍ〜５μｍの範囲内で形成される。 - 特許庁

The magnetoresistive element includes a first magnetic film 11, a tunnel barrier film 14 on the first magnetic film 11, and a second magnetic film 16 on the tunnel barrier film 14.例文帳に追加

本発明の例に係る磁気抵抗効果素子は、第一の磁性膜１１と、第一の磁性膜１１上のトンネルバリア膜１４と、トンネルバリア膜１４上の第二の磁性膜１６とを備える。 - 特許庁

Memory cells 1 disposed along one direction are configured such that: one end side of each magnetoresistive element 3 is connected to a bit line 4a; and the other end side is connected to the drain of the access transistor 2.例文帳に追加

一方向に沿って位置するメモリセル１では、各磁気抵抗効果素子３の一端側はビット線４ａに接続され、他端側はアクセストランジスタ２のドレインに接続されている。 - 特許庁

In the magnetic head 27, the core width is specified in the down track direction of the recording track, so that the larger core width is secured for the magnetoresistive effect film 44.例文帳に追加

こうした磁気ヘッド２７によれば、記録トラックのダウントラック方向にコア幅が規定されることから、磁気抵抗効果膜４４では従来に比べて大きなコア幅が確保される。 - 特許庁

Magnetoresistive devices that can incorporate the exchange-coupled structure 110 include current-in-plane (CIP) read heads and current-perpendicular-to-plane (CPP) magnetic tunnel junctions and read heads.例文帳に追加

交換結合構造１１０を組み込むことができる磁気抵抗素子には面内電流（ＣＩＰ）読み出しヘッドと面直交電流（ＣＰＰ）磁気トンネル接合及び読み出しヘッドがある。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a magnetic sensor element, which prevents potential differences between a substrate, a lower shield layer, a magnetoresistive element, and an upper shield layer in the manufacturing process, and provide a magnetic sensor element.例文帳に追加

製造過程において基板と下部シールド層、磁気抵抗素子、上部シールド層間での電位差の発生を防止した磁気検出素子及びその製造方法、磁気ヘッドを得る。 - 特許庁

An azimuth-aligning groove 27 is formed along the outer periphery of the semiconductor magnetoresistive element, having two or more MR-sensor chips mounted, thereby improving the assembling accuracy for the outer case.例文帳に追加

２個以上のＭＲセンサチップを実装した半導体磁気抵抗素子の外周部にアジマス位置合わせ用溝２７を形成することで、外部ケースとのアセンブリ精度を向上させる。 - 特許庁

The generation of the contact noise by the contact of the magnetoresistive element 64 with the magnetic tape can be avoided.例文帳に追加

しかも、当該凹部の深さｔ１を４〜３０ｎｍの範囲内と規定することで、スペーシングロスによって出力が低下するようなことも殆ど無く、十分に大きな再生出力を得ることができる。 - 特許庁

A current-perpendicular-to-the-plane (CPP) magnetoresistive (MR) sensor, such as a CPP MR disk drive reading head, has an improved insulation structure that surrounds a stack of layers constituting a sensor.例文帳に追加

ＣＰＰ ＭＲディスク・ドライブ読取りヘッドなどの平面垂直通電型（ＣＰＰ）磁気抵抗（ＭＲ）センサは、センサを構成する層のスタックを囲む改良絶縁構造を有する。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head or the like capable of strongly fixing a direction of the magnetization of a fixed layer in spite of employing a spin valve magnetoresistive effect element not including a layer to fix the magnetization direction of the fixed layer.例文帳に追加

固定層の磁化の方向を固定するための層を含まないスピンバルブ型の磁気抵抗効果素子を用いながら、固定層の磁化の方向を強固に固定できるようにする。 - 特許庁

To provide a magnetic detector capable of preferably maintaining detection accuracy to the angular change of a magnetic vector, even when the environment with magnetoresistive elements arranged therein changes.例文帳に追加

磁気抵抗素子の配設される環境が変化する場合であれ、磁気ベクトルの角度変化に対する検出精度を好適に維持することのできる磁気検出装置を提供する。 - 特許庁

To form an insulation film whose insulation barrier level is lower than that of an aluminum oxide and which obtains a high MR (magnetoresistive) ratio, in a magnetic sensor having a ferromagnetic tunnel junction and its manufacture.例文帳に追加

強磁性トンネル接合を有する磁気センサ及びその製造方法に関し、絶縁障壁高さが酸化アルミニウムより低く、且つ、高いＭＲ比が得られる絶縁膜を形成する。 - 特許庁

To provide a magnetic head of high reproduction output by using a high sensitivity film thickness oriented current magnetoresistive effect element having proper electric resistance and a high variable ratio of the resistance.例文帳に追加

適切な電気抵抗と高い抵抗変化率を有する高感度の膜厚方向電流型磁気抵抗効果素子を用いて、再生出力の高い磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

The tips of the first electrode films 351, 361 included in a pair of electrode films 35, 36 overlap the surface of the magnetoresistive element film 300 and the tip surfaces rise with the inner angle θ1.例文帳に追加

一対の電極膜３５、３６に含まれる第１の電極膜３５１、３６１は、先端部が磁気抵抗効果膜３００の表面に重なり、先端面が内角θ１で立ち上がる。 - 特許庁

The collector of an amplifying transistor 20 is connected to the supply voltage Vin and a drain of the FET 14, and an emitter of the amplifying transistor 20 is connected to the semiconductor magnetoresistive element 18 and to an output resistor 22.例文帳に追加

増幅用トランジスタ２０のコレクタを電源電圧ＶｉｎおよびＦＥＴ１４のドレインに接続し、エミッタを半導体磁気抵抗素子１８および出力用の抵抗２２に接続する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive magnetic head capable of obtaining a high reproducing sensitivity and an excellent linear responsiveness with low noise even when the narrowing of the track width is proceeded, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

トラック幅の狭小化が進んでも、高い再生感度と、低ノイズで良好な線形応答性を実現する磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and device for manufacturing a magnetoresistive element and a method and device for manufacturing a magnetic device improving the reproducibility of a magnetoresistance effect.例文帳に追加

磁気抵抗効果の再現性を向上させた磁気抵抗素子の製造方法、磁気デバイスの製造方法、磁気抵抗素子の製造装置および磁気デバイスの製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a tunnel barrier layer having improved uniformity of thickness and oxidizing condition, and a tunneling magnetoresistive (TMR) sensor having such a tunnel barrier layer, and to provide a method of manufacturing the sensor.例文帳に追加

膜厚と酸化状態の均一性が改善されたトンネルバリア層の形成方法、ならびにそのようなトンネルバリア層を備えたＴＭＲセンサおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The magnetic sensor 1 is constituted of a sensor chip 3 having a magnetoresistive element, and the bias magnet 2, having a rectangular groove in the longitudinal direction that, is formed to a substantially U-shape.例文帳に追加

磁気センサは、磁気抵抗素子を備えるセンサチップ３と、長さ方向に矩形溝が設けられて断面略Ｕ字形状に形成されたバイアス磁石２とを有して構成される。 - 特許庁

An upper metal layer 27 made of non-magnetic metal as a protective layer is formed on the top surface of an uppermost free layer 26 of a magnetoresistive effect layer composing a TMR device 2.例文帳に追加

ＴＭＲ素子２を構成する磁気抵抗効果層の最上層のフリー層２６の上面の上面に、保護膜として、非磁性金属層からなる上部金属層２７を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that suppresses the intrusion of impurities to a magnetoresistive element or a load of stress and operates at high accuracy and at low drive power, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

磁気抵抗素子への不純物の侵入や応力の負荷を抑制し、低い駆動電力で高精度に作動する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A second hard film 10 for canceling the effects of the first hard magnetic film 5 is formed on an electrode film 6 for supplying sense current to the magnetoresistive effect element 4.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子４にセンス電流を供給するための電極膜６上には、第１の硬磁性膜５の影響を打ち消すための第２の硬磁性膜１０が形成されている。 - 特許庁

A diffusion prevention layer formed of an Al thin film is formed on at least either of a lower part and an upper part of the reference layer included in a spin valve layer of the CPP magnetoresistive effect element.例文帳に追加

ＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子のスピンバルブ層に含まれるリファレンス層の下部及び上部のうちの少なくとも一方にＡｌの薄膜よりなる拡散防止層を形成する。 - 特許庁

Most of the magnetoresistive effect elements are disposed by positioning the element surface facing the recording medium farther from the center than the other surface.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の記録媒体対向面となる側が、その反対側の方よりも、基板の中心から遠くに位置するように、複数の磁気抵抗効果素子の過半数が配置されている。 - 特許庁

Each magnetoresistive element is formed as a TMR element or a GMR element having a multilayer film formed of a fixed layer, a non-magnetic layer, and a free layer and the center element is formed as the memory element.例文帳に追加

各磁気抵抗効果素子は、固定層、非磁性層、自由層からなる多層膜を含むＴＭＲ素子あるいはＧＭＲ素子とすることができ、中央の素子が記憶素子となる。 - 特許庁

To provide a sliding mode controller for controlling the motion of a magnetoresistive (MR) read head actuated by a voice coil motor over a rotating magnetic disk storage medium.例文帳に追加

回転する磁気ディスク格納媒体の上に位置し音声コイルモータによって作動される磁気抵抗型（ＭＲ）読出しヘッドの動きを制御する滑動モードコントローラを提供する。 - 特許庁

This magnetoresistive effect element is configured so that the resistance value can be made different due to the difference of the relative net angle of the magnetization orientation of the first ferromagnetic layer with the magnetization orientation of the second ferromagnetic layer.例文帳に追加

この素子は、第１強磁性層の磁化方向と第２強磁性層の磁化方向との相対角度の相違により抵抗値が相違する磁気抵抗効果素子となる。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for manufacturing a magnetoresistive film whereby GMR and TMR films having excellent magnetic properties such as a magnetoresistance change ratio (MR ratio) can be manufactured with high yields.例文帳に追加

磁気抵抗変化率（ＭＲ比）等の磁気特性に優れたＧＭＲ及びＴＭＲ膜を高い歩留まりで製造可能な磁気抵抗膜の製造方法及び製造装置を提供する。 - 特許庁

A yoke 20 is arranged to cover a part of wire 5 extending in the desired direction and a magnetoresistive effect element 4 is arranged in contact with the yoke 20 to form a closed magnetic path.例文帳に追加

任意方向に延在する配線５の一部を覆うようにヨーク２０を配置し、このヨーク２０に接触するように磁気抵抗効果素子４を配置して、閉磁路を形成する。 - 特許庁

To manufacture a magnetoresistive head which has a small spacing between a lower shield film and upper shield film of a magnetically sensitive region and assures the stable insulation between the electrode films and the magnetic shielding films.例文帳に追加

感磁部領域の下部シールド膜と上部シールド膜の間隔が小さく、かつ、電極膜と磁気シールド膜との安定した絶縁性を確保した磁気抵抗効果型ヘッドを製造する。 - 特許庁

To provide a stable reproduction output by suppressing the generation of noise or the like in the reproduction output of a magnetoresistive effect element caused by the effect of a magnetic domain wall formed on a magnetic shield layer.例文帳に追加

磁気シールド層に発生する磁壁の影響により磁気抵抗効果素子の再生出力にノイズ等が発生してしまうのを抑制し、安定した再生出力を得る。 - 特許庁

The magnetoresistive effect layer includes a nonmagnetic layer 25, a pinned layer 24 and a free layer 26 with the nonmagnetic layer 25 in between, and a pin layer 23 at the pinned layer 24 on the side opposite to the free layer 23.例文帳に追加

磁気抵抗効果層は、非磁性層２５と、これを挟むピンド層２４及びフリー層２６と、ピンド層２４のフリー層２６と反対側に形成されたピン層２３と、を有する。 - 特許庁

Thus, a tunnel-type magnetoresistive element, having the insulation barrier layer 5 formed of Mg-O, can increase the resistance change ratio (ΔR/R), as compared with conventional types.例文帳に追加

これにより、絶縁障壁層５がＭｇ−Ｏで形成されたトンネル型磁気抵抗効果素子において、従来に比べて、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能である。 - 特許庁

A magnetic thin film memory comprises means for controlling the level of a current required for writing information stepwise, and a temperature sensor sensing the temperature of the magnetoresistive effect element.例文帳に追加

また、情報の書き込みに要する電流値を段階的に制御する手段と、磁気抵抗効果素子の温度を感知する温度センサを備えた磁気薄膜メモリ装置によって解決される。 - 特許庁

A pair of the shielding materials 61, 62 are composed of a material having the hardness higher than the hardness of the magnetoresistive element 64.例文帳に追加

本発明では、このような接触ノイズが発生し難い磁気抵抗効果型磁気ヘッド、並びにそのような磁気抵抗効果型磁気ヘッドを備えた磁気記録再生装置を提供する。 - 特許庁

An interlayer dielectric layer is formed to cover the magnetoresistive effect element, in such an insulating material as becoming an insulator which permeate less moisture as compared with the original material through nitriding (b).例文帳に追加

（ｂ）窒化されることによって、元の材料よりも水分を透過させにくい絶縁物になる絶縁材料からなる層間絶縁膜を、磁気抵抗効果素子を覆うように形成する。 - 特許庁

To provide a spin valve vertically energized magnetoresistive effect element that is large in resistance variation, and to provide a magnetic head and a magnetic reproducing device using the element.例文帳に追加

スピンバルブ構造の垂直通電磁気抵抗素子において、抵抗変化量の大きい磁気抵抗効果素子、及びこれを用いた磁気ヘッド、磁気再生装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The bias magnet 60 has its magnetic field intensity set to be selectively low in parts respectively opposite to the front and the rear of a provision surface of the magnetoresistive element on the sensor chip.例文帳に追加

このバイアス磁石６０は、上記センサチップにおける磁気抵抗素子の配設面の表裏のそれぞれと対向する部分において磁界強度が選択的に低く設定されている。 - 特許庁

The wiring layer includes a wiring center part at least overlapping with the magnetoresistive element, and a wiring-side part positioned outside the wiring center part and having a larger resistance value than the wiring center part.例文帳に追加

配線層は、磁気抵抗素子と少なくともオーバーラップする配線中央部と、配線中央部よりも外側に位置し、配線中央部よりも抵抗値が高い配線側部と、を含む。 - 特許庁

To provide a vertical energization type magnetoresistive effective head in which magnetization of a magnetization fixed layer can be magnetized again in the desired direction when a magnetization direction of the magnetization fixed layer is deviated.例文帳に追加

磁化固着層の磁化方向がずれた場合に、磁化固着層の磁化を所望の方向に再着磁させることができる垂直通電型磁気抵抗効果ヘッドを提供する。 - 特許庁

The magnetoresistive element is constituted by using the ferromagnetic material which is MnM (M is silicon, germanium, or tin or a combination of ≥2 kinds of them) whose crystal structure has a sphalerite type.例文帳に追加

結晶構造が閃亜鉛鉱型を有するＭｎＭ（Ｍはシリコン，ゲルマニウム，および錫の１種あるいは２種以上の組み合わせ）である強磁性材料を用い、磁気抵抗素子を構成する。 - 特許庁

To provide a head slider, a head gimbals assembly and a hard disc device which enable prevention of crosstalks between a wiring for a magnetoresistive effect element and the wiring for inductive electromagnetic conversion element.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の配線と誘導型電磁変換素子の配線との間におけるクロストークを防止することができるヘッドスライダ、ヘッドジンバルアセンブリ及びハードディスク装置を提供すること。 - 特許庁