「MAGNETORESISTIVE」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

The absolute value of resistance variation amount as the first magnetoresistive effect element 21 is increased, thereby the current Im to be detected flowing in the thin film coil 31 can be measured highly precisely even though it is a compact constitution.例文帳に追加

第１の磁気抵抗効果素子２１としての抵抗変化量の絶対値が増大し、コンパクトな構成でありながら、薄膜コイル３１を流れる検出対象電流Ｉｍを高精度に測定することができる。 - 特許庁

To obtain a magnetoresistive head of high performance stabilized in operation characteristics by impressing sufficient bias magnetic field to the free layer portion of a magnetoresistance element and reducing the effects of the bias magnetic field on a pin layer.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子のフリー層部分に対して十分なバイアス磁界を印加するとともに、ピン層に対するバイアス磁界の影響を低減し、動作特性の安定した高性能の磁気抵抗効果型ヘッドを得る。 - 特許庁

The current sensor 10 is connected by electric wires 3a and 3b to the detection circuit 4 for detecting a current value, by a conversion circuit which vectorially combines outputs of the magnetoresistive effect elements 1a and 1b and converts it into true current value.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子１ａ，１ｂの出力をベクトル的に合成して真の電流値に換算する変換回路により電流値を検出する検出回路４とは、電線３ａ，３ｂにより接続される。 - 特許庁

To realize a magnetoresistive element having high sensitivity by making apparent magnetization of a pinned layer of laminated ferrimagnetic structure almost zero, considering reduction of film thickness by alloying, regarding a magnetic head and a magnetic recording device.例文帳に追加

磁気ヘッド及び磁気記録装置に関し、積層フェリ構造のピンド層の見かけ上の磁化を合金化による膜厚のめべりを考慮してほぼ０にすることにより高感度な磁気抵抗効果素子を実現する。 - 特許庁

The use of a hysteresis characteristic of the magnetoresistive element can provide the comparator 2 with a holding function to dispense with a holding circuit comprising flip-flops which is requisite to an existing flash analog-digital converter.例文帳に追加

磁気抵抗素子のヒステリシス特性を利用することにより比較器２に保持機能を持たせることができ、従来のフラッシュ型アナログデジタル変換器において必要であったフリップ・フロップからなる保持回路を省くことができる。 - 特許庁

The semiconductor storage device is provided with; a memory array which includes a plurality of memory cells which have magnetoresistive elements and reference cells; and a reading circuit 9 which reads out the data of selection cells selected from among the plurality of memory cells.例文帳に追加

磁気抵抗素子を有する複数のメモリセル及び参照セルを含むメモリアレイと、複数のメモリセルのうちから選択された選択セルのデータを読み出す読み出し回路９とを具備する半導体記憶装置を用いる。 - 特許庁

For the substance with high gettering effects, the substance with the value of oxygen gas adsorption energy of 145 kcal/mol or more is adequate, and Ta (tantalum) as the substance forming the magnetoresistive effect element is particularly preferred.例文帳に追加

ゲッタ効果の大きい物質は、該物質の酸素ガス吸着エネルギーの値が１４５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上の物質であればよく、特に前記磁気抵抗効果素子を構成する物質としてのＴａ（タンタル）が好適である。 - 特許庁

Magnetic memory devices (RMCA and RMCB) mounted along with a logic circuit (20) are arranged in reflectional symmetry about the axis parallel to the hard-to-magnetizing axis (HX) of the magnetoresistive element of the magnetic memory cell.例文帳に追加

ロジック回路（２０）と混載される磁気メモリ装置（ＲＭＣＡ，ＲＭＣＢ）は、この磁気メモリセルの磁気抵抗素子の磁化困難軸（ＨＸ）と平行な軸に関して鏡映対称（ミラー反転）のレイアウトを有するように配置する。 - 特許庁

A magnetoresistive effect element is formed on a semiconductor substrate while sandwiching a nonmagnetic layer between a pinned layer composed of a ferromagnetic material having a fixed magnetization direction and a free layer having a magnetization direction which varies depending on the external magnetic field (a).例文帳に追加

（ａ）半導体基板上に、磁化方向が固定された強磁性材料からなるピンド層と、外部磁場によって磁化方向が変化するフリー層とで非磁性層を挟んだ磁気抵抗効果素子を形成する。 - 特許庁

To shape each magnetoresistive effect element in a magnetic memory strictly beyond the resolution limit of photolithography when it is shaped to be effective for suppressing the variation of an inverted magnetic field.例文帳に追加

磁気メモリ装置における各磁気抵抗効果素子を反転磁界ばらつき抑制に効果的な形状とするのにあたり、その形状をフォトリソグラフィの解像度限界を超えて厳密に形成することを可能とする。 - 特許庁

Each sensor device 33 includes three half-bridge circuits 38 (38u, 38v, 38w) having a pair of spin valve magnetoresistive elements 37a, 37b which are connected in series so that the magnetization directions of spin fixed layers become opposite to each other.例文帳に追加

また、各センサデバイス３３は、スピン固定層の磁化方向が逆向きとなるように直列接続された一対のスピンバルブ型磁気抵抗素子３７ａ，３７ｂを有する３つのハーフブリッジ回路３８（３８ｕ，３８ｖ，３８ｗ）を備える。 - 特許庁

The magnetic memory includes a magnetoresistive element 10 including a fixed layer 12 whose magnetization direction is fixed, a recording layer 14 whose magnetization direction is variable and a nonmagnetic layer 13 disposed between the fixed layer 12 and the recording layer 14.例文帳に追加

磁気メモリは、磁化方向が固定された固定層１２と、磁化方向が可変の記録層１４と、固定層１２と記録層１４との間に設けられた非磁性層１３とを含む磁気抵抗素子１０を具備する。 - 特許庁

A magnetoresistive laminated film 10 is formed by laminating a substrate film 14, an anti-ferromagnetic film 11, a ferromagnetic fixed layer 15, a non-magnetic intermediate layer 12, a soft magnetic free layer 13, a long distance anti-parallel coupling laminated film 17, and a differential soft magnetic free layer 16.例文帳に追加

磁気抵抗効果積層膜10は、下地膜14、反強磁性膜11、強磁性固定層15、非磁性中間層12、軟磁性自由層13、長距離反平行結合積層膜17、差動軟磁性自由層16を積層してなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a magnetoresistive element which can minimize malfunction due to application of a component of a magnetic field, in the direction opposite from a desired magnetization direction, to a free layer.例文帳に追加

磁気抵抗素子を有する半導体装置であって、フリー層に所望の磁化方向と反対方向の磁界の成分が印加されることによる誤動作を抑制することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

A magnetic layer having ferromagnetism, ferrimagnetism, or antiferromagnetism and such a characteristic that the conducting phenomenon presented by the layer remakably varies depending upon the spin direction of electrons is inserted into a magnetoresistive effect film.例文帳に追加

強磁性、フェリ磁性または反強磁性磁性の磁性を有し、電子のスピン方向に応じて伝導現象が大幅に異なる特性を有するハーフメタルを主成分とする磁性層を磁気抵抗効果膜に挿入する。 - 特許庁

Furthermore, bending a leg 23 of an elongated lead frame eliminates a complex process of connecting a terminal of the semiconductor magnetoresistive element with a terminal pin, after it has been mounted once on a printed board.例文帳に追加

さらに長く伸ばされたリードフレームの足２３を折り曲げることで、半導体磁気抵抗素子の端子を一旦プリント基板に実装した後に端子ピンと接続させるような複雑な工程も無くすことが可能となる。 - 特許庁

This sensor assembly 20 includes the first magnetoresistive field sensor 28A within the first surface-mountable package to measure the first and second components of the magnetic field projected respectively onto the first and second different axes.例文帳に追加

センサーアセンブリ２０は、第１の表面取付け可能なパッケージ内の第１の磁気抵抗磁界センサー２８Ａを含み、異なる第１および第２の軸それぞれに投射された磁界の第１および第２の成分を測定する。 - 特許庁

The differential output is binarized, by comparing the differential output of the mid-point electric potential (Va, Vb) of the magnetoresistive element pairs (1, 2) by a first comparator 4, in which a first threshold voltage Vth1 is set.例文帳に追加

各磁気抵抗素子対（１、２）の中点電位（Ｖａ、Ｖｂ）の差動出力を第１の閾値電圧Ｖｔｈ１が設定された第１の比較器４により比較することによって差動出力は２値化される。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive element in which a ferromagnetic conductor thin film and a tunnel barrier thin film can be bonded with sufficient alignment, thereby preventing the characteristics from deteriorating due to poor bonding.例文帳に追加

強磁性導電体薄膜とトンネル障壁薄膜を整合性よく接合することができ、それにより、接合の不具合による特性の低下が生じることを防ぐことができる磁気抵抗素子を提供する。 - 特許庁

The MR sensor, which includes an MR 100 stack having a magnetoresistive layer, is configured to operate in a current-perpendicular-to-plane (CPP) mode wherein a sense current flows substantially perpendicular to a longitudinal plane of the mangetoresistive layer.例文帳に追加

ＭＲ読取センサーは、磁気抵抗層を有するＭＲ積層体（１００）を含み、ＣＰＰモードで動作するように構成され、検知電流が磁気抵抗層の長手方向面にほぼ直角方向に流される。 - 特許庁

To provide a magnetic memory having an architecture which has a small influence of an unevenness of recording and reading conditions of a pair of magnetoresistive effect elements used in combination when a differential operation or the like is conducted.例文帳に追加

差動動作などを行う場合に、組み合わせて用いる一対の磁気抵抗効果素子に対する記録、読み出しの条件のばらつきの影響が少ないアーキテクチャを有する磁気メモリを提供することを目的とする。 - 特許庁

A write-in of the information is carried out, by supplying the current to the magnetoresistive element 12 in a single direction and by setting the magnetization direction of the magnetization free layer 12C to a second direction according to a spin-transfer magnetization reversal.例文帳に追加

情報の書き込みは、磁気抵抗素子１２に単方向に電流を供給し、スピン注入磁化反転により磁化自由層１２Ｃの磁化の方向を第２の方向に設定することで行われる。 - 特許庁

The magnetoresistive device 21_1 includes: a ferromagnetic layer configured to exhibit magnetic anisotropy and to allow magnetization thereof to be switched at least between first and second directions; and a gate 23 capacitively coupled to the ferromagnetic region.例文帳に追加

磁気抵抗素子は、磁気異方性を示し、その磁化が少なくとも第一及び第二の方向の間で反転できるように構成された強磁性層と、強磁性領域に容量性結合されたゲートとを含んでいる。 - 特許庁

The magnetoresistive memory has insulators 7 made of a nitride formed on the side surface of a magneto-resistance film, where first an second magnetic layers 3, 5 are laminated via a nonmagnetic layer (an insulation layer 4).例文帳に追加

第１磁性層３と第２磁性層５が非磁性層（絶縁層４）を介して積層されてなる磁気抵抗効果膜の側面に、窒化物からなる絶縁体７を形成したこと特徴とする磁気抵抗メモリ。 - 特許庁

Since these giant magnetoresistive elements 7, 8 have detection axes parallel to the slope, that is, are directed in an upper slanting direction to the substrate 1, the magnetic field strength of three axes can be detected.例文帳に追加

これら巨大磁気抵抗素子７、８は、ともに斜面に平行な方向、すなわち基板１の斜め上方に向く方向に感知軸を有するものとなるため、三軸方向の磁界の強さを検知できるセンサとなる。 - 特許庁

To provide a rotation detecting device capable suitably integrating a bias magnet imparting a bias magnetic field to a magnetoresistive element provided in a sensor chip and case members covering the bias magnet with the sensor chip.例文帳に追加

センサチップ内に設けられた磁気抵抗素子にバイアス磁界を付与するバイアス磁石とセンサチップ共々該バイアス磁石を覆うケース部材とのより好適な一体化を図ることのできる回転検出装置を提供する。 - 特許庁

The magnetic head 1 used in a small magnetic disk drive of a mobile device consists of a thin film induction recording head and a magnetoresistive effect reproducing head both formed on the same slider.例文帳に追加

モバイル機器に搭載される小型磁気ディスク装置に用いられる磁気ヘッド１は、同一のスライダ上に形成された薄膜誘導型の記録用ヘッドと磁気抵抗効果素子を有する再生用ヘッドとにより構成されている。 - 特許庁

The first and second magnetoresistive element pairs 11, 12 are respectively arranged in the vicinity of openings thereof to the bias magnet 40 along the same vector, among the magnetic vectors generated by the bias magnet 40.例文帳に追加

このようなバイアス磁石４０に対し、第１及び第２の磁気抵抗素子対１１、１２を、その開口部近傍に、且つ、該バイアス磁石４０による磁気ベクトルのうち同一の磁気ベクトルに沿うようにそれぞれ配設する。 - 特許庁

To obtain a method of working laminated film by which a laminated film can be worked by reducing the damage to an objective film by an ion beam by etching the objective film by accurately visually confirming the boundary of the film, and to provide a tunnel magnetoresistive effect element manufactured by the method.例文帳に追加

膜の境界を明瞭に視認して正確にエッチングし、イオンビームによる対象膜へのダメージの少ない積層膜加工方法及びそれにより製造したトンネル磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

In the magnetoresistive element 10, a tunnel barrier thin film 13 composed of Ga_2O_3 is arranged between a (Ga, Mn)N thin film 11 where a part of Ga in GaN is replaced by Mn and a (Ga, Mn)_2O_3 thin film 12 where part of Ga in Ga_2O_3 is replaced by Mn.例文帳に追加

磁気抵抗素子１０は、GaNにおいてGaの一部がMnに置換された(Ga, Mn)N薄膜１１と、Ga_2O_3においてGaの一部がMnに置換された(Ga, Mn)_2O_3薄膜１２の間に、Ga_2O_3から成るトンネル障壁薄膜１３を配置したものである。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory device in which the number of parts of a toggle cell is reduced and integration degree is improved by sharing an access transistor with a plurality of magnetoresistive element(thin film magnetic material) in the toggle cell.例文帳に追加

トグルセルに関して、複数の磁気抵抗素子（薄膜磁性体）に対してアクセストランジスタを共有することによりトグルセルの部品点数を削減して集積度を向上させた不揮発性記憶装置を提供する。 - 特許庁

On the CPP structured magnetoresistive effect head, the deformation adjacent to the plane facing the medium to occur in machine polishing for a floating plane machining process can be reduced by arranging deformation preventing layers 13, 14 with a shearing modulus larger than a first ferromagnetic layer 19 and a second ferromagnetic layer 17 between a magnetoresistive effect film 50 and at least either a lower shield layer 11 or un upper shield layer 12.例文帳に追加

ＣＰＰ構造の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、磁気抵抗効果膜５０と、少なくとも下部シールド層１１あるいは上部シールド層１２の何れか一方との間に、第１の強磁性層１９および第２の強磁性層１７よりも大きなずれ弾性率を有する変形防止層１３、１４を設けることにより、浮上面加工工程で機械研磨加工を行った際に発生する媒体対向面近傍における変形を低減できる。 - 特許庁

A hard magnetic layer for imparting a bias magnetic field to a magnetoresistive element which is a multi-layered film comprising a fixed magnetic layer having magnetization fixed in a prescribed first direction and a free magnetic layer having an axis of easy magnetization in a prescribed second direction is formed in a region including at least one of the front and the back of the prescribed first direction when observed from the magnetoresistive element.例文帳に追加

所定の第１の方向に固定された磁化を有する固定磁性層と所定の第２の方向に磁化容易軸を持つ自由磁性層とを含む多層膜である磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を付与する硬磁性層を、上記磁気抵抗効果素子からみて、上記所定の第１の方向前方およびその第１の方向後方のうちの少なくともいずれか一方を含む領域に形成する硬磁性層形成を行う。 - 特許庁

A magnetoresistive device 21 comprises: a ferromagnetic region 22 configured to exhibit magnetic anisotropy and to allow magnetization thereof to be switched between at least first and second orientations; and a gate 23 capacitively coupled to the ferromagnetic region 22.例文帳に追加

磁気抵抗素子（２１）は、磁気異方性を示しかつその磁化を少なくとも第１と第２の配向の間に切り換えることができる強磁性領域（２２）とこの強磁性領域（２２）に容量的に結合するゲート（２３）とを含む。 - 特許庁

Erasure of the information is carried out by means of setting the magnetization direction of the magnetization free layer 12C to a first direction, according to the current-induced magnetic field from the word line WL, and also carried out to the plurality of magnetoresistive elements 12 collectively.例文帳に追加

情報の消去は、ワード線ＷＬからの電流誘導磁場により磁化自由層１２Ｃの磁化の方向を第１の方向に設定することで行われ、かつ複数の磁気抵抗素子１２に対して一括して行われる。 - 特許庁

The current sensor employs a magnetoresistive element 111, which senses angular change in a composite vector of a first magnetic vector generated by current Ib in a bus bar BS and a second magnetic vector generated by a bias magnet 120.例文帳に追加

電流センサは、バスバーＢＳの電流Ｉｂによって発生する第１の磁気ベクトルとバイアス磁石１２０による第２の磁気ベクトルとの合成ベクトルの角度変化を感知する磁気抵抗素子１１１を有して構成される。 - 特許庁

To provide a structure can prevent diffusion of an element such as Ge in a reference layer while keeping exchange coupling between the reference layer and other layer, in a spin valve film of a CPP magnetoresistive effect element.例文帳に追加

ＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子のスピンバルブ膜においてリファレンス層と他の層との間の交換結合を維持しつつリファレンス層中のＧｅ等の元素の拡散を防止し得る構成を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the magnetoresistive element including layers formed in the order of a fixation layer, a fixed layer, a nonmagnetic layer, and a free layer, the free layer, the fixed layer, or the fixation layer is formed by an intermetallic compound.例文帳に追加

固定化層、固定層、非磁性層および自由層の順で形成された層を含む磁気抵抗素子において、自由層、固定層または固定化層が金属間化合物で形成されていることを特徴とする磁気抵抗素子。 - 特許庁

This invention relates to a tunnel magnetoresistive element and a spin transistor which have a ferromagnetic semiconductor film containing InAs, a ferromagnetic metal film, and an insulating film provided between the ferromagnetic semiconductor film and the ferromagnetic metal film.例文帳に追加

本発明は、ＩｎＡｓを含む強磁性半導体膜と、強磁性金属膜と、前記強磁性半導体膜と前記強磁性金属膜との間に設けられた絶縁膜と、を具備するトンネル磁気抵抗素子およびスピントランジスタである。 - 特許庁

To provide MRAM or the like having high performance and high mass production characteristic by solving problems of stabilization of read-out data from resistive elements, especially magnetioresistive effect elements and of dispersion of resistance values of magnetoresistive effect elements or the like.例文帳に追加

抵抗素子、とくに磁気抵抗効果素子からのデータの読み出しの安定化と、量産時に生じる磁気抵抗効果素子等の抵抗値のばらつきの問題を解消し、高性能で量産性のあるＭＲＡＭ等を作製する。 - 特許庁

A bed layer 6 formed by laminating a first bed layer 2 composed of ruthenium (Ru) and a second bed layer 4 composed of a soft magnetic layer in this order is formed on the anti-ferromagnetic pining layer 8-side surface of the magnetoresistive film 1x.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜１ｘの反強磁性ピニング層８側表面には、ルテニウム（Ｒｕ）からなる第１下地層２と、軟磁性層からなる第２下地層４とがこの順に積層された下地層６が形成されている。 - 特許庁

When initially setting up a tester 500, the preamplifier 514 of a magnetic property measuring device 502 is connected to an emulator 1 to input signals emulating the resistance and resistance change of the magnetoresistive element to use as the standard.例文帳に追加

テスター５００の初期設定時に、磁気特性測定装置５０２のプリアンプ５１４にエミュレータ１が接続され、エミュレータから、標準となる磁気抵抗効果素子の抵抗値及び抵抗変化をエミュレートした信号が入力される。 - 特許庁

Patterns of the magnetoresistive effect element 2, the first magnetic domain controlling layer 3A and the second magnetic domain controlling layer 3B are determined by the upper layer part 5B and patterns of the first electrode 4A and the second electrode 4B are determined by the lower layer part 5A.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子２、第１の磁区制御層３Ａ及び第２の磁区制御層３Ｂのパターンは上層部５Ｂで決定され、第１の電極４Ａ及び第２の電極４Ｂのパターンは下層部５Ａで決定されている。 - 特許庁

The nonvolatile memory device in which area penalty is small and integration degree is high can be obtained by adopting such constitution that one access transistor is shared with the plurality of tunnel magnetoresistive elements TMR like the above constitution.例文帳に追加

本願構成の如く複数のトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲに対して１つのアクセストランジスタを共有した構成とすることにより、エリアペナルティの小さい集積度の高い不揮発性記憶装置を実現することができる。 - 特許庁

The protective film protects the electrode film from etching, and has a positive value in a saturation magnetostriction constant and a compression stress of 600 Mpa for giving a tensile stress in a height direction to the magnetoresistive film via the domain control film.例文帳に追加

保護膜は、電極膜をエッチングから保護し、飽和磁歪定数が正の値であり、且つ、６００ＭＰａ以上の圧縮応力を有し、磁区制御膜を介して磁気抵抗効果膜にハイト方向の引張応力を付与する。 - 特許庁