「MAGNETORESISTIVE」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

The magnetoresistive effect element comprises a multilayer fixed magnetic layer comprising at least one nonmagnetic layer and magnetic layers sandwiching the nonmagnetic layer wherein the magnetic layers are coupled magnetostatically through the nonmagnetic layer.例文帳に追加

固定磁性層が、少なくとも１層の非磁性体層と、この非磁性体層を挟持する磁性体層とからなる多層膜であり、上記磁性体層が、上記非磁性体層を介して互いに静磁結合している磁気抵抗素子を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the thin-film magnetic head, a free layer 40 which is changed in a magnetization direction according to an external magnetic field and a magnetoresistive effect film having ferromagnetic layers 51 and 52 for applying a bias magnetic field to the free layer 40 are first formed.例文帳に追加

本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、まず、外部磁界に応じて磁化方向が変化するフリー層４０、及び、このフリー層４０にバイアス磁界を印加するための強磁性層５１，５２を有する磁気抵抗効果膜を形成する。 - 特許庁

To obtain a magnetoresistive head having a spin valve element, capable of narrowing a track not companied with the reduction of reproducing sensitivity and reproducing recorded signals in high sensitivity from the track having a narrow width of a magnetic recording medium having the signal recorded in a high density.例文帳に追加

スピンバルブ素子を備える磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、再生感度の低下を伴わずに狭トラック化が可能で、信号が高密度記録された磁気記録媒体の幅の狭いトラックから記録信号を高感度で再生することのできるものを得る。 - 特許庁

To provide a method and a device for reducing the accumulated charge, for eliminating the damage given to a magneto-resistance element due to the accumulated discharge of static electricity during the production and transportation of a magnetoresistive transducer which is used for a head of a magnetic storage system.例文帳に追加

磁気記憶システムのヘッドに使う磁気抵抗変換器の製作中および輸送中に蓄積した静電気の放電により磁気抵抗素子に与える損傷をなくするために、その蓄積電荷を減少するための方法および装置を提供すること。 - 特許庁

The magnetic random access memory is equipped with: multiple MRAM arrays 32 wherein magnetoresistive elements are integrated; and multiple magnetic shields 33, each of which is provided for each MRAM array 32 to prevent interlinkage of a disturbing magnetic field with the MRAM array 32.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、磁気抵抗素子が集積化された複数のＭＲＡＭアレイ３２と、ＭＲＡＭアレイ３２のそれぞれに対して設けられ、外乱磁界がＭＲＡＭアレイ３２に鎖交することを防ぐための複数の磁気シールド３３とを具備している。 - 特許庁

The nonvolatile magnetic thin film memory uses a magnetoresistive effect element 41 having a vertical magnetization film as a memory element, employs a ferrimagnetic body where rare earth element magnetization is dominant in the vertical magnetization film and has a compensation temperature between a room temperature and a Curie point.例文帳に追加

メモリ素子として垂直磁化膜を有する磁気抵抗効果素子４１を用い、垂直磁化膜に希土類元素磁化が優勢なフェリ磁性体を用い、室温とキュリー温度の間に補償温度を有する不揮発磁気薄膜メモリ装置によって解決される。 - 特許庁

The magneto-electric conversion element 1 includes a magnetoresistive effect film 12 in which plural short-circuit films 14 are formed on one surface, plural terminals 20 which are connected electrically with the other surface of the film 12, and a substrata 18 disposed on the one surface side of the film 12.例文帳に追加

磁電変換素子１は、一方面に複数の短絡膜１４が形成された磁気抵抗効果膜１２と、磁気抵抗効果膜の他方面に電気的に接続される複数の端子２０と、磁気抵抗効果膜の一方面側に設けられる基板１８とを含む。 - 特許庁

To provide a tunneling magnetoresistive element which can be heat- treated at low temperature, so that the barrier of an obtained insulating layer is sufficiently high and then realizes high MR, a magnetic device using it, and to provide a method and a device for manufacturing the device.例文帳に追加

低温における熱処理が可能であり、得られた絶縁層のバリア障壁の高さが十分高く、その結果、高ＭＲを実現することができるトンネル型磁気抵抗素子とそれを用いた磁気式デバイス及びその製造方法並びに製造装置を提供する。 - 特許庁

The mobile unit detection device comprises a gearwheel 1 as the magnetic material mobile unit, having at least one projection or depression, a bias magnet 5 which generates magnetic field, and spin-valve giant magnetoresistive elements R1 to R4, the resistance value of which changes, in response to the magnetic field changed by the gearwheel 1.例文帳に追加

少なくとも１つの凸部又は凹部を有する磁性材移動体としての歯車１と、磁界を発生するバイアス磁石５と、前記歯車１で変化された磁界に対応して抵抗値が変化するスピンバルブ型巨大磁気抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４とを備える。 - 特許庁

A structure for arranging a current narrow-down layer 51 for narrowing down a current-flowing area to 1/2 to 1/100 in the close neighborhood of a free layer 13 by applying a current to a giant magnetoresistive effect laminated layer 101 in the direction of the thickness, and a manufacturing method therefor are provided.例文帳に追加

巨大磁気抵抗効果積層膜１０１に膜厚方向に電流を印可し、自由層１３のごく近傍に電流の流れる領域を１／２〜１／１００に絞り込む電流絞込層５１を配置する構造と、その作成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic recording/reproducing device which can stably stand the usage of frequent and many times, even in the case of recording and/or reproducing the signals of a magnetic recording medium of a metal magnetic thin film using a magnetoresistive effect magnetic head.例文帳に追加

磁気抵抗効果型磁気ヘッドを用いて金属薄膜磁性型の磁気記録媒体に対する信号の記録及び／又は再生を行う場合であっても、安定的に多頻度且つ多数回の使用に耐え得ることができる磁気記録再生装置を提供する。 - 特許庁

The magnetoresistive element has such a structure as a tunnel insulation layer is sandwiched by a free magnetization layer and a fixed magnetization layer, has a resistance which changes between a low resistance state and a high resistance state depending on the magnetization direction of the free magnetization layer, and has a planar shape elongated in a first direction.例文帳に追加

磁気抵抗素子は、トンネル絶縁層を自由磁化層と固定磁化層とで挟んだ構造を有し、自由磁化層の磁化方向によって低抵抗状態と高抵抗状態との間で抵抗が変化し、第１の方向に長い平面形状を有する。 - 特許庁

On a substrate 30, a plurality of magnetoresistive elements (MRE) 34 are formed so as to be mutually parallel, and moreover wiring patterns 35, 36 and terminals 37, 38 for independently acquiring electric signals representing resistance changes in the individual MREs 34 are formed.例文帳に追加

基板３０上には、相互に平行となるように複数の磁気抵抗素子（ＭＲＥ）３４が形成されるとともに、各々のＭＲＥ３４における抵抗変化を示す電気信号を独立して取出すための配線パターン３５，３６及び端子３７，３８が形成される。 - 特許庁

Subsequently, an AC wave W1 of the voltage value of the sum is converted into a pulse signal V1 by being half-wave rectified while sine wave current passed through the group of magnetoresistive elements is also converted into a pulse signal V2 by being likewise half-wave rectified to calculate an absolute value |V| of a difference between them.例文帳に追加

続いて、和の電圧値の交流波Ｗ１を半波整流してパルス信号Ｖ１に変換し、磁気抵抗素子群に流される正弦波電流も同じく半波整流してパルス信号Ｖ２に変換し、これらの差の絶対値|Ｖ|を算出する。 - 特許庁

To reduce the number of times of the heat treatments in a magnetic field for magnetizing a fixed layer, and to reduce the dimension variations of the nonmagnetic conductor layer between the fixed layer and a free layer, and further to cut the manufacturing steps when manufacturing multichannel magnetoresistive effect magnetic heads.例文帳に追加

マルチチャンネル型の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造において、固定層を一定方向に磁化させるための磁場中熱処理の回数を減らし、固定層及び自由層間の非磁性導電層の寸法バラツキを抑え、さらに製造工程数の削減を図る。 - 特許庁

A magnetization direction of fixing layers of four magnetoresistive elements GMR1-GMR4 is intersected with a magnetic pole arrangement direction Mh on a magnetic scale 5, and in the state that the outside magnetic field does not act, a magnetization direction of a free layer is the same direction as that of the fixing layer.例文帳に追加

４個の磁気抵抗効果素子ＧＭＲ１〜ＧＭＲ４の固定層の磁化方向は、磁気スケール５上での磁極配列方向Ｍｈと交差し、外部磁界が作用しない状態での自由層の磁化方向は、固定層の磁化方向と同一方向とする。 - 特許庁

This magnetic detection element is provided with an element part T1 for providing a magnetoresistive effect, and both-side parts 22 positioned on both sides of the element part T1 in a track width direction, and including a Ta substrate layer 24, an amorphous cutoff layer 25, an alignment control layer 26, and a hard bias layer 27 stacked sequentially from the bottom.例文帳に追加

気抵抗効果を発揮する素子部Ｔ１と、前記素子部Ｔ１のトラック幅方向の両側に位置し、下からＴａ下地層２４、アモルファス遮断層２５、配向制御層２６、及びハードバイアス層２７の順に積層された両側部２２とを有する。 - 特許庁

A magnetoresistive effect device comprises a pair of shield layers 3 and 8 disposed at an interval in the direction of thickness, an MR element 5 disposed between the shield layers 3 and 8, and a laminate 30 disposed between the shield layers 3 and 8 on both sides of the MR element 5.例文帳に追加

磁気抵抗効果装置は、厚み方向に間隔を開けて配置された一対のシールド層３，８と、このシールド層３，８の間に配置されたＭＲ素子５と、ＭＲ素子５の両側において、シールド層３，８の間に配置された積層体３０とを備えている。 - 特許庁

A magnet 23 is magnetized so that the direction of magnetic flux in a plane Q1 containing detection faces 31a to 34a of magnetoresistive elements 31 to 34 changes between an area on one side and an area on another side along a moving direction rather than at the moving center.例文帳に追加

マグネット２３は、磁気抵抗素子３１〜３４の検知面３１ａ〜３４ａを含む平面Ｑ１における磁束の方向が、その移動中心よりもその移動方向に沿った一側の領域と他側の領域との間で変化するように着磁されている。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect head, by which Barkhausen noise is suppressed independently of the intensity of a magnetic domain control layer, even when the space between electrodes is narrow and also the high reproduction output is obtained, and to provide a magnetic recording/reproducing device using the head.例文帳に追加

本発明の目的は、電極間隔が狭い場合でも磁区制御層の強さに依らずバルクハウゼンノイズを抑制するとともに高い再生出力を得ることのできる磁気抵抗効果型ヘッドとそれを用いた磁気記録再生装置を提供するものである。 - 特許庁

The MRAM manufacturing method comprises a step of etching a magnetoresistive film 220 by using a mask pattern 961, a step of fabricating an insulating film and then a metal film on the whole surface after the etching step, and a step of removing the mask pattern 961 and the insulating film and the metal film that are on the mask pattern 961.例文帳に追加

マスクパターン９６１を用いて磁気抵抗効果膜２２０をエッチングする工程と、エッチング後に、全面に絶縁膜、金属膜を順次成膜する工程と、マスクパターン９６１と該パターン上の絶縁膜および金属膜を除去する工程とを含む。 - 特許庁

The magnetic semiconductor memory device 1 is an MRAM that uses tunnel magnetoresistance effect (TMR) to read recorded information, and it is provided with adjacent two magnetoresistive elements 4 and 5 which comprise one memory cell.例文帳に追加

本発明に係る磁気半導体メモリ装置１は、トンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ）を用いて、記録された情報を読み出すＭＲＡＭであって、隣接する２つの磁気抵抗素子４・５を備えており、これら磁気抵抗素子４・５によって１つのメモリセルが形成されている。 - 特許庁

To provide a sounding implement 10a which is capable of fixing a super-magnetostrictive actuator to an object of fixing with a proper arrangement, preventing sounds from leaking to the outside, making various kinds of objects of fixing serve as transmitting mediums of sounds, and utilizes the super-magnetoresistive actuator.例文帳に追加

超磁歪アクチュエータを適切な配置で取付対象物に取り付けることができ、発音具から外部への音漏れが少なく、種々の取付対象物を音の伝達媒体にすることができる超磁歪アクチュエータを用いた発音具１０ａを提供する。 - 特許庁

To provide a non-volatile memory element using a carrier spin injected magnetoresistive effect film that consumes only a small amount of power and does not result in malfunction even if element size and the distance between the elements are greatly reduced, and can be integrated on a large scale, and to provide a memory device using the non-volatile memory element.例文帳に追加

消費電力が小さく、素子サイズ及び素子間距離を大幅に縮小しても誤動作がなく、大規模集積化が可能な、キャリヤスピン注入型磁気抵抗効果膜を用いた不揮発性メモリー素子とそれを用いたメモリー装置を提供する。 - 特許庁

The operating position detection apparatus specifies error signal positions of the combination of the binary signals on the basis of the combination of the binary signals outputted according to the directions of magnetic fields acting on the detecting surfaces of the plurality of the magnetoresistive elements 31-37 and corrects binary signals at the specified signal positions.例文帳に追加

操作位置検出装置は、複数の磁気抵抗素子３１〜３７の検知面に作用する磁界の方向に応じて出力される二値化信号の組み合わせに基づいて、該二値化信号の組み合わせの誤り信号位置を特定し、この特定された信号位置の二値化信号を訂正する。 - 特許庁

As a means to solve the fence or the lift-off residue of the resist mask in a track formation process and an element height formation process, lift-off is performed by CMP by forming a 1st stopper layer 41 on the magnetoresistive effect film 3, and a 2nd stopper layer 42 on a refill film 6.例文帳に追加

トラック形成工程及び素子高さ形成工程における、フェンスやレジストマスクのリフトオフ残りを解決する手段として、磁気抵抗効果膜３の上に第一のストッパー層４１を、リフィル膜６の上に第二のストッパー層４２を配し、ＣＭＰによってリフトオフを行う。 - 特許庁

The method for manufacturing the thin film magnetic head forms a first magnetic layer 29 as a part of the upper shield layer on a protection layer 28, and the upper surface of the protection layer 28 under the first magnetic layer 29 is not affected by ion milling when the ion milling is applied on each of tunnel magnetoresistive elements 34 and 35.例文帳に追加

保護層２８の上に、上部シールド層の一部となる第１磁性層２９を形成し、各トンネル型磁気抵抗効果素子３４，３５へのイオンミリング時に、前記第１磁性層２９を設けたことで、その下の保護層２８の上面が前記イオンミリングの影響を受けるのを抑制できる。 - 特許庁

To provide a magnetic sensor provided with artificial lattice type giant magnetoresistive elements of a bridge constitution capable of both collective formation and satisfactory angle detection; a noncontact switch provided with the magnetic sensor; and a position detection mechanism provided with the magnetic sensor.例文帳に追加

一括形成可能でかつ良好な角度検出が可能なブリッジ構成の人工格子型巨大磁気抵抗素子を備えた磁気センサ、及びその磁気センサを備えた無接点スイッチ、及びその無接点スイッチを備えた位置検出機構、並びに上記磁気センサを備えた位置検出機構を提供する。 - 特許庁

In a magnetoresistive element, electrodes disposed on both sides of a single-crystal MgOx(001) or oxygen vacant poly-crystal MgOx (0<x<1) layer 503 in which the (001) crystal plane is preferentially oriented comprise an amorphous ferromagnetic alloy, such as CoFeB layers 501 and 505.例文帳に追加

磁気抵抗素子は、単結晶ＭｇＯ_ｘ（００１）あるいは（００１）結晶面が優先配向した酸素欠損多結晶ＭｇＯ_ｘ（０＜ｘ＜１）層５０３の両側に設けられる電極として、アモルファス強磁性合金、例えばＣｏＦｅＢ層５０１、５０５を用いた点に特徴がある。 - 特許庁

In reproducing, the multivalue states are discriminated such that the magnetic field leakage to the outside of the medium layers is made different according to the magnetized states of the medium layers composed of the plurality of layers, so as to detect the external magnetic fields different by the multivalue state as resistance changes by using a magnetoresistive element.例文帳に追加

また、再生時には、複数層からなる媒体層の磁化状態によって、媒体層外部に漏れ出る磁界が異なるようにし、多値状態によって異なる外部磁界を磁気抵抗効果素子で異なる抵抗値として検知することで、多値状態の識別を行う。 - 特許庁

In a magnetic storage 1, a wiring 5 for generating a magnetic field for writing is adjoined to a magnetoresistive effect element 4, and a ferromagnetic body 20 is arranged to cover at least a part of the wiring 5, orienting magnetized state X of the ferromagnetic body 20 in one direction.例文帳に追加

磁気記憶装置１において、書込用の磁界を生じさせる配線５に磁気抵抗効果素子４に隣接配置させ、更にこの配線５の少なくとも一部を覆うように、強磁性体２０を配設し、この強磁性体２０の磁化状態Ｘを一方向に配向させるようにした。 - 特許庁

In the magnetoresistive effect memory element of multilayer film structure comprising two ferromagnetic layers 14c and 16 and a nonmagnetic layer 15 sandwiched between, at least one of the ferromagnetic layers 14c and 16 is composed of a material containing an element exhibiting ferromagnetism and boron.例文帳に追加

二つの強磁性体層１４ｃ，１６とこれらの間に挟まれる非磁性体層１５とを含む多層膜構造の磁気抵抗効果素子において、強磁性体層１４ｃ，１６のうちの少なくとも一方を、強磁性を示す元素とホウ素とを含む材料からなる構成とする。 - 特許庁

The planar pattern shape of a magnetoresistive effect element having corners is formed such that the corners are completed finally after repeating a lithography step and an etching step a plurality of times.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の形状として角部を有した平面パターン形状を形成するのにあたり、その角部を複数回のリソグラフィ工程およびエッチング工程を行い、複数回繰り返される各工程を経た後に最終的に当該角部が完成するように、前記平面パターン形状の形成を行う。 - 特許庁

The magnetoresistive effect device is provided with an MR element, two bias magnetic field application layer 27 applying a vertical bias magnetic field to the MR element, and two electrode layers 6 adjacent to one face of each bias magnetic field application layer 27 and arranged to partially overlap with one face of the MR element.例文帳に追加

磁気抵抗効果装置は、ＭＲ素子と、ＭＲ素子に対して縦バイアス磁界を印加する２つのバイアス磁界印加層２７と、各バイアス磁界印加層２７の一方の面に隣接し、且つＭＲ素子の一方の面に部分的に重なるように配置された２つの電極層６とを備えている。 - 特許庁

In this magnetic recording device provided with the magnetic head of hard bias type having a hard magnetic film 3 disposed for applying the magnetic field of a vertical bias direction to a magnetoresistive film 1 and performing magnetic domain control, a solenoid 4 for adjusting the magnetic field of a vertical bias direction is provided in the hard magnetic film 3.例文帳に追加

磁気抵抗膜１に縦バイアス方向の磁界を付加し磁区制御を行なう硬質磁性膜３を配したハードバイアス方式の磁気ヘッドを備えた磁気記録装置において、前記硬質磁性膜３に縦バイアス方向の磁界を調節するソレノイド４を設ける。 - 特許庁

Due to this, by introducing a diffusion prevention layer between the backing layer and the antiferromagnetic layer, it is possible to stably maintain the magnetic properties of a magnetoresistive element by preventing main components from diffusing when it is subjected to a high temperature process when it is formed or when heated to high temperatures when used.例文帳に追加

これにより、下地層及び反強磁性層間に拡散防止層を導入することにより、磁気抵抗素子の形成時、高温工程または、使用時高温に加熱される場合、主要成分の拡散を防止してその磁気的な特性を安定的に維持できる。 - 特許庁

The magnetic recording medium used for the magnetic recording system using a giant magnetoresistive effect type reproducing head having 0.1 to 2.5 μm reproducing track width Tw has 2,000 to 12,000 nm^3 magnetization inversion volume and includes hexagonal ferrite magnetic powder in a magnetic layer.例文帳に追加

再生トラック幅Ｔｗが０．１〜２．５μｍである巨大磁気抵抗効果型再生ヘッドを用いた磁気記録システムに用いられるものであって、磁化反転体積が２０００ｎｍ^3〜１２０００ｎｍ^3であり、磁性層中に六方晶フェライト磁性粉を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head in which not only the propagation of heat to a magnetoresistive effect layer can be limited as far as possible, but a significant improvement in stable recording and reproducing characteristics for a high recording frequency, i.e. in frequency characteristics (f characteristics) in a high frequency region can be achieved.例文帳に追加

磁気抵抗効果層への熱の伝搬をできるだけ制限することができることはもとより、高い記録周波数に対する安定した記録再生特性、すなわち高周波領域における周波数特性（ｆ特性）の飛躍的な改善ができる薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

To provide a tunnel magnetoresistive effect element having new element constitution which can perform sufficient oxidation on a tunnel barrier layer itself while generation of an oxide ferromagnetic layer becoming the cause of spin dispersion when the film thickness of the tunnel barrier layer is made very thin and to provide the manufacturing method.例文帳に追加

トンネルバリア層の膜厚を極薄くした際にも、スピン散乱の要因となる酸化物強磁性層の生成を回避しつつ、トンネルバリア層自体には十分な酸化処理を施すことが可能な新規な素子構成を有するトンネル磁気抵抗効果素子と、その製造方法の提供。 - 特許庁

An interlayer insulating film 33 where a memory cell is formed is formed in such a way that the position of an upper surface of the interlayer insulating film 33 positioned in a memory cell region M1 where the magnetoresistive element 51 is formed is lower than the position of an upper surface of the interlayer insulating film 33 positioned in a peripheral region P.例文帳に追加

メモリセルが形成される層間絶縁膜３３において、磁気抵抗素子５１が形成されるメモリセル領域Ｍに位置する層間絶縁膜３３の部分の上面の位置が、周辺領域Ｐに位置する層間絶縁膜３３の部分の上面の位置よりも低く形成されている。 - 特許庁

A magnetoresistive element comprises: a substrate; a ferromagnetic layer made of a magnetic alloy containing Co, Fe and B formed on the substrate; and polycrystalline MgO with the preferred orientation of a (001) crystal plane as a tunnel barrier layer on the ferromagnetic layer.例文帳に追加

磁気抵抗素子は、基板と、前記基板上に形成されたＣｏ，Ｆｅ，Ｂを含む磁性合金からなる強磁性体層と、前記強磁性体層上にトンネル障壁層として（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯとを有することに特徴がある。 - 特許庁

To provide an angle detection system which can improve the precision of detecting a rotation angle by optimizing the fixed magnetization direction of a pin layer constituting a magnetoresistive element especially in fundamental states such as a perfect stationary state and an idling state.例文帳に追加

特に、完全停止状態及びアイドリング状態等の基本状態において、磁気抵抗素子を構成するピン層の固定磁化方向を適正化することで、回転角度の検出精度を向上させることが可能な角度検出装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Magnetoresistive films including a magnetization fixing layer, a non-magnetic intermediate layer, and a magnetization free layer, at least one thin film making up the non-magnetic intermediate layer and the magnetization free layer is formed by using a sputtering apparatus while a pressure around a substrate is set at 8.0×10^-3 Pa or lower.例文帳に追加

磁化固定層、非磁性中間層、及び磁化自由層を含む磁気抵抗膜のうち、非磁性中間層及び磁化自由層を構成する少なくとも１つの薄膜を、スパッタ装置を用い基板近傍の圧力を８．０×１０^−３Ｐａ以下として形成する。 - 特許庁

This method for manufacturing a magnetoresistive effect element includes at least a film forming process for forming a first ferromagentic layer, a second ferromagentic layer, and a non-magnetic layer; a preliminary heat treatment process for 60 minutes or more at 330 to 380°C; and a heat treatment process at 400 to 450°C in this order.例文帳に追加

基板上に、少なくとも、第１強磁性層、第２強磁性層および非磁性層を形成する成膜工程と、３３０〜３８０℃、６０分以上の予備熱処理工程と、４００〜４５０℃での熱処理工程と、をこの順に含む磁気抵抗効果素子の製造方法とする。 - 特許庁

A giant magnetoresistive stack (10) for use in a magnetic read head includes an NiFeCr seed layer (12), a ferromagnetic free layer (14), a nonmagnetic space layer (16), a ferromagnetic pinned layer (18), and a PtMnX pinning layer (20), where X is either Cr or Pd.例文帳に追加

磁気読み取りヘッドに用いられる巨大磁気抵抗効果スタック（１０）は、ＮｉＦｅＣｒ種層（１２）と、強磁性体自由層（１４）と、非磁性体スペーサー層（１６）と強磁性体ピン化層（１８）と、ＸをＣｒあるいはＰｄとしたＰｔＭｎＸピンニング層（２０）とを含んでいる。 - 特許庁