「MAGNETORESISTIVE」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a magnetoresistive effect film which is easy to fabricate for reducing a magnetization reverse field of a vertical magnetized film, without causing reduction in yield or a significant increase in cost, and to provide a memory with small power consumption.例文帳に追加

垂直磁化膜の磁化反転磁界を低減させ、作成が容易で歩留まりの低下やコストの著しい増加を招くことのない磁気抵抗効果膜を提供することさらには消費電力の少ないメモリを提供する。 - 特許庁

A current-perpendicular-to-the-plane (CPP) magnetoresistive (MR) sensor 100 has an improved seed layer structure 114 for a ferromagnetic hard (high coercivity) bias layer that is used to longitudinally bias a free ferromagnetic layer of the sensor.例文帳に追加

面垂直電流（ＣＰＰ）磁気抵抗（ＭＲ）センサ１００は、センサの自由強磁性層に縦にバイアスをかけるために用いられる強磁性体ハード（高保磁力）バイアス層用の改善されたシード層構造１１４を有する。 - 特許庁

The magnetoresistive element comprises an MR film in which a magnetizing fixed layer 23 having fixed magnetizing in a constant direction and is magnetized, an interposed layer 24, and a magnetizing free layer 25 of which magnetizing direction changes according to external magnetic field are sequentially stacked.例文帳に追加

この磁気抵抗効果素子は、一定方向に固着された磁化を有する磁化固着層２３と、介在層２４と、外部磁界に応じて磁化の向きが変化する磁化自由層２５とが順に積層されたＭＲ膜を備える。 - 特許庁

Then, an upper part gap layer and an upper part shield layer are formed on the surface of the lower part insulation layer on which the spin valve layer and the electrode layer are formed, further, the prescribed layer is formed and a magnetoresistive head is manufactured by cutting it at a prescribed position.例文帳に追加

そして、スピンバルブ膜，電極層が形成された下部絶縁層の上面に上部ギャップ層，上部シールド層を形成し、更に所定層を形成して、所定位置で切断することにより、磁気抵抗型ヘッドを製造する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect element having a first anti-ferromagnetic layer for pinning a stacked ferromagnetic type magnetization fixation layer and a second anti-ferromagnetic layer for controlling the magnetic domain of a magnetiszation free layer which are crossed nearly orthogonally to each other.例文帳に追加

積層フェリ型の磁化固定層をピン止めするための第１反強磁性層と磁化フリー層を磁区制御するための第２反強磁性層を有し、これらが略直交に設定されている磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To inexpensively realize a high performance head inspection by providing a dynamic electric test part and a static electric test part to which an external magnetic field can be applied in an electric tester in a magnetic head inspection device mounting a recording device and a magnetoresistive reproducing device.例文帳に追加

記録素子と磁気抵抗効果再生素子を搭載した磁気ヘッドの検査装置として、エレキテスター内に動的エレキテスト部と外部磁界印加可能な静エレキテスト部を備え、ヘッドの高性能検査を安価に実現する。 - 特許庁

The magnetic recording/reproducing device is provided with a magnetic head device 17 on which a magnetoresistive effect magnetic head is mounted and a head cleaning mechanism 18 for cleaning the head sliding surface with the tape-like magnetic recording medium of the metal magnetic thin film.例文帳に追加

磁気記録再生装置は、磁気抵抗効果型磁気ヘッドが搭載された磁気ヘッド装置１７と、金属薄膜磁性型のテープ状磁気記録媒体とのヘッド摺動面をクリーニングするヘッドクリーニング機構１８とを備える。 - 特許庁

The pseudo-ternary intermetallic compound has a hexagonal ZrNiAl type crystal structure, exhibits enormous magnetoresistive effect and has a composition represented by RXZ, and the magnetic sensor uses that compound.例文帳に追加

六方晶ＺｒＮｉＡｌ型結晶構造を有し、且つ巨大磁気抵抗効果を有する、一般式；ＲＸＺで表される組成を有する擬３元系金属間化合物とこの化合物を使用することによって解決する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect element in which the output ΔRA is enhanced, the sensitivity is enhanced by reducing the coercive force Hc and the shift amount Hin from zero magnetic field, and the pin stability is enhanced by increasing the magnetic field Hua at a point where the resistance is reduced by half.例文帳に追加

出力ΔＲＡを高め、保磁力Ｈｃとゼロ磁場からのシフト量Ｈｉｎを低下させて感度を高め、抵抗半減点の磁場Ｈｕａを大きくしてピン安定性を高めた磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To provide a practical magnetoresistive effect element having an appropriate resistance value and a small number of magnetic material layers to be controlled and capable of heightening sensitivity and to provide a magnetic head and magnetic recording and reproducing device using it.例文帳に追加

適当な抵抗値を有し、高感度化が可能で、かつ制御すべき磁性体層の数の少ない、実用的な磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気ヘッド及び磁気記録再生装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a magnetic device and a magnetic memory in which a burden on a wiring being used for inverting magnetization of the free layer in a magnetoresistive layer is lessened and power consumption required for inverting magnetization of the free layer can be reduced.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子のフリー層の磁化を反転させるのに使用する配線への負担が少なく且つフリー層の磁化を反転させるのに要する消費電力を低減可能な磁気デバイス及び磁気メモリを提供すること。 - 特許庁

To obtain a magnetic thin film memory employing a magnetoresistive effect element 41 as a memory element in which erroneous writing or incomplete writing due to saturation magnetization of a magnetic film or variation of coercive force incident to variation working temperature dependent significantly on the environment is reduced.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子４１をメモリ素子として用いた磁気薄膜メモリ装置において、環境により使用温度が大きく異なり、温度変化に伴う磁性膜の飽和磁化や保磁力の変化による誤書き込みや書き込み不良などの低減。 - 特許庁

To provide an MRAM having a structure planarizing various layers constituting a tunnel magnetoresistive (TRM) element achieved surely and making the contact hole highly reliabile for electrically connecting the TRM element and a transistor for select.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗（ＴＲＭ）素子を構成する各種の層の平坦化を確実に達成でき、しかも、ＴＲＭ素子と選択用トランジスタとを電気的に接続する接続孔に高い信頼性を付与し得る構造を有するＭＲＡＭを提供する。 - 特許庁

A method for operating the magnetoresistive device includes a step of applying an electric field pulse to the ferromagnetic region so that the magnetic anisotropy direction of the ferromagnetic region is changed in order to switch the magnetization between the first and second directions.例文帳に追加

磁気抵抗素子を動作させる方法は、第一及び第二の方向の間で磁化を反転させるために、強磁性領域の磁気異方性の方向を変化させるように、強磁性領域に電場パルスを印加するステップを含んでいる。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive RAM which adjusts an amount of electric current flowing from a drain region to a source region depending on the amount of the electric current flowing through an MTJ of an MRAM cell in accordance with a wordline voltage size and reads two or more multiple data.例文帳に追加

ワードライン電圧の大きさに従いＭＲＡＭセルのＭＴＪを通じて流れる電流の量によりドレイン領域からソース領域に流れる電流の量を調節し、２つ以上の多重データを読み出す磁気抵抗ラムを提供すること。 - 特許庁

A plurality of magnetoresistive sensors for emitting detection signals to be arranged circumferentially at intervals in the circumferential surface of the material to be inspected are provided for a tip part 31 of a flexible printed circuit board 3 arranged at a mid location between the exciting coils 2A and 2B.例文帳に追加

励磁コイル２Ａ，２Ｂの間の中間位置に配設された可撓性プリント基板３の先端部３１上に、被検査材の周面に対して間隔をおいて周方向へ複数配設されて検出信号を発する磁気抵抗センサを設ける。 - 特許庁

Consequently, the amount of polish of the magnetoresistive film 2 and the magnetic domain control film 3 is checked by measuring the width of the opening 5 and polishing the films such that the width W_1 of the top surface of the opening 5 becomes the width W of the opening 5.例文帳に追加

このため、開口部５の幅を測定し、開口部５の最上面の幅Ｗ_1がこの開口部５の幅Ｗになるように研磨することにより、磁気抵抗効果膜２および磁区制御膜３の研磨量が確認されるようになる。 - 特許庁

The magnetoresistive effect device 5 has a first MR element 50, an insulation layer 55 formed on the first MR element 50, and a second MR element 6 stacked on the first MR element 50 via this insulation layer 55.例文帳に追加

磁気抵抗効果装置５は、第１のＭＲ素子５０と、この第１のＭＲ素子５０の上に形成された絶縁層５５と、この絶縁層５５を介して第１のＭＲ素子５０の上に積層された第２のＭＲ素子６０とを備えている。 - 特許庁

The current sensor further employs a signal processing section 140 which selectively outputs one of output signals A-C of the magnetoresistive elements 111a-111c obtained separately, such that the selected output signal represents an angular region of high linearity.例文帳に追加

ここで、電流センサは、それら磁気抵抗素子１１１ａ〜１１１ｃの別に得られる出力信号Ａ〜Ｃのうちの直線性の高い角度領域にある出力信号の１つを選択的に出力する信号処理部１４０を備える。 - 特許庁

The material can be removed from the bearing surface to the extent that the feature of the monitoring device and that of the reference device become substantially equal, and then, the stripe heights of the monitoring device and the magnetoresistive device become substantially equal to that of the reference device.例文帳に追加

材料は、監視素子の特徴と基準素子の特徴とが実質的に等しくなるまで軸受面から磁気され得るが、このときに、監視素子および磁気抵抗素子のストライプ高さは基準素子のストライプ高さと実質的に等しくなる。 - 特許庁

Since the magnetoresistive element (MRE) 31 is disposed so as to have a predetermined length in the thickness direction of a substrate 30, a sensing axis of the MRE 31 is not set in the direction along a surface of the substrate 30, and is set in the thickness direction of the substrate 30.例文帳に追加

基板３０の厚さ方向において所定の長さを有するように磁気抵抗素子（ＭＲＥ）３１を配置することにより、ＭＲＥ３１の検知軸を、基板３０の表面に沿う方向ではなく、基板３０の厚さ方向に設定した。 - 特許庁

To solve the problem that there is a method of using the magnetic property of a magnetoresistive element as an object of the standard of an actual magnetic head slider but it is too vulnerable to static electricity to use as a source of the standard over a long term.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の磁気特性を、実際の磁気ヘッドスライダを基準となる対象物とする方法があるが、磁気抵抗効果素子は、静電気に対して脆弱であり、長期にわたって安定的に標準源とすることは困難である。 - 特許庁

For this surface defect checking (S5), defect points on the magnetic disk are checked and registered by determing whether the thermal asperity phenomenon occurs or not based on a sense current applied to a magnetoresistive element included in the magnetic head.例文帳に追加

この表面欠陥検査（Ｓ５）では、ヘッドに含まれる磁気抵抗効果素子に印加されたセンス電流に基づいて、サーマルアスペリティ現象が生じたか否かを判断することで、磁気ディスクに生じている欠陥箇所を検査して登録する。 - 特許庁

By providing another magnetoresistive element 22 to a coaxial saturation magnetic field on the permanent magnet 16 and the magneto resistive element 21, the gear body 13 can be made as a single body, while having the two magnetic detection means, thereby miniaturizing the space in the housing.例文帳に追加

永久磁石１６と磁気抵抗素子２１の同軸上の飽和磁界に別の磁気抵抗素子２２を配設することにより、２つの磁気検出手段を有しながらギア体１３を１つにすることができ、ハウジング内のスペースを小さくする。 - 特許庁

The magnetoresistance sensor is formed by a magnetoresistive material, has at least one strip-like conductor, is affected by an external magnetic field, and/or determines the electric resistance that can be operated by current.例文帳に追加

本発明は、磁気抵抗材料から形成され、少なくとも１つのストリップ状導体を有し、外部磁界によって影響され、および／または電流で動作されることができるその電気抵抗を決定するように設計される磁気抵抗センサに関する。 - 特許庁

By arbitrarily selecting shapes of the magnetic thin lines 12, 14, the film thickness, width, material, layer structure, shape and size of lattice, various magnetic characteristics can be obtained, so that a magnetic recording medium of high density and a magnetoresistive effect element of high sensitivity can be realized.例文帳に追加

磁性細線１２，１４の形状、膜厚、幅、材料、層構造、格子の形状や大きさを任意に選択することにより、多様な磁気特性が得られるので、高密度の磁気記録媒体や高感度の磁気抵抗効果素子を実現できる。 - 特許庁

An MRAM device 1, in which magnetoresistive memory elements 1 are provided to record information, utilizing the changes in the directions of magnetization of the elements 1, is provided with magnetic field applying means 5 and 6, for providing bias magnetic fields to the elements 1.例文帳に追加

磁気抵抗効果型の記憶素子１を具備し、その記憶素子１における磁化方向の変化を利用して情報記録を行う磁気メモリ装置において、その記憶素子１に対してバイアス磁界を与えるための磁界印加手段５，６を設ける。 - 特許庁

In the inspection method, the thin film magnetic head 10 is prepared, which includes magnetoresistive effect films having a free layer 40 whose magnetization direction is varied in response to an external magnetic field and ferromagnetic layers 51 and 52 for applying a bias magnetic field to the free layer.例文帳に追加

本発明の検査方法では、外部磁界に応じて磁化方向が変化するフリー層４０及び該フリー層にバイアス磁界を印加するための強磁性層５１，５２を有する磁気抵抗効果膜を備えた薄膜磁気ヘッド１０を準備する。 - 特許庁

The magnetoresistive element is produced in a method, including a step of performing heat treatment at not less than 330°C, and has a longest distance of not larger than 10 nm from the center line of a nonmagnetic layer to an interface between a pair of a ferromagnetic layer and the nonmagnetic layer.例文帳に追加

３３０℃以上で熱処理する工程を含む方法により製造され、かつ非磁性層の中心線から、一対の強磁性層と非磁性層との間の界面までの最長距離が１０ｎｍ以下である磁気抵抗素子とする。 - 特許庁

The tunnel magnetoresistive element comprises a first ferromagnetic body, a second ferromagnetic body, and an insulator sandwiched between these ferromagnetic bodies wherein at least one ferromagnetic body has a single crystal of full Heusler alloy grown epitaxially on the (110) face of a base material.例文帳に追加

第１の強磁性体と、第２の強磁性体と、これら強磁性体間に挟まれて存在する絶縁体とを具え、強磁性体の少なくとも一方は、基材上に(110)面にエピタキシャル成長したフルホイスラー合金の単結晶を有する。 - 特許庁

A laminated ferri-free layer is used for the magnetoresistive effect head, and a magnetic field applied to the track-width direction end of a free layer 1 where a film thickness and saturated magnetization are smaller by a coupled magnetic field is set larger than that applied by a bias layer 21.例文帳に追加

磁気抵抗効果ヘッドに積層フェリ自由層を用い、膜厚と飽和磁化が小さい方の自由層１のトラック幅方向の端部に結合磁界により印加される磁界が、バイアス層２１により印加される磁界よりも大きくなるようにする。 - 特許庁

By arbitrarily selecting the shapes of the magnetic dots 12, 14, film thickness, size, material, layer structure, and shape and size of arrangement, various magnetic characteristics can be obtained, so that a magnetic recording medium of high density and a magnetoresistive effect element of high sensitivity can be realized.例文帳に追加

磁性ドット１２，１４の形状、膜厚、大きさ、材料、層構造、配列の形状や大きさを任意に選択することにより、多様な磁気特性が得られるので、高密度の磁気記録媒体や高感度の磁気抵抗効果素子を実現できる。 - 特許庁

The magnetometric sensor 1 provided with a head 5 and magnetic scale 3, wherein the magnetically sensitive surface is formed with a magnetoresistive element on the bottom surface 55 of the head 5, and the circuit substrate is arranged by facing the left side inner wall with an upright attitude in the sensor holder 6.例文帳に追加

ヘッド５と磁気スケール３とを有する磁気センサ装置１において、ヘッド５の底面５５には磁気抵抗素子によって感磁面が形成され、センサホルダ６の内部には回路基板を左側面内壁に沿うように直立姿勢で配置してある。 - 特許庁

In the MR magnetic sensor, first and second vertically surface energized magnetoresistive effect elements 1 and 2 respectively having magnetic flux sensing films are laminated upon another through a nonmagnetic intermediate gap layer 3 so that the magnetic flux sensing films may become closer to each other.例文帳に追加

磁束感知膜を有する面垂直通電型の第１および第２の磁気抵抗効果素子１および２が、互いの磁束感知膜が近接する側に位置するように非磁性中間ギャップ層３を介して積層する構成とする。 - 特許庁

In the magnetoresistive effect type head, a fixed layer is constituted of a ferromagnetic film 12/an oxide film 13/a ferromagnetic film 14 and oxygen diffusion is suppressed by incorporating an element (Mg, Al, Si, Ca, Ti, Zr, etc.), having strong bonding force to oxygen into the oxide film 13.例文帳に追加

固定層を強磁性膜１２／酸化物膜１３／強磁性膜１４で構成し、酸化物膜１３に酸素との結合力の強い元素（Mg、Al、Si、Ca、Ti、Zrなど）を含ませることによって酸素拡散を抑止した磁気抵抗効果型ヘッドとする。 - 特許庁

Moreover, a permanent magnet 104 is arranged so that its magnetic pole surface may be parallel to the arrangement surface of the magnetoresistive element 100, and is provided so as to be able to provide a magnetic flux density of an absolute value 5mT or more to each of the pattern elements 101, 102.例文帳に追加

また、永久磁石１０４を、磁極面を磁気抵抗素子１００の配置面と平行となるように配置し、磁気抵抗パターン要素１０１，１０２の何れにも、絶対値５ｍＴ以上の磁束密度を付与可能に設けられている。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect head in which the magnetic domain of a free layer can be controlled by applying a large longitudinal bias thereto, hysteresis is reduced on the R-H loop, and a reproduced signal having reduced noise can be obtained even when magnetic information on a magnetic medium is reproduced.例文帳に追加

フリー層に大きな縦バイアスを印加しフリー層の磁区をコントロール出来、Ｒ−Ｈループ上でヒステリシスが少なく、記録媒体上の磁気情報の再生でも、ノイズの少ない再生信号が得られる磁気抵抗効果ヘッドを提供する。 - 特許庁

Write bit lines (WBL0, WBL1) are arranged in a direction orthogonal to an easy axis (EX) of magnetization of a variable magnetoresistive element (VR), and write bit line drive circuits (22U, 22L) supply currents to the bit lines in directions corresponding to write data.例文帳に追加

可変磁気抵抗素子（ＶＲ）の磁化容易軸（ＥＸ）と直交する方向に書込ビット線（ＷＢＬ０，ＷＢＬ１）を配置し、書込ビット線ドライブ回路（２２Ｕ，２２Ｌ）により、書込データに応じた方向に、書込ビット線に電流を流す。 - 特許庁

The resistance change of the magnetoresistive elements MRE11 to MRE14 is retrieved from the sensor section as changes in the midpoint potentials Va, Vb of the bridge circuit 11 and is separately outputted to operational amplifiers OP1 and OP2 as a detection signal.例文帳に追加

磁気抵抗素子ＭＲＥ１１〜ＭＲＥ１４のこうした抵抗値変化は、ブリッジ回路１１の中点電位ＶａおよびＶｂの変化としてセンサ部から取り出され、検出信号として演算増幅器ＯＰ１およびＯＰ２に各別に出力される。 - 特許庁

It is constituted so that a magnetoresistive element 84 is formed on the thin-film element 35a and a notched part 43a of a notched shape of a stepped surface is formed at the protective film 36 toward the air outflow end from the vicinity of the thin-film element 35 on the floating surface.例文帳に追加

そして、薄膜素子３５ａには磁気抵抗効果素子８４が形成され、保護膜３６に浮上面における薄膜素子３５の近傍より空気流出方向に段差面の切り欠き形状の切欠部４３ａを形成する構成とする。 - 特許庁

Consequently, a magnetoresistive(MR) element 47 comes into contact with a magnetic body layer 25 irrelevantly to whether the tip of the pressure spring 41 slants, and the gap between the entire surface of the MR element 47 and the magnetic body layer 25 is held at a prescribed value by a spacer film 49.例文帳に追加

これにより、加圧ばね４１の先端の傾きに拘わらず、ＭＲ素子４７が磁性体層２５に対して密着することになり、ＭＲ素子４７の全面と磁性体層２５との間隙がスペーサフィルム４９により規定値に保たれる - 特許庁

In a magnetic head including a magnetoresistive film and a flux guide which directs the signal magnetic field from a magnetic recording medium to lead to the magneto-resistive film, a flux guide control film for forming the state of the magnetic domain in the flux guide into that of a single magnetic domain is provided.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜と、磁気記録媒体からの信号磁界を誘導して前記磁気抵抗効果膜へ導くフラックスガイドとを含む磁気ヘッドにおいて、前記フラックスガイドの磁区の状態を単磁区化するためのフラックスガイド制御膜を設けた。 - 特許庁

The magnetic domain control films 311 and 312 face the magnetoresistive effect film 300 at its both ends in the same width and in the track width direction TW in the depth direction H crossing the track width direction TW.例文帳に追加

磁区制御膜３１１、３１２のそれぞれは、磁気抵抗効果膜３００のトラック幅方向ＴＷの相対する両端部の一端のそれぞれに対し、トラック幅方向ＴＷと直交する奥行き方向Ｈにおいてほぼ同幅で隣接する。 - 特許庁

The magnetoresistive element has a pinned magnetic layer whose magnetization direction is fixed, a magnetic free layer whose magnetization direction is inverted in accordance with a magnetic field generated with the write current, and a nonmagnetic layer sandwiched between the pinned magnetic layer and the magnetic free layer.例文帳に追加

磁気抵抗素子は、磁化方向が固定された磁化固定層と、書き込み電流により発生する磁界に応じて磁化方向が反転する磁化自由層と、磁化固定層と磁化自由層との間に挟まれた非磁性層と、を備える。 - 特許庁

At least one of the pair of magnetic shield layers 21 and 22 is provided with roughly linear recessed pats 27 and 28 and/or projected parts formed along the track width direction of the magnetoresistive effect element 24 on at least one main surface side.例文帳に追加

そして、一対の磁気シールド層２１，２２のうち、少なくとも一方の磁気シールド層は、少なくとも一方主面側に、磁気抵抗効果素子２４のトラック幅方向に沿って形成された略直線状の凹部２７，２８及び／又は凸部を有している。 - 特許庁