Memoryを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 50000件
MEMORY CONTROL CIRCUIT, MEMORY CONTROL METHOD, MEMORY CONTROL PROGRAM, RECORDING MEDIUM, DRIVING CIRCUIT, AND DISPLAY DEVICE例文帳に追加
メモリ制御回路、メモリ制御方法、メモリ制御プログラム、記録媒体、駆動回路、ならびに表示装置 - 特許庁
INCORPORATED SELF-TESTING CIRCUIT FOR MEMORY例文帳に追加
メモリ用内蔵自己テスト回路 - 特許庁
MEMORY CONTROL METHOD OF IC CARD例文帳に追加
ICカードのメモリ管理方法 - 特許庁
A flash memory 1 has a memory array 3 and a control circuit 16.例文帳に追加
フラッシュメモリ(1)は、メモリアレイ(3)と制御回路(16)とを有する。 - 特許庁
MEMORY CARD, SYSTEM, SEMICONDUCTOR PROCESSOR, AND NON-VOLATILE MEMORY例文帳に追加
メモリカード、システム、半導体処理装置および不揮発性メモリ装置 - 特許庁
The memory cell test system 30 performs memory cell test for a semiconductor device in which a memory cell is formed.例文帳に追加
メモリセルテストシステム30は、メモリセル部が形成された半導体装置に対し、メモリセルテストを行う。 - 特許庁
CONTROL METHOD FOR SEMICONDUCTOR MEMORY, AND SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加
半導体記憶装置の制御方法及び半導体記憶装置 - 特許庁
ELECTRONIC EQUIPMENT HAVING FLASH MEMORY例文帳に追加
フラッシュメモリを有する電子機器 - 特許庁
MEMORY ACCESS CONTROL SYSTEM, MEMORY-MOUNTED DEVICE, MEMORY ACCESS CONTROLLING METHOD AND PROGRAM STORAGE MEDIUM例文帳に追加
メモリアクセス制御システム、メモリ搭載デバイス、およびメモリアクセス制御方法、並びにプログラム記憶媒体 - 特許庁
FERROELECTRIC MEMORY, MANUFACTURE OF FERROELECTRIC MEMORY, AND TEST METHOD FOR FERROELECTRIC MEMORY例文帳に追加
強誘電体メモリ、強誘電体メモリの製造方法及び強誘電体メモリの試験方法 - 特許庁
DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY (DRAM)例文帳に追加
ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM) - 特許庁
EVALUATING METHOD FOR THRESHOLD VALUE OF MEMORY TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加
メモリトランジスタのしきい値評価方法及び半導体メモリ装置 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY AND TEST DEVICE FOR SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加
半導体記憶装置および半導体記憶装置用検査装置 - 特許庁
The non-volatile semiconductor memory device includes a memory cell and a transistor.例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置は、メモリセル、トランジスタを有する。 - 特許庁
A memory device 50 having an intersection array 100 of a memory cell 130 is provided with a temperature sensor 150 and a reference memory cell 160.例文帳に追加
メモリセル(130)の交点アレイ(100)を有するメモリデバイス(50)は、温度センサ(150)と基準メモリセル(160)を備える。 - 特許庁
MEMORY CONTROL INTEGRATED CIRCUIT, MEMORY CARD, MEMORY DEVICE, INFORMATION PROCESSOR, CLOCK SETTING METHOD AND RECORDING MEDIUM例文帳に追加
メモリ制御集積回路、メモリカード、メモリ装置、情報処理装置、クロック設定方法、記録媒体 - 特許庁
MEMORY CONTROL DEVICE, SEMICONDUCTOR TEST APPARATUS AND MEMORY CONTROL METHOD例文帳に追加
メモリ制御装置、半導体試験装置およびメモリ制御方法 - 特許庁
HOLOGRAPHIC MEMORY REPRODUCING APPARATUS AND HOLOGRAPHIC MEMORY RECORDING/REPRODUCING APPARATUS例文帳に追加
ホログラフィックメモリ再生装置およびホログラフィックメモリ記録再生装置 - 特許庁
To provide a memory device including a programmed memory cell and a programmable and erasable memory cell.例文帳に追加
プログラムされたメモリセルとプログラム及び消去可能なメモリセルとを含むメモリ装置を提供する。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE STORING ACCESS INFORMATION FOR MEMORY CELL例文帳に追加
メモリセルに対するアクセス情報を貯蔵する半導体メモリ装置 - 特許庁
Insufficient kernel memory is available. 例文帳に追加
カーネルメモリが十分になかった。 - JM
/mem the contents of the local storage memory of the SPU. 例文帳に追加
SPU のローカルストレージの内容。 - JM
SEMICONDUCTOR MEMORY CARD, DATA MANAGEMENT METHOD FOR SEMICONDUCTOR MEMORY CARD, DATABASE ENGINE, AND SEMICONDUCTOR MEMORY SYSTEM例文帳に追加
半導体メモリカード、半導体メモリカードのデータ管理方法、データベースエンジン、及び半導体メモリシステム - 特許庁
HOLOGRAPHIC MEMORY USING HOLOGRAPHY例文帳に追加
ホログラフィを用いたホログラフィックメモリ - 特許庁
PSEUDO MEMORY FAILURE INJECTION DEVICE例文帳に追加
メモリ擬似故障注入装置 - 特許庁
MANUFACTURE OF FLASH MEMORY DEVICE例文帳に追加
フラッシュメモリデバイスの製造方法 - 特許庁
The memory handler 23 utilizes the shared memory identifier and attaches the shared memory 30 inside its own process.例文帳に追加
メモリハンドラ23は、共有メモリ識別子を利用して、共有メモリ30を自プロセス内にアタッチする。 - 特許庁
MAGNETIC SENSOR AND MEMORY DEVICE例文帳に追加
磁気センサ及び磁気ディスク装置 - 特許庁
The memory is composed of several memory banks and each memory bank identifies itself with each bank number.例文帳に追加
メモリが、複数のメモリ・バンクに編成され、各メモリ・バンクが、各々のバンク番号によって識別される。 - 特許庁
DAMAGE DISCRIMINATING METHOD FOR MEMORY DATA例文帳に追加
メモリデータの破損判定方法 - 特許庁
MEMORY CONTROLLER AND CONTROL METHOD例文帳に追加
メモリコントローラ及び制御方法 - 特許庁
MEMORY CONTROL METHOD AND DEVICE例文帳に追加
メモリ制御方法および装置 - 特許庁
MEMORY CONTROL DEVICE AND METHOD例文帳に追加
メモリ制御装置および方法 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加
磁気抵抗素子及び磁気メモリ - 特許庁
DIRECT MEMORY ACCESS CONTROLLER, DIRECT MEMORY ACCESS DEVICE AND REQUESTING DEVICE例文帳に追加
ダイレクトメモリアクセスコントローラ、ダイレクトメモリアクセス装置及びリクエスト装置 - 特許庁
SEMICONDUCTOR NONVOLATILE MEMORY ELEMENT例文帳に追加
半導体不揮発性記憶素子 - 特許庁
MEMORY DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND RECORDING METHOD FOR MEMORY DEVICE例文帳に追加
メモリデバイスおよびその製造方法、並びにメモリデバイス記録方法 - 特許庁
A nonvolatile semiconductor memory device has a memory area including at least a first memory area and a second memory area.例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置は、第1メモリ領域及び第2メモリ領域を少なくとも含むメモリ領域を有する。 - 特許庁
MAGNETIC MEMORY CELL, MANUFACTURING METHOD THEREFOR AND MAGNETIC MEMORY CELL ARRAY例文帳に追加
磁気メモリセルおよびその製造方法ならびに磁気メモリセルアレイ - 特許庁
DYNAMIC SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加
ダイナミック型半導体メモリ装置 - 特許庁
In the tag mode, the data memory of an SRAM 2 as a secondary cache memory is used as the tag memory of a DRAM 4 as large capacity memory.例文帳に追加
タグ・モードでは、二次キャッシュメモリとしてのSRAM2のデータメモリを大容量メモリであるDRAM4のタグメモリとして利用する。 - 特許庁
FLASH MEMORY DEVICE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
フラッシュメモリ素子の製造方法 - 特許庁
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| Copyright (c) 2001 Robert Kiesling. Copyright (c) 2002, 2003 David Merrill. The contents of this document are licensed under the GNU Free Documentation License. Copyright (C) 1999 JM Project All rights reserved. |
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