「Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(64ページ目) - Weblio英語例文検索

A plural-memory type module which uses the single memory bus is provided.例文帳に追加

シングルメモリバスを用いた複数メモリ型モジュールを提供する。 - 特許庁

COMMUNICATION MEMORY AND PERIPHERAL APPARATUS例文帳に追加

通信メモリおよびペリフェラル機器 - 特許庁

MEMORY DEVICE AND COMPUTER PROGRAM例文帳に追加

記憶装置、及びコンピュータプログラム - 特許庁

HEAT INDUCTION SHAPE-MEMORY MATERIAL例文帳に追加

熱誘起形状記憶材料 - 特許庁

MAGNETIC MEMORY DEVICE, COMPOUND MEMORY CIRCUIT DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

磁気記憶装置、複合記憶回路装置および半導体装置 - 特許庁

MAIN MEMORY SHARING TYPE MULTIPROCESSOR例文帳に追加

主記憶共有型マルチプロセッサ - 特許庁

CONTROL METHOD FOR SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加

半導体メモリの制御方法 - 特許庁

CHARGE CAPTURE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

電荷捕獲半導体メモリデバイス - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

半導体メモリ装置および半導体メモリ装置の作製方法 - 特許庁

FERROELECTRIC MEMORY, AND METHOD OF MANUFACTURING FERROELECTRIC MEMORY例文帳に追加

強誘電体メモリおよび強誘電体メモリの製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF FERROELECTRIC MEMORY, AND FERROELECTRIC MEMORY例文帳に追加

強誘電体メモリの製造方法および強誘電体メモリ - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING MEMORY ELEMENT, MEMORY ELEMENT, MEMORY DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING TRANSISTOR例文帳に追加

記憶素子の製造方法、記憶素子、記憶装置、および電子機器、ならびにトランジスタの製造方法 - 特許庁

2-BIT MEMORY TYPE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

２ビット記憶型半導体記憶装置およびその製造方法 - 特許庁

MEMORY CARD, MEMORY CARD PROCESSING METHOD, CONTROL PROGRAM AND INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加

メモリカード、メモリカード処理方法、制御プログラム、及び集積回路 - 特許庁

TEST METHOD FOR SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

半導体記憶装置の検査方法および半導体記憶装置 - 特許庁

NON-VOLATILE BISTABLE MEMORY ELEMENT例文帳に追加

不揮発性双安定メモリ素子 - 特許庁

READING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY AND SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加

半導体記憶装置の読み出し方法と半導体記憶装置 - 特許庁

MEMORY ACCESS DETERMINATION CIRCUIT, MEMORY ACCESS DETERMINATION METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加

メモリアクセス判定回路、メモリアクセス判定方法および電子機器 - 特許庁

MEMORY MODULE, MEMORY MODULE SOCKET AND SYSTEM BOARD INCLUDING THEM例文帳に追加

メモリモジュール及びメモリモジュールソケット並びにこれらを含むシステムボード - 特許庁

This semiconductor memory has a memory cell array connecting m (=10) step memory cells 33m1, 33m2, 33m3, ..., 33m1 in series.例文帳に追加

ｍ(＝１０)段のメモリセル３３m1、３３m2、３３m3、…、３３m1が直列に接続されたメモリセルアレイを備える。 - 特許庁

MEMORY SHARING TYPE MULTIPROCESSOR SYSTEM例文帳に追加

メモリ共有型マルチプロセッサシステム - 特許庁

MEMORY CARD LOCKING MECHANISM OF DIGITAL CAMERA例文帳に追加

デジタルカメラのメモリカードロック機構 - 特許庁

MEMORY MODULE, LAMINATE FOR MEMORY MODULES, MEMORY CARD WITH THE MODULE AND COMPUTER例文帳に追加

メモリモジュールおよびメモリモジュールの積層体ならびにメモリモジュールを具備するメモリカードおよびコンピュータ - 特許庁

COMPOSITION FOR FORMING MEMORY ELEMENT SWITCHING LAYER, MEMORY ELEMENT, AND POLYMER FOR FORMING MEMORY ELEMENT SWITCHING LAYER例文帳に追加

メモリ素子スイッチング層形成用組成物、メモリ素子及びメモリ素子スイッチング層形成用重合体 - 特許庁

METHOD FOR TESTING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

半導体記憶装置のテスト方法及び半導体記憶装置 - 特許庁

MEMORY BLOCK AND SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE USING THE MEMORY BLOCK例文帳に追加

メモリブロック及び当該メモリブロックを用いた半導体記憶装置 - 特許庁

The memory write to an area during the memory copy is merged with the memory write for the memory copy by the data transfer device.例文帳に追加

メモリコピー中の領域に対するメモリ書込みは、前記データ転送装置によって、メモリコピーのためのメモリ書込みとマージする。 - 特許庁

To provide a flash memory that reduces leakage current from one memory cell to an adjacent memory cell, more particularly a charge trap memory, and a process flow to form the same.例文帳に追加

隣接メモリセルへの漏洩電流を減らすフラッシュメモリ、特にチャージトラップメモリおよびそれを形成するプロセスフローの提供。 - 特許庁

The memory cell array is configured by arranging memory strings, each of which includes a plurality of memory cells connected in series.例文帳に追加

メモリセルアレイは、直列接続された複数のメモリセルからなるメモリストリングを配列してなる。 - 特許庁

To enable a memory device to be effectively used even when many memory errors occur in the memory device.例文帳に追加

メモリ装置でメモリエラーが多発する場合においても、メモリ装置を有効利用できるようにする。 - 特許庁

The main memory stores the second data which are stored in the buffer memory.例文帳に追加

メインメモリは、バッファメモリに格納された第２データを格納する。 - 特許庁

MEMORY INITIALIZATION DEVICE, MEMORY INITIALIZATION METHOD, AND ERROR CORRECTION DEVICE例文帳に追加

メモリ初期化装置、メモリ初期化方法及び誤り訂正装置 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

半導体記憶素子及びこれを用いた半導体記憶装置 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT, AND NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT例文帳に追加

不揮発性メモリ素子の製造方法及び不揮発性メモリ素子 - 特許庁

MEMORY BOARD TEST DEVICE AND SOCKET BOARD例文帳に追加

メモリボード試験装置・ソケットボード - 特許庁

DIRECT MEMORY ACCESS CONTROLLER AND DIRECT MEMORY ACCESS CONTROL METHOD例文帳に追加

ダイレクトメモリアクセス制御装置およびダイレクトメモリアクセス制御方法 - 特許庁

SHARED MEMORY DEVICE AND PROCESSING SYSTEM例文帳に追加

共有メモリ装置、処理システム - 特許庁

MEMORY SUPPORT DEVICE AND METHOD THEREFOR例文帳に追加

記憶補助装置及び方法 - 特許庁

MEMORY CONTROL METHOD AND DEVICE THEREOF例文帳に追加

メモリ制御方法及び装置 - 特許庁

To prevent a memory card from popping out when extracting the memory card.例文帳に追加

メモリカードの抜脱時におけるメモリカードの飛び出しを防止する。 - 特許庁

SERVICE CONDITION MEMORY DEVICE AND SERVICE HISTORY DATA MEMORY METHOD例文帳に追加

運行状況記憶装置および運行履歴データ記憶方法 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY CELL, RESISTANCE VARIABLE TYPE NONVOLATILE MEMORY DEVICE, AND DESIGN METHOD OF NONVOLATILE MEMORY CELL例文帳に追加

不揮発性メモリセル、抵抗可変型不揮発性メモリ装置および不揮発性メモリセルの設計方法 - 特許庁

Data stored in the internal memory 6 is then transmitted to the external memory 9 via a memory processing section 7.例文帳に追加

内部メモリ６に保存されたデータは記憶処理部７を介して外部メモリ９に送信される。 - 特許庁

A program counter 101 stores addresses of a memory 117 and an external memory.例文帳に追加

プログラムカウンタ101は、メモリ117及び外部メモリのアドレスを格納する。 - 特許庁

NAND TYPE NON-VOLATILE MEMORY例文帳に追加

ＮＡＮＤ型不揮発性メモリ - 特許庁