Memoryを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 50000件
MAGNETO RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗ランダムアクセスメモリー装置 - 特許庁
METHOD FOR MONITORING DEGRADATION OF FLASH MEMORY例文帳に追加
フラッシュメモリの劣化監視方法 - 特許庁
MEMORY CONTROLLER BASE COMPRESSION (EXPANSION)例文帳に追加
メモリコントローラベースの圧縮(伸張) - 特許庁
A memory for plotting data and a memory for overlay data are united and turned to a memory module, and buffers are set between the memory and a parallel/serial conversion circuit.例文帳に追加
描画データ用メモリとオーバレイ用メモリをまとめてメモリモジュール化し、このメモリとパラレル・シリアル変換回路間にバッファを設ける。 - 特許庁
DATA OUTPUT CIRCUIT FOR MEMORY DEVICE例文帳に追加
メモリ装置のデータ出力回路 - 特許庁
SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE例文帳に追加
シンクロナスダイミックランダムアクセスメモリ装置 - 特許庁
The memory cells form a memory cell block as a unit of data erasure, and memory cells connected to the respective word lines in the memory cell block form a page.例文帳に追加
メモリセルは、データ消去の単位となるメモリセルブロックを成し、メモリセルブロックにおいて各ワード線に接続されたメモリセルがページを成す。 - 特許庁
A memory-cell array 21 of the nonvolatile memory 20 is divided into a plurality of banks and a control memory area is allocated inside the memory-cell array 21.例文帳に追加
不揮発性メモリ20のメモリセルアレイ21を複数のバンクに分割して、メモリセルアレイ21内に制御メモリ領域をアロケートする。 - 特許庁
To prevent wasteful memory access by the look-ahead of memory read data and to return memory read data to an issuing source with a speedy response to a memory read request.例文帳に追加
メモリリードデータの先読みで無駄なメモリアクセスを防止し、メモリリード要求に対して早い応答でメモリリードデータを発行元に返す。 - 特許庁
The memory system with clusters selects a cache memory device of the memory system nodes or uses the plurality of the cache memory devices based on the attributes.例文帳に追加
クラスタ構成記憶システムは属性に基づいて、記憶システムノードのキャッシュメモリを選択、あるいは複数のキャッシュメモリを使用する。 - 特許庁
The device is provided with a memory cell array 100, a redundant row memory cell array 101, a redundant column memory cell array 102 and a redundant column row memory cell array 103.例文帳に追加
メモリセルアレイ100、冗長ロウメモリセルアレイ101、冗長カラムメモリセルアレイ102、冗長カラムロウメモリセルアレイ103を設ける。 - 特許庁
ACCESS CONTROL METHOD OF FLASH MEMORY例文帳に追加
フラッシュメモリのアクセス制御方法 - 特許庁
DATA DISTRIBUTION METHOD BY MEMORY CARD例文帳に追加
メモリカードによるデータ配布方法 - 特許庁
MAGNETIC SWITCHING ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加
磁気スイッチング素子及び磁気メモリ - 特許庁
FLASH MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
フラッシュ・メモリおよび製造方法 - 特許庁
A driving power of the display memory is separated to supply a driving supply voltage to the display memory by memory cells or plural memory cells.例文帳に追加
また、表示メモリの駆動電源を分離して表示メモリへメモリセル毎に、或は、複数のメモリセル毎に駆動電源電圧を供給する。 - 特許庁
MEMORY CIRCUIT AND CONTROL METHOD THEREOF例文帳に追加
記憶回路および制御方法 - 特許庁
DEFECT CONTROL METHOD FOR FLASH MEMORY例文帳に追加
フラッシュメモリの欠陥管理方法 - 特許庁
STORAGE ELEMENT MODULE AND MEMORY CHIP例文帳に追加
記憶素子モジュ—ルおよびメモリチップ - 特許庁
MEMORY DIAL TYPE COMMUNICATION TERMINAL EQUIPMENT例文帳に追加
メモリダイヤル式通信端末装置 - 特許庁
MAGNETIC MEMORY AND ITS RECORDING METHOD例文帳に追加
磁気メモリ及びその記録方法 - 特許庁
NONVOLATILE DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
不揮発性ダイナミック・ランダムアクセスメモリ - 特許庁
MEMORY UPDATE METHOD FOR FIELD EQUIPMENT例文帳に追加
フィールド機器のメモリ更新方法 - 特許庁
MEMORY MANAGEMENT SYSTEM AND METHOD例文帳に追加
メモリ管理システム及びその方法 - 特許庁
METHOD FOR READING OPTICAL DISK MEMORY例文帳に追加
光ディスクメモリの読み取り方法 - 特許庁
PATTERN GENERATING DEVICE FOR TESTING MEMORY例文帳に追加
メモリ試験用パターン発生装置 - 特許庁
VERIFICATION METHOD OF FLASH MEMORY DEVICE例文帳に追加
フラッシュメモリ素子の検証方法 - 特許庁
IMAGE DISPLAY MEMORY MANAGEMENT DEVICE例文帳に追加
画像表示用メモリー管理装置 - 特許庁
INFORMATION DEVICE EMPLOYING FLASH MEMORY例文帳に追加
フラッシュメモリを備えた情報機器 - 特許庁
BIDIRECTIONAL MEMORY SECURING MANAGEMENT SYSTEM例文帳に追加
双方向メモリ確保管理方式 - 特許庁
For instance, the memory cell of the general memory cell mat 10 is formed as a 6F^2 cell, whereas the memory cell of the end memory cell mat 20 is formed as an 8F^2 cell.例文帳に追加
例えば、通常メモリセルマット10のメモリセルを6F^2セルとする一方、端メモリセルマット20のメモリセルを8F^2セルとする。 - 特許庁
MEMORY UNIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
記憶装置及び半導体装置 - 特許庁
RECORDING DEVICE AND MEMORY CHECK METHOD例文帳に追加
録画機器及びメモリチェック方法 - 特許庁
MEMORY CARD AND CONTROL METHOD THEREFOR例文帳に追加
メモリカード及びその制御方法 - 特許庁
MAGNITUDE CONTENT ADDRESSABLE MEMORY例文帳に追加
マグニチュード内容参照可能メモリ - 特許庁
NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加
半導体不揮発性記憶装置 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD FOR FLASH MEMORY DEVICE例文帳に追加
フラッシュメモリ装置の製造方法 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING NON-VOLATILE MEMORY例文帳に追加
非揮発性メモリの製造方法 - 特許庁
CONTROL METHOD FOR REWRITING FLASH MEMORY例文帳に追加
フラッシュメモリ書換え制御方法 - 特許庁
To provide a memory device, a memory cell, a memory cell array and electronic equipment which have high reliability, by correctly controlling a resistance value of a memory layer.例文帳に追加
メモリ層の抵抗値を正確に制御することにより、信頼性の高いメモリ素子、メモリセル、メモリセルアレイ、及び電子機器を提供する。 - 特許庁
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