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Memoryを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 50000



例文

MAGNETO RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗ランダムアクセスメモリー装置 - 特許庁

MODELING METHOD FOR MEMORY OF COMPUTER例文帳に追加

計算機のメモリのモデル化方法 - 特許庁

METHOD FOR MONITORING DEGRADATION OF FLASH MEMORY例文帳に追加

フラッシュメモリの劣化監視方法 - 特許庁

METHOD FOR DECIDING OPTIMIZATION OF MEMORY MAP例文帳に追加

メモリマップ最適化決定方法 - 特許庁

例文

PROGRAMMING METHOD OF FLASH MEMORY DEVICE例文帳に追加

フラッシュメモリ装置のプログラム方法 - 特許庁


例文

MEMORY CONTROLLER BASE COMPRESSION (EXPANSION)例文帳に追加

メモリコントローラベースの圧縮(伸張) - 特許庁

A memory for plotting data and a memory for overlay data are united and turned to a memory module, and buffers are set between the memory and a parallel/serial conversion circuit.例文帳に追加

描画データ用メモリとオーバレイ用メモリをまとめてメモリモジュール化し、このメモリとパラレル・シリアル変換回路間にバッファを設ける。 - 特許庁

DATA OUTPUT CIRCUIT FOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

メモリ装置のデータ出力回路 - 特許庁

SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE例文帳に追加

シンクロナスダイミックランダムアクセスメモリ装置 - 特許庁

例文

The memory cells form a memory cell block as a unit of data erasure, and memory cells connected to the respective word lines in the memory cell block form a page.例文帳に追加

メモリセルは、データ消去の単位となるメモリセルブロックを成し、メモリセルブロックにおいて各ワード線に接続されたメモリセルがページを成す。 - 特許庁

例文

A memory-cell array 21 of the nonvolatile memory 20 is divided into a plurality of banks and a control memory area is allocated inside the memory-cell array 21.例文帳に追加

不揮発性メモリ20のメモリセルアレイ21を複数のバンクに分割して、メモリセルアレイ21内に制御メモリ領域をアロケートする。 - 特許庁

To prevent wasteful memory access by the look-ahead of memory read data and to return memory read data to an issuing source with a speedy response to a memory read request.例文帳に追加

メモリリードデータの先読みで無駄なメモリアクセスを防止し、メモリリード要求に対して早い応答でメモリリードデータを発行元に返す。 - 特許庁

The memory system with clusters selects a cache memory device of the memory system nodes or uses the plurality of the cache memory devices based on the attributes.例文帳に追加

クラスタ構成記憶システムは属性に基づいて、記憶システムノードのキャッシュメモリを選択、あるいは複数のキャッシュメモリを使用する。 - 特許庁

The device is provided with a memory cell array 100, a redundant row memory cell array 101, a redundant column memory cell array 102 and a redundant column row memory cell array 103.例文帳に追加

メモリセルアレイ100、冗長ロウメモリセルアレイ101、冗長カラムメモリセルアレイ102、冗長カラムロウメモリセルアレイ103を設ける。 - 特許庁

ACCESS CONTROL METHOD OF FLASH MEMORY例文帳に追加

フラッシュメモリのアクセス制御方法 - 特許庁

DATA DISTRIBUTION METHOD BY MEMORY CARD例文帳に追加

メモリカードによるデータ配布方法 - 特許庁

MAGNETIC SWITCHING ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気スイッチング素子及び磁気メモリ - 特許庁

FLASH MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

フラッシュ・メモリおよび製造方法 - 特許庁

A driving power of the display memory is separated to supply a driving supply voltage to the display memory by memory cells or plural memory cells.例文帳に追加

また、表示メモリの駆動電源を分離して表示メモリへメモリセル毎に、或は、複数のメモリセル毎に駆動電源電圧を供給する。 - 特許庁

MAGNETIC MEMORY AND DRIVE METHOD THEREFOR例文帳に追加

磁気メモリ及びその駆動方法 - 特許庁

MEMORY CIRCUIT AND CONTROL METHOD THEREOF例文帳に追加

記憶回路および制御方法 - 特許庁

DEFECT CONTROL METHOD FOR FLASH MEMORY例文帳に追加

フラッシュメモリの欠陥管理方法 - 特許庁

STORAGE ELEMENT MODULE AND MEMORY CHIP例文帳に追加

記憶素子モジュ—ルおよびメモリチップ - 特許庁

MEMORY DIAL TYPE COMMUNICATION TERMINAL EQUIPMENT例文帳に追加

メモリダイヤル式通信端末装置 - 特許庁

MAGNETIC MEMORY AND ITS RECORDING METHOD例文帳に追加

磁気メモリ及びその記録方法 - 特許庁

NONVOLATILE DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

不揮発性ダイナミック・ランダムアクセスメモリ - 特許庁

POWER-SAVING-TYPE MEMORY MODULE例文帳に追加

省消費電力型メモリモジュール - 特許庁

MEMORY UPDATE METHOD FOR FIELD EQUIPMENT例文帳に追加

フィールド機器のメモリ更新方法 - 特許庁

MEMORY MANAGEMENT SYSTEM AND METHOD例文帳に追加

メモリ管理システム及びその方法 - 特許庁

METHOD FOR READING OPTICAL DISK MEMORY例文帳に追加

光ディスクメモリの読み取り方法 - 特許庁

PATTERN GENERATING DEVICE FOR TESTING MEMORY例文帳に追加

メモリ試験用パターン発生装置 - 特許庁

VERIFICATION METHOD OF FLASH MEMORY DEVICE例文帳に追加

フラッシュメモリ素子の検証方法 - 特許庁

IMAGE DISPLAY MEMORY MANAGEMENT DEVICE例文帳に追加

画像表示用メモリー管理装置 - 特許庁

INFORMATION DEVICE EMPLOYING FLASH MEMORY例文帳に追加

フラッシュメモリを備えた情報機器 - 特許庁

BIDIRECTIONAL MEMORY SECURING MANAGEMENT SYSTEM例文帳に追加

双方向メモリ確保管理方式 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR MEMORY DETECTION例文帳に追加

メモリ検知の方法および装置 - 特許庁

For instance, the memory cell of the general memory cell mat 10 is formed as a 6F^2 cell, whereas the memory cell of the end memory cell mat 20 is formed as an 8F^2 cell.例文帳に追加

例えば、通常メモリセルマット10のメモリセルを6F^2セルとする一方、端メモリセルマット20のメモリセルを8F^2セルとする。 - 特許庁

ADAPTER FOR MEMORY CARD, AND ITS TERMINAL例文帳に追加

メモリーカード用アダプタとその端子 - 特許庁

MEMORY UNIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

記憶装置及び半導体装置 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MEMORY SELF TESTING例文帳に追加

メモリ自己テストの方法と装置 - 特許庁

RECORDING DEVICE AND MEMORY CHECK METHOD例文帳に追加

録画機器及びメモリチェック方法 - 特許庁

MEMORY CARD AND CONTROL METHOD THEREFOR例文帳に追加

メモリカード及びその制御方法 - 特許庁

MAGNITUDE CONTENT ADDRESSABLE MEMORY例文帳に追加

マグニチュード内容参照可能メモリ - 特許庁

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

半導体不揮発性記憶装置 - 特許庁

REGISTER READ FOR VOLATILE MEMORY例文帳に追加

揮発性メモリのレジスタの読み出し - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR FLASH MEMORY DEVICE例文帳に追加

フラッシュメモリ装置の製造方法 - 特許庁

PROGRAM METHOD FOR FLASH MEMORY DEVICE例文帳に追加

フラッシュメモリ装置のプログラム方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING NON-VOLATILE MEMORY例文帳に追加

非揮発性メモリの製造方法 - 特許庁

CONTROL METHOD FOR REWRITING FLASH MEMORY例文帳に追加

フラッシュメモリ書換え制御方法 - 特許庁

例文

To provide a memory device, a memory cell, a memory cell array and electronic equipment which have high reliability, by correctly controlling a resistance value of a memory layer.例文帳に追加

メモリ層の抵抗値を正確に制御することにより、信頼性の高いメモリ素子、メモリセル、メモリセルアレイ、及び電子機器を提供する。 - 特許庁




  
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