「Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(73ページ目) - Weblio英語例文検索

FORMATION METHOD OF FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子の形成方法 - 特許庁

MEMORY CARD AND ITS MANAGEMENT METHOD例文帳に追加

メモリカード及びその管理方法 - 特許庁

PORTABLE TERMINAL DEVICE WITH MEMORY CARD例文帳に追加

メモリーカード付携帯端末機器 - 特許庁

MAGNETIC ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

磁気素子及び磁気記憶装置 - 特許庁

MEMORY CARD AND CARD CONTROLLER FOR SAME例文帳に追加

メモリカード及びそのカードコントローラ - 特許庁

The horrible event haunts my memory. 例文帳に追加

怖い出来事が記憶を去らぬ - 斎藤和英大辞典

But memory is not.例文帳に追加

でも記憶はそうではありません - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

The semiconductor memory device 20 comprises: a memory 21 which has a plurality of memory blocks having memory cells capable of storing a plurality of different kinds of data which require memory areas having different characteristics; and a memory controller 22 for managing the memory by using each of the memory blocks as a deletion unit.例文帳に追加

半導体記憶装置２０は、異なる特性のメモリ領域を必要とする複数種類のデータを記憶可能なメモリセルからなる複数のメモリブロックを有するメモリ部２１と、各メモリブロックを消去単位としてメモリ部を管理するメモリコントローラ２２とを有する。 - 特許庁

The information processor 1 assigns the proper name of a memory block to each memory block secured in the storage area of the nonvolatile memory 40 and performs memory management for the nonvolatile memory 40 by using a memory management table for identifying the memory blocks according to the names of the memory blocks.例文帳に追加

情報処理装置１は、不揮発性メモリ４０の記憶領域に確保されるメモリブロックそれぞれに固有のメモリブロック名を付し、そのメモリブロック名によってメモリブロックを識別するメモリ管理テーブルを用いて、不揮発性メモリ４０のメモリ管理を行う。 - 特許庁

The semiconductor memory device comprises a stacked memory chip consisting of a plurality of stacked memory chips, a substrate on which the stacked memory chip is mounted, and a memory control chip mounted on the substrate contiguously to the stacked memory chip.例文帳に追加

半導体メモリ装置は、積層された複数のメモリチップからなる積層メモリチップと、積層メモリチップを搭載する基板と、基板上に積層メモリチップに隣接して搭載されたメモリコントロールチップと、を含む。 - 特許庁

A memory cell array 17a includes memory cells (first memory cells) MC, which store data, and retreat memory cells (second memory cells) RMC for data at the time of refreshing, the retreat memory cells being for temporally storing data at the time refreshing.例文帳に追加

メモリセルアレイ１７ａは、データを記憶しているメモリセル（第１メモリセル）ＭＣとリフレッシュ時に一旦データを保持するためのリフレッシュ時データ用退避メモリセル（第２メモリセル）ＲＭＣとが含まれる。 - 特許庁

A plurality of memory cells are arranged in a matrix state in a memory cell array 1, the memory cell array 1 has a memory cell MC1 to be read out and memory cells MC2 to MC4 arranged adjacent to the memory cell 1.例文帳に追加

メモリセルアレイ１には複数のメモリセルが行列状に配列されており、メモリセルアレイ１は、読み出し対象のメモリセルＭＣ１と、メモリセルＭＣ１に隣接して配置されたメモリセルＭＣ２〜ＭＣ４を有する。 - 特許庁

This memory test circuit 41 is provided on the semiconductor memory device which includes a memory cell and a redundancy cell for relieving the memory cell by replacing it when this memory cell is defective memory cell.例文帳に追加

本発明にかかるメモリテスト回路４１は、メモリセルと、当該メモリセルが不良メモリセルである場合に置き換えて救済するための冗長セルとを有する半導体メモリ装置に設けられている。 - 特許庁

To reduce the power consumption of a memory means in a program controller in which a read only memory or a non-volatile and electric rewritable memory is used for a memory means such as a program memory or a font memory.例文帳に追加

プログラムメモリやフォントメモリ等のメモリ手段に読み出し専用メモリ又は不揮発性且つ電気的書き換え可能メモリを用いたプログラムコントローラにおいて、メモリ手段の消費電力を低減する。 - 特許庁

A memory block MB includes memory cells MC for recording the information and a redundancy memory cell RC to be replaced with one of the memory cells to record the information in place of this memory cell.例文帳に追加

メモリブロックＭＢは、情報を記録するメモリセルＭＣと、メモリセルの１つと置換されて該メモリセルに代わって情報を記録する冗長メモリセルＲＣと、を含む。 - 特許庁

To provide a memory management device and a memory management method which can efficiently use a memory by resolving memory insufficiency when memory management is performed with a fixed area.例文帳に追加

固定領域によるメモリ管理を行った場合のメモリ不足を解消し、メモリを効率よく利用可能なメモリ管理装置及びメモリ管理方法を提供する。 - 特許庁

A cache memory 2 comprises a plurality of ways including a plurality of cache lines having a tag memory 103, a first dirty bit memory 106, an effective bit memory 107, and a data memory 105.例文帳に追加

キャッシュメモリ２はタグメモリ１０３と、第１のダーティビットメモリ１０６と、有効ビットメモリ１０７と、データメモリ１０５と、を含む複数のキャッシュラインを有する複数のウエイを備える。 - 特許庁

A memory block has regular memory blocks (2, 3) and a spare memory block (3) for the regular memory blocks and a part of the normal memory block is made a storage area (4) of relief information.例文帳に追加

メモリブロックは正規のメモリブロック（２，４）と正規のメモリブロックに対する予備のメモリブロック（３）を有し、正規のメモリブロックの一部は救済情報の格納領域（４）とされる。 - 特許庁

The memory cell block has plural memory cell strings in which memory cells are arranged in the one direction and a redundant memory cell string for relieving defects of these memory cell strings.例文帳に追加

メモリセルブロックは、メモリセルが一方向に配置された複数のメモリセル列およびこれ等メモリセル列の不良を救済するための冗長メモリセル列を有している。 - 特許庁

To provide a memory device, a memory write-in device, a memory system and a memory write-in method which smoothes the reuse of a memory medium, while suppressing tampering and diffusion of a program.例文帳に追加

プログラムの改竄と拡散を抑制しながらメモリ媒体のリユースを円滑化できるメモリ装置、メモリ書込み装置、メモリシステムおよびメモリ書込み方法を提供する。 - 特許庁

The resistive random access memory device has: a memory chip using a resistive random access memory cell; and a heater which imparts a temperature bias for accelerating state change of the memory cell to the memory chip.例文帳に追加

抵抗変化メモリ装置は、抵抗変化型メモリセルを用いたメモリチップと、このメモリチップに、メモリセルの状態変化を加速するための温度バイアスを与えるヒータと、を有する。 - 特許庁

If the memory 15 passes to the diagnosis, programs in flash memory 14 is copied into the memory 15, so that the programs to be read and executed are moved from the flash memory 14 to the memory 15 with short access time.例文帳に追加

診断にパスすれば、フラッシュメモリ１４上のプログラムをメモリ１５にコピーし、プログラムの読込み・実行元をフラッシュメモリ１４からアクセスタイムの小さいメモリ１５に移す。 - 特許庁

This memory system 200 includes a first memory unit 201 having an array of memory cells and a second memory unit 201 having an array of memory cells including a number of redundant cells.例文帳に追加

メモリセルアレイを有する第１のメモリユニット２０１と、いくつかの冗長セルを含むメモリセルアレイを有する第２のメモリユニット２０１と、を備えたメモリシステム２００である。 - 特許庁

The ferroelectric memory fuses 2a and 2b have the same structure as a memory cell part 11, a memory cell part 12, a memory cell part 21, and a memory cell part 22 disposed in the cell unit SU1.例文帳に追加

強誘電体メモリヒューズ２ａ及び２ｂは、セルユニットＳＵ１に設けられるメモリセル部１１、メモリセル部１２、メモリセル部２１、及びメモリセル部２２と同一構造を有する。 - 特許庁

This memory has a memory cell array 20 consisting of plural memory cells 21, word lines 12 having the same number as the number of rows of the memory cells 21 are connected respectively to gates of the memory cells 21.例文帳に追加

複数個のメモリセル２１からなるメモリセルアレイ２０を有し、メモリセル２１の行数と同数のワード線１２がメモリセル２１のゲートに夫々接続されている。 - 特許庁

In this memory buffer allocation device 10, a memory buffer division unit 12 divides an area of the memory buffer into a plurality of areas, and set them to a dedicated memory buffer and a shared memory buffer.例文帳に追加

メモリバッファ割当装置１０において，メモリバッファ分割部１２は，メモリバッファの領域を複数に分割し，それぞれを専用メモリバッファと共用メモリバッファに設定する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリー素子の製造方法 - 特許庁

MANUFACTURE OF CAPACITOR OF MEMORY DEVICE例文帳に追加

メモリ素子のキャパシタ製造方法 - 特許庁

MEMORY READING CIRCUIT AND ICE例文帳に追加

メモリ読出し回路およびＩＣＥ - 特許庁

ELECTRONIC DEVICE, MEMORY DEVICE, AND HOST APPARATUS例文帳に追加

電子デバイス、メモリデバイス、ホスト装置 - 特許庁

CACHE MEMORY CONTROL DEVICE AND METHOD例文帳に追加

キャッシュメモリ制御装置と方法 - 特許庁

MEMORY CARD AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

メモリカード及びその製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY CARD, MEMORY ARRANGEMENT METHOD FOR IT, MEMORY ARRANGEMENT PROGRAM FOR IT, AND INTEGRATED CIRCUIT FOR SEMICONDUCOTR MEMORY CARD例文帳に追加

半導体メモリカード、半導体メモリカードのメモリ配置方法、半導体メモリカードのメモリ配置プログラムおよび半導体メモリカードの集積回路 - 特許庁

CALIBRATION METHOD AND MEMORY SYSTEM例文帳に追加

キャリブレーション方法及びメモリシステム - 特許庁

PRODUCTION METHOD OF FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリー素子の製造方法 - 特許庁

To provide a computer system capable of making a local memory into a shared memory and making the shared memory into the local memory of a specific processor.例文帳に追加

ローカルメモリを共有メモリにしたり、共有メモリを特定のプロセッサのローカルメモリにすることができるコンピュータシステムを提供する。 - 特許庁

MEMORY BACKUP DEVICE FOR CELLULAR PHONE例文帳に追加

携帯電話のメモリバックアップ装置 - 特許庁

SHAPE MEMORY ALLOY STRUCTURE例文帳に追加

形状記憶合金製構造体 - 特許庁

MEMORY CHIP AND DATA STORAGE METHOD例文帳に追加

メモリ・チップ及びデータ記憶方法 - 特許庁

MAGNETIC MEMORY AND RECORDING METHOD THEREOF例文帳に追加

磁気メモリ及びその記録方法 - 特許庁

MEMORY UNIT THAT REALIZES CIRCUIT AREA SAVINGS例文帳に追加

回路面積節約のメモリユニット - 特許庁

STATIC TYPE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

スタティック型半導体記憶装置 - 特許庁

The non volatile semiconductor memory device comprises a memory part MU; and a non memory part PU provided beside the memory part.例文帳に追加

実施形態によれば、メモリ部ＭＵと、メモリ部に併設された非メモリ部ＰＵと、を備えた不揮発性半導体記憶装置が提供される。 - 特許庁

READOUT CIRCUIT FOR MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

磁気メモリ装置の読み出し回路 - 特許庁

DYNAMIC TYPE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

ダイナミック型半導体記憶装置 - 特許庁