PHASE-CHANGEの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3073件
a phase change optical disc 例文帳に追加
相変化方式の光ディスク《rewritable optical disc の一方式》 - 研究社 英和コンピューター用語辞典
SELF-ALIGNED PROGRAMMABLE PHASE CHANGE MEMORY例文帳に追加
自己整列したプログラム可能な相変化メモリ - 特許庁
To adjust the buoyancy by making use of the volumetric change associated with the phase change between the solid phase and the liquid phase of a substance.例文帳に追加
物質の固相及び液相間の相変化に伴う体積変化を利用して浮力を調整する。 - 特許庁
CONNECTION ELECTRODE SUITABLE FOR PHASE CHANGE MATERIAL, PHASE CHANGE MEMORY DEVICE PROVIDED WITH CONNECTION ELECTRODE, AND MANUFACTURING METHOD OF PHASE CHANGE MEMORY DEVICE例文帳に追加
相変化材料に適した接続電極、該接続電極を備えた相変化メモリー素子、および該相変化メモリー素子の製造方法 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING VERTICAL PHASE CHANGE MEMORY DEVICE例文帳に追加
縦型相変化メモリ装置の製造方法 - 特許庁
PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加
相変化記憶素子及びその製造方法 - 特許庁
PHASE CHANGE RECORDING MEDIUM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
相変化記録媒体とその製造方法 - 特許庁
Since the volume of the phase change layer is reduced and the phase change layer entirely serves as a phase change region from the beginning, volume of the phase change region does not increase even when the number of rewrite increases.例文帳に追加
相変化層の体積を小さくし、最初から全ての相変化層を相変化領域とすることで、書き換え回数が増えた場合にも相変化領域の体積が増加しない。 - 特許庁
PHASE CHANGE STORAGE ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
相変化記憶素子及びその製造方法 - 特許庁
PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
相変化メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁
PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND PROGRAM METHOD THEREOF例文帳に追加
相変化メモリ装置及びそのプログラム方法 - 特許庁
PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
相変化メモリ装置およびその製造方法 - 特許庁
PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT AND ITS FORMING METHOD例文帳に追加
相変化記憶素子およびその形成方法 - 特許庁
PHASE-CHANGE STORAGE CELL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
相変化記憶セル及びその製造方法 - 特許庁
PHASE CHANGE OPTICAL DISK AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
相変化型光ディスクとその製造方法 - 特許庁
PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FORMING IT例文帳に追加
相変化メモリ装置及びその形成方法 - 特許庁
PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF例文帳に追加
相変化メモリ装置およびその製造方法 - 特許庁
PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME例文帳に追加
相変化メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁
RECORDING METHOD FOR PHASE-CHANGE OPTICAL RECORDING MEDIUM例文帳に追加
相変化型光記録媒体の記録方法 - 特許庁
PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND WRITING METHOD THEREFOR例文帳に追加
相変化メモリ装置及びそのライティング方法 - 特許庁
PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加
相変化メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁
This storage medium contains a phase change material.例文帳に追加
その記憶媒体は相変化材料を含む。 - 特許庁
INITIALIZATION METHOD OF PHASE CHANGE OPTICAL RECORDING MEDIUM例文帳に追加
相変化光記録媒体の初期化方法 - 特許庁
PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
相変化メモリ装置およびその製造方法 - 特許庁
To hold switching suspension phase surely for voltage phase change in phase switching.例文帳に追加
各相切替え時の電圧位相の変化に対し、スイッチング休止相を確実に保持する。 - 特許庁
SPUTTERING TARGET FOR FORMATION OF RECORDING LAYER OF PHASE CHANGE OPTICAL RECORDING MEDIUM AND PHASE CHANGE OPTICAL RECORDING MEDIUM例文帳に追加
相変化光記録媒体記録層形成用スパッタリングターゲットおよび相変化光記録媒体 - 特許庁
METHOD OF FORMING PHASE CHANGE MATERIAL THIN FILM AND METHOD OF MANUFACTURING PHASE CHANGE MEMORY DEVICE USING THE SAME例文帳に追加
相変化物質薄膜の形成方法及びそれを利用した相変化メモリ素子の製造方法 - 特許庁
METHOD FOR INITIALIZING PHASE CHANGE OPTICAL DISK AND PHASE CHANGE OPTICAL DISK INITIALIZED BY THE METHOD例文帳に追加
相変化光ディスクの初期化方法及びその方法により初期化された相変化光ディスク - 特許庁
To provide a method of manufacturing a phase-change memory element that includes a surface preparation process for the phase-change layer.例文帳に追加
相変化層の表面処理工程を含む相変化メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
The time phase change projecting data (d) is reversely projected to generate a time phase change CT image (e) (S250).例文帳に追加
時相変化投影データ(d)を逆投影し、時相変化CT像(e)を生成する(S250)。 - 特許庁
The phase change ink contains a phase change ink carrier and a compound expressed by the formula of the figure or the like.例文帳に追加
相変化インクキャリアと式等で表される化合物とを含む相変化インク組成物。 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING PHASE-CHANGE MEMORY ELEMENT, AND METHOD FOR FORMING PHASE-CHANGE LAYER APPLIED TO THE SAME例文帳に追加
相変化メモリ素子の製造方法及びこれに適用された相変化層の形成方法 - 特許庁
The second phase change memory element includes a second phase change material having a second crystallization temperature.例文帳に追加
前記2相変化メモリ要素は第2結晶化温度を有する第2相変化物質を備える。 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING PHASE CHANGE MATERIAL, THE PHASE CHANGE MATERIAL, AND STORAGE/TRANSPORT TECHNIQUE USING THE SAME例文帳に追加
相変化物質製造方法および相変化物質ならびにこれを用いた保存・輸送技術 - 特許庁
To provide a method for multilevel reading of a phase-change memory cell, and a multilevel phase-change memory device.例文帳に追加
相変化メモリセルのマルチレベル読み取り方法及びマルチレベル相変化メモリデバイスを提供する。 - 特許庁
APPARATUS AND METHOD FOR FORMING PHASE CHANGE LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING PHASE CHANGE MEMORY DEVICE UTILIZING THE SAME例文帳に追加
相変化膜の形成方法及び装置、これを利用した相変化メモリ素子の製造方法 - 特許庁
FORMING METHOD OF PHASE-CHANGE MATERIAL LAYER, MANUFACTURING METHOD OF PHASE-CHANGE MEMORY ELEMENT USING THIS METHOD例文帳に追加
相変化物質層の形成方法及びそれを利用した相変化メモリ素子の製造方法 - 特許庁
PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT PROVIDED WITH SELECTIVELY GROWN PHASE CHANGE LAYER AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
選択的に成長された相変化層を備える相変化メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁
PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
相変化メモリー素子及びその製造方法 - 特許庁
PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加
相変化メモリ装置及び半導体記憶装置 - 特許庁
The method of forming the phase-change material layer, the method of forming the phase-change memory element using the method and the phase-change memory element are disclosed.例文帳に追加
相変化物質層の形成方法と、その方法を利用した相変化記憶素子の形成方法及び相変化記憶素子を提供する。 - 特許庁
PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND METHOD OF PROGRAMMING THE SAME例文帳に追加
相変化メモリ装置及びそのプログラム方法 - 特許庁
PHASE CHANGE INK COMPRISING FISCHER-TROPSCH WAX例文帳に追加
フィッシャー・トロプシュ・ワックスを含有する相変化インク - 特許庁
PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME例文帳に追加
相変化メモリ装置及びそれの製造方法 - 特許庁
OVERWRITING METHOD AND DETERIORATION JUDGING METHOD OF PHASE CHANGE TYPE OPTICAL RECORDING METHOD, PHASE CHANGE TYPE OPTICAL RECORDING MEDIUM AND PHASE CHANGE TYPE OPTICAL RECORDING DEVICE例文帳に追加
相変化型光記録媒体のオーバーライト処理方法、劣化判定方法、相変化型光記録媒体及び相変化型光記録装置 - 特許庁
METHOD FOR LOW-POWER ACCESS TO PHASE CHANGE MEMORY DEVICE例文帳に追加
相変化メモリデバイスの低電力アクセス方法 - 特許庁
PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
相変化メモリ装置及びその製造方法 - 特許庁
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