PHASE-CHANGEの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3073件
To provide a forming method of a phase-change material layer and a manufacturing method of a phase-change memory element using this method.例文帳に追加
相変化物質層の形成方法及びそれを利用した相変化メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
SOLID OR PHASE CHANGE INK WITH IMPROVED PROPERTIES例文帳に追加
改善された特性を有する固体又は相変化インク - 特許庁
PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR UNIFORMLY MAINTAINING RESISTANCE RANGE OF PHASE-CHANGE MATERIAL IN RESET STATE例文帳に追加
リセット状態での相変化物質の抵抗値の範囲を均一に維持する相変化メモリ装置及びその方法 - 特許庁
PHASE CHANGE INK CONTAINING BIS[UREA-URETHANE] COMPOUND例文帳に追加
ビス[尿素−ウレタン]化合物を含有する相変化インク - 特許庁
MEMORY DEVICE BASED ON PHASE CHANGE AND ITS OPERATION METHOD例文帳に追加
相変化に基づくメモリ装置及びその動作方法 - 特許庁
CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SLURRY COMPOSITION FOR PHASE-CHANGE SUBSTANCE POLISHING AND METHOD OF POLISHING PHASE-CHANGE SUBSTANCE USING THE SAME例文帳に追加
相変化物質研磨用化学機械研磨スラリー組成物およびこれを用いた相変化物質の研磨方法 - 特許庁
To provide a phase-change memory having memory elements and selection elements.例文帳に追加
相変化メモリはメモリ要素と選択要素とを有する。 - 特許庁
To provide a phase-change memory device (PRAM) small in a contact area between a phase-change recording layer and a heater electrode.例文帳に追加
相変化記録層とヒータ電極の接触面積の小さい相変化メモリ装置(PRAM)を提供する。 - 特許庁
A phase change cell memory device includes two or more phase change memory cells, an address circuit, a write driver, and a write driver control circuit.例文帳に追加
相変化セルメモリ装置は、複数の相変化メモリセル、アドレス回路、ライトドライバ、及びライトドライバ制御回路を含む。 - 特許庁
PHASE CHANGE TYPE INFORMATION RECORDING MEDIUM AND SPUTTERING TARGET例文帳に追加
相変化型情報記録媒体及びスパッタリングターゲット - 特許庁
To provide a phase change memory cell which can store a plurality of data bits in order to obtain a high density phase change memory.例文帳に追加
高密度の相変化メモリを得るために、複数のデータビットを記憶できる相変化メモリセルを提供する。 - 特許庁
To provide improved phase change inks, for example, phase change inks that have improved cure at higher print speeds.例文帳に追加
改良された転相インク、例えば、より印刷速度の高い状態で硬化性が改良した転相インク。 - 特許庁
PHASE CHANGE MEMORY SELECTION TYPE ELECTRON SOURCE AND PATTERN DRAWING APPARATUS例文帳に追加
相変化メモリ選択型電子源および描画装置 - 特許庁
In the phase change optical recording medium, a phase change recording material constituting a recording layer is formed from a phase change alloy containing at least Ga or In and Sb, Zr, and Mg.例文帳に追加
(1)記録層を構成する相変化記録材料が、少なくともGa又はInと、Sb、Zr、Mgを含む相変化合金である相変化型光記録媒体。 - 特許庁
DRIVING CIRCUIT OF PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND PROGRAMMING METHOD例文帳に追加
相変化メモリ装置の駆動回路及びプログラミング方法 - 特許庁
INITIALIZATION METHOD OF PHASE CHANGE OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM, INITIALIZATION APPARATUS, AND PHASE CHANGE OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM例文帳に追加
相変化型光情報記録媒体の初期化方法、初期化装置及び相変化型光情報記録媒体 - 特許庁
PHASE-CHANGE TYPE INFORMATION RECORDING MEDIUM, METHOD FOR CRYSTALLIZATION OF THE SAME, AND APPARATUS FOR MANUFACTURE OF THE PHASE CHANGE TYPE INFORMATION RECORDING MEDIUM例文帳に追加
相変化型情報記録媒体、その結晶化方法及び相変化型情報記録媒体の製造装置 - 特許庁
To provide a nonvolatile phase-change memory structure having a memory structure where a phase-change film cannot be damaged easily, and to provide a reliable phase-change nonvolatile memory.例文帳に追加
相変化膜が、破壊し難いメモリ構造を有する不揮発性相変化メモリ構造を提供し、信頼性の高い相変化型不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁
To provide a phase change memory device and its manufacturing method.例文帳に追加
相変化メモリ装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁
The optical information recording medium includes a phase change layer.例文帳に追加
光学的情報記録媒体は、相変化層を有する。 - 特許庁
PHASE CHANGE TYPE OPTICAL RECORDING MEDIUM AND OPTICAL RECORDING METHOD例文帳に追加
相変化型光記録媒体および光記録方法 - 特許庁
DEVICE AND METHOD FOR INITIALIZING PHASE CHANGE OPTICAL DISK例文帳に追加
相変化光ディスクの初期化装置及び初期化方法 - 特許庁
RECORDER, AND OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM OF PHASE CHANGE TYPE例文帳に追加
記録装置および相変化型光情報記録媒体 - 特許庁
PHASE CHANGE TYPE OPTICAL RECORDING MEDIUM AND ITS OPTICAL RECORDING METHOD例文帳に追加
相変化型光記録媒体とその光記録方法 - 特許庁
PHASE CHANGE INFORMATION RECORDING MEDIUM AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
相変化型情報記録媒体とその製造方法 - 特許庁
PHASE CHANGE OPTICAL RECORDING MEDIUM AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
相変化型光記録媒体及びその製造方法 - 特許庁
DEVICE AND METHOD FOR INITIALIZING PHASE-CHANGE OPTICAL DISK例文帳に追加
相変化光ディスク初期化装置及び同初期化方法 - 特許庁
PHASE-CHANGE RECORDING MEDIUM AND OPTICAL RECORDING AND REPRODUCING DEVICE例文帳に追加
相変化型記録媒体及び光記録再生装置 - 特許庁
PHASE CHANGE STORAGE CELL EMPLOYING GeBiTe FILM AS PHASE CHANGE SUBSTANCE FILM, PHASE CHANGE STORAGE DEVICE HAVING SAME, ELECTRONIC SYSTEM HAVING SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加
GeBiTe膜を相変化物質膜として採用する相変化記憶セル、それを有する相変化記憶素子、それを有する電子システム及びその製造方法 - 特許庁
PHASE CHANGE MEMORY CELL HAVING STEP-LIKE PROGRAMMING CHARACTERISTICS例文帳に追加
階段状のプログラミング特性を有する相変化メモリセル - 特許庁
The phase-change substance pattern is arranged on the lower electrodes.例文帳に追加
下部電極上に相変化物質パターンが配される。 - 特許庁
Top electrodes are formed on the phase change patterns.例文帳に追加
前記相変化パターン上に上部電極を形成する。 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE HAVING FULLERENE LAYER例文帳に追加
フラーレン層を具備した相変化メモリ素子の製造方法 - 特許庁
PHASE CHANGE INK, METHOD FOR FORMING INK, AND INK JET SYSTEM例文帳に追加
相変化インク、インクの形成方法及びインクジェットシステム - 特許庁
Until the end phase, I can change gagaga magician's level from four to eight!例文帳に追加
エンドフェイズまで ガガガマジシャンのレベルを 4から8に変更。 - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
METHOD FOR MANUFACTURING PHASE CHANGE TYPE OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM例文帳に追加
相変化型光情報記録媒体の製造方法 - 特許庁
VARIABLE RESISTIVE DEVICE AND PHASE CHANGE NONVOLATILE MEMORY DEVICE例文帳に追加
可変抵抗素子および相変化型不揮発性メモリ素子 - 特許庁
To provide a method of forming a phase-change material layer pattern, a method of manufacturing a phase-change memory device, and a phase-change material polishing slurry composition for use in the methods.例文帳に追加
相変化物質層パターンの形成方法、相変化メモリー装置の製造方法、及びこれに使用される相変化物質層研磨用スラリー造成物が開示される。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a phase-change memory element, and to provide a method for forming a phase change layer applied to the same.例文帳に追加
相変化メモリ素子の製造方法及びこれに適用された相変化層の形成方法を提供する。 - 特許庁
PHASE CHANGE TYPE OPTICAL RECORDING MEDIUM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
相変化型光記録媒体及びその製造方法 - 特許庁
Further, a method for producing such phase-change ink is disclosed.例文帳に追加
また、そのような相変化インクの製造法を開示する。 - 特許庁
PHASE CHANGE TYPE OPTICAL RECORDING MEDIUM AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
相変化型光記録媒体およびその製造方法 - 特許庁
PHASE CHANGE MEMORY DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, PHASE CHANGE MEMORY IC, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
相変化メモリ素子、相変化メモリIC、相変化メモリ素子の製造方法および相変化メモリICの製造方法 - 特許庁
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
JESC: Japanese-English Subtitle Corpus映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書のコンテンツは、特に明示されている場合を除いて、次のライセンスに従います: Creative Commons Attribution-ShareAlike 4.0 International (CC BY-SA 4.0) |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
Creative Commons Attribution-ShareAlike 4.0 International (CC BY-SA 4.0)