PHASE-CHANGEの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3073件
To accurately monitor a change state from a liquid phase to a solid phase when a liquid phase material is solidified, and accurately estimate a finish time of a phase change.例文帳に追加
液相の材料が固相化するときに、液相から固相までの変化の状態を的確に監視でき、さらに相変化の完了時期を的確に推定する。 - 特許庁
The phase change amount of phase shifters 4_1 to 4_m is set by phase shift change data etc. in advance so that a desired antenna directivity pattern may be acquired.例文帳に追加
移相器4_1〜4_mの位相変化量は、所望のアンテナ指向性パターンとなるように予め移相変化データなどによって設定される。 - 特許庁
The prescribed temperature T corresponds to a temperature where the liquid crystal causes phase change, and for instance, corresponds to the temperature being an equivalent phase by causing the phase change.例文帳に追加
所定温度Tは液晶が相転移を起こす温度に対応し、例えば相転移を起こして等方相になる温度に対応する。 - 特許庁
The storage cell for the memory element and the phase change type memory element have a first phase change substance pattern 107a', and a high resistance phase change substance pattern 109a' formed on the first phase change substance pattern 107a'.例文帳に追加
記憶素子のための貯蔵セル、ならびに相変化記憶素子は、第1相変化物質パターン107a’と、第1相変化物質パターン107a’上に形成された高抵抗相変化物質パターン109a’とを備える。 - 特許庁
At least a phase change recording layer 3 is formed on a substrate 1 and a phase change material layer 4 having the crystallization temperature Tc2 higher than the crystallization temperature Tc1 of the phase change recording layer 3 is formed in adjacent to the phase change recording layer 3.例文帳に追加
基板1上に少なくとも相変化記録層3を設け、該相変化記録層3に接して、該相変化記録層の結晶化温度Tc1よりも高い結晶化温度Tc2を有する相変化材料層4を設ける。 - 特許庁
At least a phase change recording layer 3 is formed on a substrate 1 and a phase change material layer 4 having the crystallization rate v2 faster than the crystallization rate v1 of the phase change recording layer 3 is formed in adjacent to the phase change recording layer 3.例文帳に追加
基板1上に少なくとも相変化記録層3を設け、該相変化記録層3に接して、該相変化記録層の結晶化速度v1よりも速い結晶化速度v2を有する相変化材料層4を設ける。 - 特許庁
A phase change with the change of the image pitch is detected through the third grid 13.例文帳に追加
第3格子13を通して像ピッチの変化に伴う位相変化を検出する。 - 特許庁
A knocking controller is provided with the operating angle change mechanism which changes the operating angle of an inlet valve and the phase change mechanism which change the center phase of this operating angle.例文帳に追加
吸気弁の作動角を変更する作動角変更機構と、この作動角の中心位相を変更する位相変更機構と、を備える。 - 特許庁
To provide a radar system having a means to correct a phase change by obtaining an absolute phase.例文帳に追加
絶対位相を求めることにより位相変化を補正する手段を備えたレーダ装置。 - 特許庁
The presence/absence of phase jump is determined by a comparator 12 based on the phase change portion Δθ.例文帳に追加
比較器12によって位相変化分Δθを基に位相跳躍の有無を判定する。 - 特許庁
MEMORY DEVICE, ELECTRONIC EQUIPMENT, RECORDING METHOD FOR PHASE CHANGE MEMORY DEVICE例文帳に追加
メモリ装置、電子機器、相変化メモリ素子への記録方法 - 特許庁
PHASE CHANGE RECORDING MEDIUM, ITS MANUFACTURE, AND MANUFACTURING DEVICE THEREFOR例文帳に追加
相変化記録媒体、その製造方法及び製造装置 - 特許庁
INFORMATION RECORDING AND REPRODUCING DEVICE AND PHASE CHANGE TYPE OPTICAL DISK例文帳に追加
情報記録再生装置および相変化型光ディスク - 特許庁
And further, it has a second phase change substance pattern 107b' located on the high resistance phase change substance pattern 109a'.例文帳に追加
また、高抵抗相変化物質パターン109a’上に位置した第2相変化物質パターン107b’をさらに備える。 - 特許庁
In an electric element, phase change material 14 and a heat generation part 13 for heating the phase change material 14 are laminated on a substrate 11.例文帳に追加
基板11上に、相変化物質14と相変化物質14を加熱する発熱部13とが積層されている。 - 特許庁
In the bottom layer of the memory part 20, a first phase change layer 22 formed of a first phase change material is disposed.例文帳に追加
メモリ部20の最下層には、第1の相変化材料で形成された第1の相変化層22が配置されている。 - 特許庁
PHASE-CHANGE MATERIAL CONTAINING INHIBITOR AND PREPARATION THEREOF例文帳に追加
抑制剤を含む相変化物質およびその製造方法 - 特許庁
PHASE-CHANGE-TYPE HEAT RADIATION MEMBER AND ITS MANUFACTURING METHOD AND APPLICATION例文帳に追加
相変化型放熱部材及びその製造方法、用途 - 特許庁
PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD AND OPERATION METHOD THEREOF例文帳に追加
相変化メモリ素子とその製造方法及び動作方法 - 特許庁
METHOD AND APPARATUS FOR INITIALIZING PHASE CHANGE TYPE OPTICAL DISK例文帳に追加
相変化型光ディスクの初期化方法および初期化装置 - 特許庁
TWO-LAYER PHASE-CHANGE INFORMATION RECORDING MEDIUM AND ITS RECORDING METHOD例文帳に追加
2層相変化型情報記録媒体とその記録方法 - 特許庁
PHASE CHANGE TYPE OPTICAL RECORDING MEDIUM AND ITS RECORDING AND REPRODUCING DEVICE例文帳に追加
相変化型光記録媒体及びその記録再生装置 - 特許庁
PHASE CHANGE TYPE OPTICAL DISK MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
相変化型光デイスク媒体およびその製造方法 - 特許庁
The resist mask is removed, before the phase-change layer is shaped.例文帳に追加
相変化層を成形する前にレジストマスクが除去される。 - 特許庁
To provide a phase change memory element and a method of manufacturing the same.例文帳に追加
相変化メモリ素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁
STATE DETERMINATION OF PHASE CHANGE MEMORY USING THRESHOLD EDGE DETECTION例文帳に追加
閾値エッジ検出を用いる相変化メモリの状態判定 - 特許庁
Paraffinic hydrocarbon is applied as the phase-change substance.例文帳に追加
相変化物質としては、パラフィン系炭化水素を適用する。 - 特許庁
To prevent generation of position shift between a phase change film contact surface of a lower electrode and a lower surface of a phase change film.例文帳に追加
下部電極の相変化膜接触面と相変化膜の下面との間で位置ずれが発生することを防止する。 - 特許庁
CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SLURRY COMPOSITION FOR PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE POLISHING AND METHOD OF POLISHING PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE USING THE SAME例文帳に追加
相変化メモリデバイスの研磨用化学機械研磨用スラリー組成物およびそれを使った相変化メモリデバイスの研磨方法 - 特許庁
PHASE-CHANGE INK TRANSFIXING PRESSURE ELEMENT WITH DOUBLE LAYER CONSTITUTION例文帳に追加
2層構成を有する相変化インクトランスフィックス圧力要素 - 特許庁
METHOD OF FORMING PHASE CHANGE MEMORY DEVICE HAVING BOTTOM ELECTRODE例文帳に追加
下部電極を有する相変化記憶素子の形成方法 - 特許庁
To provide a phase change ink particularly suitable for using in a process of phase change inkjet printing which requires energy saving.例文帳に追加
省エネルギーが要求される相変化インクジェット印刷プロセスに用いるのに特に適した相変化インクを提供する。 - 特許庁
PHASE CHANGE MEMORY DEVICE INCLUDING MEMORY CELL HAVING DIFFERENT PHASE CHANGE MATERIALS, AND METHOD AND SYSTEM RELATED TO THE SAME例文帳に追加
互いに異なる相変化物質を備えたメモリセルを有する相変化メモリ素子、それに関連した方法及びシステム - 特許庁
To provide a phase change recording film with high electric resistance and a sputtering target for forming the phase change recording film.例文帳に追加
電気抵抗が高い相変化記録膜およびその相変化記録膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁
The high resistance phase change substance pattern 109a' has higher resistance than the first phase change substance pattern 107a'.例文帳に追加
高抵抗相変化物質パターン109a’は第1相変化物質パターン107a’に比べて高い抵抗を有する。 - 特許庁
PHASE CHANGE TYPE OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
相変化型光情報記録媒体とその製造方法 - 特許庁
POWER GENERATION USING THERMOELECTRIC GENERATOR AND PHASE CHANGE MATERIAL例文帳に追加
熱電発電器および相変化材料を使用する発電 - 特許庁
PHASE-CHANGE INK STICK OF TYPE OF FITTING ELEMENT ARRANGEMENT INSIDE THE SAME SIDE例文帳に追加
同辺内勘合要素配置型相変化インクスティック - 特許庁
To provide a phase change memory that is mentioned as a kind of a resistive memory and uses a phase change material for a resistive memory element.例文帳に追加
抵抗メモリの一種として挙げられ、抵抗記憶素子に相変化材料を用いた相変化メモリを提供する。 - 特許庁
OPTICAL DISK UTILIZING PHASE CHANGE RECORDING METHOD AND OPTICAL DISK DEVICE例文帳に追加
相変化記録方式の光ディスク及び光ディスク装置 - 特許庁
To provide a method of forming a phase change material thin film, and to provide a method of manufacturing a phase change memory device using the same.例文帳に追加
相変化物質薄膜の形成方法及びそれを利用した相変化メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
PHASE CHANGE INFORMATION RECORDING MEDIUM AND ITS RECORDING AND REPRODUCING METHOD例文帳に追加
相変化型情報記録媒体とその記録再生方法 - 特許庁
DEVICE AND METHOD FOR INITIALIZING PHASE-CHANGE OPTICAL DISK例文帳に追加
相変化光ディスクの初期化装置及びその初期化方法 - 特許庁
To reduce energy consumed in a heater electrode in phase change to reduce power consumption of a phase-change memory device.例文帳に追加
相変化時にヒータ電極で消費されるエネルギーを低減して、相変化メモリ装置の低消費電力化を実現する。 - 特許庁
PHASE CHANGE INK COMPOSITION AND PRINTING METHOD USING THE SAME例文帳に追加
相変化インク組成物及びそれを用いた印刷方法 - 特許庁
PHASE CHANGE MEMORY DEVICE HAVING INCREASED CONTACT AREA BETWEEN BOTTOM ELECTRODE CONTACT LAYER AND PHASE CHANGE LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
下部電極コンタクト層と相変化層とが広い接触面積を持つ相変化メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁
MULTILAYER PHASE CHANGE TYPE OPTICAL RECORDING MEDIUM AND ITS RECORDING METHOD例文帳に追加
多層相変化型光記録媒体とその記録方法 - 特許庁
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