「PHASE-CHANGE」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

STATE TRANSITION OF PHASE CHANGE MATERIAL CAUSED BY ANNEALING例文帳に追加

アニーリングによる相変化材料の状態の遷移 - 特許庁

PHASE CHANGE INK COMPOSITION CONTAINING COLORANT COMPOUND例文帳に追加

着色剤化合物を含む相変化インク組成物 - 特許庁

PHASE CHANGE RECORDING FILM WITH HIGH ELECTRIC RESISTANCE AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING THE PHASE CHANGE RECORDING FILM例文帳に追加

電気抵抗が高い相変化記録膜およびこの相変化記録膜を形成するためのスパッタリングターゲット - 特許庁

The phase change ink composition comprises a coloring material compound and a phase change ink vehicle containing a compound represented by the formula in image.例文帳に追加

着色剤化合物と次式の化合物を含む相変化インクビヒクルとを含有する相変化インク。 - 特許庁

OPTICAL PICKUP AND PICKUP FOR PHASE CHANGE OPTICAL DISK例文帳に追加

光ピックアップ及び相変化光ディスク用ピックアップ - 特許庁

METHOD FOR FORMATTING PHASE CHANGE TYPE OPTICAL DISK AND PHASE CHANGE TYPE OPTICAL DISK FORMATTED BY THE METHOD例文帳に追加

相変化型光ディスクのフォーマット方法とその方法によりフォーマットされた相変化型光ディスク - 特許庁

INK SET AND MANUFACTURING PROCESS FOR PHASE CHANGE INK例文帳に追加

転相インクのためのインクセットおよび製造プロセス - 特許庁

PHASE CHANGE TYPE MEMORY ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

相変化型メモリ素子およびその製造方法 - 特許庁

A phase detection part 9 multiplies the amount of speed change for each current control period by a coefficient to obtain the amount of phase change, and a reference phase is detected by integrating the amount of phase change.例文帳に追加

位相検出部９は、電流制御周期毎の速度変化量に係数を乗じて位相変化量を求め、この位相変化量を積算することで基準位相を検出する。 - 特許庁

On the other hand, when a sudden phase change detecting circuit detects that a phase is suddenly changed, it outputs a sudden phase change signal through a sudden phase change output relay.例文帳に追加

一方、位相急変検知回路は、主変圧器の二次側電圧の位相が急変したことを検出したときは、位相急変出力リレーを介して位相急変信号を出力する。 - 特許庁

The phase-change structure fills partially the HARS, fills a first phase-change substance layer pattern, including a first phase-change substance and the remainder of the HARS, and includes a second phase-change substance having a composition being different from the first phase-change substance.例文帳に追加

相変化構造物はＨＡＲＳを部分的に満たし、第１相変化物質を含む第１相変化物質層パターン、及び前記ＨＡＲＳの残りを満たし、前記第１相変化物質と相異なる組成を有する第２相変化物質を含む。 - 特許庁

It is respectively preferable that the film thickness of the phase change material layer is 10 nm or less, the total film thickness of the phase change recording layer and the phase change material layer is 30 nm or less and 80% or more of the constituting elements of the phase change recording layer and the phase change material layer are Sb and Te.例文帳に追加

相変化材料層の膜厚は10nm以下であること、相変化記録層と相変化材料層との合計膜厚は30nm以下であること、相変化記録層と相変化材料層の構成元素の80％以上がSbとTeであることがそれぞれ好ましい。 - 特許庁

PHASE-CHANGE RECORDING MATERIAL AND INFORMATION-RECORDING MEDIUM例文帳に追加

相変化記録材料及び情報記録用媒体 - 特許庁

PHASE CHANGE RECORDING MEDIUM, RECORDING DEVICE, AND RECORDING METHOD例文帳に追加

相変化記録媒体、記録装置、及び記録方法 - 特許庁

PHASE-CHANGE NONVOLATILE MEMORY, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

相変化型不揮発性メモリおよびその製造方法 - 特許庁

PHASE CHANGE MEDIUM FOR ULTRA-HIGH DENSITY DATA STORAGE DEVICE例文帳に追加

超高密度データ記憶装置用相変化媒体 - 特許庁

PHASE CHANGE RECORDING MATERIAL AND INFORMATION RECORDING MEDIUM例文帳に追加

相変化記録材料及び情報記録用媒体 - 特許庁

The phase change pit has a single-frequency pattern.例文帳に追加

相変化ピットは単一周波数のパターンを有する。 - 特許庁

PHASE CHANGE NON-VOLATILE MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

相変化型不揮発性メモリ及びその製造方法 - 特許庁

The phase-change material may include Ge, Sb, and Te.例文帳に追加

相変化材料はＧｅ、Ｓｂ、及びＴｅを含む。 - 特許庁

PHASE CHANGE INK COMPRISING AZOPYRIDONE DIMER COLORANT例文帳に追加

二量体アゾピリドン着色剤を含む相変化インキ - 特許庁

METHOD OF PRODUCING SPUTTERING TARGET FOR PHASE-CHANGE MEMORY例文帳に追加

相変化型メモリー用スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁

MULTI-LEVEL DATA MEMORISATION DEVICE WITH PHASE CHANGE MATERIAL例文帳に追加

相変化材料を有するマルチレベル・データ記憶装置 - 特許庁

To reduce bubbles and voids in phase-change ink by applying a pressure pulse.例文帳に追加

相変化インク内の泡及びボイドを低減する。 - 特許庁

PHASE CHANGE RECORDING MATERIAL AND MEDIUM FOR INFORMATION RECORDING例文帳に追加

相変化記録材料及び情報記録用媒体 - 特許庁

PRODUCTION OF PHASE CHANGE RECORDING MEDIUM AND APPARATUS THEREFOR例文帳に追加

相変化記録媒体の製造方法と製造装置 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET FOR PHASE CHANGE MEMORY例文帳に追加

相変化型メモリー用スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁

PHASE CHANGE TYPE RECORDING MEDIUM AND METHOD FOR INFORMATION RECORDING例文帳に追加

相変化型記録媒体及び情報記録方法 - 特許庁

This phase compensation means 13 also imparts the phase change to the light imparted the phase change by the optical path switching means 12.例文帳に追加

またこの位相補償手段１３は、光路切換手段１２によって位相変化が付与された光に対して位相変化を付与する。 - 特許庁

In the phase error correction circuit, the phase of the Q phase component, for example, is changed by a phase change circuit, the error in the phase relations is detected by the phase error detection circuit, and the phase change is controlled by a first control coefficient application circuit.例文帳に追加

位相誤差補正回路２では、位相変化回路が例えばＱ相成分の位相を変化させ、位相誤差検出回路が位相関係の誤差を検出し、第１の制御係数付与回路が当該位相変化を制御する。 - 特許庁

The writing method for a phase change memory comprises steps of: inputting a first writing pulse signal to the phase change memory to heat the phase change memory to a first temperature; and inputting a second writing pulse signal to the phase change memory to keep the phase change memory at a second temperature.例文帳に追加

相変化メモリの書き込み方法は、第一書き込みパルス信号を相変化メモリに入力して、相変化メモリを第一温度まで加熱する工程と、第二書き込みパルス信号を相変化メモリに入力し、相変化メモリを第二温度に維持する工程と、からなる。 - 特許庁

The phase-change memory element is provided with a phase-change memory part which is provided with a phase-change layer pattern; a laser beam focusing part which locally focuses a laser beam to the phase-change layer pattern of the phase-change memory part; and semiconductor laser part which generates the laser beam and emits the laser beam to the laser beam focusing part.例文帳に追加

相変化層パターンを備える相変化メモリ部と、相変化メモリ部の相変化層パターンにレーザビームを局部的に集束するレーザビーム集束部と、レーザビームを発生させてレーザビーム集束部にレーザビームを放出する半導体レーザ部と、を備える相変化メモリ素子である。 - 特許庁

The phase-change memory device includes a first mode set to activate, when boundary crossing occurs in a burst mode, both of one word line of a first phase-change memory cell array and one word line of a second phase-change memory cell array, and read data from the first phase-change memory cell array and the second phase-change memory cell array.例文帳に追加

バーストモードで境界交差が発生する場合、第１相変化メモリセルアレイの１本のワードラインと第２相変化メモリセルの１本のワードラインとを共に活性化させ、第１相変化メモリセルアレイと第２相変化メモリセルアレイとからデータを読出す相変化メモリ装置の第１モードを設ける。 - 特許庁

FORMATTING METHOD FOR PHASE CHANGE TYPE OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM例文帳に追加

相変化型光情報記録媒体のフォーマット方法 - 特許庁

PHASE CHANGE TYPE OPTICAL DISK AND RECORDING AND REPRODUCING DEVICE FOR THE SAME例文帳に追加

相変化型光ディスク及びその記録再生装置 - 特許庁

PHASE-CHANGE OPTICAL RECORDING MEDIUM AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

相変化型光記録媒体およびその製造方法 - 特許庁

PHASE CHANGE TYPE OPTICAL DISK MEDIUM AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

相変化型光デイスク媒体およびその製造方法 - 特許庁

To provide a phase change storage element for reducing the contact area between a lower electrode and a phase change film and for reducing the amount of current, and to provide a method for manufacturing the phase change storage element.例文帳に追加

下部電極と相変化膜との接触面積を減らし電流量を減少させることができる相変化記憶素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

HIGH DENSITY CONTENT ADDRESSABLE MEMORY USING PHASE CHANGE DEVICE例文帳に追加

相変化デバイスを用いた高密度コンテンツ・アドレス可能メモリ - 特許庁

To provide a method for manufacturing a phase change memory device.例文帳に追加

相変化メモリ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

PHASE CHANGE TYPE NONVOLATILE MEMORY AND ITS DRIVE CIRCUIT例文帳に追加

相変化型不揮発性記憶装置及びその駆動回路 - 特許庁

PHASE CHANGE TYPE OPTICAL DISK MEDIUM AND ITS PRODUCTION例文帳に追加

相変化型光ディスク媒体及びその製造方法 - 特許庁

WITHDRAWING LIQUID COOLING DEVICE USING PHASE CHANGE COOLANT例文帳に追加

相変化冷却剤を用いた汲出し液体冷却装置 - 特許庁

MULTILAYER PHASE CHANGE RECORDING MEDIUM AND RECORDING/REPRODUCING METHOD例文帳に追加

多層相変化記録媒体及び記録再生方法 - 特許庁

To provide a phase-change memory device with a phase-change substance pattern that is shared by mutually adjacent cells.例文帳に追加

互いに隣接するセルに共有された相変化物質パターンを備える相変化メモリ素子を提供する。 - 特許庁