「PHASE-CHANGE」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a writing method in a phase-change memory apparatus that can optimize resistance distribution of phase-change material.例文帳に追加

相変化物質の抵抗分布を最適化することができる相変化メモリ装置における書込動作方法を提供する。 - 特許庁

To set phase change response to the advance angle side and the delay angle side to be roughly similar at the phase change in a valve opening/closing timing control device.例文帳に追加

弁開閉時期制御装置の位相変化時に進角側、遅角側への位相変化レスポンスを略同一にする。 - 特許庁

The phase change and water-based ink includes (a) a phase change ink carrier and (b) a colorant containing a carbon nanotube.例文帳に追加

（ａ）相変化インクキャリアと、（ｂ）カーボンナノチューブを含有する着色剤とを含むことを特徴とする相変化及び水性インク。 - 特許庁

The phase change ink composition contains a phase change ink carrier and a trans-1,2-cyclohexanebis[urea-urethane] compound or its mixture.例文帳に追加

相変化インク担体およびトランス-1,2-シクロヘキサンビス[尿素-ウレタン]化合物またはその混合物を含有する相変化インク組成物。 - 特許庁

The pulse resets the phase change material 204 and programs one of the other three states into the phase change material 204.例文帳に追加

このパルスは、相変化材料２０４をリセットし、残り３つの状態のいずれか１つを相変化材料２０４にプログラムする。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET, INTERLAYER FILM FOR PHASE CHANGE OPTICAL RECORDING MEDIUM USING THE SAME AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND PHASE CHANGE OPTICAL RECORDING MEDIUM例文帳に追加

スパッタリングターゲット、それを用いた相変化光記録媒体用界面層膜とその製造方法、および相変化光記録媒体 - 特許庁

PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE WITH PHASE-CHANGE SUBSTANCE PATTERN SHARED WITH MUTUALLY ADJACENT CELL, AND ELECTRONIC PRODUCT PROVIDED WITH THE SAME例文帳に追加

互いに隣接するセルに共有された相変化物質パターンを備える相変化メモリ素子及びそれを備える電子製品 - 特許庁

The aberration generating element 4 is constituted of a first phase change generating element 2 and a second phase change generating element 3.例文帳に追加

なお、収差発生素子４は、第１の位相変化発生素子２と第２の位相変化発生素子３とから構成されている。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET FOR PHASE-CHANGE-RECORDING FILM, AND PHASE-CHANGE-RECORDING FILM HAVING HIGH ELECTRICAL RESISTANCE FORMED BY USING THE SPUTTERING TARGET例文帳に追加

相変化記録膜用スパッタリングターゲットおよびこのスパッタリングターゲットを用いて形成した電気抵抗の高い相変化記録膜 - 特許庁

SPUTTERING TARGET, INTERFACE FILM FOR PHASE CHANGE OPTICAL RECORDING MEDIUM USING SAME, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND PHASE CHANGE OPTICAL RECORDING MEDIUM例文帳に追加

スパッタリングターゲット、それを用いた相変化光記録媒体用界面層膜とその製造方法、および相変化光記録媒体 - 特許庁

To provide a phase-change microcapsule of a phase-change substance encapsulated in a truncated natural microtubule, and a method for preparing the same.例文帳に追加

本発明は、切断天然微小管カプセル化相変化物質の相変化マイクロカプセル及びその調製方法を対象とする。 - 特許庁

A phase change ink composition contains a phase change ink carrier, an azoaceto-acetoamide colorant compound and a dimerized compound expressed by formula.例文帳に追加

相変化インクキャリアとアゾアセトアセトアミド着色剤化合物及び二量体化された化合物を含む相変化インク組成物。 - 特許庁

A phase change memory 40 is formed by laminating memory cells constituted of a phase change element and a transistor in four steps on a semiconductor substrate.例文帳に追加

相変化メモリ４０は、相変化素子とトランジスタから構成されるメモリセルが半導体基板上に４段積層形成される。 - 特許庁

(2) In such an original plate, the phase change layer A and/or the phase change layer B contains a substance, generating heat by absorbing light.例文帳に追加

上記 において、相変化層Ａ及び／又は相変化層Ｂが、光を吸収して熱を発生する物質を含有する。 - 特許庁

PHASE CHANGE TYPE HEAT SPREADER, PASSAGE STRUCTURE, ELECTRONIC DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING PHASE TRANSFORMATION TYPE HEAT SPREADER例文帳に追加

相変化型ヒートスプレッダ、流路構造体、電子機器及び相変化型ヒートスプレッダの製造方法 - 特許庁

To provide a phase change non-volatile memory that is less likely to have exfoliation of phase changed film at manufacturing.例文帳に追加

製造時に相変化膜の剥離が起こり難い相変化型不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a phase change optical disk with a recording layer whose phase is changed by an incident beam.例文帳に追加

入射ビームにより相が変化する記録層を有する相変化光ディスクを提供する。 - 特許庁

To provide a refrigerating cycle device capable of preventing phase change to a solid phase, of a refrigerant in the cycle.例文帳に追加

サイクル内の冷媒の固相への相変化を防止できる冷凍サイクル装置を提供する。 - 特許庁

This method includes forming the phase change layer (80) on a substrate (60), forming a thick cap layer (90) on the phase change layer (80), changing the phase change layer (80) from an amorphous to crystalline state, removing the thick cap layer (90) and forming the thin cap layer (110) on the phase change layer (100).例文帳に追加

本方法は、相変化層(80)を基板(60)上に形成し、厚いキャップ層(90)を相変化層(80)上に形成し、相変化層(80)を非晶質から結晶状態へ変化させ、該厚いキャップ層(90)を除去し、薄いキャップ層(110)を相変化層(100)上に形成することを含む。 - 特許庁

To suppress a reduction in a charge/discharge capacity and a volume energy density by eliminating a change of phase of a prismatic crystal when repeating charge and discharge, or even when the change of phase exists, stabilizing a spinel phase like second phase produced by the change of phase at a constant conversion ratio.例文帳に追加

充放電を繰返しても、斜方晶の相変化がないか、或いはあっても相変化により生成されるスピネル相的な第２相が一定の転化率で安定化させることにより、充放電容量及び体積エネルギ密度の低下を抑制する。 - 特許庁

To suppress a fall of charge/discharge capacity and volume energy density by having no phase change of rhombic crystal even if charge/discharge is repeated, or even if phase change exits, by stabilizing a spinel-phase-like 2nd phase generated by phase change, with constant invertion ratio.例文帳に追加

充放電を繰返しても、斜方晶の相変化がないか、或いはあっても相変化により生成されるスピネル相的な第２相が一定の転化率で安定化させることにより、充放電容量及び体積エネルギ密度の低下を抑制する。 - 特許庁

According to the present invention, the phase change material film can be formed at low temperature, whereby the phase change material film is uniformly formed and the size of grain constituting the phase change material film is reduced.例文帳に追加

本発明によれば、低温で相変化物質膜を形成することができるので、相変化物質膜が均一に形成され、相変化物質膜を構成するグレーンの大きさが減少し得る。 - 特許庁

To materialize a phase change memory device having a structure with high thermal efficiency and to enable mass production of large-scale phase change memory IC by solving many problems caused by IC composition of the phase change memory.例文帳に追加

熱効率の高い構造をもつ相変化メモリ素子を実現すること、および、相変化メモリのＩＣ化に伴う諸問題を解消して、大規模な相変化メモリＩＣの量産を可能とする。 - 特許庁

The seal is flexible so that it deals with the expansion and contraction of the liquid as well as a phase change from a liquid phase to a solid phase.例文帳に追加

シールは可撓性であり、液体の膨張および収縮、加えて液相から固相への相変化に対応する。 - 特許庁

After the cycle of the U-phase signal is changed, the calculation part 14 determines the timing of changing the cycle of each phase so as to change the cycle of the V-phase signal or the W-phase signal at the time, when the phase difference between the U-phase and the V-phase or the W-phase becomes a prescribed phase difference.例文帳に追加

演算部１４は、Ｕ相の信号の周期を変更した後、Ｕ相とＶ相又はＷ相との間の位相差が所定の位相差になった時点で、Ｖ相又はＷ相の信号の周期を変更するように、各相について周期変更のタイミングを決定する。 - 特許庁

The N-phase clock signal S12-1... S12-N hold the phase of the change point of the input data signal S11 and select the clock signal of the phase without the change point.例文帳に追加

Ｎ相クロック信号Ｓ１２−１…Ｓ１２−Ｎによって入力データ信号Ｓ１１の変化点の位相を保持し、変化点が無い相のクロック信号を選択する。 - 特許庁

A data change point detection circuit 43 compares a phase at a change point of input data 37 with a phase of an m-phase clock signal resulting from 1/m dividing of a reference clock 38.例文帳に追加

データ変化点検出回路４３で入力データ３７の変化点と基準クロック３８をｍ分割したｍ相のクロック信号との位相比較を行う。 - 特許庁

To provide a phase separation type additive selection method for efficiently selecting an additive hardly affiliated with a phase change recording material of a phase change recording type recording medium and having low thermal conductivity.例文帳に追加

相変化記録型記録媒体の相変化記録材料と馴染みにくく、熱伝導率の低い添加剤を効率よく選択する方法を提供することにある。 - 特許庁

The semiconductor structure is operated as a bipolar junction transistor when the phase change material is in a first phase, and the semiconductor structure is operated as a MOSFET when the phase change material is in a second phase.例文帳に追加

相変化材料が第１の相のときには半導体構造はバイポーラ接合トランジスタとして動作し、相変化材料が第２の相のときには半導体構造は電界効果トランジスタとして動作する。 - 特許庁

To stabilize a phase difference, an amplitude and a transmission error rate by calculating a change the phase difference between an intensity modulation signal and a phase modulation signal and a change of an amplitude of an optical phase modulation signal.例文帳に追加

強度変調信号と位相変調信号との間の位相差の変化や、光位相変調信号の振幅の変化を算出して、位相差や振幅を安定化させ、伝送誤り率を安定させる。 - 特許庁

An input waveguide, a waveguide with a phase change material film laminated, and an output waveguide are connected in series, and a part of the phase change material film is in a crystal phase and the remaining part is in an amorphous phase.例文帳に追加

入力導波路と、相変化材料膜が積層された導波路と、出力導波路とを直列に接続し、前記相変化材料膜の一部が結晶相とし、残りをアモルファス相とする。 - 特許庁

The phase change may include transition from the liquid phase to the solid phase during a starting action in some cases and may includes transition from the liquid phase to the solid phase during a power down action in other cases.例文帳に追加

相変化は、起動動作の間等の固相から液相への転移を包含する場合もあれば、パワーダウン動作の間等の液相から固相への転移を包含する場合もある。 - 特許庁

And an electric resistance value of the heat generation part 13 is detected when phase transition occurs due to the temperature change in the phase change material 14.例文帳に追加

そして、相変化物質１４における温度変化に伴う相転移が起きたときの発熱部１３の電気抵抗値を検出する。 - 特許庁

PHASE CHANGE OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM AND OPTICAL INFORMATION RECORDING METHOD例文帳に追加

相変化型光情報記録媒体及び光情報記録方法。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING PHASE CHANGE MEMORY DEVICE COMPRISING GST CHALCOGENIDE PATTERN例文帳に追加

ＧＳＴカルコゲニドパターンを備える相変化メモリ素子の製造方法 - 特許庁

There is also provided the method of manufacturing the phase change memory element.例文帳に追加

前記相変化記憶素子を製造する方法も提供される。 - 特許庁

To provide a phase change memory device capable of properly controlling the heat radiation performance of a phase change region in writing information.例文帳に追加

情報書き込み時における相変化領域の放熱性を適切に制御することができる相変化メモリ装置を提供すること。 - 特許庁

A phase-change memory device includes a lower electrode 43 and at least two phase-change memory cells 53 sharing the lower electrode 43.例文帳に追加

相変化メモリ素子は、下部電極４３と、下部電極４３を共有する少なくとも２つの相変化メモリセル５３と、を備える。 - 特許庁

This phase change memory device has a memory array arranged so that a plurality of phase change memory cells constitute a plurality of rows and columns.例文帳に追加

相変化メモリ装置は、複数の相変化メモリセルが複数のロー及び複数のカラムを構成するように配列されたメモリアレイを有する。 - 特許庁

To reduce phase change and to suppress detection errors even in the case that a phase is changed in a variable gain amplifier corresponding to gain change.例文帳に追加

利得変化に応じて可変利得増幅器で位相が変化する場合でも、位相変化を低減して検波誤りを抑制する。 - 特許庁

METHOD FOR INITIALIZING AND MANUFACTURING PHASE-CHANGE TYPE OPTICAL RECORDING MEDIUM例文帳に追加

相変化型光記録媒体の初期化方法及び製造方法 - 特許庁

SPUTTERING TARGET FOR FORMATION OF PHASE-CHANGE FILM AND PROCESS FOR PRODUCTION OF SPUTTERING TARGET例文帳に追加

相変化膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法。 - 特許庁

To provide a pigment dispersant of low molecular weight for phase change ink.例文帳に追加

相変化インク用の低分子量の顔料分散剤の提供。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET FOR PHASE CHANGE MEMORY, FILM FOR PHASE CHANGE MEMORY FORMED BY USING THE TARGET, AND METHOD FOR PRODUCING THE TARGET例文帳に追加

相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及び同ターゲットを用いて形成された相変化メモリー用膜並びに同ターゲットの製造方法 - 特許庁

PHASE CHANGE TYPE OPTICAL RECORDING MEDIUM, SPUTTERING TARGET, AND SPUTTERING DEVICE例文帳に追加

相変化型光記録媒体、スパッタリングターゲット及びスパッタリング装置 - 特許庁