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Pebを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 110件
A substrate carrying passage R_2 (second substrate carrying passage) dedicated to post exposure bake (PEB) is arranged independently from a passage R_1 (first substrate carrying passage) for carrying the substrate only in the forward direction and delivering the substrate to an optical lithography system, carriage on respective passages R_1 and R_2 can be carried out independently.例文帳に追加
基板を順方向に搬送して露光装置へ基板を渡す順方向専用経路Ｒ_1 （第１の基板搬送経路）とは別に露光後加熱（ＰＥＢ）を行うＰＥＢ専用の基板搬送経路Ｒ_2 （第２の基板搬送経路）を構成することで、各々の経路Ｒ_1 ，Ｒ_2 での搬送を独立して行うことができる。 - 特許庁
To provide a positive resist composition capable of achieving improvement of exposure latitude, PEB temperature dependency and profile and reduction of scum, in a process of producing a semiconductor such as IC and in production of a circuit board of a liquid crystal, a thermal head or the like, and a pattern forming method using the positive resist composition.例文帳に追加
ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造に於いて、露光ラチィチュード、ＰＥＢ温度依存性改良、プロファイル改良、スカム低減について、高次元での両立を可能にしたポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
In a baking apparatus 50 for subjecting PAB or PEB treatment to a chemically-amplified resist, the temperatures of a second hotplate 52 and subsequent hotplates are adjusted and held at a predetermined baking temperature, and the temperature of a first hotplate 51 is adjusted and held at a higher temperature than the predetermined baking temperature so that the temperature of the surface of a mask substrate 1 can reach the predetermined baking temperature within 90 seconds.例文帳に追加
化学増幅型レジストをＰＡＢまたはＰＥＢ処理するベーク処理装置５０であって、９０秒以内で所定のベーク温度にマスク基板１表面が到達するよう、２段目以降のホットプレート５２は所定のベーク温度に調整保持し、１段目のホットプレート５１の温度は所定のベーク温度より高い温度に調整保持する。 - 特許庁
The method for forming the resist pattern comprises forming the resist layer on the substrate, then forming the protective film on the resist layer by using the protective film forming material, selectively exposing the resist layer to electron beams or EUV through the protective layer, then after subjecting to PEB (post exposure bake), removing the protective film, and developing the resist layer to form the resist pattern.例文帳に追加
基板上にレジスト層を形成した後、該レジスト層上に前記保護膜形成用材料を用いて保護膜を形成し、該保護膜を介して前記レジスト層を電子線またはＥＵＶにより選択的に露光し、ＰＥＢ（露光後加熱）を施した後、前記保護膜を除去し、前記レジスト層を現像してレジストパターンを形成するレジストパターン形成方法。 - 特許庁
The evaluation method of the resist composition, which is used in the resist pattern forming method including a process of immersion exposure, includes forming of a resist film, selectively exposing, performing a treatment in which the resist film is brought into contact with a immersion solvent used in the process of immersion exposure, baking after exposure (PEB), developing, and evaluating the obtained resist pattern formation performance.例文帳に追加
浸漬露光する工程を含むレジストパターン形成方法に用いられるレジスト組成物の評価方法であって、 レジスト膜を形成し、選択的露光し、前記レジスト膜に前記浸漬露光する工程に用いる浸漬溶媒を接触させる処理を行い、露光後加熱（ＰＥＢ）し、現像し、得られたレジストパターン形成性能を評価することを特徴とするレジスト組成物の評価方法。 - 特許庁
To provide a positive resist composition which solves problems in a technique for improving the original performance of microphotofabrication using far ultraviolet light, particularly ArF excimer laser light, and to specifically provide a positive resist composition excellent in various properties such as PEB temperature dependency and exposure margin without deteriorating sensitivity, pattern profile, etc., and a pattern forming method using the same.例文帳に追加
遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケーション本来の性能向上のための技術における課題を解決したポジ型レジスト組成物、より具体的には、感度・パターンプロファイル等を劣化させることなく、ＰＥＢ温度依存性・露光マージンなどの諸性能に優れたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
In the method for conveying a substrate employing a semiconductor production system where a substrate contained in a cassette is set in a sender S1 or S2, the substrate delivered from the sender S1 or S2 is processed through a plurality of processing units PEB to NC and contained in a cassette disposed on the side of a receiver R1 or R2, delivery timing from the sender S1 or S2 is controlled.例文帳に追加
カセットに収納された基板をセンダＳ１又はＳ２に配置し、そのセンダＳ１又はＳ２より搬出された基板を複数の処理ユニットＰＥＢ乃至ＮＣにて処理した後、レシーバＲ１又はＲ２側に配置されたカセットに収納する半導体製造装置を用いた基板搬送方法において、センダＳ１又はＳ２からの搬出タイミングの時間制御を行なう。 - 特許庁
This photoresist pattern forming method is carried out in such a manner that a photoresist film 12 formed of chemical sensitizing photoresist is applied on a semiconductor substrate 11, and a surfactant water solution which contains hydrophilic groups is applied on the photoresist film 12 to form a surfactant layer 18, at a stage precing PEB treatment, that is carried out for promoting an elimination reaction of a protective group in the photoresist film 12.例文帳に追加
開示されているフォトレジストパターンの形成方法は、化学増幅系フォトレジストからなるフォトレジスト膜１２を半導体基板１１上に塗布した後に、フォトレジスト膜１２内の保護基の離脱反応を促進するためのＰＥＢ処理より前の段階で、フォトレジスト膜１２上に親水基を含有する界面活性剤の水溶液を塗布して界面活性剤層１８を形成する。 - 特許庁
To provide a positive photosensitive composition improved in pattern shapes, PEB temperature dependency and exposure latitude, and to provide a pattern forming method using the positive photosensitive composition, in the positive photosensitive composition and a pattern forming method using the positive photosensitive composition to be used for production processes of semiconductors such as ICs, production of circuit boards for liquid crystals, thermal heads or the like, and other photofabrication processes.例文帳に追加
ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用されるポジ型感光性組成物及び該ポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法に於いて、パターン形状、ＰＥＢ温度依存性、露光ラチチュードが改善されたポジ型感光性組成物及び該ポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition capable of forming a pattern of a good shape by having an excellent resolution, sensitivity and LER, and an excellent scum suppressing property by containing a specific guanidine compound while suppressing a PEB temperature dependence, and provide a resist film formed using the composition and a pattern forming method using the composition.例文帳に追加
特定のグアニジン化合物を含有することにより、スカム低減性に優れ、解像性が優れることにより良好な形状のパターンを形成することができ、感度、ＬＥＲにも優れ、更にＰＥＢ温度依存性の抑制された感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、この組成物を用いて形成されたレジスト膜、並びに、この組成物を用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
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