「TUNNEL GATE」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A floating gate electrode is made on the tunnel insulating film.例文帳に追加

トンネル絶縁膜の上にフローティングゲート電極が形成されている。 - 特許庁

SHIELD TUNNEL BIFURCATION CONSTRUCTION METHOD AND SLIDE GATE DEVICE例文帳に追加

シールドトンネルの分岐構築方法およびスライドゲート装置 - 特許庁

GATE OXIDE FILM TUNNEL CURRENT MODEL FOR MOS TRANSISTOR例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのゲート酸化膜トンネル電流モデル - 特許庁

A second tunnel barrier structure is arranged on the floating gate.例文帳に追加

第２トンネル障壁構造体が該浮遊ゲート上に配置されている。 - 特許庁

In this occasion, the selection gate insulating film is thinner than the tunnel insulating film.例文帳に追加

この時、選択ゲート絶縁膜は前記トンネル絶縁膜より薄い。 - 特許庁

A tunnel oxide film 212 is formed between the control gate electrode WL and the floating gate 204a.例文帳に追加

制御ゲート電極ＷＬ及び浮遊ゲート２０４ａの間にトンネル酸化膜２１２が介される。 - 特許庁

A control gate electrode is formed on the tunnel insulating film and the second gate insulating film.例文帳に追加

トンネル絶縁膜及び第２ゲート絶縁膜上にコントロールゲート電極を形成する。 - 特許庁

Delivering and receiving of the charges with the floating gate 40 is performed via the gate insulation film between the tunnel region 15 and the floating gate 40.例文帳に追加

浮遊ゲート４０に対する電荷の授受は、トンネル領域１５と浮遊ゲート４０との間のゲート絶縁膜を介して行われる。 - 特許庁

A tunnel dielectric layer is formed on a semiconductor substrate, and a first pattern of a floating gate is formed on a tunnel dielectric layer.例文帳に追加

半導体基板上にトンネル誘電層を形成し、トンネル誘電層上に浮遊ゲートの第1パターンを形成する。 - 特許庁

A plurality of tunnel insulating films having different film thicknesses are formed between a tunnel region and a floating gate electrode.例文帳に追加

トンネル領域とフローティングゲート電極との間には、膜厚の異なる複数のトンネル絶縁膜を形成した。 - 特許庁

To provide a gate oxide film tunnel current model of an MOSFET capable of simulating tunnel currents between the gate/drain and gate/drain of the MOSFET.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのゲート−ドレイン間、ゲート−ソース間のトンネル電流をシミュレートすることが可能なＭＯＳＦＥＴのゲート酸化膜トンネル電流モデルを提供する。 - 特許庁

Then, after an inter-gate insulating layer and a control gate layer are formed on the peak floating gate layer, the control gate, an inter-gate insulating region, the peak floating gate, and a tunnel oxide region are formed by successively etching the control gate layer, inter-gate insulating layer, peak floating gate layer, and tunnel oxide layer.例文帳に追加

ピークフローティングゲート層上にゲート間絶縁層及び制御ゲート層を形成した後、制御ゲート層、ゲート間絶縁層、ピークフローティングゲート層及びトンネル酸化物層を順次エッチングして、制御ゲート、ゲート間絶縁領域、ピークフローティングゲート及びトンネル酸化物領域を形成する。 - 特許庁

A gate dielectric film 21, a floating gate electrode 22, a tunnel dielectric film 23 and a control gate electrode 24 are laminated sequentially on a channel semiconductor, where the floating gate electrode 22 and control gate electrode 24 have pointed ends 25 and 26 having curvatures on the tunnel dielectric film 23 side.例文帳に追加

チャネル半導体上にゲート誘電体膜２１、フローティングゲート電極２２、トンネル誘電体膜２３および制御ゲート電極２４が順に積層され、フローティングゲート電極２２と制御ゲート電極２４は、トンネル誘電体膜２３側に曲率を有する尖端部２５，２６を有する。 - 特許庁

A tunnel oxide is interposed between the floating polysilicon gate and a substrate.例文帳に追加

トンネル酸化物は、フローティングポリシリコンゲートと基板との間に位置する。 - 特許庁

A tunnel film 7 and a gate oxide film 8 are formed on the surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の表面上にトンネル膜７及びゲート酸化膜８を形成する。 - 特許庁

The tunnel insulating film 23 is formed between the charge trapping film 22 and the second gate electrode CG.例文帳に追加

トンネル絶縁膜２３は、電荷トラップ膜２２と第２ゲート電極ＣＧとの間に形成される。 - 特許庁

To provide a charge trap floating gate memory element comprising a plurality of asymmetric tunnel barriers.例文帳に追加

非対称な複数のトンネル障壁を有する電荷トラップ浮遊ゲートメモリ素子を提供する。 - 特許庁

Parts of the buried insulation layer act as a tunnel oxide layer 101' of the floating gate devices.例文帳に追加

埋め込み絶縁層の一部は、フローティングゲートデバイスのトンネル酸化物層１０１’として働く。 - 特許庁

A tunnel oxide film (218) is interposed between the memory gate and the channel region.例文帳に追加

メモリゲート及びチャネル領域の間にトンネル酸化膜(218)が介在される。 - 特許庁

To relax an electric field applied to a tunnel insulating film formed nearby a corner part of a control gate electrode.例文帳に追加

制御ゲート電極の角部近傍に形成されたトンネル絶縁膜に掛かる電界を緩和する。 - 特許庁

VOLTAGE SOURCE ADJUSTED FOR INTRODUCING TUNNEL CURRENT TO FLOAT GATE MEMORY DEVICE例文帳に追加

浮遊ゲート・メモリ装置にトンネル電流を導入するために調節された電圧源 - 特許庁

The floating gate is arranged on the first tunnel barrier structure and covers the channel region.例文帳に追加

浮遊ゲートが該第１トンネル障壁構造体上に配置され該チャネル領域を覆っている。 - 特許庁

The tunnel oxide layer is formed between the stray gate and the control oxide layer to insulate them.例文帳に追加

トンネル酸化層は、浮遊ゲートと制御酸化層とを絶縁するために、これらの間に形成される。 - 特許庁

The gate insulating layer 20 and the tunnel insulating layer 32 constituting the trench gate 30 are continuously constituted.例文帳に追加

ゲート絶縁層２０とトレンチゲート３０を構成するトンネル絶縁層３２とは連続して構成されている。 - 特許庁

Each material of a floating gate 3, a first insulation film 7 and a control gate 8 is formed on a tunnel oxidation film 2 in a laminated state.例文帳に追加

トンネル酸化膜２上に浮遊ゲート３、第１の絶縁膜７、制御ゲート８の各材料をこの順に積層状態に形成する。 - 特許庁

A tunnel insulating film 260 is formed on a sidewall of a floating gate 210, which is formed by etching the conductive layer with the between-gate oxide film as the mask.例文帳に追加

ゲート間酸化膜をマスクとして導電層をエッチングし形成された浮遊ゲート210aの側壁にトンネル絶縁膜260を形成する。 - 特許庁

A tunnel between the 1st and 2nd quantum dots is controlled by a side gate (58) and/or a surface gate (69).例文帳に追加

第１及び第２の量子ドット間のトンネルは、側方ゲート（５８）及び／又は表面ゲート（６９）により制御される。 - 特許庁

A first n-type semiconductor film 17 is formed on the tunnel insulating film 15, the low-voltage gate insulating film 14, and the high-voltage gate insulating film 16.例文帳に追加

第１のｎ型半導体膜１７をトンネル絶縁膜１５と低電圧ゲート絶縁膜１４と高電圧ゲート絶縁膜１６の上に成膜する。 - 特許庁

Phosphorous concentration of the gate electrode 9 is made higher than that of a part which is brought into contact with the tunnel film 7 of the floating gate 4.例文帳に追加

このとき、ゲート電極９のリン濃度を浮遊ゲート４のトンネル膜７に接する部分の濃度よりも高くする。 - 特許庁

To obtain a MOSFET whose gate is large in length and gate oxide film is small in thickness, in which a tunnel leakage current hardly occurs between a drain and a channel.例文帳に追加

ゲート長が短く、ゲート酸化膜の厚さが薄いＭＯＳＦＥＴにおいて、ドレイン−チャネル間トンネルリーク電流を生じ難くする。 - 特許庁

The memory cell is constituted of a base plate, a stray gate, a control gate, a tunnel layer, a first dope region and a second dope region.例文帳に追加

メモリセルは、基板、浮遊ゲート、制御ゲート、トンネル層、第一ドープ領域、第二ドープ領域からなる。 - 特許庁

When the pixel is reset, a tunnel current passes through the gate oxide thin film 18 to set the potential of the floating gate 16.例文帳に追加

画素をリセットする際に、トンネル電流がゲート酸化薄膜１８を通り抜けてフローティングゲート１６の電位を設定する。 - 特許庁

In a floating gate type transistor having a floating gate which is provided on a silicon board via a tunnel insulating film, and a control gate which is provided on the floating gate via an insulating film between gates, a first oxynitriding film 4 or a second oxynitriding film 8 is formed between a silicon board 1 and a tunnel oxide film 3, or between floating gate electrode 5 and the tunnel oxide film 3.例文帳に追加

シリコン基板上にトンネル絶縁膜を介して設けられた浮遊ゲートと、浮遊ゲート上にゲート間絶縁膜を介して設けられた制御ゲートを有する浮遊ゲート型トランジスタにおいて、シリコン基板１とトンネル酸化膜３との間あるいは浮遊ゲート電極５とトンネル酸化膜３との間に制御して第１酸窒化膜４あるいは第２酸窒化膜８が形成される。 - 特許庁

Tunnel-region edge guard electrodes having the same potential as a drain electrode are disposed in a region near the edge portion of a tunnel region on a tunnel insulating film via a floating gate electrode and a guard insulating film.例文帳に追加

トンネル絶縁膜の上部であって、トンネル領域のエッジ部近傍の領域には、フローティングゲート電極とガード絶縁膜を介してドレイン電極と同電位に固定されたトンネル領域エッジ部ガード電極を配置した。 - 特許庁

Electrons accelerated in the channel are injected into the tunnel oxide film 111, moved in the tunnel oxide film 111 by an electric field in the tunnel oxide film 111, and trapped by a floating gate 113.例文帳に追加

チャネル中で加速された電子は，トンネル酸化膜１１１中に注入され，トンネル酸化膜１１１における電界によってトンネル酸化膜１１１中を移動し，フローティングゲート１１３にトラップされる。 - 特許庁

An erasing gate electrode 5 insulated from the control gate electrode 3 by a first protection insulation film 7 and a second gate insulating film 10 and tunnel-coupled to the floating gate electrode 4 through a tunnel insulation film 12 is formed on the element separating insulation film 2.例文帳に追加

素子分離絶縁膜２上には、コントロールゲート電極３とは第１の保護絶縁膜７及び第２のゲート絶縁膜１０によって絶縁され、且つフローティングゲート電極４とはトンネル絶縁膜１２を介してトンネル結合した消去ゲート電極５が形成されている。 - 特許庁

Next, the conditioning gate layer, the conditioning oxide film layer, the dot layer and the tunnel ring oxide film layer are patterned to predetermined profile, a double gate having a tunnel ring oxide film 112, a dot floating gate 114, a conditioning oxide film 116 and a conditioning gate 118 is formed.例文帳に追加

次に、前記調節ゲート層、前記調節酸化膜層、前記ドット層及び前記トンネルリング酸化膜層を所定形状にパターニングしてトンネルリング酸化膜１１２、ドットフローティングゲート１１４、調節酸化膜１１６及び調節ゲート１１８を備える二重ゲートを形成する。 - 特許庁

Thickness of the tunnel dielectric film 23 and gate dielectric film 21 is adjusted so that the capacitance of the tunnel dielectric film 23 is equivalent to that of the gate dielectric film 21 or less.例文帳に追加

また、トンネル誘電体膜２３のキャパシタンスがゲート誘電体膜２１のキャパシタンスと同等以下となるようにトンネル誘電体膜２３とゲート誘電体膜２１の厚さが調整される。 - 特許庁

A floating gate is formed by the second conductive film, which is extended to the upper part of the first conductive film 103 on the circumference of the tunnel oxide film, covering the tunnel oxide film, and the second interlayer insulating film 107 is formed on the surface of the floating gate.例文帳に追加

トンネル酸化膜を覆ってトンネル酸化膜周辺の第１導電膜の上部まで延長された第２導電膜で浮遊ゲートを形成し、浮遊ゲート表面に第２層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁

To provide a schottky tunnel barrier transistor, capable of minimizing leakage current due to the damage of the gate sidewall of a Schottky tunnel barrier transistor that uses a Schottky tunnel barrier formed naturally in joining of a semiconductor and a metal, as a tunnel barrier.例文帳に追加

半導体と金属との接合時に自然に形成されるショットキートンネル障壁をトンネル障壁として用いたショットキー障壁トンネルトランジスタのゲート側壁の損傷によるリーク電流を最小化するショットキー障壁トンネルトランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An interpolysilicon insulating film (insulating film between gate polysilicons) 106 is formed between a control gate electrode 105 and a floating gate electrode 104, and a tunnel oxide film 107 is formed between a substrate 101 and the floating gate electrode 104.例文帳に追加

制御ゲート電極１０５と浮遊ゲート電極１０４の間にインターポリ絶縁膜（ゲートポリシリコン間の絶縁膜）１０６が、基板１０１と浮遊ゲート電極１０４の間にトンネル酸化膜１０７が形成されている。 - 特許庁

This device comprises: a floating gate which is formed on a substrate by interposing a gate insulating film therebetween; a tunnel insulating film which is formed on the floating gate; a selecting gate electrode for inducing an implantation of an electric charge through the gate insulating film; and a controlling gate electrode for inducing a tunneling of an electric charge through the tunnel insulating film.例文帳に追加

この素子は、基板上にゲート絶縁膜を介在して形成された浮遊ゲートと、前記浮遊ゲート上に形成されたトンネル絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を通じる電荷の注入を誘導する選択ゲート電極と、前記トンネル絶縁膜を通じる電荷のトンネリングを誘導する制御ゲート電極と、を含む。 - 特許庁

When applying a high voltage to the control gate region 9a and a low voltage to the control gate region 9b, electrons are injected into the floating gate 15a from a part extended on the control gate region 9b via the tunnel oxide film 13b and electrons are drawn out from a part extended on the control gate region 9a via the tunnel oxide film 13a in the floating gate 15b.例文帳に追加

コントロールゲート領域９ａに高電圧、コントロールゲート領域９ｂに低電圧を印加した場合、フローティングゲート９ａにはコントロールゲート領域９ｂ上に延伸する部分からトンネル酸化膜１３ｂを介して電子が注入され、フローティングゲート９ｂにはコントロールゲート領域９ａ上に延伸する部分からトンネル酸化膜１３ａを介して電子が引き抜かれる。 - 特許庁

A nonvolatile memory element comprises a semiconductor substrate, a tunnel oxide film formed on one region of the semiconductor substrate, the floating gate of a trench structure formed on the tunnel oxide film, a control gate formed in the internal space of the trench structure of the floating gate, and an insulating film between the gates formed between the floating gate and the control gate.例文帳に追加

本発明に係る不揮発性メモリ素子は、半導体基板と、前記半導体基板の一領域上に形成されるトンネル酸化膜と、前記トンネル酸化膜上に形成されるトレンチ構造の浮遊ゲートと、前記浮遊ゲートのトレンチ構造の内部空間に形成される制御ゲートと、前記浮遊ゲートと制御ゲートの間に形成されるゲート間の絶縁膜とを含んで構成されることを特徴とする。 - 特許庁

A non-volatile semiconductor storage device according to an embodiment comprises: a substrate containing silicon; a tunnel insulating film provided on the substrate; a floating gate provided on the tunnel insulating film; a leakage suppression part provided on the floating gate; an inter-gate insulating film provided on the leakage suppression part; and a control gate provided on the inter-gate insulating film.例文帳に追加

実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置は、シリコンを含む基板と、前記基板上に設けられたトンネル絶縁膜と、前記トンネル絶縁膜上に設けられた浮遊ゲートと、前記浮遊ゲート上に設けられたリーク抑制部と、前記リーク抑制部上に設けられたゲート間絶縁膜と、前記ゲート間絶縁膜上に設けられた制御ゲートと、を備える。 - 特許庁