「YAS」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The signer (YAS) 103 confirms the legitimacy of a user by decrypting the received encryption message.例文帳に追加

第２署名者(YAS)103は、受信した暗号化メッセージを復号することで、ユーザーの正当性を確認する。 - 特許庁

A first signer (user) 102 forms first signature information and an encryption message and sends the same to a second signer (YAS) 103.例文帳に追加

第１署名者（ユーザー）102は、第１署名情報と暗号化メッセージを生成し、第２署名者(YAS)103に送信する。 - 特許庁

A receiver (YGS) alone can execute signature verification, and a message M can be unloaded only when a transmitter (YAS) signs correctly.例文帳に追加

受信者（YGS）のみが署名検証を実行でき、送信者（YAS）が正しく署名した場合のみ、メッセージＭを取り出すことができる。 - 特許庁

In this system, since only the YGS can verifies the signature, only when the YAS signs one's name correctly, the YGS can takes out the message M.例文帳に追加

受信者（YGS）のみが署名検証を実行でき、送信者（YAS）が正しく署名した場合のみ、メッセージＭを取り出すことができる。 - 特許庁

The user forms the third signature information from the received second signature information and sends the same to the signature authenticator (YAS) 104.例文帳に追加

ユ−ザーは、受信した第２署名情報から第３署名情報を作成し、署名検証者（YGS）104へ送る。 - 特許庁

The quantum dot 611 is formed by crystal growing on In_yAl_1-yAs of 1.8-2.4 monolayers.例文帳に追加

量子ドット６１１は、１．８〜２．４モノレイヤーのＩｎ_ｙＡｌ_１−ｙＡｓを結晶成長することにより形成される。 - 特許庁

An AlYGa1-YAs (0≤Y≤1) layer, in which ethyl Ga is set to be a raw material, is arranged between the superstructure buffer layer and a GaInAs-channel layer.例文帳に追加

また、超格子構造緩衝層とＧａＩｎＡｓチャネル層との中間に、エチルＧａを原料としたＡｌ_YＧａ_1-YＡｓ（０≦Ｙ≦１）層を配置する。 - 特許庁

In the In_yGa_1-yAs layer, for example, composition of the In_zGa_1-zP buffer layer is changed so that the lattice constant gradually increases from In_xGa_1-xAs.例文帳に追加

なお、Ｉｎ_yＧａ_1-yＡｓ層は、例えば、Ｉｎ_xＧａ_1-xＡｓから格子定数が徐々に大きくなるようにＩｎ_zＧａ_1-zＰバッファー層の組成を変化させていく。 - 特許庁

For the purpose of generating the rising or falling edge simultaneously on the electrodes Ys and Yas of the plasma display cell, the use of a power recovery circuit (2) of a control circuit is provided in order to apply the rising edge applied to the other of the electrodes by a dedicated circuit (3) to one of the electrodes Ys and Yas.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルの電極Ｙｓ，Ｙａｓに同時に立ち上がり若しくは立ち下がりエッジを生成するため、本発明は、電極Ｙｓ，Ｙａｓの一方に、専用回路（３）により電極の他方に印加される立ち上がりエッジを印加するために、制御回路の電力回収回路（２）の使用を講ずる。 - 特許庁

To reduce the loss of the electric power within a PDP control device during application of a rising or falling edge to electrodes Ys and Yas of a PDP cell.例文帳に追加

ＰＤＰセルの電極Ｙｓ，Ｙａｓへの立ち上がり若しくは立ち下がりエッジ印加中におけるＰＤＰ制御装置内の電力損失を低減すること。 - 特許庁

The spacer layer is a laminated structure that includes a first semiconductor layer having a composition of Al_XGa_1-XAs (1≥x>0) and a second semiconductor layer having a composition of Al_yGa_1-yAs (1>y>0 and x>y).例文帳に追加

このスペーサ層は、Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＡｓを有する第１の半導体層（１≧ｘ＞０）と、Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ（１＞ｙ＞０、かつ、ｘ＞ｙ）を有する第２の半導体層とが積層されることにより構成されている。 - 特許庁

A ridge stripe 150 is constituted by: a p-type GaAs top cap layer 111 of a ridge stripe shape; a p-type Al_yGa_1-yAs cap etching stop layer 110; a p-type GaAs bottom cap layer 109; and a p-type Al_xGa_1-xAs second cladding layer 108.例文帳に追加

リッジストライプ形状のｐ型ＧａＡｓ上キャップ層１１１、ｐ型Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＡｓキャップエッチングストップ層１１０、ｐ型ＧａＡｓ下キャップ層１０９及びｐ型Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ第２クラッド層１０８でリッジストライプ１５０を構成する。 - 特許庁

By selectively carrying out the etching removal of unnecessary n-type GaAs current inhibition layer 1160 on the ridge stripe 150 and the p-type GaAs top cap layer 111 with ammonia/hydrogen peroxide based etchant, the etching removal of the p-type Al_yGa_1-yAs cap etching stop layer 110 is selectively carried out with hydrofluoric acid.例文帳に追加

リッジストライプ１５０上の不要なｎ型ＧａＡｓ電流阻止層１１６０とｐ型ＧａＡｓ上キャップ層１１１とをアンモニア過酸化水素系エッチャントで選択的にエッチング除去して、ｐ型Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＡｓキャップエッチングストップ層１１０をフッ化水素酸で選択的にエッチング除去する。 - 特許庁

This compound semiconductor epitaxial wafer comprises a buffer of a multilayer structure obtained, by laminating a buffer layer 10 of a multilayer structure obtained through lamination of AlGaAs and GaAs in a plurality of periods, the buffer layer of a multilayer structure obtained by laminating AlXGa1-XAs and AlYGa1-YAs in a plurality of periods or a buffer layer of a multilayer structure obtained by laminating InGaAs and GaAs in a plurality of periods.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１とサブコレクタ層２との間に、ＡｌＧａＡｓとＧａＡｓを複数周期積層した多層構造のバッファ層１０、もしくはＡｌ_x Ｇａ_1-x ＡｓとＡｌ_y Ｇａ_1-y Ａｓを複数周期積層した多層構造のバッファ層２０、もしくはＩｎＧａＡｓとＧａＡｓを複数周期積層した多層構造のバッファ層３０を設ける。 - 特許庁

Of a laminated film having the upper clad layer 7 of p-AlxGa1-xAs, a resistance adjusting layer 8 (x>y>0.2) of p-A1yGa1-yAs, and the cap layer 9 of p-GaAs in this order, the resistance adjusting layer 8 and cap layer 9 are selectively etched to obtain the effect that the edge deterioration is suppressed.例文帳に追加

ｐ−Ａｌ_xＧａ_1-xＡｓの上クラッド層７、ｐ-Ａｌ_yＧａ_1-yＡｓの抵抗調整層８（ｘ＞ｙ＞０．２）、およびｐ−ＧａＡｓのキャップ層９をその順序に有する積層膜の内、ｐ−Ａｌ_yＧａ_1-yＡｓの抵抗調整層８とｐ−ＧａＡｓのキャップ層９が選択的にエッチングされ、端面劣化が抑制されるという優れた効果がある。 - 特許庁