「bulk substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD OF REVEALING CRYSTALLINE DEFECT IN BULK SUBSTRATE例文帳に追加

バルク基板中の結晶欠陥を顕在化する方法 - 特許庁

The SOI structure is formed on a bulk semiconductor substrate.例文帳に追加

バルク半導体基板上にＳＯＩ層を形成する。 - 特許庁

ELECTRON DEVICE USING TRANSPARENT SEMICONDUCTOR BULK SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

透明半導体バルク単結晶基板を用いた電子素子 - 特許庁

The Si substrate 1 is a bulk single crystal substrate or a thin film substrate an uppermost layer of which is Si.例文帳に追加

Ｓｉ基板１は、バルク単結晶基板又は最上層がＳｉである薄膜基板である。 - 特許庁

The substrate 11 may be an InGaN template or an InGaN bulk substrate.例文帳に追加

基板１１は、ＩｎＧａＮテンプレートまたはＩｎＧａＮバルク基板であることができる。 - 特許庁

METHOD AND SYSTEM FOR PERFORMING EPITAXIAL PROCESS ON MISCUT BULK SUBSTRATE例文帳に追加

ミスカットバルク基板上にエピタキシャルプロセスを行う方法およびシステム - 特許庁

The bulk single crystal is processed to obtain the nitride single crystal substrate.例文帳に追加

バルク状単結晶を加工して窒化物単結晶基板を得る。 - 特許庁

The shape variable mirror 1 is composed of a substrate 2 and a piezoelectric body 3 in bulk.例文帳に追加

形状可変ミラー１は、基板２とバルクの圧電体３とから成る。 - 特許庁

METHOD FOR REMOVING BULK METAL CONTAMINATION FROM III-V SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族半導体基板からのバルク金属汚染の除去方法 - 特許庁

To form an SOI structure and a bulk structure on the same substrate without using an SOI substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板を用いることなく、ＳＯＩ構造とバルク構造とを同一基板上に形成する。 - 特許庁

A Ni substrate 1 composed of pure Ni bulk is set in a reaction tube 2.例文帳に追加

反応管２内に純ＮｉバルクからなるＮｉ基板１を設置する。 - 特許庁

To reduce the contact resistance of an ohmic electrode provided on the rear-surface side of a silicon carbide bulk substrate, in a semiconductor element having the silicon carbide bulk substrate.例文帳に追加

炭化珪素バルク基板を備えた半導体素子において、炭化珪素バルク基板の裏面側に設けられるオーミック電極のコンタクト抵抗を低減する。 - 特許庁

To form a mirror substrate by using an easily and more inexpensively available bulk silicon substrate.例文帳に追加

より安価に容易に入手できるバルクのシリコン基板を用いてミラー基板が形成できるようにする。 - 特許庁

SYSTEM AND METHOD TO CORRECT DISTORTION CAUSED BY BULK HEATING IN SUBSTRATE例文帳に追加

バルク加熱により基板に生じた歪みを修正するためのシステムおよび方法 - 特許庁

CAVITY SPANNING BOTTOM ELECTRODE OF SUBSTRATE-MOUNTED BULK WAVE ACOUSTIC RESONATOR例文帳に追加

基板実装型バルク波音響共鳴器の空洞全体にまたがる下部電極 - 特許庁

By wet etching, only a silicon bulk substrate is removed by etching at high selectivity without removing an embedded oxide film 33 in the lower layer of the silicon bulk substrate of the semiconductor chip 2.例文帳に追加

また、ウェットエッチングにより、半導体チップ２のシリコンバルク基板の下層にある埋込み酸化膜３３を除去せずに、シリコンバルク基板のみを高選択にエッチング除去する。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING AlGaN BULK CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING AlGaN SUBSTRATE例文帳に追加

ＡｌＧａＮバルク結晶の製造方法およびＡｌＧａＮ基板の製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING IN BULK THE THIRD SHAPING DIE OF METAL, METHOD OF MANUFACTURING RESIN SUBSTRATE, AND RESIN SUBSTRATE例文帳に追加

金属製第３成形型を大量に製造する方法、樹脂基板を製造する方法及び樹脂基板 - 特許庁

A gate electrode 104 is electrically insulated from a semiconductor substrate (bulk silicon substrate, SOI layer, or the like) 102.例文帳に追加

ゲート電極１０４は、半導体基板（バルクシリコン基板、ＳＯＩ層など）１０２から電気的に絶縁されている。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit comprises a bulk transistor formed on a semiconductor substrate, and a first interlayer insulating film for covering the bulk transistor.例文帳に追加

半導体集積回路は、半導体基板に形成されたバルクトランジスタ及び該バルクトランジスタを覆う第１の層間絶縁膜を備える。 - 特許庁

To produce a large-sized bulk crystal from which a crystal substrate in a practically usable size can be cut out.例文帳に追加

実用的なサイズの結晶基板を切り出せる大型のバルク結晶を製造する。 - 特許庁

The present invention comprises a bulk MOS transistor having source/drain regions formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の上に形成されソース／ドレイン領域を有するバルクモストランジスタを備える。 - 特許庁

The structure includes a body contact between a silicon body of the fin FET and the bulk silicon substrate.例文帳に追加

構造は、フィンＦＥＴのシリコン・ボディとバルク・シリコン基板との間にボディ・コンタクトを含む。 - 特許庁

A foamed bulk metallic glass electrical connection is formed on a substrate of an integrated circuit package.例文帳に追加

発泡バルク金属ガラス電気接続部が集積回路パッケージの基板に形成される。 - 特許庁

A bulk MOS transistor having source/drain regions formed on a semiconductor substrate is provided.例文帳に追加

半導体基板の上に形成されソース／ドレイン領域を有するバルクモストランジスタを備える。 - 特許庁

The method for producing semiconductor bulk single crystals is characterized in that the semiconductor bulk single crystals are simultaneously grown on both surfaces of a baser substrate.例文帳に追加

基礎基板の両面に半導体バルク単結晶を同時に成長させることを特徴とする半導体バルク単結晶の製造方法。 - 特許庁

Then a silicon substrate from which the normal line to the surface of the substrate is extended in a direction inclined from the [100]-direction is chopped from the bulk.例文帳に追加

次に、このバルクから、表面の法線が［１００］方向から傾斜した方向に延びるシリコン基板を切り出す。 - 特許庁

To improve the formation accuracy of a recess for a bulk wave measure after sufficiently dissolving a fault due to bulk waves in the manufacture process of a surface acoustic wave substrate.例文帳に追加

弾性表面波基板の製造工程において、バルク波による障害を十分に解消した上で、バルク波対策用凹部の形成精度を高める。 - 特許庁

To provide a bulk acoustic wave resonator from which a bulk acoustic wave device having a uniform operation frequency can be fabricated on a large substrate or wafer.例文帳に追加

大きい面積の基板またはウェハ上に動作周波数の均一なバルク音響波デバイスを作製することができるバルク音響波共振器を提供する。 - 特許庁

To provide a thin-film capacitor, integrated on the same substrate as that of a thin-film bulk acoustic resonator.例文帳に追加

薄膜バルク弾性共振器（ＦＢＡＲ）と同一基板上に集積した薄膜キャパシタを得る。 - 特許庁

To manufacture a bulk acoustic wave element with a uniform operat ing frequency on a large-sized substrate.例文帳に追加

サイズの大きい基板上に動作周波数の均一なバルク音響波素子を作製する。 - 特許庁

The substrate is polished on a first platen to remove a bulk portion of the conductive material.例文帳に追加

この基板は、その導電性物質のバルク部分を除去するように第１のプラテンで研磨される。 - 特許庁

The thin film bulk wave element is provided with the thin film resonator 12 formed on a substrate 11.例文帳に追加

薄膜型バルク波素子は、基板１１上に形成された薄膜共振体１２を備える。 - 特許庁

The semiconductor device formed in the bulk semiconductor substrate can contain an electrostatic discharge(ESD) device.例文帳に追加

バルク半導体基板に形成した半導体装置は、静電放電（ＥＳＤ）デバイスを含みうる。 - 特許庁

THIN FILM BULK ACOUSTIC RESONATOR WITH AIR GAP FLOATING FROM SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

基板からフローティングされたエアギャップを有する薄膜のバルク音響共振器及びその製造方法 - 特許庁

A trench, whose one end interfaces with the bulk semiconductor substrate is formed penetrating through the SOI layer.例文帳に追加

その一端がバルク半導体基板にインタフェースするトレンチをＳＯＩ層を貫通して形成する。 - 特許庁

The superconducting filter device 10 has a first dielectric substrate 11, and a superconducting bulk resonator 12 composed of a superconducting bulk body buried into the first dielectric substrate 11.例文帳に追加

超伝導フィルタデバイス（１０）は、第１の誘電体基板（１１）と、前記第１の誘電体基板（１１）に埋め込まれた超伝導バルク体で構成される超伝導バルク共振器（１２）とを有する。 - 特許庁

Because the bulk MISFET and the SOI MISFET are formed on the same substrate, an occupied area of the substrate can be reduced.例文帳に追加

バルク型ＭＩＳＦＥＴとＳＯＩ型ＭＩＳＦＥＴとを同一基板上に形成できるので、基板の占有面積を縮小できる。 - 特許庁

The liquid phase diffusion of a solvent in a bulk of a resist application film on the substrate G is promoted by heating from the rear side of the substrate.例文帳に追加

この基板裏側からの加熱によって、基板Ｇ上のレジスト塗布膜のバルク部における溶剤の液相拡散が促進される。 - 特許庁

The specific resistance of a bulk 1b of the silicon substrate 1 is 1-100 mΩ cm.例文帳に追加

シリコン基板１のバルク１ｂの比抵抗は、１ｍΩ・ｃｍ以上１００ ｍΩ・ｃｍ以下である。 - 特許庁

A semiconductor device, comprising a P^+ diffusion region and N^+ diffusion region, is formed on the bulk semiconductor substrate.例文帳に追加

Ｐ^+ 拡散領域とＮ^+ 拡散領域を備えた半導体装置をバルク半導体基板に形成する。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING UNIFORMLY-DOPED SILICON CARBIDE BULK SINGLE CRYSTAL, AND UNIFORMLY-DOPED SILICON CARBIDE SUBSTRATE例文帳に追加

均一ドーピングされたＳｉＣバルク単結晶の製造方法および均一ドーピングされたＳｉＣ基板 - 特許庁

The semiconductor element 700 has a first conductivity-type silicon carbide bulk substrate 1 having a principal surface 1p and a rear surface 1r; and has a first conductivity-type high concentration impurity epitaxial layer 3 which is formed on the rear surface 1r of the silicon carbide bulk substrate 1, and contains the impurity with a concentration higher than the one of the silicon carbide bulk substrate 1.例文帳に追加

半導体素子７００は、主面１ｐおよび裏面１ｒを有する第１導電型の炭化珪素バルク基板１と、炭化珪素バルク基板１における裏面１ｒに形成され、炭化珪素バルク基板１よりも高い濃度で不純物を含む第１導電型の高濃度不純物エピタキシャル層３とを備える。 - 特許庁

To provide a substrate defect checkup method permitting detection of 6H type lamination defects contained in nitrogen-doped 4H type SiC bulk monocrystalline substrates, a substrate defect checkup system using this method, and an SiC bulk monocrystalline substrate with defect information.例文帳に追加

窒素ドープされた４Ｈ型SiCバルク単結晶基板に含まれる６Ｈ型積層欠陥を検出できる基板の欠陥検査方法、及びこれを用いた基板の欠陥検査システム、並びに欠陥情報付きのSiCバルク単結晶基板を提供する。 - 特許庁

INSIDE MODIFIED SUBSTRATE FOR EPITAXIAL GROWTH AND CRYSTAL FILM FORMATION BODY FABRICATED USING THE SAME, DEVICE, BULK SUBSTRATE, AND FABRICATING METHODS THEREOF例文帳に追加

エピタキシャル成長用内部改質基板及びそれを用いて作製される結晶成膜体、デバイス、バルク基板及びそれらの製造方法 - 特許庁