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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > cathode layer arcに関連した英語例文

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cathode layer arcの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 10



例文

The cathode active substance layer applied end 21 on the side of starting a winding is positioned in a range between an edge of a first arc 26a of the cathode lead 2 and an edge of a second arc 26d of the anode lead 7.例文帳に追加

捲回開始側の正極活物質層塗布端部21が正極リード2の第1の円弧部26a側のエッジと負極リード7の第2の円弧部26d側のエッジとで挟まれた範囲内に位置する。 - 特許庁

The cathode active substance layer applied end 23 on the side of ending the winding and the anode active substance layer applied end 24 is positioned in the first arc 26a.例文帳に追加

捲回終了側の正極活物質層塗布端部23および負極活物質層塗布端部24が第1の円弧部26a内に位置する。 - 特許庁

To provide a cathode suitable for depositing a metal coating layer of high quality on a superalloy base at a high speed using a cathode arc deposition method, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

陰極アーク堆積法を用いて超合金基体上に高品質の金属コーティング層を高速で堆積するのに適した陰極およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an arc type evaporation source stably maintaining arc discharge without depending on whether reactive gas or the like are introduced or not, capable of obtaining a layer with a uniform film thickness over a wide range, and provided with a cathode feeding mechanism corresponding to the consumption of a cathode.例文帳に追加

反応性ガス等の導入の有無に係わらず、アーク放電を安定して維持させ、広い領域で均一な膜厚の層を得ることを可能とし、カソード消費量に応じたカソード送り出し機構を備えるアーク式蒸発源を提供する。 - 特許庁

例文

The CrN film as the 1st layer is formed by a cathode arc ion plating method in which the pressure of gaseous nitrogen is controlled to 20 to 50 mTorr, and bias voltage is controlled to 0 V.例文帳に追加

第1層のCrN膜は、窒素ガス圧を20〜50mTorr、バイアス電圧を0Vとするカソードアークイオンプレーティング法によって形成される。 - 特許庁


例文

The short arc type discharge lamp has an oxide of a metal other than thorium (Th) in the body of the cathode, and a tungsten carbide layer is formed on the metal oxide.例文帳に追加

陰極の本体部に、トリウム(Th)以外の金属の酸化物を有し、この金属酸化物の上に炭化タングステン層が形成されている。 - 特許庁

The carbon layer is formed by: generating a carbon plasma beam with arc discharge using graphite as a cathode; bending the orbit with a magnetic field; and irradiating either of a pair of substrates forming a liquid crystal display element with the carbon plasma beam from a direction inclined with respect to the substrate surface.例文帳に追加

グラファイトをカソードとするアーク放電によって炭素プラズマビームを発生させ、磁場によって軌道を曲げ、前記炭素プラズマビームを液晶表示素子を形成する一対の基板のいづれかに、基板の面に対して斜めの方向から照射することにより、カーボン膜を形成する。 - 特許庁

In covering the surface of a unidirectional silicon steel sheet after the completion of finish annealing with a plurality of ceramic film layers, a very thin TiNO film, as the first layer, is formed by a hollow cathode method (HCD method) using an arc cut bias voltage as the bias voltage and then forming thereon a ceramic film by a magnetron-sputtering method.例文帳に追加

仕上げ焼鈍済みの一方向性珪素鋼板の表面に、複数層のセラミック被膜を被覆するに際し、少なくとも第1層については、バイアス電圧としてアークカットバイアス電圧を使用する中空陰極法(HCD法)を用いてTiNOの極薄被膜を被成し、ついでその上にマグネトロン・スパッタ法を用いてセラミック被膜を被成する。 - 特許庁

On the surface of a base material composed of metal or ceramic, an amorphous carbon film is formed by a cathode discharge type arc ion plating method using a carbon target and moreover, on the boundary between the carbon film and the base material, a mixed layer of 10 to 500thickness composed of the base material constituting elements and film constituting elements is formed to obtain a high adhesion amorphous carbon film forming material.例文帳に追加

金属またはセラミックからなる基材の表面に、カーボンターゲットを用いてカソード放電型アークイオンプレーティング法により非晶質炭素膜を形成すると共に、該炭素皮膜と基材の界面に、これら基材構成元素と皮膜構成元素とからなる厚さ10〜500Åの混合層を形成し、高密着性非晶質炭素皮膜形成材を得る。 - 特許庁

例文

The crack repairing method for metal parts 13 having cracks 15, whereby the crack is washed and oxide layer is removed, and a repairing alloy 17 is applied by at least either of the cathode arc evaporation process and low-pressure plasma metallization so as to cover the crack 15, and the work 13 is heated at a temperature and with pressure enough to block the crack 15.例文帳に追加

金属部品(13)のクラック修繕方法であって、このクラック修繕方法は、クラック(15)を有する金属部品(13)を提供し、クラック(15)を洗浄して酸化物層を除去し、カソードアーク蒸着および低圧プラズマ溶射の少なくとも一方によって修繕合金(17)を施してクラック(15)を覆い、クラック(15)を塞ぐのに十分な温度および圧力で部品(13)を加熱することを含む。 - 特許庁




  
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