「cdse」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

As for the inorganic semiconductor material, a well-known inorganic semiconductor material such as Si, Ge and CdSe can be used.例文帳に追加

無機半導体材料にはＳｉ、Ｇｅ、ＣｄＳｅなど公知の無機半導体材料を挙げることができる。 - 特許庁

In the core-shell structure, bifunctional magnetite-cadmium selenide nanocrystals can be synthesized by a procedure of preparing magnetite seeds corresponding to cores by the reduction of magnetite precursors and then, coating the magnetite with CdSe by the sequential reduction of CdSe precursors.例文帳に追加

コア−シェル構造は、マグネタイトの前駆体を還元して、コアに該当するマグネタイトシードを形成した後、連続的にＣｄＳｅ前駆体を還元してマグネタイト上にＣｄＳｅをコーティングする過程により複合機能マグネタイト−カドミウムセレナイドナノ結晶を合成する。 - 特許庁

The dots desirably are composed of an undoped semiconductor such as CdSe, and may optionally be overcoated to increase photoluminescence.例文帳に追加

ドットは、ＣｄＳｅのようなドーピングされていない半導体から成るのが望ましく、光ルミネセンスを増加させるために任意に被覆できる。 - 特許庁

To provide ferromagnetic group II-VI compounds in which ferromagnetism can be obtained by using group II-V compounds (ZnTe, ZnSe, ZnS, CdTe, CdSe, CdS) transmitting light, and a method for controlling the ferromagnetic properties of the group II-VI compounds.例文帳に追加

光を透過するＩＩ-ＶＩ族系化合物（ZnTe, ZnSe, ZnS, CdTe, CdSe,CdS）を用いて強磁性が得られる強磁性ＩＩ-ＶＩ族系化合物の提供、およびその強磁性特性を調整することができる強磁性ＩＩ-ＶＩ族系化合物の強磁性特性を調整する方法を提供する。 - 特許庁

Suitable energy-conversion fine particle is selected from the group consisting of CdTe, CeF_3, ZnS:Ag, Nb_2O_5, ZrO_2, CsI, CsF, SrTiO_2, CdSe and KTaO_3.例文帳に追加

好適なエネルギー変換微粒子としては、ＣｄＴｅ、ＣｅＦ_３、ＺｎＳ：Ａｇ、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、ＣｓＩ、ＣｓＦ、ＳｒＴｉＯ_２、ＣｄＳｅ、ＫＴａＯ_３からなる群から選択されたものが挙げられる。 - 特許庁

The inorganic nanocrystal phosphor particle desirably is at least one sort chosen from CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, and InP or a composite of two or more sorts thereof.例文帳に追加

無機ナノ結晶蛍光体粒子は、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＩｎＰから選択される少なくとも１種、またはこれら２種以上の複合体であることが好ましい。 - 特許庁

To provide magnetic core-semiconductor shell {such as magnetite-cadmium selenide (Fe_3O_4@CdSe)} nanoparticles with high crystallization degree, uniform size, and high chemical stability, and to provide a method for synthesizing the same.例文帳に追加

高い結晶化度、均一な大きさ、高い化学的安定性を有する磁性体コア−半導体シェル（例えば、マグネタイト−カドミウムセレナイド（Ｆｅ_３Ｏ_４＠ＣｄＳｅ））ナノ粒子及びこれを合成する方法を提供する。 - 特許庁

The inorganic particulate can be selected from TiO_2, TiO_3, SrTiO_3, FeTiO_3, WO_3, SnO_3, Bi_2O_3, In_2O_3, ZnO, Fe_2O_3, RuO_2, CdO, CdS, CdSe, GaP, GaAs, CdFeO_3, MoS_2, and LaRhO_3.例文帳に追加

無機微粒子は、ＴｉＯ_２，ＴｉＯ_３，ＳｒＴｉＯ_３、ＦｅＴｉＯ_３、ＷＯ_３、ＳｎＯ_３、Ｂｉ_２Ｏ_３、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、Ｆｅ_２Ｏ_３、ＲｕＯ_２、ＣｄＯ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＣｄＦｅＯ_３、ＭｏＳ_２、ＬａＲｈＯ_３から選ばれることができる。 - 特許庁

A ZnTe-based compound semiconductor crystal is constituted to have a superlattice layer, formed by laminating n-type CdSe and n-type ZnTe upon another or an n-type contact layer containing a ZnCdSeTe graded layer on a ZnTe-based compound semiconductor layer.例文帳に追加

ＺｎＴｅ系化合物半導体結晶において、ＺｎＴｅ系化合物半導体層の上にｎ型ＣｄＳｅとｎ型ＺｎＴｅとが積層されてなる超格子層またはＺｎＣｄＳｅＴｅの組成勾配層を含むｎ型コンタクト層を有するようにした。 - 特許庁

As for the polyhedral minute inorganic filler 11, ZnO, CdS, CdSe and CdTh having a tetrahedral form or WO_3, SnO_2, In_2O_3 and In_2S_3 having a hexahedral form or WO_3 having octahedral form or Si_3N_4 having an aggregated cubic form can be used.例文帳に追加

多面体形状微小無機充填剤１１としては、四面体形状を有するＺｎＯ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、または六面体形状を有するＷＯ_3、ＳｎＯ_2、Ｉｎ_2Ｏ_3、Ｉｎ_2Ｓ_3、または八面体形状を有するＷＯ_3、または凝集立方体形状を有するＳｉ_3Ｎ_4を用いる。 - 特許庁

This cytotoxic agent contains at least one kind of semiconductor particles selected from the group consisting of TiO_2, SnO_2, ZnO and CdSe and having particle diameters of 20 to 200 nm, receives ultrasonic waves of 400 kHz to 20 MHz, and can be changed into a cytotoxin by the irradiation.例文帳に追加

この殺細胞剤は、２０〜２００ｎｍの粒子径を有し、ＴｉＯ_２、ＳｎＯ_２、ＺｎＯ、およびＣｄＳｅからなる群から選択される少なくとも一種の半導体粒子を含んでなり、４００ｋＨｚ〜２０ＭＨｚの超音波を受け、該照射により細胞毒となるものである。 - 特許庁

To provide a method for producing a thin semiconductor film in an aqueous solution by which a thin film of a chalcogen compound semiconductor other than a sulfide semiconductor, e.g. CdSe, CdTe, ZnSe, ZnTe or CuInSe2 or Se or Te as a semiconductor of a simple substance, is produced by a PCD (photochemical deposition) method and to provide an apparatus for producing the thin semiconductor film.例文帳に追加

ＰＣＤ法により硫化物の化合物半導体以外のカルコゲン系の化合物半導体であるＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｕＩｎＳｅ_2 等と単体の半導体であるＳｅ、Ｔｅの水溶液中半導体薄膜の製造方法及びその製造装置を提供する。 - 特許庁

In one embodiment, the compositions are used to deposit Germanium Tellurium (GeTe), Antimony Tellurium (SbTe), Antimony Germanium (SbGe), Germanium Antimony Tellurium (GST), Indium Antimony Tellurium (IST), Silver Indium Antimony Tellurium (AIST), Cadmium Telluride (CdTe), Cadmium Selenide (CdSe), Zinc Telluride (ZnTe), Zinc Selenide (ZnSe), Copper indium gallium selenide (CIGS) films or other tellurium and selenium based metal compounds for phase change memory and photovoltaic devices.例文帳に追加

一実施態様において、組成物は、相変化メモリ及び光起電デバイス向けの、ゲルマニウムテルル（ＧｅＴｅ）、アンチモンテルル（ＳｂＴｅ）、アンチモンゲルマニウム（ＳｂＧｅ）、ゲルマニウムアンチモンテルル（ＧＳＴ）、インジウムアンチモンテルル（ＩＳＴ）、銀インジウムアンチモンテルル（ＡＩＳＴ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、セレン化銅インジウムガリウム（ＣＩＧＳ）又は他のテルル及びセレン系の金属化合物を堆積させるために用いられる。 - 特許庁