「complementary transistor」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of discriminating a combination of an electrode and an organic semiconductor which have improved electron injection efficiency and hole injection efficiency in an organic TFT, to achieve two kinds of n-channel and p-type TFTs, and to provide a complementary organic thin film transistor (organic CTFT) and a complementary organic TFT array forming a desired circuit configuration using the organic CTFT.例文帳に追加

有機ＴＦＴにおいて、電子注入効率とホール注入効率を改善した電極と有機半導体の組み合わせをそれぞれ判別する手法を提供し、また、ｎ型チャネルＴＦＴとｐ型チャネルＦＥＴの２種類のＴＦＴを実現し、相補型有機薄膜トランジスタ（有機ＣＴＦＴ）および、有機ＣＴＦＴによる所望の任意回路構成を形成する相補型有機ＴＦＴアレイを提供する。 - 特許庁

When a complementary MOS transistor is formed in a P-type semiconductor substrate 1, the need for implanting the ion of an N-type impurity deep into a gate electrode 9 at a high concentration is eliminated by introducing in advance the N-type impurity over the full film thicknesses of gate electrodes 8 and 9.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１に相補型ＭＯＳトランジスタを形成する場合、予めゲート電極８、９の全膜厚にわたってＮ型不純物を導入することにより、ゲート電極９にＮ型不純物を濃くかつ深くイオン注入する必要がなくなる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film transistor device, which enables a complementary TFT circuit constituting a thin-shaped and light-weighted image display device or a flexible electronic device to achieve high performance, low power consumption, and reduction of a manufacturing cost and further reduces the number of manufacturing processes and simplifies mass production or enlargement by printing.例文帳に追加

薄型軽量画像表示装置やフレキシブル電子装置を構成する相補型ＴＦＴ回路の高性能化、低消費電力化、及び製造コスト低減を可能にし、更に製造工程数を削減して印刷による大量生産や大型化を容易にする薄膜トランジスタ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a reliable method and a device which enable design-keeping transition from an existing non-fin design structure to a functionally identical structure based on a technology of a double-gate fin-base field-effect transistor FinFET in a metal-oxide semiconductor MOS, a device of a complementary metal-oxide semiconductor CMOS, and designing chips of the semiconductors.例文帳に追加

金属酸化物半導体（ＭＯＳ）、相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）のデバイス、並びにそれらのチップ設計に於いて、既存の非フィン設計構造からＦｉｎＦＥＴ（ダブル・ゲート・フィン・ベース電界トランジスタ）技術に基づく機能的に同一の構造に設計を維持したまま移行する事ができる信頼できる方法及び装置の提供。 - 特許庁

A high-mobility Ge channel field effect transistor with a layered heterostructure incorporates multiple semiconductor layers on a semiconductor substrate, and a channel structure of a compressively strained epitaxial Ge layer having a higher barrier or a deeper confining quantum well and having an extremely high hole mobility for complementary MODFETs and MOSFETs.例文帳に追加

半導体基板上に複数の半導体層と、より高いバリアまたはより深い閉じ込め量子井戸を有し、相補型ＭＯＤＦＥＴおよびＭＯＳＦＥＴのための非常に高い正孔移動度を有する圧縮ひずみエピタキシャルＧｅ層のチャネル構造を取り込み、層状ヘテロ構造をもつ高移動度Ｇｅチャネル電界効果トランジスタを形成する。 - 特許庁