「current collapse」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device capable of suppressing current collapse.例文帳に追加

電流コラプスを抑制することが可能な半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor capable of suppressing current collapse phenomenon and gate leakage current.例文帳に追加

電流コラプス現象およびゲートリーク電流を抑制することが可能な電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor device capable of preventing current collapse.例文帳に追加

電流コラプスを抑制することができる窒化物半導体装置を提供する。 - 特許庁

A function of the current collapse suppression film can suppress the current collapse caused by presence of trapped electrons on a surface level 133 after the application of high voltage.例文帳に追加

前記電流コラプス抑制膜の作用により、高電圧印加後に表面準位１３３にトラップされた電子の存在に起因する電流コラプス現象が抑制される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can suppress well a current collapse phenomenon.例文帳に追加

電流コラプス現象を良好に抑制することが可能な半導体素子を提供する。 - 特許庁

Also, a current collapse, etc. which adversely affects a device characteristic can be restrained.例文帳に追加

また、デバイス特性への悪影響を及ぼす電流コラプス等の抑制も可能となる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can be sufficiently suppressed with a current collapse phenomenon.例文帳に追加

電流コラプス現象を良好に抑制することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To improve current collapse appropriately and suppress power consumption by light irradiation.例文帳に追加

電流コラプスを適切に改善するとともに、光照射による消費電力を抑制する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a suppressed current collapse and its manufacturing method.例文帳に追加

電流コラプス現象が抑制された半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor device capable of operating with a high frequency and capable of preventing gate leakage current and current collapse.例文帳に追加

高周波数動作が可能で、ゲートリーク電流や電流コラプスを抑制できる窒化物半導体装置を提供する。 - 特許庁

The current collapse phenomenon caused by an electron trapped in a semiconductor substrate 121 after impressing high voltage can be suppressed nicely by the effect of the current collapse suppression film 125.例文帳に追加

前記電流コラプス抑制膜１２５の作用により、高電圧印加後に半導体基体１２１の内部にトラップされた電子が引き起こす電流コラプス現象が良好に抑制される。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor device capable of preventing current collapse and capable of high-output operation.例文帳に追加

電流コラプスを抑制し、高出力動作可能な窒化物半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of suppressing current collapse.例文帳に追加

電流コラプスを抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor device in which desired characteristics may be obtained while current collapse is reduced.例文帳に追加

電流コラプスを抑制しつつ所望の特性が得られる化合物半導体装置を提供する。 - 特許庁

To improve an increase of an on-resistance and an increase of a current collapse in a field effect transistor.例文帳に追加

電界効果トランジスタのオン抵抗の増大や電流コラプスの増加を改善することである。 - 特許庁

To provide a normally off type nitride semiconductor transistor while suppressing a current collapse.例文帳に追加

電流コラプスの発生を抑制するとともに、ノーマリーオフ型の窒化物半導体トランジスタを実現する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a heterojunction field effect transistor that suppresses current collapse and reduces gate leakage current.例文帳に追加

電流コラプスを抑制し、且つゲートリーク電流を低減するヘテロ接合電界効果トランジスタの製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor device where current collapse is suppressed, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

電流コラプスを抑制することができる窒化物半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To effectively reduce current collapse even when a silicon nitride film having a low refractive index is used.例文帳に追加

低屈折率の窒化シリコン膜を用いた場合であっても、電流コラプスを効果的に低減すること。 - 特許庁

To provide a normally-off type transistor with a current collapse phenomenon suppressed, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

電流コラプス現象が抑制されたノーマリーオフ型のトランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a hetero junction field-effect transistor that suppresses current collapse and reduces a gate leakage current, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

電流コラプスを抑制し、且つゲートリーク電流を低減するヘテロ接合電界効果トランジスタとその製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a hetero junction field effect transistor that suppresses current collapse and reduces gate leakage current, and provide a manufacturing method of the hetero junction field effect transistor.例文帳に追加

電流コラプスを抑制し、且つゲートリーク電流を低減するヘテロ接合電界効果トランジスタとその製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a group-III nitride semiconductor transistor which can inhibit generation of a current collapse, and a manufacturing method of the same.例文帳に追加

電流コラプスの発生を抑制できるIII族窒化物半導体トランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor device capable of reducing current collapse, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

電流コラプスを低減することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor having a small current collapse and an excellent high-frequency property.例文帳に追加

電流コラプスが小さく且つ良好な高周波特性を有する電界効果トランジスタを実現できるようにする。 - 特許庁

To readily realize a field-effect transistor that uses a nitride semiconductor in which current collapse is suppressed.例文帳に追加

電流コラプスが抑制された窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタを容易に実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can reduce a current collapse and leakage current, softening an electric field concentration and improving a dielectric resistance.例文帳に追加

電界集中を緩和し耐圧を向上しつつ、電流コラプスを低減しかつリーク電流を減少することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride compound semiconductor device capable of suppressing an increase in a leakage current and an increase in ON resistance caused by a current collapse phenomenon.例文帳に追加

リーク電流の増大、及び電流コラプス現象によるオン抵抗の増大を抑制できる窒化物系化合物半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a heterojunction field effect transistor which minimizes current collapse and reduces gate leak current, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

本発明は、電流コラプスを抑制し、且つゲートリーク電流を低減するヘテロ接合電界効果型トランジスタとその製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a nitride compound semiconductor device capable of suppressing an increase in gate leak current and an increase in on resistance due to a current collapse phenomenon.例文帳に追加

ゲートリーク電流の増大、及び電流コラプス現象によるオン抵抗の増大を抑制できる窒化物系化合物半導体装置を提供する。 - 特許庁

To suppress the collapse or the like of a leak current and a drain current by reducing an interface state between an electron supply layer and an insulating layer.例文帳に追加

電子供給層と絶縁層との間の界面準位を低減させ、リーク電流やドレイン電流のコラプス等の抑制を可能とすること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which a gate leakage current and a current collapse are suppressed to levels meeting characteristic requirements in high commercial levels.例文帳に追加

ゲート漏れ電流と電流コラプスとをコマーシャルレベルの高い特性要求を満足するレベルまで抑制した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To suppress current collapse and obtain a large current density and a high voltage withstand characteristic in a normally-off semiconductor device formed of a nitride semiconductor.例文帳に追加

窒化物半導体からなるノーマリオフ型の半導体装置であって、電流コラプスを抑制し且つ大電流密度及び高耐圧特性を得られるようにする。 - 特許庁

To suppress current collapse occurring in a normally-off type nitride semiconductor device applicable to a power transistor.例文帳に追加

パワートランジスタに適用可能なノーマリオフ型の窒化物半導体装置に生じる電流コラプスを抑制できるようにする。 - 特許庁

To provide a GaN-based semiconductor element capable of suppressing current collapse even in a high-voltage switching operation.例文帳に追加

高電圧スイッチング動作においても、電流コラプスを抑制することができるＧａＮ系半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of efficiently reducing the influence of current collapse of a field effect transistor.例文帳に追加

電界効果トランジスタの電流コラプスの影響をより効果的に低減することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device achieving both of suppression of a current collapse phenomenon and improvement in trade-off relation between it and on-resistance in power operation.例文帳に追加

パワー動作時における電流コラプス現象の抑制を両立することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To inhibit current collapse occurring in a normally-OFF nitride semiconductor device applicable to a power transistor.例文帳に追加

パワートランジスタに適用可能なノーマリオフ型の窒化物半導体装置に生じる電流コラプスを抑制できるようにする。 - 特許庁

To improve high frequency characteristics for stable high frequency performance, by reducing leak current and current collapse by deactivating piezoelectric charge to obtain a semiconductor layer of high resistance.例文帳に追加

ピエゾ電荷を不活性化しリーク電流や電流コラプスを減らし、高抵抗な半導体層を得ることで高周波特性を向上し、安定した高周波性能を得る。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor device capable of preventing occurrence of gate leakage current, reduction in withstand voltage, and occurrence of current collapse, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ゲートリーク電流の発生及び耐圧の低下、又は電流コラプスの発生を抑制することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the number of surface levels caused by a hole of nitrogen is thereby reduced, an influence of a current collapse is reduced.例文帳に追加

これ故に、窒素の空孔に起因した表面準位の数が低減されるので、電流コラプスの影響が低減される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a heterojunction, which achieves normally off operation and suppresses a current collapse phenomenon.例文帳に追加

ノーマリオフ動作を実現するとともに、電流コラプス現象が抑制されたヘテロ接合を有する半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor device that can suppress current collapse and operate at high breakdown voltage, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

電流コラプスを抑制するとともに、高耐圧動作が可能な化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve RF characteristics by reducing current collapse, and to obtain a breakdown voltage required for an amplifier for a portable-telephone base station.例文帳に追加

電流コラプスを低減させてＲＦ特性を改善し、携帯電話基地局用アンプに必要とされる耐圧を得ることを可能とする。 - 特許庁

To provide a normally off-type nitride semiconductor transistor which can be applied to a power transistor for suppressing current collapse, and its manufacturing method.例文帳に追加

電流コラプスを抑制し、パワートランジスタに適用可能なノーマリーオフ型の窒化物半導体トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁