「current collapse」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device and a high frequency amplifier capable of reducing current collapse phenomenon while suppressing an increase in a chip area.例文帳に追加

チップ面積の増大を抑制しつつ、電流コラプス現象を低減することができる半導体装置と高周波増幅器を提供する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor device, in which current collapse is suppressed even if a gate electrode is miniaturized, and also to provide a method of manufacturing the compound semiconductor device.例文帳に追加

ゲート電極が微細化されても電流コラプスを抑制することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a field effect transistor consisting of III nitride semiconductor and capable of effectively suppressing a current collapse in a high voltage switching operation.例文帳に追加

III族窒化物半導体からなる電界効果トランジスタにおける高電圧スイッチング時の電流コラプスを効果的に抑制できるようにする。 - 特許庁

To provide a field effect transistor (HEMT) using two-dimensional electron gas wherein the stabilization of surface and the improvement in prevention of current collapse are required.例文帳に追加

２次元電子ガスを使用する電界効果トランジスタ（ＨＥＭＴ）において表面の安定化及び電流コラプスの改善が要求されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is improved in ON resistance while reducing a current collapse and maintaining a breakdown voltage, and operates at high voltage and at a high frequency.例文帳に追加

電流コラプスを減少し耐圧を維持しつつ、オン抵抗を改善した、高電圧、高周波で動作する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an efficient electric power conversion system which mitigates a current collapse sufficiently, and utilizes low on-resistance possessed essentially in a GaN transistor.例文帳に追加

電流コラプスを十分に緩和し、ＧａＮトランジスタが本来有している低いオン抵抗を利用した高効率の電力変換装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor device that strikes a balance between good high frequency characteristics and reduction of current collapse, and to provide a method of manufacturing the compound semiconductor device.例文帳に追加

良好な高周波特性及び電流コラプスの低減を両立することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent the occurrence of an increase in on-resistance due to current collapse when switching under high temperature and high voltage, in a nitride semiconductor device.例文帳に追加

窒化物半導体装置において、高温且つ高電圧下のスイッチング時においても電流コラプスによるオン抵抗の増大が生じないようにする。 - 特許庁

To provide a GaN-based field-effect transistor having a low resistance and a high breakdown voltage with reduced effect of current collapse phenomenon, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

低抵抗・高耐圧で電流コラプス現象の影響の小さいＧａＮ系電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To further accurately compensate on-voltage in a power conversion device even in using a semiconductor device in which current collapse phenomenon occurs.例文帳に追加

電流コラプス現象が発生する半導体デバイスを用いた場合にも、電力変換装置において、より正確にオン電圧補償ができるようにする。 - 特許庁

To efficiently reduce concentrating electric field intensity so as to have a sufficient breakdown voltage even for a high-voltage operation and also suppress current collapse.例文帳に追加

高電圧動作させる場合においても十分な破壊耐圧を有し、かつ電流コラプスを抑制するために、集中する電界強度を効率良く低減させる。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor device that suppresses a current collapse phenomenon and keeps intact the effect of relaxing field concentration caused by a field plate electrode.例文帳に追加

電流コラプス現象が抑制され、且つフィールドプレート電極による電界集中を緩和する効果の低下が抑制された化合物半導体装置を提供する。 - 特許庁

To reduce a current collapse phenomenon of a semiconductor transistor having a group III-V nitride semiconductor as a channel region.例文帳に追加

III−Ｖ族窒化物半導体をチャネル領域とする半導体トランジスタの電流コラプス現象の低減を図ることができ半導体トランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To reduce the current collapse as well as the gate leak current to improve gate breakdown voltage and reduce dark current, in a nitride semiconductor field-effect transistor having the multi-layered structure of nitride silicon film and a high dielectric film.例文帳に追加

本発明が解決しようとする課題は、窒化珪素膜と高誘電体膜の多層構造を有する窒化物半導体電界効果トランジスタにおいて、電流コラプスを低減し、ゲートリーク電流を低減させゲート耐圧を向上させるとともに、暗電流を低減させることである。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor device which is good in response characteristics, can improve the problem of current collapse, and also can form a gate recess portion exactly equal to device design values with good reproducibility.例文帳に追加

応答特性が良く電流コラプスの問題を改善できると同時に、デバイス設計値どおりのゲートリセス部を再現性よく形成しうる窒化物半導体装置を得ること。 - 特許庁

In the present invention, the current collapse can be prevented by heat-treating the ohmic electrodes in a state wherein the silicon nitride film 18 having a refractive index of ≥2.1 is formed.例文帳に追加

本発明によれば、屈折率が２．１以上の窒化シリコン膜１８を形成した状態で、オーミック電極の熱処理を行うことにより、電流コラプスを抑制することができる。 - 特許庁

Under the current circumstances, in order to secure the stability of the financial system, we need to avoid situations in which one institution’s problems could lead to the collapse of a whole chain of financial market transactions. 例文帳に追加

今日、金融システムの安定性を確保するためには、金融市場における取引の連鎖が断たれた場合の影響を避けることが、重要な課題となってきました。 - 財務省

A material suppressing collapse of the active material 2 when the active material 2 is press-molded on a current collector 1 for forming the electrode is mixed to an electrode composing material together with the active material 2.例文帳に追加

電極の形成に際して、集電体１上に活物質２を圧縮形成する際の活物質２の潰れを抑制する材料を、活物質２と共に混入した。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor device capable of preventing current collapse while more enhancing withstand voltage by preventing collision ionization in a nitride semiconductor layer by reducing a leak current of a gate electrode formed on the nitride semiconductor layer.例文帳に追加

窒化物半導体層に形成されるゲート電極のリーク電流を低減し、窒化物半導体層内での衝突イオン化を抑制することにより高耐圧化を実現し、同時に電流コラプスを抑制することができる窒化物半導体装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 111 includes, on the upper surface thereof, a current collapse suppression film 125 constituted of molecules whose molecular orientation is controlled so that the positive charge part of permanent bipole in the molecule is faced downward.例文帳に追加

半導体装置１１１は、上面に、分子内永久双極子の正電荷部分が下向きになるよう分子配向が制御された分子から構成される電流コラプス抑制膜１２５を備える。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor epitaxial wafer that has a higher breakdown voltage and reduces or eliminates a current collapse phenomenon, a method of manufacturing the same, and a field effect transistor element.例文帳に追加

高耐圧化とカレントコラプス現象の低減ないしは解消との両立を可能とした窒化物半導体エピタキシャルウェハおよびその製造方法ならびに電界効果型トランジスタ素子を提供する。 - 特許庁

To solve such a problem that, when a sacrificial interlayer dielectric becoming a mold material of a cylindrical lower electrode is removed, leakage current of a capacitor increases at a connection between a beam and a lower electrode by formation of the beam to prevent collapse.例文帳に追加

シリンダ状下部電極の型材となる犠牲層間絶縁膜を除去する際に、倒壊を防止する梁が形成されることで、梁と下部電極の接続部でキャパシタのリーク電流が増加する。 - 特許庁

The electronic circuit package has the hierarchy of liquidus temperature in mutual joining of solder limiting fused degree of the mutually joining of the solder with a C4 (current controlled collapse chip joining) technique between the following second level joining /assembling-treatment and a rework-treatment.例文帳に追加

電子回路パッケージは、次の第２レベルの接合／組立処理およびリワーク処理の間に、Ｃ４はんだ相互接続の溶融度を制限するはんだ相互接続の液相線温度の階層を有する。 - 特許庁

To achieve normally ON type and normally OFF type nitride semiconductor heterostructure field effect transistors (HFET) of current collapse free and a high breakdown voltage, and to achieve the latter especially in the HFET.例文帳に追加

窒化物半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタ（ＨＦＥＴ）において、電流コラプスフリーで、かつ高耐圧の、ノーマリーオン型およびノーマリーオフ型のＨＦＥＴを実現することであり、特に後者を実現すること。 - 特許庁

To enable high frequency improvement owing to an increased gain by obtaining compatibility between reduction of a current collapse and reduction of a parasitic capacitance, for example, between a gate and a drain in a HEMT (high electron mobility transistor) made of a group-III nitride semiconductor.例文帳に追加

III族窒化物半導体から構成されるＨＥＭＴに於いて、電流コラプスの低減化と、ゲート−ドレイン間等の寄生容量の低減化とを両立化させて、利得向上による高周波化を可能にする。 - 特許庁

A semiconductor device serving as a HEMT111 includes, on its upper surface, a current collapse suppression film constituted of rod-shaped molecules 163 having their longitudinal axes aligned in the direction for coupling a gate electrode 153 and a drain electrode 155.例文帳に追加

ＨＥＭＴ１１１として機能する半導体装置は、上面に、ゲート電極１５３とドレイン電極１５５とを結ぶ方向に長軸方向が揃えられた棒状分子１６３から構成される電流コラプス抑制膜を備える。 - 特許庁

Thus, a state change on the surface of the nitride semiconductor and a change in a charging state of the surface defect level caused by the presence of hydrogen in the SiN protection film 180 are suppressed so that the gate leakage current and current collapse can be suppressed to a level for satisfying the high characteristic requirement of the commercial level.例文帳に追加

これによりＳｉＮ保護膜１８０中に水素が存在することで生じる窒化物半導体表面の状態変化と表面欠陥準位の荷電状態の変化が抑制され、ゲート漏れ電流と電流コラプスとをコマーシャルレベルの高い特性要求を満足するレベルまで抑制することが可能となる。 - 特許庁

To solve the following problem: in a light-emitting device having a common electrode retaining a potential common to a plurality of light-emitting elements, if a driving current flowing in the common electrode increases, collapse of white balance and deterioration of image quality is caused by voltage fluctuation.例文帳に追加

複数の発光素子に共通の電位である共通電極を有する発光装置において、前記共通電極に流れる駆動電流が大きいと電圧変動によりホワイトバランスの崩れや輝度低下などの画質の低下が引き起こされる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can resolve problems of current collapse and long-term reliability by alleviating electric field concentration generated at an electrode end when a reverse voltage is applied to a device, such as an SBD (Schottky Barrier Diode), an HEMT (High Electron Mobility Transistor), and the like.例文帳に追加

本発明は、ＳＢＤ、ＨＥＭＴ等のデバイスに逆方向電圧をかけたときの電極端部に生じる電界集中を緩和して電流コラプス、及び長期信頼性の問題を解決した半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor device, which can suppress a current collapse, can increase a breakdown voltage, and can relax electric field concentration by forming a nitride semiconductor layer of a microcrystalline structure in a gradually inclining shape.例文帳に追加

電流コラプスの抑制と高耐圧化が実現できると共に、微結晶構造の窒化物半導体層を緩やかに傾斜した形状に形成し、電界集中を緩和することができる窒化物半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a DRAM capacitor which easily ensures the adhesiveness of a lower electrode and a peripheral insulating film, prevents an increase in leakage current of a capacitor in this portion, prevents the collapse of the lower electrode in wet-etching, and improves the reliability of the device, and to provide the method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

下部電極と周辺絶縁膜との密着性を容易に確保し、この部分でのキャパシタのリーク電流の増大を防止し、また、ウエットエッチング時の下部電極の倒壊を防止し、ひいてはデバイスの信頼性を向上したＤＲＡＭ型のキャパシタを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

After the collapse of the Bretton-Woods system, all of the major countries and many others opted for a floating exchange rate regime, because it was believed at that time that a floating rate would shield a country from external shocks, including high inflation overseas, and that it had a built-in mechanism for rectifying current account imbalances among countries.例文帳に追加

ブレトン・ウッズ体制の崩壊後、すべての主要国や他の多くの国々が、変動為替相場制を選択しました。当時、変動相場制はその国を海外のインフレーションなど外部からのショックから遮断し、各国間の経常収支不均衡を自動的に修正するメカニズムを持っていると信じられていました。 - 財務省

If the current account imbalance were not sustainable and adjustments were to be made, the possible process for adjustments would include (1) the depreciation of the dollar, (2) a decline in consumption as a result of deflation or collapse of the “housing bubble” in the US, and (3) improvement in the fiscal deficit of the US. Any of them could have negative impacts upon the international economy.例文帳に追加

仮に経常収支不均衡が持続可能でなく、調整が起こるとした場合、その調整経路としては、①ドルの減価、②米国の「住宅バブル」の沈静化・崩壊による消費の減退、③米国の財政収支赤字改善、などが考えられるが、いずれの場合にあっても国際経済への悪影響があり得る。 - 経済産業省

Since the semiconductor device 10 is provided with the protection film 15 formed so as to cover at least the upper surface of the insulating film 13, the semiconductor device 10 suppresses the reaction of aluminium contained in the source electrode 21 and the drain electrode 22 to the insulating film 13, also suppresses increase in the resistance of the electrodes and increase in current collapse, and thereby provides the fine electric characteristics.例文帳に追加

半導体装置１０は絶縁膜１３の少なくとも上面を覆うように形成された保護膜１５を備えることによって、ソース電極２１とドレイン電極２２とに含まれるアルミニウムと絶縁膜１３とが反応することを抑制することができ、電極の抵抗増加、電流コラプスの増加を抑え、良好な電気的特性を備える。 - 特許庁

Even if the particle 11 is expanded and contracted due to charging and discharging, the collector 12 may suppress the collapse of the shapes of the particle 11, and also contact performance between the particle 11 and the collector 12 may be enhanced to suppress reduction in current collecting property.例文帳に追加

充放電を行い負極活物質粒子１１が膨張収縮しても、負極集電体１２により負極活物質粒子１１の形状崩壊を抑制することができると共に、負極活物質粒子１１と負極集電体１２との接触性を高くすることができ、集電性の低下を抑制することができる。 - 特許庁

Comparison with production, shipments, and inventories of automobiles in prior recessions shows that the speed of production adjustments in the current recession is different from that seen in the recession that followed the collapse of the bubble economy (after February 1991), as Japanese automakers have been curbing a rise in inventories by quickly implementing production adjustments in response to a steep drop in demand.例文帳に追加

四輪自動車の生産・出荷・在庫の推移を過去の景気後退局面と比較すると、今回の景気後退局面では需要の急激な減?に対応するために、急速な生産調整を行うことで在庫上昇を抑制するという対応をとっており、バブル経済崩壊以降の景気後退局面（９１年２月以降）と比較すると生産調整の速さに相違がみられる。 - 経済産業省

To provide a core structure for a magnetic bearing capable of constituting even a stator core having a projection part in a peripheral direction of a laminated steel plate, efficiently performing cutting by avoiding falling, collapse and peeling of the laminated steel plate, using an amorphous material difficult to be laminated, reducing manufacturing/working cost and remarkably reducing excess current generated in a stator part and manufacturing method therefor.例文帳に追加

周方向に張出し部を有するステータコアであっても、これを積層鋼板で構成することができ、かつ積層鋼板の脱落、潰れ、剥離を回避して、能率良く切削加工することができ、更に積層が難しいアモルファス材を使用することができ、これにより製作・加工コストを低減でき、かつステータ部に発生する渦電流を大幅に低減できる磁気軸受のコア構造とその製造方法を提供する。 - 特許庁

When savings and investment by sector in the United States is examined, the financial crisis caused by the collapse of the housing bubble caused a restraint in consumption and increase in savings by the household sector which directly faced adjustments in excessive debt which changed the sector from excessive debt to an excessive savings sector. However, the worsening fiscal budget due to economic policies increased the size of excessive investment by the government sector and this was a factor in the current account deficit (Figure 1-1-2-5).例文帳に追加

米国の部門別貯蓄・投資バランスの推移を確認すると、住宅バブル崩壊による金融危機の発生により、過剰債務の調整に直面した家計部門は、消費を抑制し、貯蓄を増やすことによって、貯蓄超過部門に転じた一方、景気対策による財政収支の悪化によって、政府部門の投資超過幅が拡大し、それが経常収支赤字の要因となっている（第1-1-2-5 図）。 - 経済産業省

The current economic turmoil has been caused by the Lehman shock, which was basically a consequence of the United States acting as the sole superpower. The characteristics of the U.S. economy as exemplified by its worship of finance or its inclination toward money games are to blame for that. That is, if I may say so, a self-inflicted wound caused by greed. The United States created the subprime loan business, and that led to its own collapse. In that sense, that was a historic, epochal turning point. 例文帳に追加

そういった今の経済的な混乱をつくったのは、やはり基本的にアメリカの一強の結果として、リーマン・ショックで破裂した、それまで30年かかってきた金融至上主義といいますか、マネーゲームといった経済の体質そのものがアメリカ自身の責任で、言うなれば「欲の股裂け」という言葉を使っていいのか知りませんけれども、まさにそういったことで、自分でサブプライム・ローンを始め、自分で破綻したわけですから、そういった意味で、そこは非常に大きな歴史的、世紀的な転換点だと思っています。 - 金融庁