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cvd methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2115件
METHOD OF DEPOSITING LAYER ON SEMICONDUCTOR WAFER USING CVD METHOD, AND CHAMBER FOR EMBODYING THE METHOD例文帳に追加
CVDを用いて半導体ウェハに層を堆積させる方法及び前記方法を実施するためのチャンバ - 特許庁
CHARGING VESSEL FOR LIQUID CVD MATERIAL, CHARGING VESSEL OF LIQUID CVD MATERIAL AND METHOD OF VAPORIZING AND SUPPLYING USING THEM例文帳に追加
液体CVD原料用の充填容器、液体CVD原料の充填容器、及びこれらを用いた気化供給方法 - 特許庁
In the case of coating by a CVD method, after CVD treatment, a baking treatment is applied to the silicon steel sheet at 850-1,200°C in the vacuum.例文帳に追加
CVD法で被膜する場合には、CVD処理後、真空中にて850〜1200℃の温度でベーキング処理を施す。 - 特許庁
RAW MATERIAL COMPOUND FOR CVD, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND CVD PROCESS FOR IRIDIUM OR IRIDIUM COMPOUND THIN FILM例文帳に追加
CVD用原料化合物及びその製造方法並びにイリジウム又はイリジウム化合物薄膜の化学気相蒸着方法 - 特許庁
ANTENNA CARRIER, ARRAY ANTENNA TYPE PLASMA CVD DEVICE, AND METHOD FOR INSTALLING ARRAY ANTENNA UNIT OF ARRAY ANTENNA TYPE PLASMA CVD DEVICE例文帳に追加
アンテナ搬送体、アレイアンテナ式プラズマCVD装置、並びに、アレイアンテナ式プラズマCVD装置のアレイアンテナユニット取り付け方法 - 特許庁
To vapor-deposit carbon nanotubes on the whole surface of a substrate to be treated by utilizing a plasma CVD apparatus and plasma CVD method.例文帳に追加
プラズマCVD装置及びプラズマCVD方法を用いて、被処理基板の全表面にカーボンナノチューブを気相成長させる。 - 特許庁
ANTENNA CARRIER, ARRAY ANTENNA TYPE PLASMA CVD DEVICE, AND METHOD FOR CARRYING ANTENNA FOR ARRAY ANTENNA TYPE PLASMA CVD DEVICE AND SUBSTRATE例文帳に追加
アンテナ搬送体、アレイアンテナ式プラズマCVD装置、並びに、アレイアンテナ式プラズマCVD装置のアンテナおよび基板搬送方法 - 特許庁
This semiconductor device manufacturing method comprises a CVD film forming process for forming a CVD film with a nitriding treatment or an oxynitriding treatment by CVD method after a silicon oxide film is formed on a silicon substrate, and a CVD film annealing process for annealing the CVD film in the atmosphere of gaseous ozone.例文帳に追加
半導体装置の製造方法は、シリコン基板上にシリコン酸化膜を形成した後、シリコン酸化膜をCVD法により窒化処理または酸窒化処理してCVD膜を形成するCVD膜形成工程と、CVD膜をオゾンガス雰囲気下でアニーリングするCVD膜アニーリング工程とを有する。 - 特許庁
DEVICE AND METHOD FOR CLEANING CVD CHAMBER BY ETCHING ON THE SPOT例文帳に追加
CVDチャンバを現場でエッチングして清浄化するための装置及び方法 - 特許庁
METHOD AND SYSTEM FOR FORMING DEPOSIT FILM BY MICROWAVE PLASMA CVD例文帳に追加
マイクロ波プラズマCVD法により堆積膜を形成する方法および装置 - 特許庁
PLASMA CVD FILM-FORMING APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING PLASTIC CONTAINER HAVING GAS BARRIER PROPERTY例文帳に追加
プラズマCVD成膜装置及びガスバリア性プラスチック容器の製造方法 - 特許庁
A protective layer is formed by a plasma CVD method using carbon as a main component.例文帳に追加
保護層を、カーボンを主成分としてプラズマCVD法により成膜する。 - 特許庁
Disclosed is a method of forming an oxide film using a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) device.例文帳に追加
プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)装置を用いて酸化膜を成膜する方法である。 - 特許庁
CVD DEVICE, FILM FORMING METHOD AND PRODUCTION OF MAGNETIC RECORDING MEDIUM例文帳に追加
CVD装置および製膜方法ならびに磁気記録媒体の製造方法 - 特許庁
The protective layer 4 consists mainly of carbon by a plasma CVD method.例文帳に追加
保護層4を、カーボンを主成分としてプラズマCVD法により成膜する。 - 特許庁
AIR-OPEN-TYPE CVD APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING METAL OXIDE FILM例文帳に追加
大気開放型CVD装置および金属酸化物膜の製造方法 - 特許庁
VERTICAL CVD SYSTEM AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING IT例文帳に追加
縦型CVD装置及びそれを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁
PLASMA CVD SYSTEM AND METHOD FOR FORMING NON-SINGLE CRYSTAL SEMICONDUCTOR THIN FILM例文帳に追加
プラズマCVD装置および非単結晶半導体薄膜形成方法 - 特許庁
PLASMA CVD FILM DEPOSITION APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING PLASTIC CONTAINER HAVING BARRIER PROPERTY例文帳に追加
プラズマCVD成膜装置及びバリア性プラスチック容器の製造方法 - 特許庁
CATHODE-COUPLING PLASMA CVD EQUIPMENT AND THIN FILM MANUFACTURING METHOD BY IT例文帳に追加
カソードカップリング型プラズマCVD装置及びそれによる薄膜製造方法 - 特許庁
DC PLASMA CVD APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING DIAMOND USING THE SAME例文帳に追加
直流プラズマCVD装置及びそれを用いたダイヤモンドの製造方法 - 特許庁
THIN FILM DEPOSITION METHOD BY PLASMA CVD PROCESS AND ANTIREFLECTION MULTILAYER BODY例文帳に追加
プラズマCVD法による薄膜形成方法及び反射防止積層体 - 特許庁
To provide a small size silicon oxide film forming apparatus using the low temperature CVD method.例文帳に追加
低温CVD法による酸化シリコン膜形成用装置を小型化する。 - 特許庁
DEPOSITED FILM FORMATION METHOD BY PLASMA CVD AND DEPOSITED FILM FORMATION SYSTEM例文帳に追加
プラズマCVDによる堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置 - 特許庁
FILM DEPOSITION SYSTEM AND FILM DEPOSITION METHOD OF SILICON OXIDE THIN FILM BY CVD PROCESS例文帳に追加
CVD法による酸化珪素薄膜の成膜装置及び成膜方法 - 特許庁
LIQUID RAW MATERIAL FOR CVD AND METHOD FOR PRODUCING OXIDE SUPERCONDUCTOR例文帳に追加
CVD用液体原料および酸化物超電導体の製造方法 - 特許庁
APPARATUS AND METHOD FOR FORMING DEPOSITION FILM BY PLASMA-CVD例文帳に追加
プラズマCVD法による堆積膜形成装置および堆積膜形成方法 - 特許庁
CVD DEVICE INNER TUBE MADE FROM VITRIFIED CARBON AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
ガラス状炭素製のCVD装置用インナーチューブ及びその製造方法 - 特許庁
The catalytic CVD method is a CVD method of resolving materials gas by a heating object, desirably a heated catalyzer which is a catalyst for resolving materials.例文帳に追加
カタリティックCVD法は加熱体、好ましくは原料の分解触媒である加熱されたカタライザーで原料ガスを分解するCVD法である。 - 特許庁
REMOVING METHOD FOR AMMONIUM CHLORIDE STUCK AND DEPOSITED ON CVD EXHAUST PIPING例文帳に追加
CVD排気系配管に付着堆積した塩化アンモニウムの除去方法 - 特許庁
MASK FOR CVD, AND METHOD FOR PRODUCING DISPLAY PRODUCED USING THE SAME例文帳に追加
CVD用マスク及びそれを用いて製造するディスプレイの製造方法 - 特許庁
A plasma CVD device 1 introduces reaction gas in a vacuum treatment chamber 2 and forms a film on the substrate 10 arranged on a susceptor 4 through the mask 7 by a CVD method, and includes a mask support mechanism 58, a drive part 53, a CCD camera 51, and an alignment control part 6.例文帳に追加
プラズマCVD装置1は、真空処理槽2内に反応ガスを導入し、サセプタ4上に配置された基板10上にマスク7を介してCVD法で成膜するもので、マスク支持機構58と、駆動部53と、CCDカメラ51と、アライメント制御部6とを備える。 - 特許庁
To provide a CVD apparatus capable of depositing a uniform ceramic film over the entire surface of a base material by correctly and rapidly moving the supporting position of the base material without interrupting a CVD reaction, and a CVD film depositing method by the CVD apparatus.例文帳に追加
CVD反応を中断することなく、被処理基材の支持位置を的確、速やかに移動して、基材全面に均一なセラミックス被膜を形成できるCVD装置、及びこの装置による被膜形成法を提供する。 - 特許庁
The thin film material of photocatalyst which develops an active function as photocatalyst, is obtained by means of forming an island- shaped film 2a on a substrate 1 by a CVD or PVD method, and growing a tabular crystalline 2d by the CVD or PVD method on the island-shaped film 2a as a core.例文帳に追加
CVD法またはPVD法で基板1上に島状膜2aを形成させ、その島状膜2aを核として、CVD法またはPVD法で板状の結晶2dを成長させることにより、高活性な光触媒機能を発現する光触媒薄膜材料を得られる。 - 特許庁
The silicon nitride film is deposited by a chemical vapor deposition method, more particularly a catalytic CVD method.例文帳に追加
化学気相成長法、特に触媒CVD法により成膜される窒化シリコン膜である。 - 特許庁
To provide a method for inexpensively forming an optical thin film on a substrate with a CVD method.例文帳に追加
CVD法を用いて安価に基材上に光学薄膜を形成させる方法を提供する。 - 特許庁
PLASMA CVD APPARATUS, METHOD FOR MANUFACTURING MICROCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR例文帳に追加
プラズマCVD装置、微結晶半導体層の作製方法及び薄膜トランジスタの作製方法 - 特許庁
METHOD AND DEVICE OF HIGH FREQUENCY PLASMA CVD, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR THIN FILM例文帳に追加
高周波プラズマCVD装置と高周波プラズマCVD法及び半導体薄膜製造法。 - 特許庁
METHOD FOR DEPOSITING FILM, METHOD FOR FABRICATING ELECTROOPTIC DEVICE, ELECTROOPTIC DEVICE, AND ATMOSPHERIC PRESSURE CVD SYSTEM例文帳に追加
成膜方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および常圧CVD装置 - 特許庁
APPARATUS FOR FORMING DEPOSITION FILM BY PLASMA CVD METHOD AND METHOD FOR FORMING DEPOSITION FILM USING IT例文帳に追加
プラズマCVD法による堆積膜形成装置及びこれを用いた堆積膜形成方法 - 特許庁
Therein, the antireflection layer 12 can be formed according to a CVD method (chemical vapor deposition method).例文帳に追加
なお、反射防止層12は、CVD法(化学気相成長法)により形成することができる。 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING SILICON NITRIDE FILM, SILICON OXYNITRIDE FILM, OR SILICON OXIDE FILM BY CVD METHOD例文帳に追加
CVD法によるシリコン窒化物膜、シリコンオキシ窒化物膜、またはシリコン酸化物膜の製造方法 - 特許庁
METHOD FOR FORMING PLASMA CVD SILICON NITRIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE例文帳に追加
プラズマCVD窒化珪素膜の成膜方法及び半導体集積回路装置の製造方法 - 特許庁
To provide a scientific method for producing boron carbonitride having excellent productivity in place of CVD (chemical vapor deposition) method.例文帳に追加
CVD法に代わる生産性に優れた炭窒化硼素の科学的製造方法を提供する。 - 特許庁
For the thin film formation method, a sputtering method, a vacuum evaporation method, a CVD method, a laser ablation method, or the like may be used.例文帳に追加
薄膜形成方法としては、スパッタリング法、真空蒸着法、CVD法、レーザアブレーション法などの方法を用いることができる。 - 特許庁
To provide a highly efficient remote plasma cleaning method of a treatment chamber in a CVD device in which a high cleaning speed is ensured while reducing the operating cost of cleaning.例文帳に追加
クリーニング速度が速く、クリーニングの運用コストが低くかつ高効率なCVD装置処理室のリモートプラズマクリーニング方法を与える。 - 特許庁
On the base plate, a sealing film 20 including a CVD film 22 formed by the vacuum ultraviolet-ray CVD method is fitted.例文帳に追加
この基板上には、真空紫外光CVD法により形成されるCVD膜22を含む封止膜20が設けられている。 - 特許庁
Next, as shown in a diagram (d), a low-pressure CVD oxide film 7 is formed at a thickness of about 0.5 μm by the low-pressure CVD method.例文帳に追加
つぎに、同図(d)に示すように、減圧CVD法により減圧CVD酸化膜7を0.5μm程度の膜厚で形成する。 - 特許庁
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