「density dependency」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an electrostatic charge image developing two-component developer which has low dependency of initial image density on environment, can suppress generation of BCO, can suppress fogging on a non-image part under high temperature and high humidity and can be manufactured by a low environmental load process.例文帳に追加

初期画像濃度の環境依存性が低く、ＢＣＯの発生が抑制され、高温高湿度下における非画像部のカブリが抑制され、低環境負荷製法により製造された静電荷像現像用二成分現像剤、前記現像剤を用いた画像形成方法、及び、画像形成装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a carrier for an electrophotographic developer which is excellent in electrostatic charging stability and image stability for a long term, moreover, hardly causes fogging and carrier attachment, has satisfactory image density and environmental dependency and can adequately correspond to higher speed and a full color, and to provide the electrophotographic developer using the carrier for the electrophotographic developer.例文帳に追加

長期にわたり帯電安定性及び画像安定性に優れ、しかもカブリやキャリア付着も少なく、また画像濃度及び環境依存性も良好な、高速化及びフルカラー化に充分に対応できる電子写真現像剤用キャリア及びこれを用いた電子写真現像剤を提供すること。 - 特許庁

This nonvolatile semiconductor memory device is provided for rewriting stored information corresponding to the charge quantity of a dielectric substance, and equipped with a ferroelectric film 1 which has history characteristics in the dependency of a dielectric flux density D and an electric field E, and a non-linear element 2 electrically connected with that ferroelectric film 1.例文帳に追加

本発明の不揮発性半導体記憶装置は、誘電体の電荷量により記憶情報の書換を行なうものであって、電束密度Ｄと電界Ｅとの依存性において履歴特性を有する強誘電体膜１と、その強誘電体膜１と電気的に接続された非線形要素２とを備えている。 - 特許庁

The light emitting element includes an organic EL element 2 having a pair of mutually facing electrodes 2a, 2c and an organic light emitting layer interposed between the electrodes 2a, 2c, and an optical filter 4 which is disposed on the light taking-out side away from the organic light emitting layer and is larger in visual angle dependency of the optical density than an isotropic material.例文帳に追加

互いに対向する一対の電極２ａ，２ｃとこれらの電極２ａ，２ｃ間に狭持される有機発光層とを備える有機ＥＬ素子２と、前記有機発光層よりも光取り出し側に設けられ、光学濃度の視角依存性が等方性材料よりも大きい光学フィルタ４と、を備えてなることを特徴とする発光素子。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which simultaneously satisfies high sensitivity, satisfactory line width roughness and satisfactory density distribution dependency in microfabrication of a semiconductor element using actinic rays or radiation, particularly KrF excimer laser light, electron beams or EUV light, and a pattern forming method using the same.例文帳に追加

活性光線又は放射線、特に、ＫｒＦエキシマレーザー光、電子線あるいはＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、良好なラインウィズスラフネス、及び良好な疎密依存性を同時に満足するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having satisfactory sensitivity and resolving power and giving a resist pattern free from residue on development and having no density dependency even when an acid decomposable resin containing an introduced alicyclic hydrocarbon part is used in micro- photofabrication using far ultraviolet light, particularly ArF excimer laser light of 193 nm wavelength.例文帳に追加

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光（波長１９３ｎｍ）を使用するミクロフォトファブリケ−ションにおいて、脂環式炭化水素部位が導入された酸分解性樹脂を用いたときでも、十分な感度及び解像力を有し、現像残査及び疎密依存性のないレジストパターンを与えるポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a chemically amplified resist composition suitable for use of an exposure light source of ≤250 nm, particularly F_2 excimer laser light (157 nm), and to more specifically provide a chemically amplified resist composition excellent in sensitivity and dissolution contrast when using a light source of 157 nm and improved in development defects and density distribution dependency, and a pattern forming method using the same.例文帳に追加

２５０ｎｍ以下、特にＦ_2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適な化学増幅型レジスト組成物、より具体的には１５７ｎｍの光源使用時の感度、溶解コントラストに優れており、尚且つ、現像欠陥、疎密依存性が改良された化学増幅型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive composition which is used for fabrication processes of semiconductors such as ICs, for manufacturing circuit boards of liquid crystals, thermal heads or the like and other photofabrication processes, the composition being excellent in the dependency on a pattern density, line edge roughness and a pattern profile and improved in the sensitivity in exposure to EUV light and a dissolution contrast; and to provide a pattern forming method using the photosensitive composition.例文帳に追加

ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用される、疎密依存性、ラインエッジラフネス、パターンプロファイルに優れ、且つＥＵＶ光露光に於ける感度、溶解コントラストが改良された感光性組成物、当該感光性組成物を用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive type photoresist composition less liable to a sensitivity change with the lapse of time in the production of a semiconductor device and having improved density dependency, a positive type photoresist composition having satisfactory sensitivity and resolving power in the formation of a contact hole pattern and less liable to generate particles in a resist solution and a positive type photoresist composition ensuring improved edge roughness of a resist pattern and excellent in shelf stability.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、経時での感度変動が少なく、また、疎密依存性が改善されたポジ型フォトレジスト組成物、コンタクトホールパターン形成において、十分な感度及び解像力を有し、また、レジスト液中のパーティクルの発生が少ないポジ型フォトレジスト組成物、レジストパターンのエッジラフネスが改善され、また、保存安定性に優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁