| 意味 | 例文 |
double side gateの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9件
The photosensor has a structure wherein a first double-gate photosensor PSA, a second double-gate photosensor PSB, and a third double-gate photosensor PSC are arrayed flatly and two-dimensionally on one face side of a transparent insulating substrate SUB.例文帳に追加
フォトセンサは、透明な絶縁性基板ＳＵＢの一面側に、第１のダブルゲート型フォトセンサＰＳＡと、第２のダブルゲート型フォトセンサＰＳＢと、第３のダブルゲート型フォトセンサＰＳＣと、が平面的に２次元配列された構成を有している。 - 特許庁
Also, the differential waveform corresponding to the logical signal input to the first gate of the 4-terminal double insulation gate field effect transistor on the power source node side is generated in the second gate of the 4-terminal double insulation gate field effect transistor on the output node side as well.例文帳に追加
また、電源ノード側の四端子二重絶縁ゲート電界効果トランジスタの第一ゲートに入力された論信号に対応した微分波形が、出力ノード側の四端子二重絶縁ゲート電界効果トランジスタの第二ゲートにも生じるようにすることで解決する。 - 特許庁
A radical flow passages is formed in double way from an electron gun 1 side to a sample chamber 19 side and from the sample chamber 19 side to the electron gun 1 side by switching a gate valve 2, a vacuum valves 21, 22 and valves 10, 11, 27, 28.例文帳に追加
本発明の光学鏡筒は、電子銃１側から試料室１９側にラジカルを流す手段と、試料室１９側から電子銃１側にラジカルを流す手段と、を備える。 - 特許庁
In the photosensor, a first double-gate photosensor PSA becoming a light receiving part of the uppermost layer, a second double-gate photosensor PSB becoming a light receiver of an intermediate layer, and a third double-gate photosensor PSC becoming a light receiving part of the lowermost layer, are laminated and formed on one face side of a transparent insulating substrate SUB.例文帳に追加
フォトセンサは、透明な絶縁性基板ＳＵＢの一面側に、最上層の受光部となる第１のダブルゲート型フォトセンサＰＳＡと、中間層の受光部となる第２のダブルゲート型フォトセンサＰＳＢと、最下層の受光部となる第３のダブルゲート型フォトセンサＰＳＣと、が積層形成された構成を有している。 - 特許庁
An Nch-DMOS(N-channel double diffusion metal oxide semiconductor) ND1 of common gate configuration is used for a high breakdown voltage resistor to transfer the current signal to a low side.例文帳に追加
その電流信号を、ゲート接地構成のＮｃｈ−ＤＭＯＳトランジスタＮＤ１を高耐圧抵抗として用いてローサイドに伝達する。 - 特許庁
Thereafter, a double protective film including a silicon nitride film and a silicon oxide film is formed on side surfaces of the gate cap insulating film, the high-melting-point metal film, and the polysilicon film; and the polysilicon film is etched with use of the double protective film as a mask.例文帳に追加
その後、ゲートキャップ絶縁膜、高融点金属膜及びポリシリコン膜の側面に、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜からなる２重の保護膜を形成し、これをマスクとして用いてポリシリコン膜をエッチングする。 - 特許庁
A double-angle smile oxide structure can be obtained by designing a gate electrode 22 to have the curved structure with its side surface spread toward the upper part and by forming a thick end edge portion of a gate oxide film 21 through re-oxidation.例文帳に追加
ゲート電極２２を、その側面が上部に向かって広がるように湾曲した構造にするとともに、再酸化によりゲート酸化膜２１の端縁部を厚くすることで、ダブル角度スマイル酸化構造を得る。 - 特許庁
A P+- well 9 with improved substrate concentration is formed at the substrate surface side of the inside of a P well 6, a polysilicon gate electrode 12 is formed on the substrate surface via a gate oxide film 10, and a source 14 and a drain 17 in double diffusion structure are formed in the P+- well 9 while sandwiching the gate electrode 12.例文帳に追加
Ｐウエル６の内側の基板表面側には基板濃度を高めたＰ^+-ウエル９が形成され、基板表面にはゲート酸化膜１０を介してポリシリコンゲート電極１２が形成され、そのゲート電極１２を挾んでＰ^+-ウエル９内に二重拡散構造のソース１４とドレイン１７が形成されている。 - 特許庁
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