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double spinの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9件
DOUBLE-LAYER STRUCTURE, SPIN VALVE SENSOR AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加
２重層構造、スピンバルブセンサ、及びその製造方法 - 特許庁
The ferromagnetic layer of the double-layered structure is used as both a side shield layer and a biased layer to the spin valve film.例文帳に追加
この２層構造の強磁性層がスピンバルブ膜に対するサイドシールド層及びバイアス層を兼用する。 - 特許庁
Since a washing and spin-drying tub 5 forms a double structure, the water separated from the laundry is prevented from being absorbed again by the laundry, and a spin-drying performance is improved.例文帳に追加
洗濯兼脱水槽５が二重構造を形成するため、洗濯物から分離される水が洗濯物へ再度吸収されることを抑制し、脱水性能が向上する。 - 特許庁
Splash guards 7, 8 are provided in double loop over a treating cup 5 for housing a spin chuck 1, and the spin chuck 1 and the outside splash guard 8 capable of moving upwards and downwards are composed.例文帳に追加
スピンチャック１を収容した処理カップ５の上方にスプラッシュガード７，８が二重輪状に設けられていて、スピンチャック１および外側のスプラッシュガード８が昇降可能に構成されている。 - 特許庁
When forming a double gate insulating film, an organic insulating film is formed on the metal oxide film in a self-assembly process or a spin coating process.例文帳に追加
二重ゲート絶縁膜とする場合には、有機絶縁膜を、自己組立工程またはスピンコーティング工程で金属酸化膜の上に形成する。 - 特許庁
The inside of a motor flange 13 of a spin motor 12 is formed to a double piping structure of a temperature control water piping 16 and an air supply piping 17 which is put through inside the temperature control water piping 16.例文帳に追加
スピンモータ１２のモータフランジ１３内を温調水配管１６、温調水配管１６内に通す給気配管１７とで二重配管構造とする。 - 特許庁
To perform sure attachment and automatic detachment by enabling to control a holding means for a base material even during the rotation in a spin coater for double coating a material to be coated such as a lens.例文帳に追加
レンズなどの被塗物の両面塗りのためのスピンコータにおいて、基材の把持手段を回転中も制御可能にして確実な装着と自動離脱を行う。 - 特許庁
A double annealing process is carried out to remove a magnetization probe failure while a low magnetic field is successively applied in a state wherein a magnetization probe failure occurs when a high magnetic field is applied in a process of forming the MTJ cell of a magnetic RAM having a SAF structure, so that the MTJ cell of the magnetic RAM improved in uniformity in the direction of spin can be formed.例文帳に追加
本発明は、ＳＡＦ構造のマグネチックラムのＭＴＪセル形成工程時に高い磁場の印加による磁化プローブ不良が発生した状態で順次に低い磁場の印加による２重アニーリング工程を実施して磁化プローブ不良を除去し、スピン方向の均一性を向上させたマグネチックラムのＭＴＪセルを形成することができる。 - 特許庁
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