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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > ecr sourceに関連した英語例文

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ecr sourceの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 26



例文

ECR ION SOURCE例文帳に追加

ECRイオン源 - 特許庁

ELECTRON CYCLOTRON RESONANCE (ECR) ION SOURCE例文帳に追加

ECRイオンソース{ElectronCyclotronResonanceionsource} - 特許庁

ECR PLASMA SOURCE AND ECR PLASMA DEVICE例文帳に追加

ECRプラズマ源およびECRプラズマ装置 - 特許庁

PERMANENT MAGNET TYPE ECR ION SOURCE例文帳に追加

永久磁石型ECRイオン源 - 特許庁

例文

ECR ION SOURCE, AND METHOD OF CONTROLLING ION VALENCY IN ECR ION SOURCE例文帳に追加

ECRイオン源およびECRイオン源におけるイオン価数の制御方法 - 特許庁


例文

SELF-ELECTRON EMITTING ECR ION PLASMA SOURCE例文帳に追加

自己電子放射型ECRイオンプラズマ源 - 特許庁

To reduce manufacturing costs of an ECR ion source.例文帳に追加

ECRイオン源の製造コストを低減させる。 - 特許庁

GYRAC ACCELERATING ELECTRON TYPE ECR ION SOURCE AND MULTIVALENT ION PRODUCING METHOD例文帳に追加

ジャイラック加速電子型ECRイオン源及び多価イオン生成方法 - 特許庁

The power source 174 and the magnetic apparatus 170 collaborate each other in giving an electron cyclotron resonance(ECR) condition at lease along a part of the passage 139.例文帳に追加

パワー源174と磁気装置170は、協働して通路139の少なくとも一部分に沿って電子サイクロトロン(ECR)の共振状態を与える。 - 特許庁

例文

DEVICE AND METHOD FOR GENERATING MIRROR FIELD FOR CONFINING PLASMA USED IN ECR ION SOURCE例文帳に追加

ECRイオン源に用いられるプラズマ閉じ込め用のミラー磁場発生装置及び方法 - 特許庁

例文

To provide an ECR plasma source capable of forming long, uniform and stable plasma.例文帳に追加

細長くて均一かつ安定なプラズマを形成することができる、ECRプラズマ源の提供。 - 特許庁

The magnetic field strength is continuously kept at a constant value or higher (nonzero) from a cyclotron 50 to an ECR ion source (ion source) 20.例文帳に追加

サイクロトロン50からECRイオン源(イオン源)20までの磁場の強度が連続的に一定値以上に保たれている(零とならない)点である。 - 特許庁

As a result, the manufacturing costs are reduced to the specification change of the ECR ion source such as size increase of the plasma chamber.例文帳に追加

この結果、プラズマチャンバーの大型化などECRイオン源の仕様変更に対して、製造コストを低減させることができる。 - 特許庁

Harmonic ECR (Electron Cyclotron Resonance) plasma is generated by introducing plasma source gas and microwave and applying the mirror magnetic field to perform the sputtering.例文帳に追加

プラズマソースガスを導入するとともに、マイクロ波導入とミラー磁場印加により、ハーモニックECRプラズマを発生させてスパッタリングを行なう。 - 特許庁

The ECR sputtering apparatus 1 comprises: an ECR sputtering source 2 which generates the plasma originating from the sputter target by using an electron cyclotron resonance mechanism and irradiates a substrate 10 with the generated plasma; and an ion beam source 3 which ionizes a supplied gas like the reactive gas and irradiates the substrate 10 with the ionized gas.例文帳に追加

ECRスパッタ装置1は、電子サイクロトロン共鳴によってスパッタターゲットのプラズマを発生し、発生したプラズマを基板10に照射するECRスパッタ源2と、反応性ガス等の供給ガスをイオン化し、イオン化したガスを基板10に照射するイオンビーム源3を備える。 - 特許庁

The direction through which plasma from the ECR plasma source 102 flows is the normal direction of the substrate W, the angle between the normal of the surface in the target 105 and the direction through which the plasm from the ECR plasma source 102 flows is θ, and this is 60 to <90°.例文帳に追加

ECRプラズマ源102からのプラズマが流れる方向を基板Wの法線方向としており、ターゲット105の表面の法線と、ECRプラズマ源102からのプラズマが流れる方向とのなす角度がθであり、これが60°以上90°未満にされている。 - 特許庁

The ion implanting device 10 equipped with an ion source and an ion accelerating device accelerating ion from the ion source up to required energy is so structured to use an ECR ion source 20 as the ion source, and an IH type linear accelerator 30 as the ion accelerating device.例文帳に追加

イオン源と、イオン源からのイオンを所望のエネルギーに加速するイオン加速装置とを備えたイオン注入装置10において、イオン源として、ECRイオン源20を用い、かつ、イオン加速装置として、IH型線形加速器30を用いるように構成した。 - 特許庁

In a mass spectrometer designed to analyze a mass by ionizing a molecule, separating an molecule ion generated by ionization, and detecting the separated molecule ion, an ion source to ionize the molecule is an ECR ion source in which ECR plasma having low energy suitable for the molecule weight of a macromolecule having a molecule weight of not less than 1,000 is generated by an electron cyclotron resonance phenomenon, and the macromolecule is ionized by the ECR plasma.例文帳に追加

分子をイオン化し、イオン化により生成した分子イオンを分離し、分離した分子イオンを検出して質量を分析するようにした質量分析装置において、分子をイオン化するイオン源が、電子サイクロトロン共鳴現象により分子量が1000以上の高分子の分子量に適した低エネルギー電子を有するECRプラズマを発生させ、上記ECRプラズマにより上記高分子をイオン化するECRイオン源であるようにした。 - 特許庁

Namely, it becomes possible to cope with specification change of the ECR ion source without generating permanent magnets with different size or characteristics according to a new specification.例文帳に追加

つまり、ECRイオン源の仕様変更に対して、新たな仕様に応じたサイズや特性の異なる永久磁石を作成することなく、仕様変更に対応可能となる。 - 特許庁

Specifically, an ion beam generation method forms a continuously distributed magnetic field along the central axis of a path for an ion beam passing from the ECR ion source 20 to the cyclotron 50.例文帳に追加

すなわち、このイオンビーム生成方法においては、ECRイオン源20からサイクロトロン50に至るまでのイオンビームが通過する経路の中心軸方向において、連続的に分布する磁場を形成する。 - 特許庁

In this case, an ECR ion source 20 having an atmospheric pressure type terminal 22 is employed as the ion source 20, and then the first and the second IH type linear accelerators 30, 40 are preferably APF-IH (including a quadrupole convergence system) type linear accelerators.例文帳に追加

この場合、イオン源20として、大気圧型ターミナル22を具備したECRイオン源20を用い、第1及び第2のIH型線形加速器30、40としては、それぞれ、APF−IH(四重極収束系を含む)型線形加速器とするとよい。 - 特許庁

The film is formed by oscillating an ECR sputter source S having a target, a coil and a plasma chamber so that the central axis 7a of the target follows a circumference L having a predetermined radius from a center of an HD substrate 1.例文帳に追加

ターゲット、コイルおよびプラズマ室を有するECRスパッタ源Sを首振り運動させて、ターゲットの中心軸7aがHD基板1の中心から所定半径を有する円周Lをなぞるようにして成膜する。 - 特許庁

A silicon film 15 is formed on the surface of a III-V group nitride semiconductor layer 14 between a Schottky-contact electrode 16 (a gate electrode 16) and ohmic-contact electrodes (a source electrode 17a and a drain electrode 17b) by an electron cyclotron resonance (ECR) sputtering method.例文帳に追加

ショットキ接触する電極(ゲート電極16)16とオーミック接触する電極(ソース電極17a、ドレイン電極17b)との間のIII−V族窒化物半導体層14表面に、ECRスパッタリング法により珪素膜15を形成する。 - 特許庁

A Wien filter 30 and the ECR ion source 20 each use a coil to utilize a magnetic field where a magnetic field generated by the coil and a magnetic field by the cyclotron are overlapped.例文帳に追加

Wienフィルター30やECRイオン源20においては磁場が利用されるため、それぞれにはコイルが用いられているが、これらにおいて用いられる磁場は、これらのコイルによって生成された磁場とサイクロトロンの磁場が重畳した磁場となっている。 - 特許庁

To generate highly efficient low-cost ion beams by increasing the strength of a magnetic field on an extraction side with a small volume, and to save the power consumption of a device with a compact, light ECR ion source for securing economy.例文帳に追加

ECRイオンソースに関し、小さな体積で引出側の磁場強度を強めることができるようにすることによって、低費用高効率のイオンビーム生成が可能であり、小型軽量にて装置の消費電力節減をもたらして経済性を確保することができるようにする。 - 特許庁

例文

This mirror magnetic field generation device 1 of the ECR ion source includes: a plasma chamber 2 which generates plasma to be closed in it; and a mirror magnetic field generation part 3 which generates a mirror magnetic field in which a plurality of regular polygonal or circular permanent magnets 32 are arranged around the plasma chamber 2, and for closing the plasma in the plasma chamber 2 in it by the plurality of permanent magnets 32.例文帳に追加

ECRイオン源のミラー磁場発生装置1は、プラズマを生成し閉じ込めるプラズマチャンバー2と、正多角形または円形の複数の永久磁石32がプラズマチャンバー2の周囲に配置され、該複数の永久磁石32によりプラズマチャンバー2内のプラズマを閉じ込めるミラー磁場を生成するミラー磁場生成部3と、を備える。 - 特許庁




  
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