「etch system」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

WET ETCHING SYSTEM AND METHOD FOR DETECTING ETCH RESIDUE USED THEREFOR例文帳に追加

ウェットエッチング装置および該装置に用いるエッチング残渣検出方法 - 特許庁

A post-etch treatment system is described for removing photoresist remnants and etch residues formed during an etching process.例文帳に追加

エッチングプロセス中に形成されるフォトレジストおよびエッチング残渣を除去するエッチング後の処理システムは、記載されている。 - 特許庁

METHODS AND APPARATUS FOR OPTIMIZATION OF ETCH RESISTANCE IN PLASMA PROCESSING SYSTEM例文帳に追加

プラズマ処理システムにおけるエッチング耐性を最適にする方法および装置 - 特許庁

A method of using a post-etch treatment system for removing photoresist remnants and etch residues formed during an etching process is described.例文帳に追加

エッチングプロセス中に形成されるフォトレジストおよびエッチング残渣を除去するエッチング後の処理システムを使用する方法は、記載されている。 - 特許庁

This allows the system to realize high resolution and etch the etched membranous portion into an excellent profile, and allows the system to etch the etched membranous portion into the excellent profile regardless of the thickness of an initial thin photoresist.例文帳に追加

これにより、高解像度と良好なプロファイルの被エッチング膜質のエッチングが可能であり、初期の薄いフォトレジストマスクの厚さに関係なく被エッチング膜質を良好なプロファイルにエッチングすることができる。 - 特許庁

To provide an SiGe etch-stop material system on a monocrystalline silicon substrate useful for aqueous anisotropic etchants.例文帳に追加

水性異方性エッチング剤に対して有用な、シリコン基板上のＳｉＧｅエッチング停止構造物を提供する。 - 特許庁

To provide a method of optimizing the etch resistance of a substrate material in a plasma processing system including a plasma processing chamber.例文帳に追加

プラズマ処理チャンバを含むプラズマ処理システムにおいて、基材のエッチングに対する耐性を最適化する方法を提供する。 - 特許庁

The SiGe etch-stop material system comprises a relaxed buffer layer graded up to Si_1-xGe_x and a relaxed uniform etch-stop layer of the Si_1-yGe_y, and it is preferable that x is equal to or smaller than 0.17 and y is equal to or greater than 0.3.例文帳に追加

ＳｉＧｅエッチング停止構造物が、Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘまでの段階が設けられた弛緩されたバッファ層と、Ｓｉ_１−ｙＧｅ_ｙの弛緩された均質なエッチング停止層とを有しており、ｘ≦０．１７、ｙ≧０．３が好ましい。 - 特許庁

First etching gas is supplied into the reaction chamber and plasma is generated by discharge from the plasma etching system in order to etch the antireflection film 2.例文帳に追加

反応室内に第１のエッチングガスを供給し、プラズマエッチング装置からの放電によりプラズマを生成して反射防止膜２をエッチングする。 - 特許庁

When used with a dual beam system that provides the capability to etch a layer from the sample, the system can be used for three-dimensional x-ray mapping.例文帳に追加

エッチングによって試料から層を除去する能力を提供するデュアル・ビーム・システムとともに使用すると、本発明のシステムを、３次元Ｘ線マッピングに使用することができる。 - 特許庁

To provide an etching system which is contrived to uniformly etch the whole surface of an object to be treated with a small amount of etchant.例文帳に追加

少量のエッチング液で被処理物の全面にわたって均一なエッチングによる加工を施すことができるようにしたエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma treatment method and a plasma treatment system securing stabilized device performance even in a semiconductor device using a hard-to-etch material.例文帳に追加

難エッチング材を使用した半導体装置においても安定したデバイス性能を得ることのできるプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a parallel plate reactive ion etching system which can etch a solar battery substrate with an etching distribution of ±10% in a batch.例文帳に追加

大面積の太陽電池基板を、バッチ内で±10％以下のエッチング分布をもってエッチング処理できる平行平板式反応性イオンエッチング装置を提供する。 - 特許庁

The post-etch treatment system comprises a vacuum chamber, a radical generation system connected to the vacuum chamber, a radical gas distribution system that is connected to the radical generation system and configured to distribute reactive radicals above a substrate, and a high-temperature pedestal configured to be connected to the vacuum chamber and to support the substrate.例文帳に追加

エッチング後の処理システムには、真空チャンバ、真空チャンバに結合されたラジカル発生システム、ラジカル発生システムに結合され、基板より上に反応性のラジカルを分配するように構成されたラジカルガス分配システム、および真空チャンバに結合されるように構成された高温の台が設けられ、基板を支持するように構成されている。 - 特許庁

A plurality of etch pits are formed on the sapphire substrate, which is doped with chromium or chromium and titanium, to form the LED by growing a GaN system semiconductor crystal layer while the fluorescent body is installed at least on the LED or the side surface of the same.例文帳に追加

クロムまたはクロム及びチタンをドープしたサファイア基板上に複数のエッチピットを形成し、ＧａＮ系の半導体結晶層を成長させてＬＥＤを作成し、該ＬＥＤの少なくとも上部または側面部に蛍光体を設置する。 - 特許庁

High-frequency power sources 17, 19 are operated via a control signal from a control system 100 to form high-frequency induction plasma (ICP) in the chamber 13, while alternating-current bias voltage is applied to the susceptor 11 to dry etch the compound semiconductor layer 20a.例文帳に追加

また、制御系１００の制御信号により高周波電源１７及び１９を運転し、チャンバ１３内に高周波誘導プラズマ（ＩＣＰ）を形成せしめると共にサセプタ１１に交流バイアス電圧を印加することにより、化合物半導体層２０ａのドライエッチングを行う。 - 特許庁

To prevent wafer damage by a ceramic jig mounted on a chuck table with a work having one of various outer diameters to be held and processed, when the ceramic jig corresponding to the outer diameter of the work is mounted on the chuck table within the chamber of an etching system to hold the work via the jig and then to etch the work.例文帳に追加

種々の外径の被加工物を保持してエッチングするために、エッチング装置のチャンバー内のチャックテーブルに被加工物の外径に対応したセラミックス治具を搭載し、そのセラミックス治具を介して被加工物を保持する場合において、チャックテーブルに搭載されたセラミックス治具と保持しようとする被加工物とを対応させることにより、ウェーハの損傷を防止する。 - 特許庁

To provide a method of forming a pattern of a semiconductor device in which a smaller photomask pattern stage can be achieved by performing an etching stage for photomask patterns using photosensitive film patterns as an etch-stop layer after forming the photosensitive film patterns between the photomask patterns by using a self-alignment system using negative photoresist and then performing a heat treatment stage for expanding the photoresist film patterns.例文帳に追加

本発明は、ネガ型フォトレジスト(Negative Type Photo Resist)を用いた自己整列方式を利用してフォトマスクパターンの間に感光膜パターンを形成し、感光膜パターンを拡大するための熱処理工程を行った後、感光膜パターンをエッチング防止膜として用いてフォトマスクパターンに対してエッチング工程を行うことにより、さらに微細なフォトマスクパターン工程が可能な半導体素子のパターン形成方法を提供するものである。 - 特許庁