「impurity」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

A photodiode 51 is provided with an N-type impurity introduction region 7 and a P^+-type impurity introduction region 6.例文帳に追加

フォトダイオード５１は、Ｎ型不純物導入領域７とＰ^+型不純物導入領域６とを備えている。 - 特許庁

METHOD AND FILTRATION MEMBRANE FOR ANALYZING IMPURITY例文帳に追加

不純物分析方法及び不純物分析用濾過膜 - 特許庁

EVALUATION OF FAULT AND IMPURITY ON SEMICONDUCTOR SURFACE例文帳に追加

半導体表面の欠陥及び不純物の評価法 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR ANALYSIS OF TRACE IMPURITY IN GAS例文帳に追加

ガス中の微量不純物の分析方法及び装置 - 特許庁

METHOD OF FORMING SILICON FILM CONTAINING TRACE IMPURITY例文帳に追加

微量不純物を含むシリコン膜を形成する方法 - 特許庁

ELIMINATOR FOR FIBROUS IMPURITY CONTAINED IN SEWAGE WATER例文帳に追加

汚水に含まれる繊維状夾雑物の除去装置 - 特許庁

IMPURITY ACTIVATING THERMAL PROCESSING METHOD, AND THERMAL PROCESSING APPARATUS例文帳に追加

不純物活性化熱処理方法及び熱処理装置 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING IMPURITY DIFFUSION DEPTH例文帳に追加

不純物拡散深さの測定方法および測定装置 - 特許庁

IMPURITY ACTIVATING THERMAL PROCESSING METHOD AND THERMAL PROCESSING APPARATUS例文帳に追加

不純物活性化熱処理方法及び熱処理装置 - 特許庁

IMPURITY SEPARATION-TYPE MELT RECEIVING DEVICE FOR FORK LIFT例文帳に追加

フオークリフト用不純物分離式溶融物受け入れ装置 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR ANALYZING TRACE IMPURITY IN GAS例文帳に追加

ガス中の微量不純物の分析方法及び装置 - 特許庁

The wafer adhered to the dopant impurity is treated through annealing.例文帳に追加

ドーパント不純物が付着したウェーハをアニール処理する。 - 特許庁

To obtain a recyclable water quality by reducing an impurity concentration of air conditioned cooling water in which the impurity concentration is enhanced.例文帳に追加

不純物濃度が高まった空調冷却水の不純物濃度を低下させ、再利用可能な水質とする。 - 特許庁

METHOD FOR MEASURING AMOUNT OF IMPURITY OF Si WAFER SURFACE例文帳に追加

Ｓｉウェーハ表面の不純物量の測定方法 - 特許庁

IMPURITY SEPARATION PIT AND RAINWATER STORAGE AND INFILTRATION SYSTEM例文帳に追加

夾雑物分離マス及び雨水貯留浸透システム - 特許庁

Then, an impurity density of the upper electrode is higher than an impurity density of the memory gate electrode MG.例文帳に追加

そして、上部電極の不純物濃度は、メモリゲート電極ＭＧの不純物濃度よりも高くなっている。 - 特許庁

A source/drain region 17 includes a low density impurity region 171 and a high density impurity region 172.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域１７は、低濃度の不純物領域１７１及び高濃度の不純物領域１７２を含む。 - 特許庁

FILTER DEVICE FOR REMOVING IMPURITY FROM HYDROGEN GAS例文帳に追加

水素ガスから不純物を除去するためのフィルタ装置 - 特許庁

ELECTROSTATIC COAGULATION/ADSORPTION SEPARATOR FOR IMPURITY IN LIQUID例文帳に追加

液中不純物静電凝集吸着分離装置 - 特許庁

TOOL FOR ANALYZING IMPURITY IN SEMICONDUCTOR WAFER, AND IMPURITY ANALYSIS METHOD OF SEMICONDUCTOR WAFER USING THE TOOL例文帳に追加

半導体ウエーハの不純物分析用治具及びそれを用いた半導体ウエーハの不純物分析方法 - 特許庁

ELECTRICAL ACTIVATION METHOD OF IMPURITY ION IMPLANTED LAYER例文帳に追加

不純物イオン注入層の電気的活性化方法 - 特許庁

Then, n type impurity and p type impurity are selectively injected into the upper face of the n^- type buffer layer.例文帳に追加

次に、ｎ^−型バッファー層の上面にｎ型不純物及びｐ型不純物を選択的に注入する。 - 特許庁

These two gods was born from the impurity of the Yominokuni. 例文帳に追加

この二神は黄泉の穢れから生まれた神である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

FUEL CELL SYSTEM, AND IMPURITY CONCENTRATION ESTIMATION METHOD例文帳に追加

燃料電池システム及び不純物濃度推定方法 - 特許庁

The n-layer 103 has a constant impurity concentration.例文帳に追加

Ｎ層１０３は一定の不純物濃度を有している。 - 特許庁

APPARATUS AND METHOD FOR SEPARATING IMPURITY IN METAL例文帳に追加

金属中の不純物の分離装置および分離方法 - 特許庁

REMOVING METHOD FOR FIBROUS IMPURITY CONTAINED IN SEWAGE例文帳に追加

汚水に含まれる繊維状夾雑物の除去方法 - 特許庁

An impurity on the surface of silicon substrate 1 is removed.例文帳に追加

シリコン基板１の表面の不純物を除去する。 - 特許庁

The gate impurity region 6 (impurity region 2) has such a concentration profile as not varying the gate capacity (effective impurity concentration of channel and channel resistance) for a conventional FET having an impurity concentration optimized by a constant value.例文帳に追加

また、ゲート不純物領域６（不純物領域２）は、不純物濃度を一定値で最適化した従来のＦＥＴに対し、ゲート容量値（チャネルの実効不純物濃度およびチャネル抵抗）を変化させない濃度プロファイルを有する。 - 特許庁

For example, when the impurity layer (8) is disposed between the p-type cladding layer (18) and the waveguide layer (6), the impurity concentration of the impurity layer (8) is ≥1/10 to ≤1/2 of the impurity concentration of the p-type cladding layer (18).例文帳に追加

不純物層（８）は、例えば、ｐ型クラッド層（１８）と導波層（６）との間に設けられる場合に、その不純物濃度が、ｐ型クラッド層（１８）の不純物濃度の１０分の１以上かつ２分の１以下である。 - 特許庁

An impurity region 19 having the same impurity concentration with that of the impurity region 17 is formed at the same depth of that of the impurity region 17 from the surface of the semiconductor substrate 11 in the semiconductor substrate 11 under the diffusion layer 18.例文帳に追加

拡散層１８下で半導体基板１１の表面から不純物領域１７と同じ深さの半導体基板１１内に、不純物領域１７と同じ不純物濃度を持つ不純物領域１９が形成されている。 - 特許庁

The source and drain regions 31 include a p-type low concentration impurity region 29 contain relatively low impurity concentration of the first conductivity type and a p-type high concentration impurity region 30 containing relatively high p-type impurity concentration.例文帳に追加

ソースおよびドレイン領域３１は、相対的に第１導電型の不純物濃度が小さいｐ型低濃度不純物領域２９と、相対的にｐ型不純物濃度が大きいｐ型高濃度不純物領域３０とを含む。 - 特許庁

To remove impurity attracted on an electrode protective layer.例文帳に追加

電極保護層に吸着している不純物を除去する。 - 特許庁

The impurity diffusion layer 12 is removed by etching.例文帳に追加

その不純物拡散層１２をエッチングによって除去する。 - 特許庁

METHOD FOR REMOVING IMPURITY FROM SOLVENT EXTRACTION SOLUTION例文帳に追加

溶媒抽出液から不純物を除去するための方法 - 特許庁

To form an impurity diffused layer where the impurity concentration is uniform on the side of a semiconductor fin in a fin-type transistor.例文帳に追加

フィン型トランジスタにおいて、半導体フィンの側面に不純物濃度が一様な不純物拡散層を形成する。 - 特許庁

Or a border impurity layer is provided between the both.例文帳に追加

もしくは、両者の間に境界不純物層を設ける。 - 特許庁

To provide a refining method for producing silicon free from impurity contamination.例文帳に追加

不純物汚染のないシリコン精錬方法を提供する。 - 特許庁

The second semiconductor region 11 is composed of an outer section 19 having a high impurity concentration, and an inner section 21 having a low impurity concentration.例文帳に追加

第２半導体領域１１は、不純物濃度が高い外側部１９と低い内側部２１とで構成される。 - 特許庁

APPARATUS AND METHOD FOR INSPECTION OF IMPURITY CONCENTRATION OF SEMICONDUCTOR例文帳に追加

半導体の不純物濃度検査装置及び検査方法 - 特許庁

METHOD AND SYSTEM FOR FORMING IMPURITY IMPLANTED REGION例文帳に追加

不純物導入領域を形成する方法およびシステム - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR REMOVING IMPURITY IN BORON- CONTAINING SOLUTION例文帳に追加

ホウ素含有溶液の不純物除去方法及び装置 - 特許庁

A high-impurity concentration layer is formed by implantation of ions of phosphorus or the like, and an ohmic electrode is provided on the surface of the high-impurity concentration layer.例文帳に追加

燐等のイオン注入により高不純物濃度層を形成し、その表面にオーミック電極を設ける。 - 特許庁

LAMINATED MULTICELLULAR FOAMED GLASS CONTAINING IMPURITY AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

夾雑物含有積層泡ガラス及びその製造方法 - 特許庁

After that, the trench is filled in with a semiconductor of which the impurity concentration is lower than the impurity concentration of the n-type main semiconductor layer 1.例文帳に追加

次いで、トレンチをｎ型主半導体層１の不純物濃度よりも低い不純物濃度の半導体で埋める。 - 特許庁