「impurity」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD FOR REMOVING IMPURITY COMPOSED OF COMPOUND CONTAINING OH GROUP IN MOLECULE例文帳に追加

分子中にＯＨ基を有する化合物からなる不純物の除去方法 - 特許庁

Impurity in a p-type semiconductor layer is activated by plasma.例文帳に追加

プラズマによりｐ型半導体層中の不純物を活性化する。 - 特許庁

The impurity 7 is also injected in the polysilicon film 4G.例文帳に追加

不純物７は、ポリシリコン膜４Ｇ内にも注入される。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR ETCHING SILICON WAFER AND IMPURITY ANALYZING METHOD例文帳に追加

シリコンウェーハのエッチング方法とその装置及び不純物分析方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING IT AND METHOD OF ANALYZING IMPURITY CONCENTRATION IN SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体装置、その製造方法、及びその不純物濃度の解析方法 - 特許庁

MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF INTRODUCING IMPURITY INTO SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

半導体装置の製造方法及び半導体層への不純物導入方法 - 特許庁

The wafer adhered to the dopant impurity is treated through annealing.例文帳に追加

ドーパント不純物が付着したウェーハをアニール処理する。 - 特許庁

IMPURITY ANALYZING METHOD OF SILICON SUBSTRATE AND ITS VAPOR PHASE CRACKING DEVICE例文帳に追加

シリコン基板中の不純物分析方法及びその気相分解用装置 - 特許庁

IMPURITY DIFFUSING METHOD, MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

不純物拡散方法、半導体装置の製造方法および半導体装置 - 特許庁

MEASURING METHOD OF DOPANT IMPURITY CONCENTRATION AND EVALUATING METHOD OF WAFER ATMOSPHERE例文帳に追加

ドーパント不純物濃度の測定方法及びウェーハ環境評価方法 - 特許庁

VACUUM SEALING DEVICE, VACUUM SEALING METHOD AND METHOD FOR DIFFUSING IMPURITY例文帳に追加

真空封止装置、真空封止方法及び不純物拡散方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING IMPURITY DOPED REGION AND METHOD FOR FORMING SAME例文帳に追加

不純物ドーピング領域を含む半導体素子及びその形成方法 - 特許庁

DEVICE FOR RECOVERING POLYSTYRENE AND METHOD FOR REMOVING IMPURITY THEREFOR例文帳に追加

ポリスチレン回収装置とそのための夾雑物除去方法 - 特許庁

COLLECTION METHOD AND APPARATUS FOR IMPURITY ON SEMICONDUCTOR WAFER SURFACE例文帳に追加

半導体ウエハ表面不純物の回収方法および回収装置 - 特許庁

SILICON COMPONENT AND METHOD OF MEASURING AMOUNT OF METAL IMPURITY ON ITS SURFACE例文帳に追加

シリコン製部品およびその表面金属不純物量の測定方法 - 特許庁

IMPURITY DOPING METHOD FOR SEMICONDUCTOR USED FOR SOLAR POWER GENERATION例文帳に追加

太陽光発電に用いられる半導体への不純物導入方法 - 特許庁

MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND IMPURITY INJECTION ACTIVATION PROCESSING DEVICE例文帳に追加

半導体装置の製造方法および不純物注入活性化処理装置 - 特許庁

METHOD AND SYSTEM FOR ABATEMENT OF IMPURITY FROM GAS STREAM例文帳に追加

ガス流からの不純物減少のための方法及びシステム - 特許庁

Then a fifth impurity region and a sixth impurity region acting like the GOLD region and a third impurity region and a fourth impurity region acting like the LDD region are formed through ion implantation by using the gate electrode 9 for a mask.例文帳に追加

そして、そのゲート電極９をマスクとしてイオン注入によりＧＯＬＤ領域となる第５不純物領域と第６不純物領域が形成されるとともに、ＬＤＤ領域となる第３不純物領域と第４不純物領域が形成される。 - 特許庁

The semiconductor device 10 has an anode impurity region 13 and a cathode impurity region 14 in a semiconductor substrate having an SOI (Silicon On Insulator) structure and comprises a voltage controlling impurity region 15, between the anode and cathode impurity regions.例文帳に追加

ＳＯＩ（Silicon On Insulator）構造の半導体基板にアノード不純物領域１３とカソード不純物領域１４とを有する半導体装置１０であって、前記アノード不純物領域と前記カソード不純物領域との間に電圧制御用不純物領域１５を形成することを特徴とする半導体装置。 - 特許庁

To enable semiconductor regions having various impurity concentrations to be easily formed.例文帳に追加

様々な不純物濃度を有する半導体領域を簡単に形成する。 - 特許庁

A part of the n- type impurity region overlaps the gate electrode.例文帳に追加

ｎ- 型不純物領域の一部は、ゲート電極とオーバーラップされている。 - 特許庁

The distribution of impurity concentrations is provided in a p-type group-III nitride semiconductor layer 8.例文帳に追加

ｐ型のIII族窒化物半導体層８に不純物濃度の分布を設ける。 - 特許庁

METHOD FOR REMOVING IMPURITY IN SEMICONDUCTOR WAFER AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体ウェーハの不純物除去方法及び半導体装置 - 特許庁

REMOVAL METHOD AND ANALYSIS METHOD OF IMPURITY IN SILICON WAFER例文帳に追加

シリコンウェハの不純物の除去方法及び分析方法 - 特許庁

Concentration of this p-type impurity is 1×10^15cm^-3.例文帳に追加

このｐ型不純物の濃度は、１×１０^15ｃｍ^-3である。 - 特許庁

ESTIMATION METHOD OF IMPURITY COMPONENT CONCENTRATION IN LIQUID PHASE OF LIQUIFIED GAS例文帳に追加

液化ガスの液相中の不純物成分濃度の推定方法 - 特許庁

In such a case, the impurity ion is prevented from being implanted into the N^+ layer 8.例文帳に追加

この際、不純物イオンがＮ^＋層８に注入されないようにする。 - 特許庁

The front surface semiconductor region 154 includes a p-type impurity.例文帳に追加

表面部半導体領域１５４は、ｐ型の不純物を含んでいる。 - 特許庁

To efficiently form a thin film having little impurity content on a substrate.例文帳に追加

基板上に不純物含有量の少ない薄膜を効率良く形成する。 - 特許庁

A first lower electrode 21 is provided on the second impurity diffusion region.例文帳に追加

第１下部電極２１は第２不純物拡散領域上に配設される。 - 特許庁

METALLIC IMPURITY EVALUATION METHOD, AND SUBSTRATE FOR EVALUATION AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

金属不純物評価方法及び評価用基板とその製造方法 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR DETECTING IMPURITY ELEMENT OF QUARTZ GLASS MATERIAL例文帳に追加

石英ガラス材の不純物元素検出方法及びその実施に用いる装置 - 特許庁

A second impurity peak at the location deeper than a first impurity peak as the impurity peak of impurity implanted region for adjusting the threshold voltage, exists in the region held by the source regions and drain regions of the FET's 20, 30.例文帳に追加

各ＦＥＴ２０，３０のソース領域とドレイン領域とで挟まれた領域には、閾値電圧調整用の不純物注入領域の不純物ピークである第１の不純物ピークよりも深い位置に現れる第２の不純物ピークが存在している。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR MEASURING QUANTITY OF IMPURITY IN ANALYZED GAS SAMPLE例文帳に追加

被分析ガス試料中の不純物量を測定する方法および装置 - 特許庁

DIFFUSING AGENT COMPOSITION, METHOD FOR FORMING IMPURITY DIFFUSION LAYER, AND SOLAR CELL例文帳に追加

拡散剤組成物、不純物拡散層の形成方法、および太陽電池 - 特許庁

APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE AND METHOD FOR ANALYSING IMPURITY OF SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

基板処理装置及びシリコン基板の不純物分析方法 - 特許庁

To improve removing efficiency of a specific impurity gas contained in the air.例文帳に追加

空気中に含まれる特定の不純物ガスの除去効率を向上させる。 - 特許庁

The channel doped layer 103 contains carbon as an impurity.例文帳に追加

チャネル拡散層１０３は不純物として炭素を含んでいる。 - 特許庁

LIQUID IMPURITY SOURCE MATERIAL, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

液状不純物源材料及びこれを使用した半導体装置の製造方法 - 特許庁

On the semiconductor substrate 120, there is an impurity diffusion layer 122.例文帳に追加

半導体基板１２０において、不純物拡散層１２２が設けられている。 - 特許庁

To form a high dielectric constant film that has little impurity content.例文帳に追加

不純物含有量の少ない高誘電率膜を形成する。 - 特許庁

The semiconductor substrate is heated, and impurity for threshold control is activated.例文帳に追加

半導体基板を加熱し、しきい値制御用の不純物を活性化させる。 - 特許庁

An n-type impurity is implanted in the NMOS region (Figure 1 (A)).例文帳に追加

ＮＭＯＳ領域にＮ型不純物を注入する（図１（Ａ））。 - 特許庁

The N-type semiconductor region 119 contains arsenic as a main impurity.例文帳に追加

Ｎ型半導体領域１１９は主たる不純物としてヒ素を含む。 - 特許庁